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1、Ta-环境温度Cdu-漏-衬底电容Tc-管壳温度Cgd-栅-源电容Tj-结温Cds-漏-源电容Tjm-最大允许结温Ciss-栅短路共源输入电容Tstg-贮成温度Coss-栅短路共源输出电容VDSS-漏源击穿电压Crss-栅短路共源反向传输电容ID(ID25)-漏极电流（Tc=25，直流）di/dt-电流上升率（外电路参数）RDS(on)-通态漏源电阻dv/dt-电压上升率（外电路参数）PD-漏极耗散功率IDQ-静态漏极电流（射频功率管）trr-反向恢复时间IDSM-最大漏源电流V（BR）GSS-漏源短路时栅源击穿电压IDSS-栅-源短路时，漏极电流VGSF-正向栅源电压（直流）IDS(sat)
2、-沟道饱和电流（漏源饱和电流）VGSR-反向栅源电压（直流）IG-栅极电流（直流）VGS(th)-开启电压或阀电压IGDO-源极开路时，截止栅电流Cgs-漏-源电容IGSO-漏极开路时，截止栅电流IDM-漏极脉冲电流IGSS-漏极短路时截止栅电流VDS-漏源电压（直流）IDSS1-对管第一管漏源饱和电流VGS-栅源电压（直流）IDSS2-对管第二管漏源饱和电流PDM-漏极最大允许耗散功率Iu-衬底电流ID(on)-通态漏极电流Ipr-电流脉冲峰值（外电路参数）ton-开通时间,Ton=Td(on)+Trgfs-正向跨导td(on)-开通延迟时间Gp-功率增益tr-上升时间Gps-共源极中和高频
3、功率增益toff-关断时间,Toff=Td(off)+TfGpG-共栅极中和高频功率增益td(off)-关断延迟时间GPD-共漏极中和高频功率增益tf-下降时间ggd-栅漏电导IGM-栅极脉冲电流gds-漏源电导IGP-栅极峰值电流K-失调电压温度系数IF-二极管正向电流Ku-传输系数RDS(on)-漏源通态电阻L-负载电感（外电路参数）RDS(of)-漏源断态电阻LD-漏极电感R(th)jc-结壳热阻Ls-源极电感R(th)ja-结环热阻RGD-栅漏电阻VDD-漏极（直流）电源电压（外电路参数）RGS-栅源电阻VGG-栅极（直流）电源电压（外电路参数）Rg-栅极外接电阻（外电路参数）Vss-
4、源极（直流）电源电压（外电路参数）RL-负载电阻（外电路参数）VDS(on)-漏源通态电压PIN-输入功率VGD-栅漏电压（直流）POUT-输出功率D-占空比（占空系数，外电路参数）Vsu-源衬底电压（直流）PPK-脉冲功率峰值（外电路参数）VDu-漏衬底电压（直流）IDS-漏源电流VGu-栅衬底电压（直流）IGF-正向栅电流Zo-驱动源内阻IGR-反向栅电流-漏极效率（射频功率管）VDS(sat)-漏源饱和电压Vn-噪声电压TL-晶格温度(Lattice temp)/或指下限温度与TH相对aID-漏极电流温度系数Te-电子温度(Electron temp)Te=TLards-漏源电阻温度系数
5、IAR(IA)-雪崩电流（Avalanche Current）EAR-重复雪崩电压（Repetitive Avalanche Energy）场效应管参数符号意义场效应管参数符号意义电子档文件名：元件参数符号含义（精简版）.xls第 1 页，共 6 页半导体二极管参数符号及其意义半导体二极管参数符号及其意义Ta-环境温度Tc-壳温Tj（TVJ）-结温TjM（TVJM）-最高结温Tstg-温度补偿二极管的贮成温度VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）IF（AV）-正向平均电流IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下
6、，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 trr-反向恢复时间Pd(Ptot)-总耗散功率VF-正向压降（正向直流电压）IRM-反向峰值电流IFRM-正向重复峰值电流PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IF(ov)-正向过载电流IFMP-正向脉冲电流IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）IRRM-反向重复峰值电流V（BR）-击穿电压VF（AV）-正向平均电压
7、VRM-反向峰值电压（最高测试电压）VRWM-反向工作峰值电压VR-反向工作电压（反向直流电压）Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vz-稳定电压f-频率Ii-发光二极管起辉电流IP-峰点电流IR（AV）-反向平均电流IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 PK K-最大开关功率PMP-最大漏过脉冲功率PMS-最大承受脉冲功率Pomax-最大输出功率Po
8、-输出功率R(th)ja-结到环境的热阻R(th)jc-结到壳的热阻r(th)-瞬态电阻Rth-热阻td-延迟时间tfr-正向恢复时间tf-下降时间电子档文件名：元件参数符号含义（精简版）.xls第 2 页，共 6 页tgt-门极控制极开通时间tg-电路换向关断时间toff-关断时间ton-开通时间tr-上升时间Vc-整流输入电压VDRM-断态重复峰值电压av-电压温度系数a-温度系数IGD-晶闸管控制极不触发电流IGT-晶闸管控制极触发电流ir-反向恢复电流iR-反向总瞬时电流Is-稳流二极管稳定电流PFT（AV）-正向导通平均耗散功率PFTM-正向峰值耗散功率PFT-正向导通总瞬时耗散功率
