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1、1 / 9 模拟部分自测题 1 一、选择题： （每小题 2 分，共 20 分）1、单极型半导体器件是（C） 。A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（C） 。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（C） 。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移
2、；D、多子漂移。6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE 2.1V，VB2.8V ，VC4.4V，说明此三极管处在（A） 。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C） 。A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C） 。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM；B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM；D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的
3、外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。二、简述题： （每小题4 分，共 28 分）1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P 型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N 型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N 型半导体或P 型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚 3V、管脚 3.7V，试
4、判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。3、图 6-23 所示电路中，已知E=5V，tusin10iV，二极管为理想元件（即认为正精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 1 页，共 9 页2 / 9 向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=） ，试画出u0的波形。答：分析：根据电路可知， 当 uiE 时，二极管导通u0=ui，当 uiE 时，二极管截止时，
5、u0=E。所以u0的波形图如下图所示：4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子， 它们同时参与导电， 这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。5、图 6-24 所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。答： （a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以 U0=14V ；（b）图：两稳压管
6、并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；（c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V ；（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1 截止不通，则U0=0.7V。6、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为， 两个背靠背的二极管， 其基区太厚， 不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。图 6-23图 6
7、-24u/V t 0 ui u0 105精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 2 页，共 9 页3 / 9 7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。自测题 2 一、选择题： （每小题2 分，共 20 分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C） 。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。2、基本放大电路中的主要放大对象是（B） 。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
8、3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（B） 。A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。4、共发射极放大电路的反馈元件是（B） 。A、电阻 RB；B、电阻 RE；C、电阻 RC。5、功放首先考虑的问题是（A） 。A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数。6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A） 。A、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率。7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A）A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。8、功放电路易出现的失真现象是（C） 。A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真。
9、9、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q 接近（ B） 。A、截止区；B、饱和区；C、死区。10、射极输出器是典型的（C） 。A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。二、简答题： （共 23 分）1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？（3 分）答： RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。2、放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？（4 分）答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q 点过高易使传输信号部分进入饱和区；Q 点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。3、指出图7-21 所
