半导体的生产工艺流程

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1、半导体的生产工艺流程，做工艺一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clea n room)的，因为加工分辨率在数十微米以上， 远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都 是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其 上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果。为此，所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，这就是洁 净室的来由。洁净室的洁净等级，有一公认的标准，以 class 10 为例，意谓在单位 立方英呎的洁净室空间内，平均只有粒径0.5微米以上的粉尘10粒。所以class后 头数字越小，洁净度越佳，当然其

2、造价也越昂贵(参见图 2-1)。为营造洁净室的环境，有专业的建造厂家，及其相关的技术与使用管理办法如下：1、内部要保持大于一大气压的环境，以确保粉尘只出不进。所以需要大型鼓风机， 将经滤网的空气源源不绝地打入洁净室中。2、为保持温度与湿度的恒定，大型空调设备须搭配于前述之鼓风加压系统中。换言 之，鼓风机加压多久，冷气空调也开多久。3、所有气流方向均由上往下为主，尽量减少突兀之室内空间设计或机台摆放调配， 使粉尘在洁净室内回旋停滞的机会与时间减至最低程度。4、所有建材均以不易产生静电吸附的材质为主。5、所有人事物进出，都必须经过空气吹浴 (air shower) 的程序，将表面粉尘先行 去除。6

3、、人体及衣物的毛屑是一项主要粉尘来源，为此务必严格要求进出使用人员穿戴无 尘衣，除了眼睛部位外，均需与外界隔绝接触 (在次微米制程技术的工厂内，工作 人员几乎穿戴得像航天员一样。 ) 当然，化妆是在禁绝之内，铅笔等也禁止使用。7、除了空气外，水的使用也只能限用去离子水(DI water, de-ionized water 则 防止水中粉粒污染晶圆，二则防止水中重金属离子，如钾、钠离子污染金氧半 (MOS) 晶体管结构之带电载子信道(carrier channel)，影响半导体组件的工作特性。去离子 水以电阻率(resistivity)来定义好坏，一般要求至17.5MQ-cm以上才算合格；为此

4、需动用多重离子交换树脂、RO逆渗透、与UV紫外线杀菌等重重关卡，才能放行使 用。由于去离子水是最佳的溶剂与清洁剂，其在半导体工业之使用量极为惊人！8、洁净室所有用得到的气源，包括吹干晶圆及机台空压所需要的，都得使用氮气 (98%)，吹干晶圆的氮气甚至要求99.8%以上的高纯氮！ 以上八点说明是最基本的 要求，另还有污水处理、废气排放的环保问题，再再需要大笔大笔的建造与维护费 用!二、晶圆制作硅晶圆 (silicon wafer) 是一切集成电路芯片的制作母材。既然说到晶体，显然是经 过纯炼与结晶的程序。目前晶体化的制程，大多是采柴可拉斯基(Czycrasky)拉 晶法(CZ法)。拉晶时，将特定

5、晶向(orientation)的晶种(seed),浸入过饱和的纯 硅熔汤 (Melt) 中，并同时旋转拉出，硅原子便依照晶种晶向，乖乖地一层层成长上 去,而得出所谓的晶棒(ingot)。晶棒的阻值如果太低，代表其中导电杂质(impurity dopa nt)太多，还需经过 FZ 法(floati ng-zo ne)的再结晶(re-crystallizatio n)，将杂 质逐出，提高纯度与阻值。辅拉出的晶棒，外缘像椰子树干般，外径不甚一致，需予以机械加工修边，然后以 X 光绕射法，定出主切面 (primary flat) 的所在，磨出该平面；再以内刃环锯，削下一 片片的硅晶圆。最后经过粗磨 (

6、lapping) 、化学蚀平 (chemical etching) 与拋光 (polishing) 等程序，得出具表面粗糙度在0.3 微米以下拋光面之晶圆。(至于晶圆厚 度，与其外径有关。) 刚才题及的晶向，与 硅晶体的原子结 构有关。硅晶体 结构是所谓 钻石结构 (diamond-structure)，系由两组面心结构(FCC)，相距(1/4,1/4,1/4)晶格常数 (lattice constant；即立方晶格边长)叠合而成。我们依米勒指针法(Miller index), 可定义出诸如 ：100、111、110 等晶面。所以晶圆也因之有 100、111、 110等之分野。有关常用硅晶圆之

