1第5章 放大电路的频率响应25.1频率响应概述5.2晶体管的高频等效模型(*) 5.35.3 场效应管的高频等效模型场效应管的高频等效模型 密勒定理密勒定理（略）（略）5.4单管放大电路的频率响应(*) 5.5多级放大电路的频率响应(*) 5.6集成运放的频率响应和频率补偿（了解）5.7频率响应与阶跃响应（了解）重点掌握：频率响应的基本概念，求解单管放大电路的上限频率、下限频率和波特图的方法多级放大电路的频率参数与各级放大电路的频率参数的关系35.1.1. 研究放大电路频率响应的必要性 5.1 频率响应概述 在放大电路中，当输入信号频率过高或过低时，其放大倍数的值会减小，并产生相移（超前或滞后）说明放大倍数是信号频率的函数，这种函数关系称之为频率响应或频率特性 产生这种现象的原因：放大电路中存在电抗元件（电容、电感等）及晶体管存在极间电容 在前面讨论的放大电路中，我们忽略了电路中的电抗元件及晶体管极间电容的影响，认为在输入信号的频率范围内，其放大倍数的幅度和相位均保持不变，此频率范围称之为中频段5高通电路的幅频特性曲线和相频特性曲线采用对数坐标绘制的频率特性曲线，称之为波特图6（2）低通电路fH 称之为上限频率fAufH10.707f-450-9007 低通电路的幅频特性曲线和相频特性曲线85.1.2. 频率响应的基本概念 （1）高通电路fL称为下限频率总结页9（2）低通电路fH 称之为上限频率总结页105.2.1. 晶体管的高频混合模型5.2 晶体管的高频等效模型rbb -基区体电阻rc -集电区体电阻,很小,可忽略re -发射区体电阻,很小,可忽略rbe-发射结电阻, rbe rberbc-集电结电阻, rbc rbcCbe-发射结电容 CCbc-集电结电容 C右图为晶体管结构示意图：图中考虑了发射结和集电结电容的影响。
11一、完整的混合 模型称为跨导使得引入常数mebmcmebcbcebcbgUgIgUIIICC,=&，所以成线性变化关系，且与信号频率无关与发射结电压是频率的函数而根据半导体物理的分析，角均与频率有关，即的大小、相和的存在，和在高频模型中，因为12二、简化的混合模型2. 混合模型单向化经过四个步骤，得到简化的混合模型13三、混合模型的主要参数145.2.2. 晶体管电流放大系数的频率响应（低通特性）共射截止频率15幅频特性相频特性共基截止频率特征频率165.4 单管放大电路的频率响应5.4.1 单管共射放大电路的频率响应中频段:极间电容容抗大视为开路,耦合电容(或旁路电容)容抗小视为短路低频段:主要考虑耦合电容(或旁路电容)的影响,极间电容仍视为开路高频段:主要考虑极间电容的影响,耦合电容(或旁路电容)仍视为短路17（1）中频特性极间电容容抗大视为开路,耦合电容(或旁路电容)容抗小视为短路18（2）低频特性19写出幅频特性(对数形式)和相频特性20（3）高频特性图(b)是一个低通电路21高频电压放大倍数22写出幅频特性(对数形式)和相频特性23（4）波特图若同时考虑耦合电容及结电容的影响24低频与高频时的幅频特性(对数形式)和相频特性分别为由上面两式可画出放大电路的波特图。
图中相频特性可写为25例1：某放大电路的对数频率特性如图所示，并已知中频段的相移m=180o1）写出 频率特性表达式；（2）画出其相频特性，并写出相频特性的表达式2627例2：某单管共射放大电路中频段的相移m=180o , 电压放大倍数为解：28画出波特图。