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精华目前最全的半导体氧化物能隙数据

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文档ID:199057529
精华目前最全的半导体氧化物能隙数据_第1页
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精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - -目前最全的半导体氧化物能隙数据说明:以下资料来自于文献: YONG XU AND MARTIN A.A. SCHOON EN, "The absolute energy positions of conduction and valence bands ofselec ted semiconducting minerals", American Mineralogist,2000,85:543–556,原文只有能隙和导带数据 (相对于真空 ),这里调整为相对于氢电极电位,再增加价带数据,以便利查阅,因做过调整,个别数据如与原文 有差别请以原文为准;-------------------------------------------------------------------半导体 Eg(eV) ( CB - VB )-------------------------------------------------------------------Ag2O1.2eV ( 0.19 -1.39 )AlTiO33.6eV ( -0.86- 2.74 )BaTiO33.3eV ( 0.08- 3.38 )Bi2O32.8eV ( 0.33 -3.13 )CdO 2.2eV ( 0.11 - 2.31 ) CdFe2O4 2.3eV ( 0.18 - 2.48 ) Ce2O3 2.4eV ( -0.5 - 1.9 )CoO 2.6eV ( -0.11 - 2.49 ) CoTiO3 2.25eV ( 0.14 - 2.39 ) Cr2O3 3.5eV ( -0.57 - 2.93 )CuO 1.7eV ( 0.46 - 2.16 )Cu2O 2.2eV ( -0.28 - 1.92 ) CuTiO3 2.99eV ( -0.18 - 2.81 ) FeO 2.4eV ( -0.17 - 2.23 )第 1 页,共 5 页 - - - - - - - - - -精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - -Fe2O3 2.2eV ( 0.28 - 2.48 ) Fe3O4 0.1eV ( 1.23 - 1.33 ) FeOOH 2.6eV ( 0.58 - 3.18 ) FeTiO3 2.8eV ( -0.21 - 2.59 )Ga2O3 4.8eV ( -1.55 - 3.25 )HgO 1.9eV ( 0.63 - 2.53 ) Hg2Nb2O7 1.8eV ( 0.81 - 2.61 ) Hg2Ta2O7 1.8eV ( 0.84 - 2.64 ) In2O3 2.8eV ( -0.62 - 2.18 )KNbO33.3eV( -0.86- 2.44)KTaO33.5eV( -0.93- 2.57)La2O35.5eV( -1.97- 3.53)LaTi2O74eV( -0.6 -3.4 )LiNbO33.5eV( -0.73- 2.77)LiTaO34eV (-0.95 -3.05 )MgTiO3 3.7eV ( -0.75 - 2.95 )MnO 3.6eV ( -1.01 - 2.59 ) MnO2 0.25eV ( 1.33 - 1.58 ) MnTiO3 3.1eV ( -0.46 - 2.64 ) Nb2O5 3.4eV ( 0.09 - 3.49 ) Nd2O3 4.7eV ( -1.63 - 3.07 )NiO 3.5eV ( -0.5 - 3 ) NiTiO3 2.18eV ( 0.2 - 2.38 ) PbO 2.8eV ( -0.48 - 2.32 )PbFe12O19 2.3eV ( 0.2 - 2.5 )第 2 页,共 5 页 - - - - - - - - - -精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - -PdO 1eV ( 0.79 - 1.79 ) Pr2O3 3.9eV ( -1.26 - 2.64 ) Sb2O3 3eV ( 0.32 - 3.32 ) Sm2O3 4.4eV ( -1.43 - 2.97 )SnO 4.2eV ( -0.91 - 3.29 )SnO2 3.5eV ( 0 - 3.5 )SrTiO3 3.4eV ( -1.26 - 