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1、4.4 双极性晶体管双极性晶体管大功率达林顿晶体管大功率达林顿晶体管 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。常见的晶体管其外形如图示。后我们统称为晶体管。常见的晶体管其外形如图示。晶体管的结构及电路符号晶体管的结构及电路符号 为了得到性能优良的晶体管，必须保证管内结构：为了得到性能优良的晶体管，必须保证管内结构： . .发射区相对基区要重掺杂；发射区相对基区要重掺杂； . .基区要很窄（基区要很窄（2 2微米以下）；微米以
2、下）； . .集电结面积要大于发射结面积。集电结面积要大于发射结面积。例如：例如：3DG6 3DG6 即为硅即为硅NPNNPN型高频小功率管。型高频小功率管。 3AX18 3AX18即为锗即为锗PNPPNP型低频小功率管。型低频小功率管。晶体管类型晶体管类型 4.4.1晶体管的工作原理晶体管的工作原理 当当晶晶体体管管处处在在发发射射结结正正偏偏、集集电电结结反反偏偏的的放放大大状状态态下下，管内载流子的运动情况可用下图说明。管内载流子的运动情况可用下图说明。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15Vb .发射区向基区注入电子发射区向基区注入电子.电子在基区中边扩散边复合电子在基区中边扩
3、散边复合. 电子电子被集电区收集被集电区收集 IENIEP根据电荷守衡有根据电荷守衡有 ICN+IBN=IENICN IEP IEN ， 发射极电流发射极电流IEIEN。 形形成成基基区区复复合合电电流流I IBN , ,为基极电流为基极电流I IB的主要部分的主要部分 形成集电区收集电流形成集电区收集电流ICN , , 为集电极电流为集电极电流I IC的主要部分。的主要部分。 一一. .放大状态下晶体管中载流子的传输过程放大状态下晶体管中载流子的传输过程通过对管内通过对管内载流子传输的载流子传输的讨论可以看出，讨论可以看出，在晶体管中，在晶体管中，窄的基区将发射结和集电结窄的基区将发射结和集
4、电结紧密地联系在一起。从而把紧密地联系在一起。从而把正偏下发射结的正向电流几正偏下发射结的正向电流几呼全部地传输到反偏的集电呼全部地传输到反偏的集电结回路中去。结回路中去。这是晶体管能这是晶体管能实现放大功能的关键所在。实现放大功能的关键所在。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIEPIENICN. 集电集电结少子漂移结少子漂移集电集电结反偏，两边少子飘移形成反向饱和电流结反偏，两边少子飘移形成反向饱和电流ICBO。ICBO 二二. 电流分配关系电流分配关系由由以以上上分分析析可可知知，晶晶体体管管三三个个电电极极上上的的电电流流与与内内部部载载流子传输形成的电流之间有如下
5、关系：流子传输形成的电流之间有如下关系： 可可见见，在在放放大大状状态态下下，晶晶体体管管三三个个电电极极上上的的电电流流不不是是孤孤立立的的，它它们们能能够够反反映映非非平平衡衡少少子子在在基基区区扩扩散散与与复复合合的的比比例例关关系系。这这一一比比例例关关系系主主要要由由基基区区宽宽度度、掺掺杂杂浓浓度度等等因因素素决决定定，管管子子做做好好后后就就基基本确定了。本确定了。cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO 1.1.为为了了反反映映扩扩散散到到集集电电区区的的电电流流ICN与与基基区区复复合合电电流流IBN之间的比例关系，定义之间的比例关系，定义
6、共发射极直流电流放大系数共发射极直流电流放大系数 为为 其其含含义义是是：基基区区每每复复合合一一个个电电子子，则则有有 个个电电子子扩扩散散到到集集电区去。电区去。值一般在值一般在2020020200之间。之间。确定了确定了 值之后，可得值之后，可得 式中式中称为穿透电流称为穿透电流cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICNICBO这是今后电路分析中常用的关系式。这是今后电路分析中常用的关系式。 由由于于ICBO极极小小，在在忽忽略略其其影影响响时时，晶晶体体管管三三个个电电极极上的电流近似有：上的电流近似有：cICeIENPNIBRCUCCUBBRB15Vb根据上
