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1、- 1 -0001 01A1在纯净的半导体中掺入 5 价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ） 。0002 01A1在纯净的半导体中掺入 3 价元素杂质，形成（ ）型半导体，在此种半导体中多数载流子是（ ） 。0003 01A1 PN 结的导电特性是 。0004 01A2 为了使晶体管能有效地起放大作用，其管芯结构总是使：（1）发射区掺杂浓度 ；（2）集电结面积比发射结面积 。0005 02A1 夹断电压是（ ）型场效应管的参数，开启电压是（ ）型场效应管的参数。0006 02A1 场效应管有（ ）种载流子导电，场效应管是（ ）控制（ ）型器件。0007 02A1 共射
2、放大电路中输出电压与输入电压相位 。0008 02A1 在放大电路中，晶体管通常工作在 工作区。0009 02A1 双极性晶体管工作在放大区的条件：发射结 ，集电结 。0010 02A1 场效应管三个电极分别为 极、 极和 极。0011 02A1在单管共集放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。0012 02A2在单管共基放大电路中，输出电压与输入电压的极性 。0013 02A2 场效应管放大电路有共 、共 和共 三种基本形式 。0014 02A2 场效应管从结构上可以分为（ ）和（ ）型两大类型0015 02A2 单管共射极放大器，当工作点 Q 选择较高时，易出现 失真。0016 02A2
3、在电子线路中，一般用输出电阻 RO来衡量放大器带负载的能力，RO越小，则带负载的能力 。0017 02A2双极性晶体管工作在饱和区的条件：发射结 ，集电结 。0018 02A2 双极性晶体管工作在截止区的条件：发射结 ，集电结 。0019 02A3 单管共射极放大器，当工作点 Q 选择较低时，易出现 失真。 0020 02A3 某放大电路在负载开路时的输出电压为 6V，当接入 2K 负载电阻后，输出电压降为 4 V，这表明该放大电路的输出电阻为 。0021 02A3 如果信号源接近于理想电压源，通常希望放大电路的输入电阻 ；如果信号源接近于理想电流源，通常希望放大电路的输入电阻 。0022 0
4、3A1 设计一个输出功率为 20W 的推挽放大器，若用乙类 OCL 电路，则应选功放管的最大允许管耗 Pcm必须大于（ ）W。 0023 03A1 多级放大电路中常见的耦合方式有： ， ， ， 。0024 03A1 对差动放大电路来说，有用的或要放大的信号是 信号；无用的或需要抑制的信号是 信号。0025 03A1 大小相等、极性相反的信号称为 信号；大小相等、极性相同的信号称为 信号0026 03A2 乙类推挽功率放大器的（ ）较高，但这种电路会产生（ ）失真。为了消除这种失真应使推挽功率放大器工作在（ ）类状态。0027 03A2 在设计 OTL 功率放大器时，选择功率放大管时要特别注意
5、PCM大于（ ） ，V（BR）CEO大于（ ） ， ICM大于（ ）三个条件。0028 03A2 在乙类互补对称功率放大器中，因晶体管输入特性的非线性而引起的失真叫做 。0029 03A2 多级直流放大电路最主要的问题是 问题，解决的办法是采用 电路。0030 03A2 甲类放大电路功放管导通角等于 ；乙类放大电路功放管导通角等于 ；甲乙类放大电路功放管导通角为 。0031 03A3 正常时 OCL 功率放大器的中点电压应为（ ） ，OTL 功率放大器的中点电压应为（ ） 。0032 03A3- 2 - 在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，功放管导通角最小的是 类放大电路0033 03A3 电
6、流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 ，因为电流源的 很大。0034 04A1 理想运算放大器的开环电压增益为 ，输出电阻为 。0035 04A1 理想集成运放的主要性能指标：Aod= ，rid= ；rod= 。0036 04A1 集成运算放大器的两个输入端：同相输入端和反相输入端。前者的极性与输出端 ，后者的极性同输出端 。0037 04A2 差动放大器KCMR越大，表明其对 信号的抑制能力越强。0038 04A2 为了使放大电路的信号与负载间有良好的匹配，以使输出功率尽可能加大，放大电路应采用 耦合方式。0039 04A3 直接耦合多级放大器既能放大 信号，也能放大 信号。0040
7、05A1 深度负反馈的条件是 。0041 05A2 为了稳定静态工作点，应该引入 负反馈。0042 05A2 某负反馈放大电路的开环电压放大倍数为 75，反馈系数为 0.04，则闭环放大倍数为 。0043 05A2 若引回的反馈信号削弱输入信号而使放大电路的放大倍数降低，这种反馈称为 反馈；若引回的反馈信号增强输入信号而使放大电路的放大倍数提高，这种反馈称为 反馈。0044 05A3 在放大电路中，为了稳定输出电压，应引入 反馈；为了稳定输出电流，应引入 反馈；为了使输出电阻降低，应引入 反馈；为了使输入电阻提高，应引入 反馈。0045 05A3 已知某放大器的输入信号为 2mV 时，输出电压
8、为 2V。加上负反馈后，输出电压为 2V，则输入信号需变为 20mV。则该电路的反馈深度为 dB。0046 06A1正弦波振荡器持续振荡的相位条件： 。0047 06A2 LC 并联谐振回路在正弦波振荡电路中的主要作用是做 网络，组成正弦波振荡电路。0048 06A2 有源滤波器通常分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器，其缩写符号按顺序依次为 、 、 、 。0049 07A1 直流稳压电源由电源变压器、 、 和 组成。0050 07A2在直流电源中，滤波的目的是滤除整流电路输出电压中的 成分。 0051 01B1 常温下，硅二极管的开启电压约（ ）V，导通后在较大电流下的正向压降
