降压斩波电路1

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1、一、 降压斩波电路1、主电路降压斩波电路(Buck Chopper)的原理图及工作波形如图 1-1 所示。图中 V 为全控型器件,选用 MOS 管。D 为续流二极管。由图 2-17 中 V 的栅极电压波形UGE可知,当 V 处于通态时,电源 Ui向负载供电,UD=Ui。当 V 处于断态时,负载电流经二极管 D 续流,电压 UD近似为零,至一个周期 T 结束,再驱动 V导通,重复上一周期的过程。负载电压的平均值为:式中 ton为 V 处于通态的时间,toff为 V 处于断态的时间,T 为开关周期, 为导通占空比,简称占空比或导通比(=ton/T)。由此可知,输出到负载的电压平均值 UO最大为 U

2、i,若减小占空比 ,则UO随之减小,由于输出电压低于输入电压,故称该电路为降压斩波电路。图中 R 由直流电机电枢代替,励磁线圈固定接 DC24V,可实现电机调速。电机参数如下:电机型号:36SZ01 额定功率:5W 额定电压:DC24V 电枢电流:0.55A 励磁电流:0.32ASDG_+iUDLCR_+DU_+OUdrv com图 1-1 降压斩波电路的原理图图 1-1 降压斩波电路图中各器件选型为:MOS 管型号:IRF510A(100V/5.6A) 续流二极管D:DR200(50V/2A)L:取 39mH C:36uF 2、隔离驱动图 1-2 是一种采用光耦合隔离的由 V2、V3组成的驱

3、动电路。当控制脉冲使iion i offonon oaUUTtUtttU光耦关断时,光耦输出低电平,使 V2截至,V3导通,MOSFET 在 DZ1 反偏作用下关断。当控制脉冲使光耦导通时,光耦输出高电平,使 V2导通,V3截至,经 VCC、V2、RG产生的正向驱动电压使 MOS 管开通。光耦选择高速光耦6N137。电源+VCC可由 DC/DC 芯片提供。uiR1R2RGV1V2V3+VCCR3 DZdrvcom6N137图 1-2 驱动电路图V2:9013 V3:9012 3、模拟控制降压斩波电路的模拟控制采用 PWM 控制芯片 SG3525 组成的 PWM 发生电路输出 PWM 控制信号,

4、控制 MOS 管的导通和关断。图 1-3 给出了该芯片的引脚功能及应用电路。(a)SG3525 的引脚-1 +2 SYNC3 OSCOUT4 CT5 RT6 DISCHG7 SOFTST8EAOUT9SHUTDN10OUTA11GND12VCC13OUTB14+Vin15VREF16U6SG3525+15VC194700P6KHz-50KHzC22 104C11 104C20101PWMAPWMBR41 20KR3100C5101DSOFT1122WWSW350K(b) SG3525 的应用电路图 1-3 PWM 控制芯片 SG3525 PWM 脉冲调制器电路原理图_+A1UR_+A2 R1R

5、3R1RCUO1UO2(1)当 UR=0V 时的波形图(占空比为 50%)ttUo1Uo200图 1-4(2)当 UR 变化,则占空比必然变化,UR 增大,Uo1 变宽。UR 电压的产生(1)由题目要求决定,例如手动产生UR 电压,可用电阻分压器给出。 (2)若给定 UR 是一个波形,则应设计相应的积分电路控制给出上图波形。 (3)二者兼容,可用纽子开关手动选择。控制波形 发生器UCCUR手动自动送到3525输入比较端图 1-5 模拟反馈控制图 1-6 为降压斩波电路双闭环反馈控制电路图。其中内环为电流环,外环 为电压环。DC/DC变换器驱动电路PWM控制+-+- ii*UU*电流变送器+_+