7、式，不难求得根据上式，不难求得 2.为为了了反反映映扩扩散散到到集集电电区区的的电电流流ICN与与射射极极注注入入电电流流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为为显然，显然， 1 0），），c 结反偏（结反偏（uCEuBE）。）。uCE/V5101501234IB40 A30 A20A10 A0 ABICBOiC/m AI放放大大区区uCE = uBE 为此，定义共发为此，定义共发射极交流电流放大系数：射极交流电流放大系数：. uCE变化对变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为的影响很小。在特性曲线上表现为iB一定而一定而uCE增大时，曲线仅略
8、有上翘（增大时，曲线仅略有上翘（iC略有增大）。略有增大）。 由于基调效应很微弱，由于基调效应很微弱，uCE在很大范围内变化时在很大范围内变化时IC基本不基本不变。因此，变。因此，当当IB一定时，一定时，集电极电流具有恒流特性。集电极电流具有恒流特性。原因：原因： 基区宽度调制效应（基区宽度调制效应（EarlyEarly效应）效应） 或简称基调效应或简称基调效应临界饱和线临界饱和线iC不受不受iB控制，表现为不同控制，表现为不同iB的曲线在饱和区汇集。的曲线在饱和区汇集。 uCE/V2401234IB40 A30 A20A10 A0 A放大区iC/m A 2. 饱和区饱和区 管子管子饱和时，饱
9、和时，c、e间的电压称为饱和压降，记作间的电压称为饱和压降，记作UCE(sat)。其值很小，深饱和时约为其值很小，深饱和时约为0.30.5V。uCEuBE饱饱和和区区 条件：条件： e结正偏，结正偏，c结正偏（结正偏（uCE1输入特性曲线有如下特点：输入特性曲线有如下特点： (1). uCE增大时曲线基本重合。增大时曲线基本重合。 UBE(on) 0.6V，硅管，硅管， UBE(on) 0.1V，锗管锗管 (3). 当当uCE =0时时，晶晶体体管管相相当当于于两两个个并并联联的的二二极极管管，所以所以b,e间加正向电压时，间加正向电压时，iB很大。对应的曲线明显左移。很大。对应的曲线明显左移
10、。iB/AuBE/V060900.50.70.930UCE1(4)当当uCE在在01V之间时，之间时，随着随着uCE的增加，曲线右移。的增加，曲线右移。特别在特别在0 uCE UCE(sat)的范围的范围内，即工作在饱和区时，移动内，即工作在饱和区时，移动量会更大些。量会更大些。UCE0 (5)当当uBE0综上所述，综上所述，晶体管是一种非线性导电器件，有三个工晶体管是一种非线性导电器件，有三个工作区，对应三种不同的工作状态：作区，对应三种不同的工作状态： .放大放大状态状态（iB0，uCEuBE，即，即e结正偏，结正偏，c 结反偏）结反偏） 特点：特点：.iC受受iB控制，即控制，即IC=
11、IB或或IC= IB . IB一定时，一定时，iC具有恒流特性。具有恒流特性。 .饱和状态饱和状态（ iB0，uCE uBE，即，即e结结、c结均正偏）结均正偏） 特点：特点：. iC不受不受iB控制，即控制，即 .三个电极间的电压很小，相当短路，各极电三个电极间的电压很小，相当短路，各极电 流主要由外电流主要由外电 路决定。路决定。 . .截止状态截止状态（ iB0，uCEuBE，即，即e结结、c 结均反偏）结均反偏） 特点：特点：. iCiBiE0 。 . 三个电极间相当开路，各极电位主要由外电三个电极间相当开路，各极电位主要由外电 路决定。路决定。 IC IB 或或IC IB 晶体管的晶
12、体管的三种工作状态，在实际中各有应用：三种工作状态，在实际中各有应用： 需要指出，使需要指出，使e结反偏而结反偏而c 结正偏时，这种状态通常称结正偏时，这种状态通常称为反向放大（或倒置）状态，在模拟电路中这种工作方式为反向放大（或倒置）状态，在模拟电路中这种工作方式很少采用很少采用。当管子饱和时，相当开关闭合；当管子饱和时，相当开关闭合；当管子截止时，相当开关打开。当管子截止时，相当开关打开。 在构成放大器时，晶体管应工作在放大状态；在构成放大器时，晶体管应工作在放大状态； 用作电子开关时，则要求工作在用作电子开关时，则要求工作在饱和饱和、截止状态截止状态。 即即c极端和极端和e极端之间等效为
