电力电子器件电力电子器件1.1 电力电子器件概述1.2 不可控器件——电力二极管1.3 半控型器件——晶闸管1.4 典型全控型器件 1.5 其他新型电力电子器件 1.6 电力电子器件的驱动 1.7 电力电子器件的保护 1.8 电力电子器件的串联和并联使用 本章小结 第1章 Ø 电子技术的基础电子技术的基础ﻬ 介绍各种常用电力电子器件的工作原理工作原理、基本基本特性特性、、主要参数主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题ﻬ 简要概述电力电子器件的概念概念、特点特点和分类分类等问题Ø本章主要内容本章主要内容：： 电力电子器件电力电子器件Ø 电力电子电路的基础电力电子电路的基础电子器件：晶体管和集成电路电子器件：晶体管和集成电路 引言引言电力电子器件电力电子器件第1章 电力电子器件的概述电力电子器件的概述1.1.1 电力电子器件的概念和特征1.1.2 应用电力电子器件的系统组成1.1.3 电力电子器件的分类1.1.4 本章内容和学习要点 1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征 电力电子电路的基础电力电子电路的基础 —— 电力电子器件电力电子器件1.概念概念:Ø电力电子器件电力电子器件（power electronic device）——可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件Ø主电路（主电路（main power circuit））——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路2.广义上分为两类广义上分为两类: 电真空器件电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空器件) 半导体器件半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅)1.1.1 3. 同处理信息的电子器件相比，电力电子器件的一般特征一般特征：①能处理电功率的大小，即承受电压和电流的能力，是最重要的参数。
②电力电子器件一般都工作在开关状态③实用中，电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制④为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温度过高而损坏，不仅在器件封装上讲究散热设计，在其工作时一般都要安装散热器 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征1.1.1 主主要要损损耗耗通态损耗：通态损耗：断态损耗：断态损耗：开关损耗：开关损耗：开通损耗：开通损耗：在器件开通的转换过程中产生的损耗关断损耗：关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗Ø对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一Ø通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗通态损耗是器件功率损耗的主要成因Ø器件开关频率较高时，开关损耗开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征1.1.1导通时器件上有一定的通态压降阻断时器件上有微小的断态漏电流流过 应用电力电子器件的系统组成应用电力电子器件的系统组成Ø电电力力电电子子系系统统：由控控制制电电路路、驱驱动动电电路路和以电力电子器件为核心的主电路主电路组成控制电路检测电路驱动电路RL主电路V1V2图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成1.1.2 Ø控制电路控制电路按系统的工作要求形成控制信号，通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的通或断，来完成整个系统的功能。
Ø有的电力电子系统中，还需要有检测电路检测电路广义上往往其和驱动电路等主电路之外的电路都归为控制电路，从而粗略地说电力电子系统是由主电路和控制电路组成的Ø主电路中的电压和电流一般都较大，而控制电路的元器件只能承受较小的电压和电流，因此在主电路和控制电路连接的路径上，如驱动电路与主电路的连接处，或者驱动电路与控制信号的连接处，以及主电路与检测电路的连接处，一般需要进行电气隔离电气隔离，而通过其它手段如光、磁等来传递信号应用电力电子器件的系统组成应用电力电子器件的系统组成1.1.2 Ø由于主电路中往往有电压和电流的过冲，而电力电子器件一般比主电路中普通的元器件要昂贵，但承受过电压和过电流的能力却要差一些，因此，在主电路和控制电路中附加一些保保护护电电路路，以保证电力电子器件和整个电力电子系统正常可靠运行，也往往是非常必要的Ø器件一般有三个端子（或称极或管角），其中两个联结在主电路主电路中，而第三端被称为控制端控制端（或控制极）器件通断是通过在其控制端和一个主电路端子之间加一定的信号来控制的，这个主电路端子是驱动电路和主电路的公共端，一般是主电路电流流出器件的端子 应用电力电子器件的系统组成应用电力电子器件的系统组成1.1.2 电力电子器件的分类电力电子器件的分类Ø按按照照器器件件能能够够被被控控制制电电路路信信号号所所控控制制的的程程度度，，分为以下分为以下三类三类：：1)半控型器件半控型器件1.1.3Ø绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 （ Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT）Ø电力场效应晶体管（电力MOSFET）Ø门极可关断晶闸管（GTO）3)不可控器件不可控器件Ø电力二极管（Power Diode）Ø只有两个端子，器件的通和断是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。
通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断，又称自关断器件Ø晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件Ø器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定2)全控型器件全控型器件通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路 Ø 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为的性质，分为两类两类：：Ø 按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为情况分为三类三类：： 1) 电流驱动型电流驱动型 1) 单极型器件单极型器件电力电子器件的分类电力电子器件的分类1.1.32) 电压驱动型电压驱动型通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制 2) 双极型器件双极型器件3) 复合型器件复合型器件由一种载流子参与导电的器件由电子和空穴两种载流子参与导电的器件由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 本章内容和学习要点本章内容和学习要点v本章内容本章内容:§ 介绍各种器件的工作原理工作原理、、基本特性基本特性、、主要参数主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题。
§ 然后集中讲述电力电子器件的驱动驱动、、保护和串保护和串、、并联使用并联使用这三个问题v学习要点学习要点:§ 最重要的是掌握其基本特性基本特性§ 掌握电力电子器件的型号命名法命名法，以及其参数和参数和特性曲线的使用方法特性曲线的使用方法，这是在实际中正确应用电力电子器件的两个基本要求§ 由于电力电子电路的工作特点和具体情况的不同，可能会对与电力电子器件用于同一主电路的其它电路元件，如变压器、电感、电容、电阻等，有不同于普通电路的要求1.1.4 不可控器件不可控器件—电力二极管电力二极管1.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 1.2.2 电力二极管的基本特性 1.2.3 电力二极管的主要参数 1.2.4 电力二极管的主要类型1.2 Ø Power Diode结构和原理简单，工作可靠，自20世纪50年代初期就获得应用Ø 快恢复二极管和肖特基二极管，分别 在中、高频整流和逆变，以及低压高频整流的场合，具有不可替代的地位不可控器件不可控器件—电力二极管电力二极管1.2 PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 Ø基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样Ø以半导体PN结为基础Ø由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的Ø从外形上看，主要有螺栓型和平板型两种封装图1-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号1.2.1 ØN型半导体和P型半导体结合后构成PN结。
图1-3 PN结的形成• 扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡，正、负空间电荷量达到稳定值，形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围，被称为空间电荷区空间电荷区，按所强调的角度不同也被称为耗尽层耗尽层、阻挡层阻挡层或势垒区势垒区• 空间电荷建立的电场被称为内电场内电场或自建电场自建电场，其方向是阻止扩散运动的，另一方面又吸引对方区内的少子（对本区而言则为多子）向本区运动，即漂移运动漂移运动• 交界处电子和空穴的浓度差别，造成了各区的多子向另一区的扩散运动扩散运动，到对方区内成为少子，在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷空间电荷PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 1.2.1 ØPN结的正向导通状态结的正向导通状态 电导调制效应使得PN结在正向电流较大时压降仍然很低，维持在1V左右，所以正向偏置的PN结表现为低阻态ØPN结的反向截止状态结的反向截止状态 PN结的单向导电性 二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要特征ØPN结的反向击穿结的反向击穿 有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式，可能导致热击穿。
