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19)中华人民共和国国家知识产权局(12 )发明专利说明(10)申请公布号CN105573068B(43)申请公布日2019.11.05(21)申请号 CN201410531606.8(22)申请日 2014.10.10(71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司地址201203 上海市浦东新区张江路18号(72)发明人 袁文勋;陈杰(74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通合伙)代理人 李仪萍(51)Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图光刻胶去除方法和光刻工艺的返工方法(57)摘要本发明提供一种光刻胶的去除方法和光刻 工艺的返工方法，通过首先使晶圆高速旋转，同 时使用光刻胶稀释剂 RRC 溶解掉所述晶圆表面的 部分厚度的光刻胶层，在溶解所述部分厚度光刻 胶层的同时，所述光刻胶稀释剂 RRC 将光刻胶层 中的比较大的颗粒缺陷冲走；然后再使用氧气等 离子体去除剩余的光刻胶层，接着使用湿法清洗 所述晶圆的表面，可以有效地完全去除所述光刻 胶内的颗粒缺陷，减少了后续刻蚀工艺中出现图