9、约( )V，锗二极管的开启电压约( )V，导通后在较大电流下的正向压降约( )V。A.0.3 , 0.5 , 0.5 , 0.7 B.0.5，0.7，0.3，0.5 C.0.5，0.7，0.1，0.3 D.0.3，0.5，0.1，0.20052 01B1 稳压管正常工作时工作在( )区。A.正向导通 B.反向击穿 C.反向截止 D.饱和区 0053 01B1 PN 结加正向电压时，耗尽层将（ ） 。 A 变宽 B 变窄 C 不变 D 不定0054 01B1 电路如图所示，假如锗管 VD1的导通压降为 U1=0.2V，硅管 VD2的导通压降为 U2=0.6V。流过 VD1、VD2的电流 I1和
10、I2分别为（ ）和（ ） 。A. I1 =10mA, I2 =0mA B. I1 =0mA ， I2=10 mA C. I1=5 mA ， I2=5 mA D. 以上都不是- 3 -0055 01B2 电路如图（a） （b）所示，设硅稳压管 VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为 5V 和 10V，正向压降均为 0.7V，输出电压 UO分别为( )和( )。A. （a）5.7V（b）0.7V B. （a）5V（b）10V C. （a）5.7V（b）10V D. （a）5.0V（b）3.3V0056 01B2 在如图所示电路中，VDZ1、VDZ2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为 6V 和 7V，输
11、出电压 UO为（ ） 。A.1V B. 6V C.7V D.0V0057 01B2 电路如图所示，设V，稳压管 VDZ的稳定电压为 8V，R 为限流电阻，UO的波形为（ ）tussin15A.正半周在 8V 处出现切峰的正弦波 B.正、负半周最大幅度均为 15V 的正弦波C.正、负半周均在 8V 处出现切峰的正弦波 D.在+8V 处出现切峰，负半周均为-0.7V0058 01B2在如图所示电路中，整流二极管 VD 的反向击穿电压约为 100V，额定功耗为 250mW。外加 130V 反向电压，问该二极管反向电流最大会达到多少？之后二极管是否会损坏？ A.反向电流忽略不计，不会损坏 B.反向电流
12、 13mA，不会损坏C.反向电流 13mA，损坏 D.反向电流 3mA，损坏0059 01B2 以下特性中，半导体不具有的是 。A.掺杂特性 B.单向导电行 C.光敏特性 D.热敏特性0060 01B2二极管正向导通时 UD=0.7V。估算下图所示电路中，流过二极管的电流 ID和 A 点的电位 UA是（ ） 。A. UA=3.3V, ID=9.3 mA B. UA=3.3V , ID=0.033 mA C. UA=-5.3V , ID=0.53 mA D. UA=-5.3V , ID =1.3mA0061 02B1- 4 -双极型晶体管工作在截止区的条件：发射结（ ） ，集电结（ ） 。A.反
13、偏，正偏 B. 正偏 ，反偏 C. 反偏，反偏 D. 正偏，正偏 0062 02B1 当晶体管工作在放大区时，下列说法正确的是（ ） 。A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏0063 02B1 当晶体管工作在饱和区时，下列说法正确的是( )。A.发射结和集电结均反偏 B. 发射结和集电结均正偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D 发射结反偏，集电结正偏0064 02B1 对于双极型晶体管，下列说法正确的是( )。A.发射极和集电极可以调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度相同B.发射极和集电极可以调换使用，因为发射极和集电极
14、的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区高D. 发射极和集电极不能调换使用，因为发射区和集电区的掺杂浓度不相同发射区掺杂浓度比集电区低0065 02B1 晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ） 。 A. b-e b- c 间均正向偏置 B. b-e、b-c 间均反偏 C. b-e 间正偏、 b-c 反偏 D. b - e 间反偏 b- c 正偏0066 02B1 在单管共射放大器中（ ） 。A iO与 Vi反相; B VO与 iO同相； C VO与 Vi同相; D VO与 Vi反相.0067 02B1 3DG6C 晶体管的极限参数为
15、 PCM=100mw, ICM=16mA，U（BR）CEO=20V，在下列几种情况能正常工作的是：（ ） 。 A UCE = 8V，IC = 15mA ; B UCE = 20V，IC = 15mA ; C UCE = 10V，IC = 8mA ; D UCE = 3V， IC = 25mA.0068 02B1 三极管三种组态放大电路中，电压放大倍数小于 1 的是（ ） A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 不能确定0069 02B1 三极管三种组态放大电路中，输出电阻最小的是（ ） A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 不能确定0070 02B2 双极型晶体管工作在放大区和饱
16、和区的电流放大系数之间的关系为( )。A.工作在饱和区的电流放大系数大于工作在放大区的电流放大系数B. 工作在饱和区的电流放大系数等于工作在放大区的电流放大系数C. 工作在饱和区的电流放大系数小于工作在放大区的电流放大系数D. 工作在饱和区的电流放大系数与工作在放大区的电流放大系数的关系不能确定0071 02B2 对于双极型晶体管，下列叙述正确的是( )。A.基区厚、掺杂浓度低 B. .基区厚、掺杂浓度高C.基区薄、掺杂浓度高 D. .基区薄、掺杂浓度低0072 02B2在放大电路中，测得双极型晶体管的 3 个电极的电位如图所示。管子的类型为( )；3 个电极：为( )；为( )；为( )。A. NPN;C,E,B B. PNP;C,E,B C. NPN;B,E,C D. PNP;B,E,C0073 02B2在放大电路中晶体管 3 个电极的电流如图所示。电极、分别为( )、( )、( )；约为( )；管子类型为( )。- 5 -A.C,E,B;40;PNP B.C,E,B;40;NPN C.B,E,C;50;PNP D.B,E,C;50;NPN0074 02B2 二极管和晶体管均为硅管