13、一受极端之间等效为一受b极控制的极控制的 开关，如图所示。开关，如图所示。 晶体管的主要参数晶体管的主要参数 一、电流放大系数一、电流放大系数 1 1. .共射极直流电流放大系数共射极直流电流放大系数 和交流电流放大系数和交流电流放大系数 2 2. .共基极直流电流放大系数共基极直流电流放大系数 和交流电流放大系数和交流电流放大系数 所以在以后的计算中，不再加以区分。所以在以后的计算中，不再加以区分。 注注意意： 、和和 都都是是放放大大区区参参数数。其其数数值值可可以以从从 输出特性曲线上求出。输出特性曲线上求出。 、 应当指出，应当指出，值与测量条件有关。一般来说，在值与测量条件有关。一般
14、来说，在iC很很大或很小时，大或很小时，值较小。只有在值较小。只有在iC不大不小的中间值范围不大不小的中间值范围内，内，值才比较大，且基本不随值才比较大，且基本不随iC而变化。因此，在查手而变化。因此，在查手册时应注意册时应注意值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这值的测试条件。尤其是大功率管更应强调这一点。一点。 二、极间反向电流二、极间反向电流 1. ICBO ICBO指发射极开路时，集电极指发射极开路时，集电极-基极间的反向电基极间的反向电 流，称为集电极反向饱和电流。流，称为集电极反向饱和电流。 2. ICEO ICEO指基极开路时，集电极指基极开路时，集电极-发射极间的反向电发射极间
15、的反向电 流，称为集电极穿透电流。流，称为集电极穿透电流。 3. IEBO IEBO指集电极开路时，发射极指集电极开路时，发射极-基极间的反向电流。基极间的反向电流。 三、结电容三、结电容 结结电电容容包包括括发发射射结结电电容容Ce(或或Cbe)和和集集电电结结电电容容Cc(或或Cbc)。结电容影响晶体管的频率特性。结电容影响晶体管的频率特性。 四、晶体管的极限参数四、晶体管的极限参数 1 1. . 击穿电压击穿电压 U(BR)CBO指指e极开路时，极开路时，c-b极间的反向击穿电压。极间的反向击穿电压。 U(BR)CEO指指b极开路时，极开路时，c-e极间的反向击穿电压极间的反向击穿电压。
16、 U(BR)CEOICM时时，虽虽然然管管子子不不致致于于损损坏坏，但但值值已已经经明明显显减减小小。因因此此，晶体管线性运用时，晶体管线性运用时， iC不应超过不应超过ICM 。 3. 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许耗散功率PCM PCM与与管管芯芯的的大大小小、材材料料、散散热热条条件件及及环环境境温温度度等等因因素素有有关关。PCM在在输输出出特特性性上上为为一一条条IC与与UCE乘乘积积为为定定值值PCM的双曲线，称为的双曲线，称为PCM功耗线，如下图所示。功耗线，如下图所示。 晶晶体体管管工工作作在在放放大大状状态态时时，在在c c结结上上要要消消耗耗一一定定的的功功率率，从从
17、而而导导致致c c结结发发热热，结结温温升升高高。当当结结温温过过高高时时，管管子子的的性性能能下下降降，甚甚至至会会烧烧坏坏管管子子，因因此此有一个功耗限额。有一个功耗限额。PC =ICUCEuCEiC0工工 作作 区区安安 全全ICMPCMU( (BR)CEO击穿电压击穿电压U(BR)CEO PCM =ICUCE 为了确保管子有效安全工作，使用时不应超为了确保管子有效安全工作，使用时不应超出这一工作区。出这一工作区。最大电流最大电流ICM 五五. 温度对晶体管参数的影响温度对晶体管参数的影响 温温度度对对晶晶体体管管的的uBE、ICBO和和有有不不容容忽忽视视的的影影响响。其其中，中，uB