10、示各放大电路能否正常工作，如不能，请校正并加以说明。（8 分）精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 3 页，共 9 页4 / 9 答： （a）图缺少基极分压电阻RB1，造成 VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少RE、 CE负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；（b）图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时少RE、CE负反馈环节；（c）图中 C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反馈环节；（d）图的管子是PNP 型，而电路则是按NPN 型管子设置的，所以，只要把管子调换成 NPN
11、 型管子即可。4、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4 分）答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。 晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。5、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微小的正向偏流， 让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。那么，这一正向偏置电压是否越大越好呢？为什么？（4 分）答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为，交越失真实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死
12、区电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常工作。自测题 3 一、选择题： （每小题2分，共 20 分）1、理想运放的开环放大倍数Au0为（ A） ，输入电阻为（A） ，输出电阻为（B） 。A、；B、0；C、不定。2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C） 。A、扁平式；B、圆壳式；C、双列直插式。3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C） 。RB2 RC C1 C2 TVCC （a）RB2 RB1 C1 C2 VCC （b）图 7-21 检测题 7-4-3电路图RB2 RC C1 C2 TVCC （c）RB2 RC C1 C2 T
13、VCC （d）RB1 RB1 RE CE 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 4 页，共 9 页5 / 9 A、反相放大器；B、差分放大器；C、电压比较器。4、理想运放的两个重要结论是（B） 。A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B） 。A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。6、 （B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相；B、反相；C、双端。7、集成运放的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。8、各种电压比
14、较器的输出状态只有（B） 。A、一种；B、两种；C、三种。9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C） 。A、反相输入端；B、同相输入端；C、反相端与输出端之间。10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B） 。A、虚地；B、虚短；C、虚断。二、问题：（共 20 分）1、集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？（4 分）答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路， 以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数（103107） ，一般采用多级共发射极直接耦合放
15、大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏置电路满足此要求。2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地”真正接“地”，集成运放能否正常工作？（4 分）答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有ii=if成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。3、集成运放的理
16、想化条件主要有哪些？（3 分）答：集成运放的理想化条件有四条：开环差模电压放大倍数AU0=；差模输入电阻 rid=；开环输出电阻r0=0；共模抑制比KCMR= 。4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压各变化几次？（3 分）答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比较器的输出电压均只跃变一次。5、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？（3 分）答：同相端所接电阻起平衡作用。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 5 页，共 9 页6 / 9 6、
17、应用集成运放芯片连成各种运算电路时，为什么首先要对电路进行调零？（3 分）答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。数字部分自测题一一、选择题 （每小题 2分，共 20分）1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（B） 。A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非2 、十进制数 100对应的二进制数为（C） 。A、1011110 B、1100010 C、 1100100 D、11000100 3、和逻辑式AB表示不同逻辑关系的逻辑式是（B） 。A、BAB、BAC、BBAD、ABA4、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B） 。A、2个B、3个C、 4个D、8个5、四输入的译码器，其