ØPN结的电容效应：结的电容效应： PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电电容容效效应应，称为结结电电容容CJ，又称为微分电容微分电容 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容势垒电容CB和扩散电容扩散电容CD PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 1.2.1 Ø势势垒垒电电容容只在外加电压变化时才起作用外加电压频率越高，势垒电容作用越明显势垒电容的大小与PN结截面积成正比，与阻挡层厚度成反比PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 1.2.1Ø扩扩散散电电容容仅在正向偏置时起作用在正向偏置时，当正向电压较低时，势垒电容为主；正向电压较高时，扩散电容为结电容主要成分Ø结结电电容容影响PN结的工作频率，特别是在高速开关的状态下，可能使其单向导电性变差，甚至不能工作，应用时应加以注意 Ø造造成成电电力力二二极极管管和和信信息息电电子子电电路路中中的的普普通通二二极极管管区别区别的一些因素：的一些因素：•正向导通时要流过很大的电流，其电流密度较大，因而额外载流子的注入水平较高，电导调制效应不能忽略•引线和焊接电阻的压降等都有明显的影响•承受的电流变化率di/dt较大，因而其引线和器件自身的电感效应也会有较大影响。
•为了提高反向耐压，其掺杂浓度低也造成正向压降较大PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 1.2.1 电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性1. 静态特性静态特性Ø主要指其伏安特性伏安特性 图1-4 电力二极管的伏安特性1.2.2 当电力二极管承受的正向电压大到一定值（门槛电压门槛电压UTO），正向电流才开始明显增加，处于稳定导通状态与正向电流IF对应的电力二极管两端的电压UF即为其正向电压降当电力二极管承受反向电压时，只有少子引起的微小而数值恒定的反向漏电流 2. 动态特性动态特性电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性1.2.2Ø动态特性动态特性Ø关断过程关断过程：Ø开关特性开关特性•须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态• 在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲• 反映通态和断态之间的转换过程• 因结电容的存在，三种状态之间的转换必然有一个过渡过程，此过程中的电压—电流特性是随时间变化的 Ø开通过程开通过程：•电力二极管的正向压降先出现一个过冲UFP，经过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如 2V）。
这一动态过程时间被称为正向恢复时间tfr•电导调制效应起作用需一定的时间来储存大量少子，达到稳态导通前管压降较大•正向电流的上升会因器件自身的电感而产生较大压降电流上升率越大，UFP越高 2. 动态特性（续）动态特性（续）电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性1.2.2 延迟时间：td= t1- t0, 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf 恢复特性的软度：下降时间与延迟时间 的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示 图1-5 电力二极管的动态过程波形 a) 正向偏置转换为反向偏置 b) 零偏置转换为正向偏置电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性1.2.2 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数1. 正向平均电流正向平均电流IF(AV) 额额定定电电流流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值Ø正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，因此使用时应按有有效效值值相相等等的的原原则则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。
Ø当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略Ø当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小 1.2.3 2. 正向压降正向压降UFØ指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降Ø有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降3. 反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRMØ指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压Ø通常是其雪崩击穿电压UB的2/3Ø使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的两倍来选定 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数1.2.3 4. 最高工作结最高工作结温温TJMØ结温结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示Ø最最高高工工作作结结温温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度ØTJM通常在125~175C范围之内5. 反向恢复时间反向恢复时间trrØtrr= td+ tf ，关断过程中，电流降到零起到恢复反响阻断能力止的时间6. 浪涌电流浪涌电流IFSMØ指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数1.2.3 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型ü按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。
ü在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管ü性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的1. 普通二极管普通二极管（General Purpose Diode）Ø又称整流二极管（Rectifier Diode）Ø多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中Ø其反向恢复时间较长，一般在5 s以上，这在开关频率不高时并不重要Ø正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上1.2.4 2. 快恢复二极管快恢复二极管（Fast Recovery Diode——FRD）电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型1.2.4Ø恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5 s以下）的二极管，也简称快速二极管Ø工艺上多采用了掺金措施Ø有的采用PN结型结构Ø有的采用改进的PiN结构 •采用外延型PiN结构的的快快恢恢复复外外延延二二极极管管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下•从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。
前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns 3. 肖特基二极管肖特基二极管ü以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管ü20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用Ø肖特基二极管的肖特基二极管的弱点•当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下•反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度Ø肖特基二极管的肖特基二极管的优点•反向恢复时间很短（10~40ns）•正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲•在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管•其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型1.2.4 半控器件半控器件——晶闸管晶闸管 1.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件1.3 Ø晶晶闸闸管管（Thyristor）：晶体闸流管，可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier——SCR）•1956年美国贝尔实验室（Bell Lab）发明了晶闸管•1957年美国通用电气公司（GE）开发出第一只晶闸管产品•1958年商业化•开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代•20世纪80年代以来，开始被性能更好的全控型器件取代•能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，在大容量的场合具有重要地位Ø晶闸管往往专指晶闸管的一种基本类型——普通晶闸管，广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件 半控器件半控器件——晶闸管晶闸管1.3 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理Ø外形有螺栓型和平板型两种封装Ø引出阳极A、阴极K和门极（控制端）G三个联接端Ø对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便Ø平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间图1-6 晶闸管的外形、结构和电气图形符号a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号1.3.1 Ic1=1 IA + ICBO1 （1-1） Ic2=2 IK + ICBO2 （1-2） IK=IA+IG （1-3） IA=Ic1+Ic2 （1-4）Ø式中1和2分别是晶体管V1和V2的共基极电流增益；ICBO1和ICBO2分别是V1和V2的共基极漏电流。
