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1、项目8 常用半导体器件练习题 项目8 常用半导体器件性能与测试 任务8.1 二极管的性能与测试 一、判断题 1.漂移运动是少数载流子运动而形成的。（ ） 2.PN结正向电流的大小由温度决定的。（ ） 3.PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（ ） 4.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（ ） 5.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） 6.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） 7.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ） 8.P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ） 9.晶体二极管有一个PN结，所以有单
2、向导电性。（ ） 10.晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（ ） 11.硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（ ） 12.将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（ ） 13.稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（ ） 14.用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ） 15.二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ） 16.用500型万用表测试发光二极管，应选R10K挡。（ ） 二、选择题 1.在本征半导体中掺入微量的（ D ）价元素，形成N型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2.在P型半导体中，自由电子浓度（ C ）空
3、穴浓度。 A.大于 B.等于 C.小于 D.无法确定 3.本征半导体温度升高以后，（ C ）。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4.空间电荷区是由（ C ）构成的。 A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子 5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。 A.变窄 B.基本不变 C.变宽 D.无法确定 6.稳压管的稳压区是其工作在（ C ）。 A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.都有可能 7.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A ）。 A.增大 B.不变 C.减小 D.
4、都有可能 8.当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ A ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.无法确定 9.测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。 A.R100或R1K B.R1 C.R10K D.R100 10.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。 A.P型半导体 B.本征半导体 C.N型半导体 D.无法确定 11.稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。 APN结的单向导电性 B.PN结的反向击穿特性 CPN结的正向导通特性 D.本征半导体 12.二极管的正向电阻（ B ）反向电阻。 A.大于 B.小于 C.等于 D.不确定 13
5、.某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。 A.280V B.140V C.70V D.40V 14.考虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。 A-14.3V B-0.7V C.-12V D-15V 15.P型半导体中多数载流子是（ D ）。 A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴 16.N型半导体中多数载流子是（ C ）。 A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴 17.用万用表R10和R1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。 A相同 BR10挡的测试值较小 CR1K挡的测试值较小 DR1挡的测试值较小 18.用万用表不同欧姆档
6、测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ C ）。 A二极管的质量差 B万用表不同欧姆档有不同的内阻 C二极管有非线性的伏安特性 D.无法确定 任务8.2 三极管的性能与测试 一、判断题 1.三极管两个PN结均反偏，说明三极管工作与饱和状态。（ ） 2.三极管集射电压为0.1-0.3V，说明其工作于放大状态。（ ） 3.三极管集射电压约为电源电压，说明其工作于截止状态。（ ） 4.三极管处于放大状态时，发射结和集电结均正偏。（ ） 5.两个二极管反向连接起来可作为三极管使用。（ ） 6.一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（ ） 7.三极管的发射结处于正向偏置时，
7、三极管导通。（ ） 二、选择题 1.下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是（ A ）。 A.VBE0,VBE0，VBEVCE时 D.VBEVCE时 2.工作在放大区域的某三极管，当IB从20A增大到40A时，IC从1mA变为2mA则它的值约为（ B ）。 A.10 B.50 C.80 D.100 3.NPN型和PNP型晶体管的区别是（ C ）。 A.由两种不同的材料硅和锗制成的 B.掺入的杂质元素不同 C.P区和N区的位置不同 D.管脚排列方式不同 4.当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将 （ D ）。 A.增大 B.减少 C.反向 D.几乎为零 5.为了使三
8、极管可靠地截止，电路必须满足（ D ）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏 C.发射结和集电结都正偏 D.发射结和集电结都反偏 6.检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态（工作区），最简便的方法是测量（ D ）。 AIBQ B.UBE C.ICQ D.UCEQ 7.对放大电路中的三极管进行测量，各极对地电压分别为UB=2.7V，UE=2V，UC=6V，则该管工作在（ A ）。 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.无法确定 8.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是UA=2.3V，UB=3V，UC=0V，则此三极管一定是（ A ）。 A.
9、PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管 9.三极管电路如图8.1所示，该管工作在（ C ）。 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.无法确定 图8.1 三极管电路 10.测得三极管IB=30A时，IC = 2.4mA ；IB=40A时，IC = 1mA，则该管的交流电流放大系数为（ B ）。 A.80 B.60 C.75 D.100 11.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为 V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则（ B ）。 A.1为e 2为b 3为c B.1为e 3为b 2为c C.2为e 1为b 3为c D.3为e 1为b 2为c 12.已
10、知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE = 1.7V，VB= 1.4V ，VC = 5V，则该管类型为（ C ）。 A.NPN型锗管 B.PNP型锗管 C.NPN型硅管 D.PNP型硅管 13.设某晶体管三个极的电位分别为UE = 13V，UB = 12.3V ，UC = 6.5V， 则 该管是为（ D ）。 A. PNP型锗管 B.NPN型锗管 C. PNP型硅管 D.NPN型硅管 14.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE=6V，UB = 5.3V ，UC = 0V， 则该管为（ C ）。 A. PNP型锗管 B.NPN型锗管 C. PNP型硅管 D.NPN型硅管 15.如图8.2所示的三极管接在放大电路中， 该管工作正常，测得UBE = 0.3V ，则此管的类型为（ A ）。 A. PNP型锗管 B.NPN型锗管 C. PNP型硅管 D.NPN型硅管 CBEs 图8.2 三极管接在放大电路中 16.晶体管的主要特点是具有( B ）。 A.单向导电性 B.电流放大作用 C.稳压作用 D.电压放大作用 17. 工作在放大状态的双极型晶体管是 （ A ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件