6、_+_AAA+_ A+_ A电 压 变 送 器UoR_+图 1-6 降压斩波电路双闭环反馈控制电路图 电压取样:在强电中一般使用电压变送器或传感器加调理电路,低电压一 般用分压电阻取样。 电流取样:在强电中一般用电流变送器或传感器,低电压中一般用串联电 阻取样。数字控制(1)一般在使 DSP 芯片时由于速度快,可选带有 PWM 产生的芯片; (2)MSP430 也可以直接产生 PWM 波形,即由 A/D 采集主回路电压、电流后, 直接运算后产生 PWM 波形; (3)如果使用 MCS-51 芯片,可采用 A/D 采集主回路的电压和电流信号,然后经运算后由 D/A 输出 UR 送到 SG3525

7、 产生闭环的 PWM 波形 。而电流短路 保护则应硬件直接封锁 PWM 波,限流保护仍由单片机承担。 鉴于学生的知识结构,选择模式(3) ,选择传感器或变送器采样方式。图 1-7 给出了采用数字控制方式的降压斩波电路双闭环反馈控制电路图。 MCS-51 单片机与上位机通过 RS232 串口连接,可在线调试。DC/DC变换器驱动电路电流变送器+_ AA/DD/A+_ A电 压 变 送 器MCS-51上位机RS232 通讯接口在线调试平台UoR_+PWM控制图 1-7 降压斩波电路双闭环反馈控制电路图二、升压斩波电路1、主电路升压斩波电路(Boost Chopper)升压斩波电路(Boost Ch

8、opper)的原理图如图 2-1 所示。图中 V 为全控型器件,选用 MOS 管。D 为续流二极管。输入电压取 015V 直流电压,输出直流电压 1536V,电流 2A。iUoUV1i_+_+C1 SD Gdrvcom10kC2Rc50iUDLVUVi图 2-1 Boost 升压斩波电路原理图 图 2-1 中各器件选型:MOS 管型号:IRF510A(100V/5.6A) 续流二极管 D:DR200(50V/2A) L:8.2mH C1、C2:36uFBoost 升压斩波电路有电感电流连续和电感电流断续两种工作状态,当电路工作于电感电流连续模式时,电路的工作波形如图 2-2 所示。S0tont

9、offt0toU0t0tLiVi1t2tVU0t图 2-2 Boost 升压斩波电路电感电流连续工作时的波形如上图所示,Boost 升压斩波电路工作于电感电流连续模式时,电路在一个 开关周期内相继经历了两个开关状态,其各时段的工作状态描述如下: -时段:开关 MOS 管导通,电压向电感 L 充电,电感电流不断增大,0t1tiU续流二极管 D 此时处于关断状态,同时电容 C2 上的电压向负载供电。-时段:开关 MOS 管关断,续流二极管 D 导通,整流电压和电感 L1t2tiU通过续流二极管 D 共同向电容 C2 充电,并向负载提供能量,电感电流不断减 小。 Boost 升压斩波电路工作于电感电

10、流连续模式时有:(2-ii offoUDUtTU111)式中:TMOS 管的一个开关周期;MOS 管在一个开关周期内处于通态的时间;ontMOS 管在一个开关周期内处于断态的时间;offtD占空比,。 TtDon由式(2-9)可知,当占空比时,所以应避免占空比 D 过1DoU于接近 1,以免斩波电路输出电压过高造成电路损坏。当 Boost 升压斩波电路工作于电感电流断续模式时,电路的工作波形如图 2-6 所示。S0tontofft0toU0t0tLiVi1t3tZU2t0tVU图 2-3 Boost 升压斩波电路电感电流断续工作时的波形如上图所示,Boost 升压斩波电路工作于电感电流断续模式

11、时,电路在一个 开关周期内相继经历了三个开关状态,其各时段的工作状态描述如下:-时段:开关 MOS 管导通,整流电压向电感 L 充电,电感电流不断0t1tiU增大,续流二极管 D 此时处于关断状态,同时电容 C2 上的电压向负载供电。-时段:开关 MOS 管关断,续流二极管 D 导通,整流电压和电感 L1t2tiU通过续流二极管 D 共同向电容 C2 充电,并向负载提供能量,电感电流不断减 小。 -时段:开关 MOS 管仍处于断态,在时刻电感电流减小到 0;续流二2t3t2t极管 D 关断,电感电流将保持零值到时刻,且电感两端的电压也为零,在这3t一时段,开关 MOS 管两端的电压等于输入的直