由以上式（1-1）~（1-4）可得 （1-5）图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理a) 双晶体管模型 b) 工作原理晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理1.3.1 Ø晶体管的特性是：晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而当发射极电流建立起来之后， 迅速增大 Ø阻阻断断状状态态：：IG=0，1+2很小流过晶闸管的漏电流稍大于两个晶体管漏电流之和Ø开开通通（（门门极极触触发发））：：注入触发电流使晶体管的发射极电流增大以致1+2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将趋近于无穷大，实现饱和导通IA实际由外电路决定晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理1.3.1 Ø其他几种可能导通的情况其他几种可能导通的情况：•阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应•阳极电压上升率du/dt过高•结温较高•光直接照射硅片，即光触发光触发–光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中，其它都因不易控制而难以应用于实践，称为光光控控晶晶闸闸管管（Light Triggered Thyristor——LTT）。
Ø只只有有门门极极触触发发（（包包括括光光触触发发））是是最最精精确确、、迅迅速速而而可可靠靠的控制手段的控制手段晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理1.3.1 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性 1. 静态特性静态特性 总结前面介绍的工作原理，可以简单归纳晶闸管正常工作时的特性如下：1)承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通2)承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通3)晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用4)要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下 1.3.2 Ø晶闸管的伏安特性 第I象限的是正向特性 第III象限的是反向特性图1-8 晶闸管的伏安特性IG2>IG1>IG晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 1) 正向特性Ø IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通Ø随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低Ø导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿Ø晶闸管本身的压降很小，在1V左右。
Ø导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态IH称为维持电流晶闸管的伏安特性晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 2) 反向特性Ø晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性Ø 晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过Ø当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏晶闸管的伏安特性晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 2. 动态特性动态特性图1-9 晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 1) 开通过程开通过程Ø延延迟迟时时间间td：门极电流阶跃时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间Ø上上升升时时间间tr：阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间Ø开通时间开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+ tr （1-6）普通晶闸管延迟时为0.5~1.5 s，上升时间为0.5~3 s晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 2) 关断过程关断过程Ø反反向向阻阻断断恢恢复复时时间间trr：正向电流降为零到反向恢复电流衰减至接近于零的时间Ø正正向向阻阻断断恢恢复复时时间间tgr：晶闸管要恢复其对正向电压的阻断能力还需要一段时间•在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。
•实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作Ø 关关断断时时间间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr （1-7)） 普通晶闸管的关断时间约几百微秒晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性1.3.2 1. 电压定额电压定额晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 1.3.3 ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的 正向峰值电压Ø通常取晶闸管的UDRM和URRM中较小的标值作为该器件的额定电压额定电压选用时，额定电压要留有一定裕量裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3倍—— 在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压——晶闸管通以某一规定倍 数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压1) 断态重复峰值电压断态重复峰值电压UDRM2) 反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM3) 通态（峰值）电压通态（峰值）电压UTM 2. 电流定额电流定额晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 1.3.3 ——晶闸管在环境温度为40C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波最大工频正弦半波电流的平均值电流的平均值。
标称其额定电流的参数——使晶闸管维持导通所必需的最小电流，一般为几十到几百毫安，与结温有关结温越高，则IH越小——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 4) 浪涌电流浪涌电流ITSM 3) 擎住电流擎住电流 IL 2) 维持电流维持电流 IH ——使用时应按实际电流与通态平均电流有有效效值值相相等等的的原原则则来选取晶闸管应留一定的裕量，一般取1.5~2倍 1) 通态平均电流通态平均电流 IT(AV) 3. 动态参数动态参数晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 1.3.3 ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率Ø 如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏 (2) 通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dtØ 在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电位移电流流。
此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 (1) 断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件1. 1. 快速晶闸管快速晶闸管（（Fast Switching Thyristor——FST)Ø包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管Ø管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善Ø普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10 s左右Ø高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高Ø由于工作频率较高，选择通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应1.3.4 2.2.双双向向晶晶闸闸管管（（Triode AC Switch——TRIAC或或Bidirectional triode thyristor））图1-10 双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件1.3.4Ø可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成Ø有两个主电极T1和T2，一个门极G。
Ø正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性Ø与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多Ø通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定不用平均值而用有效值来表示其额定电流值 3. 逆逆导导晶晶闸闸管管（（Reverse Conducting Thyristor——RCT））图1-11 逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件1.3.4Ø将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件Ø具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点Ø逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流 4. 光光控控晶晶闸闸管管（（Light Triggered Thyristor——LTT））图1-12 光控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号 b) 伏安特性晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件1.3.4Ø又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管Ø小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。