9、PR-反向浪涌功率Rs(rs)-串联电阻ts-存储时间Vop-工作电压Vp-峰点电压IH-恒定电流、维持电流。Vth-阀电压（门限电压）Cs-管壳电容或封装电容CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CT-势垒电容Ct-总电容Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流-光谱半宽度VF-正向压降差Vz-稳压范围电压增量Cjo/Cjn-结电容变化Cjo-零偏压结电容Cjv-偏压结电容Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Co-零偏压电容CTC-电容温度系数Cvn-标称电容di/dt-通态电流临界上升率
10、dv/dt-通态电压临界上升率IB2-单结晶体管中的基极调制电流ICM-最大输出平均电流IDR-晶闸管断态平均重复电流ID-暗电流IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20EB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 IEM-发射极峰值电流iF-正向总瞬时电流电子档文件名：元件参数符号含义（精简版）.xls第 3 页，共 6 页IGFM-控制极正向峰值电流IL-光电流或稳流二极管极限电流IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop-工作电流Irp-反向恢复电流IRR-晶闸
11、管反向重复平均电流IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）IV-谷点电流Izk-稳压管膝点电流IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM-稳压二极管浪涌电流Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流n-电容变化指数；电容比PB-承受脉冲烧毁功率PC-控制极平均功率或集电极耗散功率PGM-门极峰值功率PG-门极平均功率Pi-输入功率Psc-连续输出功率PSM-不重复浪涌功率PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q-优值（品质因素）r-衰减电阻RBB-双基极晶体管的基极间电阻RE-射频电阻RF（r）-正向微分电
12、阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I，则V/I称微分电阻 RL-负载电阻Rz(ru)-动态电阻Vv-谷点电压VB2B1-基极间电压VBE10-发射极与第一基极反向电压VB-反向峰值击穿电压VEB-饱和压降VFM-最大正向压降（正向峰值电压）VGD-门极不触发电压VGFM-门极正向峰值电压VGRM-门极反向峰值电压VGT-门极触发电压Vk-膝点电压（稳流二极管）VL-极限电压Vn-中心电压VOM-最大输出平均电压Vo-交流输入电压vz-稳压管电压漂移-单结晶体管分压比或效率p-发光峰值波长电子档文件名：元件参数符号含
13、义（精简版）.xls第 4 页，共 6 页双极型晶体管参数符号及其意义 Ta-环境温度Tc-管壳温度Tj-结温tstg-温度补偿二极管的贮成温度VCEO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。Pd(Ptot)-总耗散功率trr-反向恢复时间hFE-共发射极静态电流放大系数ts-存贮时间fT-特征频率ICMP-集电极最大允许脉冲电流PCM-集电极最大允许耗散功率Pc-集电极耗散功率Po-输出功率td-延迟时间tfr-正向恢复时间tf-下降时间tgt-门极控制极开通时间toff-关断时间ton-开通时间tr-上升时间Ts
14、-结温Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数）VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数）av-电压温度系数a-温度系数BVcer-基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压BVceo-基极开路，CE结击穿电压BVces-基极与发射极短路CE结击穿电压BVebo-集电极开路EB结击穿电压Ccb-集电极与基极间电容Cce-发射极接地输出电容Cc-集电极电容Cib-共基极输入电容Cic-集电结势垒电容Cieo-共发射极开路输入电容Cies-共发射极短路输入电容Cie-共发射极输入电容Ci-输入电容Cjo/Cjn-结电容变化Cjo-零偏压结电容Cjv-偏压结电容Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL-负载电容（外电路参数）电子档文件名：元件参数符号含义（精简版）.xls第 5 页，共 6 页Cn-中和电容（外电路参数）Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容Coeo-共发射极开路输出电容Coe-共发射极输出电容Co-零偏压电容Co-输出电容Cp-并联电容（外电路参数）Cre-共发射极反馈电容Cs-管壳电容或封装
