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1、1. 某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV，输出电压为6.5V,输入电压为15mV时，输出电压为7V（以上均为直 流电压），它的电压增益为（ C ）a、700 b、650 c、100 d、-1002. 当输入信号频率为f L或f H时，电压增益的幅值约下降为中频时的（ B ）a、05. b、0.7 c、0.9 d、13. 当输入信号频率为fL或fH时, 电压增系下降了( B )。A、2 dB B、3dB C、4dB D、6dB4. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）a、10K b、2K c、1 K d、0.5
2、K5. 用两个AU相同的放大电路A和B分别对同一个具有相同内阻的电压信号进行放大，测试结果输出电压VOAVOB，由此可知A比B（ B ）a、一样 b、差 c、好 d、无法判别6. 用两个放大电路A和B分别对同一电压信号进行放大。当输出端开路时VOA=VOB ，都接入负载RL时，测得VOAVOB ，由此必须A比B（ C ）a、输入电阻高 b、输入电阻小 c、输出电阻高 d、输出电阻低理想运放7. 在线性区内，分析理想运放二输入间的电压时可采用（ A ）a、虚短 b、虚断 c、虚地 d、以上均否8. 如图示，运放A为理想器件，则其输出电压V0为（ A ）a、0V b、3V c、6V d、9V9.
3、如图示，运放A为理想器件，则其输出电压VO为（ C ）a、9V b、6V c、0V d、3V10. 设VN、VP和V0分别表示反相输入端、同相输入端和输出端，则V0与VN、VP分别成（ D ）a、同相、同相 b、反相、反相 c、同相、反相 d、反相、同相11. 若要将幅度为Um的矩形波转变为三角波，则应选用（ D ） A、反相比例运算电路 B、同相比例运算电路 C、微分运算电路 D、积分运算电路半导体12. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。a、电子 b、空穴 c、三价硼元素 d、五价磷元素13. 半导体中有两种载流子，它们分别是（ C ）a、电子和受主离子 b、空穴和
4、施主离子 c、电子和空穴 d、受主离子和施主离子14. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ B ）a、温度 b、杂质浓度 c、掺杂工艺 d、晶体缺陷15. 在室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加是（ C ）a、载流子 b、多数载流子 c、少数载流子 d、正负离子16. 温度升高后，在纯半导体中，其电子、空穴变化为（ A ）a、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同 b、空穴增多，自由电子数目不变c、自由电子增多，空穴数目不变 d、自由电子和空穴数目都不变二极管17. PN结不加外部电压时，PN结中的电流为（ B ）a、只从P区流向N区 b、等于零c、只从N区流向P区 d、无
5、法判别18. 流过二极管的电流一定，而温度升高时，二极管的正向电压（ A ）a、减小 b、增大 c、基本不变 d、无法确定19. 当PN结外加正向电压时，耗尽层将（ C ）a、不变 b、变宽 c、变窄 d、无法判别20. 二极管正向电压从0.7V增大5%时，流过的电流增大为（ B ）a、5% b、大于5% c、小于5% d、不确定21. 温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线应（ A ）a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能22. 利用二极管组成整流电路，是应用二极管的（ D ）a、反向击穿特性 b、正向特性 c、反向特性 d、单向导电性23. PN结形成后，PN结中含有（ D ）a、电
6、子 b、空穴 c、电子和空穴 d、杂质离子24. PN结不加外部电压时，扩散电流与漂移电流应（ A ）a、相等 b、大于 c、小于 d、无法确定25. 稳压管能够稳定电压，它必须工作在（ D ）a、正向状态 b、反向状态 c、单向导电状态 d、反向击穿状态26. 以下四种半导体器件中，为硅稳压管的是（ C ）a、2CZ11 b、2AP6 c、2CW11 d、2CP1027. 在一般电路分析计祘时，常将二极管简化为理想模型、恒压降模型、折线模型和小信号模型。如图所示符号为（ C ）。A、理想模型 B、恒压降模型 C、折线模型 D、小信号模型三极管28. 放大电路的静态是指（ A ）a、输入端短路