Ø大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器Ø光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位 典型全控型器件典型全控型器件 1.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 1.4.2 电力晶体管电力晶体管 1.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 1.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4 Ø门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现Ø20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代Ø典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管典型全控型器件典型全控型器件1.4 门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管Ø门 极 可 关 断 晶 闸 管 （ Gate-Turn-Off Thyristor —GTO）•晶闸管的一种派生器件•可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断•GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用1.4.1 1. GTO1. GTO的结构和工作原理的结构和工作原理Ø结构：结构：•与普通晶闸管的相相同同点点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。
•和普通晶闸管的不不同同点点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起图1-13 GTO的内部结构和电气图形符号 a) 各单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 Ø工作原理：工作原理：•与普通晶闸管一样，可以用图1-7所示的双晶体管模型来分析 图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理• 1+ 2=1是器件临界导通的条件当1+2>1时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当1+2<1时，不能维持饱和导通而关断• 由P1N1P2和N1P2N2构成的两个晶体管V1、V2分别具有共基极电流增益α1和α2门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 ØGTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别区别：门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 （1）设计2较大，使晶体管V2控 制灵敏，易于GTO关断 （ 2） 导 通 时1+2更 接 近1（ 1.05， 普 通 晶 闸 管1+21.15）导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。
（3）多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流 图1-7 晶闸管的工作原理 Ø由上述分析我们可以得到以下结论结论：•GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅•GTO关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使 IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流当IA和IK的减小使1+2<1时，器件退出饱和而关断• 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 2. GTO的动态特性的动态特性Ø开开通通过过程程：：与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr 图1-14 GTO的开通和关断过程电流波形门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 Ø关关断断过过程程：：与普通晶闸管有所不同•抽取饱和导通时储存的大量载流子——储储存存时时间间ts，使等效晶体管退出饱和•等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小——下下降降时时间间tf •残存载流子复合——尾尾部部时时间间tt 。
•通常tf比ts小得多，而tt比ts要长•门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短•门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时间 GTO的开通和关断过程电流波形门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1 3. 3. GTO的主要参数的主要参数门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.1—— 延迟时间与上升时间之和延迟时间一般约1~2s，上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大—— 一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2s2)关断时间关断时间toff1)开通时间开通时间ton Ø 不少GTO都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联 许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数 3)最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO门极可关断晶门极可关断晶闸管闸管1.4.14) 电流关断增益电流关断增益 offGMATOoffII=（1-8） off一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。
1000A的GTO关断时门极负脉冲电流峰值要200A ——GTO额定电流 ——最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益 Ø术语用法：术语用法：•电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）•耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT•在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效Ø 应用应用•20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代电力晶体管电力晶体管1.4.2 1. GTR的结构和工作原理的结构和工作原理图1-15 GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动 a) 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 c) 内部载流子的流动电力晶体管电力晶体管1.4.2Ø与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的Ø主要特性是耐压高、电流大、开关特性好Ø通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构Ø采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 。
Ø在应用中，GTR一般采用共发射极接法Ø集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ——GTR的电流放大系数电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 Ø当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic= ib +Iceo （1-10）Ø产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比一般可认为 hFE Ø单管GTR的 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益电力晶体管电力晶体管1.4.2 2. GTR的基本特性的基本特性 (1) 静态特性静态特性Ø共发射极接法时的典型输出特性：截截止止区区、放放大区大区和饱和区饱和区Ø在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区Ø在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区图1-16 共发射极接法时GTR的输出特性电力晶体管电力晶体管1.4.2 (2) 动态特性动态特性Ø开通过程开通过程•延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间开通时间ton。
•td主要是由发射结势垒电容和集电结势垒电容充电产生的增大ib的幅值并增大dib/dt，可缩短延迟时间，同时可缩短上升时间，从而加快开通过程 图1-17 GTR的开通和关断过程电流波形电力晶体管电力晶体管1.4.2 Ø关断过程关断过程•储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间关断时间toff •ts是用来除去饱和导通时储存在基区的载流子的，是关断时间的主要部分•减小导通时的饱和深度以减小储存的载流子，或者增大基极抽取负电流Ib2的幅值和负偏压，可缩短储存时间，从而加快关断速度•负面作用是会使集电极和发射极间的饱和导通压降Uces增加，从而增大通态损耗•GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 GTR的开通和关断过程电流波形电力晶体管电力晶体管1.4.2 3. GTR的主要参数的主要参数 前已述及：电流放大倍数、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff (此外还有此外还有)：： 1) 最高工作电压最高工作电压 ØGTR上电压超过规定值时会发生击穿Ø击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。