2.14 ) Ta2O5 4eV ( -0.17 - 3.83 ) Tb2O3 3.8eV ( -1.06 - 2.74 )TiO2 3.2eV ( -0.29 - 2.91 ) Tl2O3 1.6eV ( 0.05 - 1.65 ) V2O5 2.8eV ( 0.2 - 3 )WO3 2.7eV ( 0.74 - 3.44 )Yb2O3 4.9eV ( -1.48 - 3.42 )YFeO3 2.6eV ( -0.2 - 2.4)ZnO 3.2eV ( -0.31 - 2.89 ) ZnTiO3 3.06eV ( -0.23 - 2.83 ) ZrO2 5eV ( -1.09 - 3.91 ) Ag2S 0.92eV ( 0 - 0.92 ) AgAsS2 1.95eV ( 0.01 - 1.96 ) AgSbS2 1.72eV ( 0.01 - 1.73 ) As2S3 2.5eV ( 0.08 - 2.58 ) CdS 2.4eV ( -0.52 - 1.88 )Ce2S3 2.1eV ( -0.91 - 1.19 ) CoS 0eV ( 0.67 - 0.67 )第 3 页,共 5 页 - - - - - - - - - -精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - -CoS2 0eV ( 0.99 - 0.99 ) CoAsS 0.5eV ( 0.46 - 0.96 ) CuS 0eV ( 0.77 - 0.77 ) Cu2S 1.1eV ( -0.06 - 1.04 ) CuS2 0eV ( 1.07 - 1.07 )Cu3AsS4 1.28eV ( 0.25 - 1.53 ) CuFeS2 0.35eV ( 0.47 - 0.82 ) Cu5FeS4 1eV ( 0.05 - 1.05 ) CuInS2 1.5eV ( -0.44 - 1.06 ) CuIn5S8 1.26eV ( -0.41 - 0.85 ) Dy2S3 2.85eV ( -1.14 - 1.71 )FeS 0.1eV ( 0.47 - 0.57 ) FeS2 0.95eV ( 0.42 - 1.37 ) Fe3S4 0eV ( 0.68 - 0.68 ) FeAsS 0.2eV ( 0.51 - 0.71 ) Gd2S3 2.55eV ( -0.93 - 1.62 ) HfS2 1.13eV ( 0.21 - 1.34 ) HgS 2eV ( 0.02 - 2.02 )HgSb4S8 1.68eV ( 0.31 - 1.99 ) In2S3 2eV ( -0.8 - 1.2 )La2S3 2.91eV ( -1.25 - 1.66 )MnS 3eV ( -1.19 - 1.81 ) MnS2 0.5eV ( 0.49 - 0.99 ) MoS2 1.17eV ( 0.23 - 1.4 ) Nd2S3 2.7eV ( -1.2 - 1.5 )第 4 页,共 5 页 - - - - - - - - - -精品word 可编辑资料 - - - - - - - - - - - - -NiS 0.4eV ( 0.53 - 0.93 ) NiS2 0.3eV ( 0.89 - 1.19 ) OsS2 2eV ( 0.24 - 2.24 ) PbS 0.37eV ( 0.24 - 0.61 )Pb10Ag3Sb11S28 1.39eV ( 0.09 - 1.48 ) Pb2As2S5 1.39eV ( 0.21 - 1.6 ) PbCuSbS3 1.23eV ( 0.11 - 1.34 ) Pb5Sn3Sb2S14 0.65eV ( 0.45 - 1.1 ) Pr2S3 2.4eV ( -1.07 - 1.33 )PtS2 0.95eV ( 1.03 - 1.98 ) Rh2S3 1.5eV ( 0.11 - 1.61 ) RuS2 1.38eV ( 0.39 - 1.77 ) Sb2S3 1.72eV ( 0.22 - 1.94 ) Sm2S3 2.6eV ( -1.11 - 1.49 ) SnS 1.01eV ( 0.16 - 1.17 ) SnS2 2.1eV ( -0.06 - 2.04 )Tb2S3 2.5eV ( -0.99 - 1.51 ) TiS2 0.7eV ( 0.26 - 0.96 ) TlAsS2 1.8eV ( -0.34 - 1.46 ) WS2 1.35eV ( 0.36 - 1.71 ) ZnS 3.6eV ( -1.04 - 2.56 )ZnS2 2.7eV ( -0.29 - 2.41 ) Zn3In2S6 2.81eV ( -0.91 - 1.9 ) ZrS2 1.82eV ( -0.21 - 1.61 )第 5 页,共 5 页 - - - - - - - - - -。

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