7、切边方向等信息，请参考图 2-2。 现今半导体业 所使用之硅晶圆，大多以100硅晶圆为主。其可依导电杂质之种类，再分为p型 (周期表III族)与n型(周期表V族)。由于硅晶外貌完全相同，晶圆制造厂因此在 制作过程中，加工了供辨识的记号：亦即以是否有次要切面 (secondary flat) 来分 辨。该次切面与主切面垂直， p 型晶圆有之，而 n 型则阙如。100硅晶圆循平行或垂直主切面方向而断裂整齐的特性，所以很容易切成矩形碎 块，这是早期晶圆切割时，可用刮晶机 (scriber) 的原因 (它并无真正切断芯片，而 只在表面刮出裂痕，再加以外力而整齐断开之。)事实上，硅晶的自然断裂面是111

8、， 所以虽然得到矩形的碎芯片，但断裂面却不与100晶面垂直！以下是订购硅晶圆时，所需说明的规格：项目 说明晶面 100、111、110 1o外径(吋) 3 4 5 6 厚度(微米) 300450 450600 550650 600750(25) 杂质p型、n型阻值9cm) 0.01 (低阻值) 100 (高阻值)制作方式 CZ、 FZ (高阻值)拋光面 单面、双面平坦度(埃) 300 3,000三、半导体制程设备 半导体制程概分为三类：(1)薄膜成长， (2)微影罩幕， (3)蚀刻成型。设备也跟着分 为四类：a)高温炉管,(b)微影机台,化学清洗蚀刻台，(d)电浆真空腔室。其中(a) 机台依序

9、对应(1)(3)制程，而新近发展的第(d)项机台，则分别应用于制程(1)与(3)。 由于坊间不乏介绍半导体制程及设备的中文书籍，故本文不刻意锦上添花，谨就笔 者认为较有趣的观点，描绘一二！(一)氧化(炉)(Oxidation)对硅半导体而言，只要在高于或等于1050C的炉管中，如图2-3所示，通入氧气或 水汽，自然可以将硅晶的表面予以氧化，生长所谓干氧层(dryz/gate oxide)或湿氧层 (wet /field oxide)，当作电子组件电性绝缘或制程掩膜之用。氧化是半导体制程中， 最干净、单纯的一种；这也是硅晶材料能够取得优势的特性之一(他种半导体，如 砷化镓GaAs，便无法用此法成

10、长绝缘层，因为在550C左右，砷化镓已解离释放出 砷！)硅氧化层耐得住850C 1050C的后续制程环境，系因为该氧化层是在前述 更高的温度成长；不过每生长出 1 微米厚的氧化层，硅晶表面也要消耗掉0.44 微米 的厚度。以下是氧化制程的一些要点：(1) 氧化层的成长速率不是一直维持恒定的趋势，制程时间与成长厚度之重复性是 较为重要之考量。(2) 后长的氧化层会穿透先前长的氧化层而堆积于上；换言之，氧化所需之氧或水 汽，势必也要穿透先前成长的氧化层到硅质层。故要生长更厚的氧化层，遇到的阻 碍也越大。一般而言，很少成长 2微米厚以上之氧化层。(3) 干氧层主要用于制作金氧半(MOS)晶体管的载子

11、信道(channel)；而湿氧 层则用于其它较不严格讲究的电性阻绝或制程罩幕(masking)。前者厚度远小于后 者，1000 1500 埃已然足够。(4) 对不同晶面走向的晶圆而言，氧化速率有异：通常在相同成长温度、条件、及 时间下，111厚度110厚度100厚度。(5) 导电性佳的硅晶氧化速率较快。(6) 适度加入氯化氢(HCI)氧化层质地较佳；但因容易腐蚀管路，已渐少用。(7) 氧化层厚度的量测，可分破坏性与非破坏性两类。前者是在光阻定义阻绝下， 泡入缓冲过的氢氟酸(BOE, Buffered Oxide Etch，系HF与NH4F以1： 6的比例 混合而成的腐蚀剂)将显露出来的氧化层去