ØBUcbo> BUcex> BUces> BUcer> BuceoØ实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo低得多电力晶体管电力晶体管1.4.2 2) 集电极最大允许电流集电极最大允许电流IcMØ通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的IcØ实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点 3) 集电极最大耗散功率集电极最大耗散功率PcMØ最高工作温度下允许的耗散功率Ø产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 电力晶体管电力晶体管1.4.2 4. GTR的二次击穿现象与安全工作区的二次击穿现象与安全工作区Ø一次击穿一次击穿•集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿•只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变Ø 二次击穿二次击穿•一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降•常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 电力晶体管电力晶体管1.4.2 Ø安全工作区（安全工作区（Safe Operating Area——SOA））•最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。
图1-18 GTR的安全工作区电力晶体管电力晶体管1.4.2 Ø也分为结型结型和绝缘栅型绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET）Ø但通常主要指绝绝缘缘栅栅型型中的MOS型型（Metal Oxide Semiconductor FET）Ø简称电力MOSFET（Power MOSFET）Ø结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）电力场效应晶体管电力场效应晶体管Ø 特点特点——用栅极电压来控制漏极电流•驱动电路简单，需要的驱动功率小•开关速度快，工作频率高•热稳定性优于GTR•电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 1.4.3 1. 电力电力MOSFET的结构和工作原理的结构和工作原理Ø 电力电力MOSFET的种类的种类• 按导电沟道可分为P沟道沟道和N沟道沟道• 耗耗尽尽型型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道• 增增强强型型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道• 电力MOSFET主要是N沟道增强沟道增强型型电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 Ø电力电力MOSFET的结构的结构电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3Ø导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管。
Ø导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别Ø电力MOSFET的多元集成结构，不同的生产厂家采用了不同设计• 国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET采用了六边形单元• 西门子公司（Siemens）的SIPMOSFET采用了正方形单元• 摩托罗拉公司（Motorola）的TMOS采用了矩形单元按“品”字形排列 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号 Ø小功率MOS管是横向导电器件Ø电力MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（Vertical MOSFET）——大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力Ø按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结 构 的 VDMOSFET（ Vertical Double-diffused MOSFET）Ø这里主要以VDMOS器件为例进行讨论电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 Ø电力电力MOSFET的工作原理的工作原理•截止截止：：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零–P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
•导电导电：：在栅源极间加正电压UGS–栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面–当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反反型型层层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 图1-19 电力MOSFET的结构和电气图形符号电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 1) 静态特性静态特性Ø漏极电流ID和栅源间电压 UGS的 关 系 称 为MOSFET的转移特性转移特性ØID较大时，ID与与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导跨导Gfs图1-20 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性2. 电力电力MOSFET的基本特性的基本特性电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 ØMOSFET的漏极伏安特性的漏极伏安特性：•截止区截止区（对应于GTR的截止区）•饱和区饱和区（对应于GTR的放大区）•非饱和区非饱和区（对应于GTR的饱和区）•电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。
•电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通•电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利 电力MOSFET的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 2) 动态特性动态特性Ø开通过程开通过程•开开通通延延迟迟时时间间td(on) —— up前沿时刻到uGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段•上上升升时时间间tr—— uGS从从uT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段–iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定–UGSP的大小和iD的稳态值有关–UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变•开开通通时时间间ton——开通延迟时间与上升时间之和图1-21 电力MOSFET的开关过程a) 测试电路 b) 开关过程波形up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，RG—栅极电阻，RL—负载电阻，RF—检测漏极电流电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 Ø关断过程关断过程•关关断断延延迟迟时时间间td(off) ——up下降到零起，Cin通过Rs和RG放电，uGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小止的时间段。
•下下降降时时间间tf—— uGS从UGSP继续下降起，iD减小，到uGS20V将导致绝缘层击穿 。
除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、、tr、、td(off)和tf之外还有： 4) 极间电容极间电容 极间电容CGS、、CGD和CDS 厂家提供：漏源极短路时的输入电容Ciss、共源极输出电容Coss和反向转移电容CrssCiss= CGS+ CGD （（1-14））Crss= CGD （（1-15））Coss= CDS+ CGD （（1-16）Ø 输入电容可近似用Ciss代替Ø 这些电容都是非线性的Ø 漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决定了电力MOSFET的安全工作区Ø 一般来说，电力MOSFET不存在二次击穿问题，这是它的一大优点Ø 实际使用中仍应注意留适当的裕量电力场效应晶体管电力场效应晶体管1.4.3 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管üGTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂。
üMOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单Ø两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件Ø 绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor— —IGBT或IGT）• GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性• 1986年投入市场后，取代了GTR和一部分MOSFET的市场,中小功率电力电子设备的主导器件• 继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位1.4.4 1. IGBT的结构和工作原理的结构和工作原理Ø三端器件：栅极G、集电极C和发射极E图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 ØIGBT的结构的结构•图1-22a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT（N-IGBT）•IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区，形成了一个大面积的P+N结J1——使IGBT导通时由P+注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。