7、 b、输入端开路 c、交流信号短路 d、交流信号为零29. 三极管能起放大作用的内部条件之一是发射区掺杂浓度（ C ）a、低 b、中 c、高 d、以上均可30. 三极管工作在饱和区时，b-e极间，b-c极间分别为（ D ）a、反偏，反偏 b、反偏，正偏 c、正偏，反偏 d、正偏，正偏31. 三极管工作在放大区时，b-e极间、b-c极间分别为（ D ）a、正编、正编 b、反编、反编 c、反编、正编 d、正编、反编32. NPN型和PNP型三极管的区别是（ C ）a由两种不同的材料硅或锗构成 b、掺入的杂质不同c、P区和N区的位置不同 d、以上均否33. 温度升高时，三极管的输出特性曲线将（ A
8、）a、上移 b、下移 c、不变 d、以上均有可能34. 温度升高时，三极管极间反向电流将（ A ）a、增大 b、减小 c、不变 d、无法确定35. 某三极管的极限参数PcM=150mW，IcM=100mA，V（BR）CEo=30V，若它的工作电压VcE=10V, 则工作电流Ic不得超过（ C ）a、100mA b、50mA c、15mA d、1mA36. 某三极管的极限参数PCM=150mw，ICM=100mA，V（BR）c EO=30V，若它的工作电压VCE=1V，则工作电流不得超过（ D ）a、1mA b、15 mA c、40 mA d、100 mA37. 某三极管的极限参数PCM=150
9、mw , ICM=100mA , V(BR)CE0=30V , 若工作电流IC=1mA , 则工作电压不得超过（ A ）a、30V b、15V c、10V d、1V38. 用两个Au相同放大电路A和B分别对同一个具有内阻的电压信号进行放大，测试结果为VoAVoB,这是由于( C )a、输出电阻小 b、输出电阻高 c、输入电阻高 d、输入电阻小39. 三极管输入电阻rbe与静态电流I E的大小有关，因而rbe是( C )a、交、直流电阻 b、直流电阻 c、交流电阻 d、以上均否40. 如图示Us2=0，从集电极输出，则该电路属于（ C ）a、无法确定 b、共集 c、其基 d、共发41. 检修某台
10、无使用说明书的电子设备时，测得三极管各电极对地电压数据为VB=-0.2V, VC=-5V, VE=0, 则该三极管为（ B ）a、NPN 型,锗管 b、PNP型,锗管 c、NPN型,硅管 d、PNP型,硅管 42. 某放大电路，IA=1.5mA，IB=0.03mA, Ic=-1.53 mA ，则A，B，C中极性分别是（ D ）a、（e、b、c） b、（b、c、e） c、（c、e、b） d、（c、b、e）43. 有二只半导体三极管，A管子的=200，IcEo=240A，B管子的=100，IcEo =20A其他参数一样，则管子的好坏为（ C ）a、均一样 b、A管好 c、B管好 d、无法判别44.
11、 三极管能起放大作用的内部条件之一是基区宽度（ A ）a、窄 b、中 c、宽 d、以上均可45. 在单管共射极电路中，换上减小的管子，VCEQ将（ C ）a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定46. 三极管放大电路的三种组态（ D ）a、都有电压放大 b、都有电流放大 c、只有共射极才有功率放大 d、都有功率放大47. 如图示，US1=0，US20从集电极输出，则该电路属于（ ）a共射 b、共基 c、共集 d、无法判别48. 如图所示，US1=0，US20，从发射极输出，则该电路属于（ C ）a、共射 b、共基 c、共集 d、无法判别49. 检修某台无使用说明书的电子设备时，VB=2.73
12、V，VC=2.3V,VE=2V，则该三管类型为（ D ）a、NPN型，锗管 b、PNP型，硅管 c、PNP型锗管 d、NPN型硅管50. 某放大电路，IA=-1.8mA ,IB=-0.06mA ,Ic=1.86mA，则A、B、C中极性分别为（ A ）a、（c、b、e ） b、（b、e、c ） c、（c、e、b） d、（e、c、b ）51. 三极管能起放大作用的内部条件之一是集电结面积比发射结面积（ C ）a、小 b、一样 c、大 d、无法确定52. 三极管工作在放大区时，流过发射结电流和流过集电结的电流主要是（ D ）a、均为扩散电流 b、均为漂移电流 c、漂移电流、扩散电流 d、扩散电流、漂
13、移电流53. 温度升高时，VBE随温度上升而发生（ A ）a、减小 b、增大 c、不变 d、无法确定54. 某三极管各极对地的电压为VB= -0.3V，VC= -5.1V，VE= -0.1V，则该三极管结构及工作状态为（ D ）a、NPN型放大 b、PNP型饱和 c、NPN型饱和 d、PNP型放大55. 晶体三极管的关系式iB = f (uBE)VCE , 它代表三极管（ D ）a、共基极输入特性 b、共集电极输入特性 c、共射极输出特性 d、共射极输入特性56. 对于基本共射放大电路，当RC增大时，其输出电阻（ C ）a、不变 b、减小 c、增大 d、无法确定57. 单管共射极电路中，输入f = 1KHZ的正弦电压信号后，分别用示波器观察输入信号和输出信号，则二者波形应该是（ A ）a、相差180 b、相差90 c、相差45 d、同相58. 对于基本共射放大电路，负载RL减小时，输出电阻