12、除，露出不沾水的硅晶表面，然后去掉 光阻，利用表面深浅量测仪(surface profiler or alpha step)，得到有无氧化层之高 度差，即其厚度。(8) 非破坏性的测厚法，以椭偏仪(ellipsometer)或是毫微仪(nano-spec)最为 普遍及准确，前者能同时输出折射率(refractive index；用以评估薄膜品质之好坏) 及起始厚度b与跳阶厚度a (总厚度t = ma + b),实际厚度(需确定m之整数值), 仍需与制程经验配合以判读之。后者则还必须事先知道折射率来反推厚度值。(9) 不同厚度的氧化层会显现不同的颜色，且有 2000 埃左右厚度即循环一次的特 性

13、。有经验者也可单凭颜色而判断出大约的氧化层厚度。不过若超过 1.5 微米以上 的厚度时，氧化层颜色便渐不明显。(二) 扩散(炉) (diffusion)1 、扩散搀杂半导体材料可搀杂 n 型或 p 型导电杂质来调变阻值，却不影响其机械物理性质的特 点，是进一步创造出p-n接合面(p-n junction)、二极管(diode)、晶体管(transistor)、 以至于大千婆娑之集成电路(IC)世界之基础。而扩散是达成导电杂质搀染的初期 重要制程。众所周知，扩散即 大自然之输送 现象(tra nsport phe no me na)；质量传输(mass transfer)、热传递(heat tr

14、ansfer)、与动量传输(momentum transfer；即摩擦拖曳)皆 是其实然的三种已知现象。本杂质扩散即属于质量传输之一种，唯需要在 850oC 以 上的高温环境下，效应才够明显。由于是扩散现象，杂质浓度 C (concentration ；每单位体积具有多少数目的导电杂 质或载子)服从扩散方程式如下：这是一条拋物线型偏微分方程式，同时与扩散时间t及扩散深度x有关。换言之，在 某扩散瞬间(t固定)，杂质浓度会由最高浓度的表面位置，往深度方向作递减变化， 而形成一随深度 x 变化的浓度曲线；另一方面，这条浓度曲线，却又随着扩散时间 之增加而改变样式，往时间无穷大时，平坦一致的扩散浓度

15、分布前进！既然是扩散微分方程式，不同的边界条件(boundary conditions)施予，会产生不 同之浓度分布外形。固定表面浓度 (constant surface concentration) 与固定表面搀 杂量(constant surface dosage)，是两种常被讨论的具有解析精确解的扩散边界条 件(参见图 2-4)： 2、前扩散 (pre-deposition) 第一种定浓度边界条件的浓度解析解是所谓的互补误差函数 (complementary error fun ctio n),其对应之扩散步骤称为前扩散，即我们一般了解之扩散制程；当高 温炉管升至工作温度后，把待扩散晶圆

16、推入炉中，然后开始释放扩散源 (p 型扩散源 通常是固体呈晶圆状之氮化硼【boron-nitride】芯片，n型则为液态POCI3之加热蒸 气) 进行扩散。其浓度剖面外形之特征是杂质集中在表面，表面浓度最高，并随深 度迅速减低，或是说表面浓度梯度 (gradient) 值极高。3、后驱入 (post drive-in)第二种定搀杂量的边界条件，具有高斯分布 (Gaussian distribution) 的浓度解析解。 对应之扩散处理程序叫做后驱入，即一般之高温退火程序；基本上只维持炉管 的驱入工作温度，扩散源却不再释放。或问曰：定搀杂量的起始边界条件自何而来？ 答案是前扩散制程之结果；盖先前前扩散制作出之杂质浓度集中于表面， 可近似一定搀杂量的边界条件也！