•简化等效电路表明，IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构，一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管• RN为晶体管基区内的调制电阻图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 ØIGBT的原理的原理 驱动原理与电力MOSFET基本相同，场控器件，通断由栅射极电压uGE决定•导导通通：uGE大于开开启启电电压压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，为晶体管提供基极电流，IGBT导通•导通压降导通压降：电导调制效应使电阻RN减小，使通态压降小•关关断断：栅射极间施加反压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，IGBT关断绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 2. IGBT的基本特性的基本特性 1) IGBT的静态特性的静态特性图1-23 IGBT的转移特性和输出特性a) 转移特性 b) 输出特性绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 Ø转转移移特特性性——IC与UGE间的关系，与MOSFET转移特性类似•开开启启电电压压UGE(th)——IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压。
•UGE(th)随温度升高而略有下降，在+25C时，UGE(th)的值一般为2~6VØ输输出出特特性性（伏安特性）——以UGE为参考变量时，IC与UCE间的关系•分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区分别与GTR的截止区、放大区和饱和区相对应•uCE<0时，IGBT为反向阻断工作状态图1-23 IGBT的转移特性和输出特性a) 转移特性 b) 输出特性绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 2) IGBT的动态特性的动态特性图1-24 IGBT的开关过程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 Ø IGBT的开通过程的开通过程 与MOSFET的相似，因为开通过程中IGBT在大部分时间作为MOSFET运行•开开通通延延迟迟时时间间td(on) ——从uGE上升至其幅值10%的时刻，到iC上升至10% ICM² •电电流流上上升升时时间间tr ——iC从10%ICM上升至90%ICM所需时间。
•开开通通时时间间ton——开通延迟时间与电流上升时间之和•uCE的下降过程分为tfv1和tfv2两段tfv1——IGBT中MOSFET单独工作的电压下降过程；tfv2——MOSFET和PNP晶体管同时工作的电压下降过程图1-24 IGBT的开关过程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 ØIGBT的关断过程的关断过程•关关断断延延迟迟时时间间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到iC下降至90%ICM •电电 流流 下下 降降 时时 间间 ——iC从90%ICM下降至10%ICM • 关关断断时时间间toff——关断延迟时间与电流下降之和•电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢图1-24 IGBT的开关过程ttt10%90%10%90%UCEIC0O0UGEUGEMICMUCEMtfv1tfv2tofftontfi1tfi2td(off)tftd(on)trUCE(on)UGEMUGEMICMICM绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 •IGBT中双极型PNP晶体管的存在，虽然带来了电导调制效应的好处，但也引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度低于电力MOSFET。
•IGBT的击穿电压、通态压降和关断时间也是需要折衷的参数•高压器件的N基区必须有足够宽度和较高的电阻率，这会引起通态压降的增大和关断时间的延长绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4Ø 通过对IGBT的基本特性的分析，可以看出： 3. IGBT的主要参数的主要参数绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4——正常工作温度下允许的最大功耗 3) 最大集电极功耗最大集电极功耗PCM——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 2) 最大集电极电流最大集电极电流——由内部PNP晶体管的击穿电压确定1) 最大集射极间电压最大集射极间电压UCES ØIGBT的特性和参数特点可以总结如下：的特性和参数特点可以总结如下：绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4(1) 开关速度高，开关损耗小在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当2) 相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力3) 通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域4) 输入阻抗高，输入特性与MOSFET类似5) 与MOSFET和GTR相比，耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点 。
4. IGBT的擎住效应和安全工作区的擎住效应和安全工作区Ø寄寄生生晶晶闸闸管管——由一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成图1-22 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4 Ø擎住效应或自锁效应擎住效应或自锁效应：绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管1.4.4ØIGBT往往与反并联的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 ——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率duCE/dt确定Ø反向偏置安全工作区反向偏置安全工作区（RBSOA）——最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定Ø正偏安全工作区正偏安全工作区（FBSOA）• 动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流小• 擎住效应曾限制IGBT电流容量提高，20世纪90年代中后期开始逐渐解决——NPN晶体管基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加正偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控。
其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件 1.5.1 MOS MOS控制晶闸管控制晶闸管MCTMCT 1.5.2 静电感应晶体管静电感应晶体管SITSIT 1.5.3 静电感应晶闸管静电感应晶闸管SITHSITH 1.5.4 集成门极换流晶闸管集成门极换流晶闸管IGCTIGCT 1.5.5 功率模块与功率集成电路功率模块与功率集成电路1.5 MOSMOS控制晶闸管控制晶闸管MCTMCTØMCT（MOS Controlled Thyristor）——MOSFET与晶闸管的复合• MCT结合了二者的优点：– MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程– 晶闸管的高电压大电流、低导通压降•一个MCT器件由数以万计的MCT元组成，每个元的组成为：一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的MOSFET•MCT曾一度被认为是一种最有发展前途的电力电子器件因此，20世纪80年代以来一度成为研究的热点但经过十多年的努力，其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。
1.5.1 静电感应晶体管静电感应晶体管SITSITØSIT（Static Induction Transistor）——1970年，结型场效应晶体管•小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件•多子导电的器件，工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大，因而适用于高频大功率场合•在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等领域获得应用•缺点缺点：–栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正正常常导导通通型型器件，使用不太方便–通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用1.5.2 静电感应晶闸管静电感应晶闸管SITHSITHØSITH（Static Induction Thyristor）——1972年，又 被 称 为 场 控 晶 闸 管 （ Field Controlled Thyristor——FCT）• 比SIT多了一个具有少子注入功能的PN结， SITH是两种载流子导电的双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强其很多特性与GTO类似，但开关速度比GTO高得多，是大容量的快速器件。
• SITH一般也是正常导通型，但也有正常关断型此外，其制造工艺比GTO复杂得多，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展1.5.3 集成门极换流晶闸管集成门极换流晶闸管IGCTIGCTØIGCT（Integrated Gate-Commutated Thyristor），也称GCT（Gate-Commutated Thyristor）•20世纪90年代后期出现，结合了IGBT与GTO的优点，容量与GTO相当，开关速度快10倍，且可省去GTO庞大而复杂的缓冲电路，只不过所需的驱动功率仍很大•目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争，试图最终取代GTO在大功率场合的位置1.5.4 功率模块与功率集成电路功率模块与功率集成电路Ø20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块功率模块Ø可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性Ø对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求Ø将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功功率率 集成电路集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。
