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1、名称ChipMLD：Molded BodyCAEAluminumElectrolyticCapacitorMelf：Metal ElectrodeFaceSOT：Small OutlineTransistorTO:TransistorOutlineOSC：OscillatorXtal： Crystal1、SMT表面封装元器件图示索引（完善）图示|S陽 SOT 323 SOT 353 SOT 363UlTWA WNIM*il,SOT 23 SOT 143 SOT 25 SOT 26 .StandardSOT 89SOT 223Hic*i PowerDPAKD2PAKD3PAK常用于电祖，电容,电
2、感理电容,二极铝电解电容圆柱形玻璃二极管.电阻（少见）三极管，效应管电源模块晶振晶振备注片式元件模制本体元件有极性二个金属电极小型晶体管JEDEC(TO)EIAJ(SC)晶体管外形的貼 片元件 JEDEC（TO）晶体振荡器二引脚晶振SOD：SmalI OutineDiodeSOIC:Small OutlineIC小型二极管（相二极管比插件元件）JEDECSOP：Small OutlinePackageSOJ：Small OutlineJ-LeadLCC： LeadlessChip carrierPLCC： plastic leaded Chip carrierDIP：Dual In-inePa
3、ckageQFP：QuadFlat Package芯片，座子小型集成芯片芯片芯片芯片变压器，开关. 芯片芯片小型封装，也称SO, SOIC引脚从封装 两侧引出呈 海鸥翼状（L 字形）前缀：S： ShrinkT： ThinJ型引脚的小芯 片【也成丁字形】无引脚芯片载体：指瓷基板的四个 侧面只有电极接 触而无引脚的表 面姑装型封装。也称为瓷QFN或 QFN-C引脚从封装的四 个侧面引出,M 丁字形或J型， 是塑料制品。双列克插式封 装：引脚从封装 两侧引出四方扁平封装： 引脚从四个侧面 引出呈海鸥與（L）型。基材有 瓷、金属和塑料三种。BGA：BallGrid Array芯片塑料：p瓷：c球形柵格
4、阵 列：在印刷基 板的背面按列 方式制作出球 形凸点用以代 替引脚QFN：QuadFlat No-lead芯片四方扁平无引 豐器件SON：Smal1 OutlineNo-Lead芯片小型无引脚器 件2、 SMT物料基础知识一.常用电阻、电容换算：1. 电阻（R）：电阻：定义：导体对电流的祖碍作用就叫导体的电阻。无方向用字母R表示单位是欧姆（Q）,分：欧（Q）.千欧（KQ）.兆欧（MQ） 1MQ=1000K 0 = 1000000 01） 换算方法: 前面两位为有效数宇（照写），第三位表示倍数10“次方（即“0”的个数）103=10*10 =10000 Q = 10K Q471 二 47*10匚
5、470 Q100- 10*10-10Q101- 10X10=100 Q120-12X10=12 0 前面三位为有效数宇（照写），第四位表示倍数倍数10n次方（即“0”的个数）.1001-100*101=1000Q = 1KQ1632二 163*10=16300 Q=16. 3K Q1470=147X10=147 01203=120X 103Q=120KQ4702=470 X102Q=47K Q英制(inch)公制（mm）长(L) (mm)宽(W) (mm)髙(t) (mm)a (mm)b(mm)020106030. 60 土 0.050. 30 + 0.050. 230.050.100.050
6、. 150. 050402100501000100. 500.100. 30+0.100 20+0.10. 25 土 0. 10060316081.600.1550. 800.100. 400.100. 30土020. 30 + 0. 200805201202. 000.251.250 100. 500 100. 40 土 0.20. 40 0. 201206321603 20+0.25L60+0.100. 55+0. 100 50+0.20. 50 0. 201210322503. 20土0202. 50+0.200. 55+0.100. 50土020. 50 + 0. 2018124832
7、04. 500.203. 200.200. 550.100. 500.20. 50 土 0. 202010502505. 00+0.202. 50 + 0.200. 550 100 60 + 0.20. 60 0. 20251264326 40+0.2003. 20+0.20. 55+0.10 60+0.200. 60 + 0. 202. 电容（C）：电容的特性是可以隔直流电压，而通过交流电压。它分为极性和非极性，用c表示。2.1三种类型：电解电容理质电容 有极性. 贴片电容无极性。用宇母C表示，单位是法（F）.毫法（MF，微法（UF） 纳法（NF）皮法（PF）IE-10 3121 ObUF=
8、 1 O*NF= 1012PF2.2换算方法：前面两位为有效数字（照写），笫三位倍数10n次方（即“0”的个数）104=10*104=100000PF=0.1UF100-10*10=10PF473-47X 10=47000pF=47nl-0. 017uF103- 10X 10i=10000pF=10nI-0. OluF104- 10X 10=100000pI-10nF-0. luF221=22X10*-220pF330=33 X 10u=33pF2.30电容：它用金属铉或老牝做正极，用稀流酸等配液做负极.用锂或規表面生成的氧化膜做成介质制成，其待点是体积小. 容量大.性能稳定、寿命长、绝缘电阻
9、大、溫度特性好，用在要求较高的设备中。锂电容表面有字迹表明其方向、 容值，通常有一条横线的那边标志锂电容的正极。锂电容规格通常有：A型、B型.C型、P型。2.4电容的误差表示2. 4.1常用锂电容代换参照表.1UF： 105、 A6、 CA62. 2UF： 2253.3UF： 335、AN6、CN6、JN6、CN694.7UF： 475. JS610UF： 106. JA7、 AA7、 GA722UF： 226、 GJ7、 AJ7、 JJ717UF： 4763.电感(L)电惑的单位:亨(II)、毫享(MH).微享(UH)、纳享(NH).其中:1H=103MH=106pH=109NH片状电感电感
10、量:10NH-IMH材料：铁氧体绕线型铁叠层精度:J=5% K=10% 加20%尺寸:0102 0603 0805 1008 12061210 1812 1008=2. 5nm*2. Oran 1210=3. 2nun*2. 5nm姑片叠层电感1H-1000MH1MH=1OOOUHIUH-1000NH电感量与无件代码对照表：电感量元件代码电感量元件代码1. 7UH4R71MH1023. 3UH3R3820UH8212. 7UH2R7680UH6811.0UH1R0470UH471820NHR823301U331750NHR75220UH221680NHR68100LH1014.元件尺寸公英制换算CHIP元件规1 inch二25.4 mm格020101021206英制(inch)0. 02X0.01(0201)0. 01X0. 02(0102)0. 12X0. 06(1206)公制(mm)0. 6X0. 3(0603)1.0X0.5(1005)3. 2X1.6(3216)个别示意图：姑片绕线电感060308050. 06X0. 03(0603)1.6X0.8(1608)0. 08X0. 05(0805)2. 0X1.2(2012