12、流电压,同时负载由电容 C2iU提供能量。Boost 升压斩波电路工作于电感电流断续模式时有:(2-2)zoUKU2411 式中:(2-3)TRDLK22升压斩波电路与降压斩波电路相比,只有主电路结构不同,而隔离驱动、 模拟控制及数字控制电路与降压斩波电路相同。三、大功率开关电源1、全桥 DC-DC 隔离型图 3-1 给出了全桥隔离型大功率开关电源电路。输入为 36V 直流电压。变 压器变比为 N。当滤波电感电流连续时,有(3-Tt NN UUioon1221)式中:为变压器变比,T 为开关周期,为开关导通时间。12 NNont如果输出电感电流不连续,输出电压将高于式(3-1)的计算值,并随负

13、载减小 而升高,在负载电流为零的极限情况下,有(3-2)ioUNNU12_+C1iUdrv1com1drv2com2drv3com3drv4com4全桥整流LoU_+C2RL图 3-1 全桥 DC-DC 隔离型电源全桥隔离型大功率开关电源电路中的开关器件都选用 MOS 管,图 3-1 中各器件 选型:MOS 管型号:IRF510A(100V/5.6A) C1、C2:36uF电抗器 L:2mH2、驱动电路采用两片 IR2110 浮地驱动,图 3-1 中的同一个桥臂的上下两个 MOS 管由一片 IR2110 驱动。 美国 IR 公司生产的 IR2110 驱动器。它兼有光耦隔离(体积小)和电磁隔 离

14、(速度快)的优点,是中小功率变换装置中驱动器件的首选品种。IR2110 采 用 HVIC 和闩锁抗干扰 CMOS 制造工艺,DIP14 脚封装。具有独立的低端和高 端输入通道;悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达 500V,dv/dt=50V/ns,15V 下静态功耗仅 116mW;输出的电源端(脚 3,即功 率器件的栅极驱动电压)电压范围 1020V;逻辑电源电压范围(脚 9) 515V,可方便地与 TTL,CMOS 电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之 间允许有5V 的偏移量;工作频率高,可达 500kHz;开通、关断延迟小,分 别为 120ns 和 94ns;图腾柱输出峰值电流为 2

15、A。 IR2110 驱动电路如图 3-2 所示。图 3-2 IR2110 驱动电路 IR2110 本身不带死区,需要加死区延时控制电路,如图 3-3 所示。RDC 死 区电路可以使信号的上升沿延时,而下降沿不变,从而产生死区时间。50kD147pFCD4069CD4069CD4069CD4069 50kD147pFPWM1_INPWM1_OUTPWM2_OUT图 3-3 死区延时控制电路图 3-1 中 drv1 与 drv4 的控制信号为 PWM1_OUT,drv3 与 drv2 的控制信号 为 PWM2_OUT。3、模拟控制全桥 DC/DC 隔离型开关电源双闭环模拟控制电路如图 3-4 所示

16、。内环为电 流环,电流取输出滤波电感的电流,外环为电压环,电压取输出电压。全桥DC/DC 隔离型开关电源驱动电路PWM控制+-+- ii*UU*Uo 电流变送器+_+_+_AAA+_ A+_ ARL电 压 变 送 器_+图 3-4 全桥 DC/DC 隔离型开关电源双闭环模拟控制电路4、数字控制采用 MCS-51 单片机,纯软件可省去 SG3525,采用桥控硬件延时电路。全 桥 DC/DC 隔离型开关电源双闭环数字控制电路如图 3-5 所示。MCS-51 单片机 与上位机通过 RS232 串口连接,可在线调试。驱动电路电流变送器+_ AA/D+_ A电 压 变 送 器MCS-51上位机RS232 通讯接口在线调试平台UoRL_+全桥DC/DC 隔离型开关电源图 3-5 全桥 DC/DC 隔离型开关电源双闭环数字控制电路四、全桥整流/逆变型电源1、主电路全桥逆变电路如图 4-1 所示。输入为 36V 直流电压,可分为正弦波恒压输 出和正弦波恒流

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