18、输出端最多为（D） 。A、4个B、8个C、 10个D、16个6、当 74LS148的输入端70 II按顺序输入 11011101时，输出02YY为（ B） 。A、101 B、010 C、 001 D、110 7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是 1的门是（ D） 。A、与非门B、或门C、或非门D、异或门8、多余输入端可以悬空使用的门是（B） 。A、与门B、TTL 与非门C、CMOS 与非门D、或非门9、数字电路中机器识别和常用的数制是（A） 。A、二进制B、八进制C、十进制D、十六进制10、能驱动七段数码管显示的译码器是（A） 。A、74LS48 B、74LS138 C、74L
19、S148 D、TS547 二、简述题 （共8分）1、组合逻辑电路有何特点？分析组合逻辑电路的目的是什么？简述分析步骤。（4分）答：组合逻辑电路的特点是输出仅取决于输入的现态。分析组合逻辑电路的目的是找出已知组合逻辑电路的功能，分析的步骤为四步：根据已知逻辑电路图用逐级递推法写出对应的逻辑函数表达式；用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化简，得到最简逻1MU0 10V 图 3-17检测题 5.2 电路图RxV 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 6 页，共 9 页7 / 9 辑表达式； 根据最简逻辑表达式，列出相应的逻辑电路真值表；
20、根据真值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明，以理解电路的作用。2、何谓编码？何谓译码？二进制编码和二十进制编码有何不同？（4分）答：编码就是把人们熟悉的特定信息编成机器识别的二进制代码的过程；译码则是编码的逆过程，就是把机器识别的二进制代码还原成人们识别的特定信息。二十进制编码则每四位二进制数对应一个十进制数，其中具有无效码；而二进制编码则不具有无效码。自测题 2 一、选择题 （每小题 2 分，共 20 分）1、描述时序逻辑电路功能的两个必不可少的重要方程式是（B） 。A、次态方程和输出方程B、次态方程和驱动方程C、驱动方程和特性方程D、驱动方程和输出方程2、由与非门组成的基本RS 触发器不
21、允许输入的变量组合RS为（ A） 。A、00 B、01 C、10 D、11 3、按各触发器的状态转换与时钟输入CP 的关系分类，计数器可为（A）计数器。A、同步和异步B、加计数和减计数C、二进制和十进制4、按计数器的进位制或循环模数分类，计数器可为（C）计数器。A、同步和异步B、加计数、减计数C、二进制、十进制或任意进制5、四位移位寄存器构成扭环形计数器是（A）计数器。A、四进制B、八进制C、十六进制6、存在空翻问题的触发器是（B）A、D 触发器B、钟控 RS 触发器C、主从 JK 触发器D、维持阻塞D 触发器7、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法是（B）A、复位法B、预置数法C、级
22、联复位法8、不产生多余状态的计数器是（A） 。A、同步预置数计数器B、异步预置数计数器C、复位法构成的计数器9、数码可以并行输入、并行输出的寄存器有（C）A、移位寄存器B、数码寄存器C、二者皆有10、改变 555 定时电路的电压控制端CO 的电压值，可改变（C）uA tuB t图 9-42 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 7 页，共 9 页8 / 9 A、555 定时电路的高、低输出电平B、开关放电管的开关电平C、比较器的阈值电压D、置“ 0”端R的电平值二、简述题 （共 10 分）1、时序逻辑电路和组合逻辑电路的区别有哪些？（2
23、分）答：主要区别有两点：时序逻辑电路的基本单元是触发器，组合逻辑电路的基本单元是门电路； 时序逻辑电路的输出只与现时输入有关，不具有记忆性， 组合逻辑电路的输出不仅和现时输入有关，还和现时状态有关，即具有记忆性。2、何谓“空翻”现象？抑制“空翻”可采取什么措施？（3 分）答：在一个时钟脉冲为“1”期间，触发器的输出随输入发生多次变化的现象称为“空翻” 。空翻造成触发器工作的不可靠，为抑制空翻，人们研制出了边沿触发方式的主从型JK触发器和维持阻塞型的D 触发器等等。 这些触发器由于只在时钟脉冲边沿到来时发生翻转，从而有效地抑制了空翻现象。3、试述时序逻辑电路的分析步骤。（3 分）答：时序逻辑电路
24、的分析步骤一般有如下几点：确定时序逻辑电路的类型。根据电路中各位触发器是否共用一个时钟脉冲CP 触发电路， 判断电路是同步时序逻辑电路还是异步时序逻辑电路。若电路中各位触发器共用一个时钟脉冲CP 触发，为同步时序逻辑电路；若各位触发器的CP 脉冲端子不同，就为异步时序逻辑电路；根据时序逻辑电路除CP 端子外是否还有输入信号判断电路是米莱型还是莫尔型，如有其它输入信号端子时，为米莱型时序逻辑电路，否则为莫尔型时序逻辑电路。根据已知时序逻辑电路，分别写出相应的驱动方程、次态方程、输出方程（注：莫尔型时序逻辑电路没有输出方程），当所分析电路属于异步时序逻辑电路，还需要写出各位触发器的时钟方程。根据次
25、态方程、时钟方程或输出方程，填写状态转换真值表或状态转换图。根据分析结果和转换真值表（或状态转换图），得出时序逻辑电路的逻辑功能。4、试述米莱型时序逻辑电路和莫尔型时序逻辑电路的最大区别有哪些？（2 分）答：米莱型时序逻辑电路和莫尔型时序逻辑电路的最大区别就是米莱型电路不仅含有触发器，而且还含有其它类型的输入端子和门电路，而莫尔型电路仅含有触发器。自测题 3 一、选择题 （每小题 2 分，共 20 分）1、图 11-15 输出端表示的逻辑关系为（A） 。A、ACDB、ACDC、BD、 B2、利用电容的充电来存储数据，由于电路本身总有漏电，因此需定期不断补充充电（刷新）才能保持其存储的数据的是（
26、B）A、静态 RAM 的存储单元B、动态 RAM 的存储单元3、关于存储器的叙述，正确的是( A) A、存储器是随机存储器和只读存储器的总称B、存储器是计算机上的一种输入输出设备ABCD & 图 11-15 精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 8 页，共 9 页9 / 9 C、计算机停电时随机存储器中的数据不会丢失4、一片容量为1024 字节 4 位的存储器，表示有（C）个存储单元。A、1024 B、4 C、4096 D、8 5、一片容量为1024 字节 4 位的存储器，表示有（A）个地址。A、1024 B、4 C、4096 D、8 6
27、、只能读出不能写入，但信息可永久保存的存储器是（A）A、ROM B、RAM C、 PRAM 7、ROM 中译码矩阵固定，且可将所有输入代码全部译出的是（C） 。A、ROM B、RAM C、完全译码器8、动态存储单元是靠（B）的功能来保存和记忆信息的。A、自保持B、栅极存储电荷9、利用双稳态触发器存储信息的RAM 叫（ B）RAM 。A、动态B、静态10、在读写的同时还需要不断进行数据刷新的是（A）存储单元。A、动态B、静态二、简答题： （10 分）1、现有（ 1024B4）RAM 集成芯片一个，该RAM 有多少个存储单元？有多少条地址线？该 RAM 含有多少个字？其字长是多少位？访问该RAM 时，每次会选中几个存储单元？答：该 RAM 集成芯片有4096 个存储单元；地址线为10 根；含有 1024 个字，字长是4 位；访问该 RAM 时，每次会选中4 个存储单元。精选学习资料 - - - - - - - - - 名师归纳总结 - - - - - - -第 9 页，共 9 页