1.5.5 Ø类似功率集成电路的还有许多名称，但实际上各有侧重•高高压压集集成成电电路路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成•智智能能功功率率集集成成电电路路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成•智智能能功功率率模模块块（Intelligent Power Module——IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）功率模块与功率集成电路功率模块与功率集成电路1.5.5 Ø功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理Ø以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合Ø智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展Ø功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口功率模块与功率集成电路功率模块与功率集成电路1.5.5 电力电子器件器件的驱动电力电子器件器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述Ø驱动电路驱动电路——主电路与控制电路之间的接口•使电力电子器件工作在较理想的开关状态，缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。
•对器件或整个装置的一些保护措施也往往设在驱动电路中，或通过驱动电路实现1.6.1Ø驱动电路的基本任务驱动电路的基本任务：•将信息电子电路传来的信号按控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号• 对半控型器件只需提供开通控制信号•对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号 Ø 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电电气隔离气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离• 光隔离一般采用光耦合器• 磁隔离的元件通常是脉冲变压器图1-25 光耦合器的类型及接法a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述1.6.1 Ø按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分，可分为电电流流驱驱动动型型和电压驱动型电压驱动型Ø驱动电路具体形式可为分分立立元元件件的的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路专用集成驱动电路•双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路• 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述1.6.1 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路Ø作作用用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。
•广义上讲，还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路1.6.2Ø晶闸管触发电路应满足下列要求晶闸管触发电路应满足下列要求：：1)触发脉冲的宽宽度度应保证晶闸管可靠导通（结合擎住电流擎住电流的概念）2)触发脉冲应有足够的幅度3)不超过门极电压、电流和功率定额，且在可可靠靠触发区触发区域之内4)应有良好的抗抗干干扰扰性能、温温度度稳稳定定性性及与主电路的电气隔离电气隔离 ØV1、V2构成脉冲放大环节Ø脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节Ø V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲ØVD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设 图1-26 理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1~t2脉冲前沿上升时间（<1s） t1~t3强脉宽度IM强脉冲幅值（3IGT~5IGT）t1~t4脉冲宽度 I脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT）图1-27 常见的晶闸管触发电路TMR1R2R3V1V2VD1VD3VD2R4+E1+E2晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路1.6.2 典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1) GTO•GTO的开开通通控控制制与普通晶闸管相似，但对脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流。
•使GTO关关断断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高，关断后还应在门阴极施加约5V的负偏压以提高抗干扰能力图图1-28 推荐的 推荐的GTO门极电压电流波形门极电压电流波形OttOuGiG1.6.31. 电流驱动型器件的驱动电路电流驱动型器件的驱动电路 ØGTO驱动电路通常包括开开通通驱驱动动电电路路、关关断断驱驱动动电电路路和门门极极反反偏偏电电路路三部分，可分为脉脉冲冲变变压压器器耦耦合合式式和直接耦合式直接耦合式两种类型Ø直接耦合式驱动电路可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿，因此目前应用较广，但其功耗大，效率较低典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 Ø典型的直接耦合式GTO驱动电路：图1-29 典型的直接耦合式GTO驱动电路• 二极管VD1和电容C1提供+5V电压• VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压• VD4和电容C4提供-15V电压• V1开通时，输出正强脉冲• V2开通时输出正脉冲平顶部分• V2关断而V3开通时输出负脉冲• V3关断后R3和R4提供门极负偏压典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 2) GTR•开通驱动电流应使GTR处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。
•关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压 图1-30 理想的GTR基极驱动电流波形典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 ØGTR的的一一种种驱驱动动电电路路，，包包括括电电气气隔隔离离和和晶晶体体管管放放大大电电路路两部分两部分• 二极管VD2和电位补偿二极管VD3构成贝克箝位电路贝克箝位电路，也即一种抗抗饱和饱和电路，负载较轻时，如V5发射极电流全注入V，会使V过饱和有了贝克箝位电路，当V过饱和使得集电极电位低于基极电位时，VD2会自动导通，使多余的驱动电流流入集电极，维持Ubc≈0• C2为加速开通过程的电容开通时，R5被C2短路可实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通图1-31 GTR的一种驱动电路典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 2. 电压驱动型器件的驱动电路电压驱动型器件的驱动电路Ø栅源间、栅射间有数千皮法的电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路输出电阻小Ø使MOSFET开通的驱动电压一般10~15V，使IGBT开通的驱动电压一般15 ~ 20V。
Ø关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗Ø在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 1) 电力电力MOSFET的一种驱动电路： 电气隔离电气隔离和晶体管放大电路晶体管放大电路两部分• 无输入信号时高速放大器A输出负电平,V3导通输出负驱动电压• 当有输入信号时A输出正电平，V2导通输出正驱动电压 • 专为驱动电力MOSFET而设计的混合集成电路有三菱公司的M57918L，其输入信号电流幅值为16mA，输出最大脉冲电流为+2A和-3A，输出驱动电压+15V和-10V 图1-32 电力MOSFET的一种驱动电路典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 2) IGBT的驱动的驱动 多采用专用的混合集成驱动器• 常用的有三菱公司的M579系列（如M57962L和M57959L）和富士公司的EXB系列（如EXB840、EXB841、EXB850和EXB851）• 内部具有退饱和检测和保护环节，当发生过电流时能快速响应但慢速关断IGBT，并向外部电路给出故障信号。
• M57962L输出的正驱动电压均为+15V左右，负驱动电压为 -10V图1-33 M57962L型IGBT驱动器的原理和接线图典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路1.6.3 电力电子器件器件的保护电力电子器件器件的保护 1.7.1 过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 1.7.2 过电流保护过电流保护 1.7.3 缓冲电路（缓冲电路（SnubberSnubber Circuit Circuit））1.7 过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护Ø电电力力电电子子装装置置可可能能的的过过电电压压——外外因因过过电电压压和内内因过电压因过电压•外因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) 操作过电压操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 (2) 雷击过电压雷击过电压：由雷击引起•内因过电压内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1) 换换相相过过电电压压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，该反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压。
(2) 关关断断过过电电压压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压 1.7.1 Ø过电压保护措施过电压保护措施图1-34 过电压抑制措施及配置位置F避雷器 D变压器静电屏蔽层 C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路 RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器 RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路 RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路• 电力电子装置可视具体情况只采用其中的几种• 其中RC3和RCD为抑制内因过电压的措施，属于缓冲电路范畴过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 1.7.1 •外因过电压抑制措施中，RC过电压抑制电路最为常见，典型联结方式见图1-35图1-35 RC过电压抑制电路联结方式a) 单相 b) 三相– RC过电压抑制电路可接于供电变压器的两侧（供电网一侧称网侧，电力电子电路一侧称阀侧），或电力电子电路的直流侧过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 1.7.1 •大容量电力电子装置可采用图1-36所示的反向阻断式RC电路图1-36 反向阻断式过电压抑制用RC电路• 保护电路参数计算可参考相关工程手册• 其他措施：用雪崩二极管、金属氧化物压敏电阻、硒堆和转折二极管（BOD）等非线性元器件限制或吸收过电压过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 1.7.1 过电流保护过电流保护Ø过电流——过载过载和短路短路两种情况Ø 常用措施（图1-37）• 快速熔断器、直流快速断路器和过电流继电器。
• 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性• 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作图1-37 过电流保护措施及配置位置1.7.2 Ø采用快快速速熔熔断断器器是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施Ø选择快熔时应考虑：(1)电压等级根据熔断后快熔实际承受的电压确定2)电流容量按其在主电路中的接入方式和主电路联结形式确定3)快熔的I 2t值应小于被保护器件的允许I 2t值4)为保证熔体在正常过载情况下不熔化，应考虑其时间电流特性过电流保护过电流保护1.7.2 Ø快熔对器件的保护方式：全全保保护护和短短路路保保护护两种•全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合•短路保护方式：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用Ø对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件（很难用快熔保护），需采用电子电路进行过电流保护Ø常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快 过电流保护过电流保护1.7.2 缓冲电路缓冲电路（（SnubberSnubber Circuit Circuit））Ø缓缓冲冲电电路路（吸吸收收电电路路））：：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。
•关关断断缓缓冲冲电电路路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗•开开通通缓缓冲冲电电路路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗•将关断缓冲电路和开通缓冲电路结合在一起——复复合合缓缓冲电路冲电路•其他分类法：耗耗能能式式缓缓冲冲电电路路和馈馈能能式式缓缓冲冲电电路路（无损吸收电路）•通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路1.7.3 Ø缓冲电路作用分析缓冲电路作用分析•无缓冲电路：–V开通时电流迅速上升，di/dt很大–关断时du/dt很大，并出现很高的过电压•有缓冲电路：–V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢–V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压图1-38 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a) 电路 b) 波形缓冲电路缓冲电路（（SnubberSnubber Circuit Circuit））1.7.3 Ø关断时的负载曲线关断时的负载曲线 图1-39 关断时的负载线•无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才下降到漏电流的大小，负载线随之移到C。
•有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开始上升时就下降，负载线经过D到达C•负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低缓冲电路缓冲电路（（SnubberSnubber Circuit Circuit））1.7.3 Ø充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合图1-38 di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a) 电路 b) 波形Ø 图1-40示出另两种，其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件图1-40 另外两种常用的缓冲电路a)RC吸收电路 b)放电阻止型RCD吸收电路缓冲电路缓冲电路（（SnubberSnubber Circuit Circuit））1.7.3 Ø缓冲电路中的元件选取及其他注意事项缓冲电路中的元件选取及其他注意事项•Cs和Rs的取值可实验确定或参考工程手册•VDs必须选用快恢复二极管，额定电流不小于主电路器件的1/10•尽量减小线路电感，且选用内部电感小的吸收电容•中小容量场合，若线路电感较小，可只在直流侧设一个du/dt抑制电路• 对IGBT甚至可以仅并联一个吸收电容•晶闸管在实用中一般只承受换相过电压，没有关断过电压，关断时也没有较大的du/dt，一般采用RC吸收电路即可。
缓冲电路缓冲电路（（SnubberSnubber Circuit Circuit））1.7.3 电力电子器件器件的串联和并联使用电力电子器件器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联晶闸管的并联 1.8.3 电力电力MOSFETMOSFET和和IGBTIGBT并联运行的特点并联运行的特点1.81.8 晶闸管的串联晶闸管的串联Ø目目的的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联Ø问问题题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀•静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等•承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用•反向时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿 1.8.1 Ø静态均压措施静态均压措施：：•选用参数和特性尽量一致的器件•采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多图1-41 晶闸管的串联a) 伏安特性差异 b) 串联均压措施晶闸管的串联晶闸管的串联 1.8.1 Ø动态不均压——由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。
Ø动态均压措施动态均压措施：：•选择动态参数和特性尽量一致的器件•用RC并联支路作动态均压•采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异晶闸管的串联晶闸管的串联 1.8.1 晶闸管的并联晶闸管的并联Ø目的目的：多个器件并联来承担较大的电流Ø问问题题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀Ø 均流措施均流措施：：•挑选特性参数尽量一致的器件•采用均流电抗器•用门极强脉冲触发也有助于动态均流•当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接1.8.2 电力电力MOSFETMOSFET和和IGBTIGBT并联运行的特点并联运行的特点Ø电力电力MOSFET并联运行的并联运行的特点特点•Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联•注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联•电路走线和布局应尽量对称•可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用Ø IGBT并联运行的并联运行的特点特点•在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负负的温度系数•在以上的区段则具有正正温度系数•并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联1.8.3 本章小结本章小结Ø主要内容主要内容• 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。
• 集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用Ø电力电子器件类型归纳电力电子器件类型归纳• 单极型单极型：电力MOSFET和SIT• 双极型双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH• 复合型复合型：IGBT和MCT图1-42 电力电子器件分类“树” Ø电电压压驱驱动动型型：单极型器件和复合型器件，双极型器件中的SITH 特特点点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高Ø电流驱动型电流驱动型：双极型器件中除SITH外 特特点点：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大,驱动电路较复杂 本章小结本章小结 Ø当前的格局当前的格局:• IGBT为主体，第四代产品，制造水平2.5kV / 1.8kA，兆瓦以下首选仍在不断发展，与IGCT等新器件激烈竞争，试图在兆瓦以上取代GTO•GTO：兆瓦以上首选，制造水平6kV / 6kA•光光控控晶晶闸闸管管：功率更大场合，8kV / 3.5kA，装置最高达300MVA，容量最大•电电力力MOSFET：长足进步，中小功率领域特别是低压，地位牢固。