18、E 、ICBO随温度变化的规律与随温度变化的规律与PN结相同，即结相同，即 温度每升高温度每升高1， uBE减小（减小（2 2.5）mV； 温度每升高温度每升高10， ICBO增大一倍。增大一倍。 温度对温度对uBE、ICBO和和的影响，其结果反映在输出特性的影响，其结果反映在输出特性曲线上，表现为温度升高曲线上移且间隔增大。曲线上，表现为温度升高曲线上移且间隔增大。 温温度度对对的的影影响响表表现现为为，随随温温度度的的升升高高而而增增大大，变变化化规规 律律 是是 ： 温温 度度 每每 升升 高高 1， 值值 增增 大大 0.5%1%(即即/T(0.51)%/)。晶体管工作状态及放大状态下
19、管型晶体管工作状态及放大状态下管型晶体管工作状态及放大状态下管型晶体管工作状态及放大状态下管型、电极的判别电极的判别电极的判别电极的判别 一一. 工作状态判别：工作状态判别：放大状态放大状态饱和状态饱和状态截止状态截止状态放大状态放大状态 举例举例 判别图示中晶体管的工作状态判别图示中晶体管的工作状态 二二. . 晶体管工作在晶体管工作在放大状态下放大状态下管型管型、电极的、电极的判别判别 1. 1.根据放大管的电极电流判别根据放大管的电极电流判别规律：规律：电流从电流从e极流出，从极流出，从b、c极流入，则为极流入，则为NPN管；管；电流从电流从e极流入，从极流入，从b、c极流出，则为极流出
20、，则为PNP管；管； 举例举例 判别图示中晶体管的管型判别图示中晶体管的管型、电极并确定电极并确定值。值。eee b b b c c cPNP型型NPN型型NPN型型=4.9/0.1=49=1.98/0.02=99=3/0.05=60 2. .根据放大管的电极电位判别根据放大管的电极电位判别规律：规律：e 结电压为结电压为0.7V时为硅管，时为硅管，0.3V时为锗管；时为锗管； c 极电位最高极电位最高、e 极电位最低，则为极电位最低，则为NPN管；管； c 极电位最低极电位最低、e 极电位最高，则为极电位最高，则为PNP管；管；eeeebbbb c c c c 硅硅 PNP硅硅 NPN锗锗
21、NPN锗锗 PNP 举例举例 判别图示中晶体管的管材判别图示中晶体管的管材、管型和电极。管型和电极。4.4.3晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析 由由晶晶体体管管的的伏伏安安特特性性曲曲线线可可知知，晶晶体体管管是是一一种种复复杂杂的的非非线线性性器器件件。在在直直流流工工作作时时，其其非非线线性性主主要要表表现现为为三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。三种截然不同的工作状态，即放大、截止和饱和。 在在实实际际应应用用中中，根根据据实实现现的的功功能能不不同同，可可通通过过外外电电路将晶体管偏置在某一规定的状态。路将晶体管偏置在某一规定的状态。 因因此此，在在晶晶体体管管应应用用电电
22、路路的的分分析析中中，一一个个首首要要问问题题，便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。便是晶体管工作状态分析以及直流电路计算。 iBuBEIBQUBE QQICUCEQ 由由外外电电路路偏偏置置的的晶晶体体管管，其其各各极极直直流流电电流流和和极极间间电电压压将将对对应应于于伏伏安安特特性性曲曲线线上上一一个个点点的的坐坐标标，这这个个点点我我们称为直流们称为直流( (或静态或静态) )工作点，简称工作点，简称Q点。点。 一一. 晶体管的直流模型晶体管的直流模型IBUBEICQUCE QQQQQQ 因因此此，对对晶晶体体管管各各极极直直流流电电流流和和极极间间电电压压的的计计算算通通常又称为
23、工作点的计算。常又称为工作点的计算。 CE0iCuiBuBE0UBE(on)UCE(sat)IB=00.7V(硅管硅管) 0.3V(锗管锗管)UBE(on) =0.5V(硅管硅管) 0.1V(锗管锗管)UCE(sat) =饱和状态饱和状态UBE=UBE（on）UCE=UCE(sat)放大状态放大状态UBE=UBE(on)IC= IB 截止状态截止状态IB=0，IC=0晶体管的三种工作状态，可以分别用上述三个简单电路晶体管的三种工作状态，可以分别用上述三个简单电路模型等效，从而简化晶体管直流电路的计算。举例如下：模型等效，从而简化晶体管直流电路的计算。举例如下：模型模型模型模型 例例1 晶晶体体
24、管管电电路路如如下下图图所所示示。若若已已知知晶晶体体管管工工作作在在放放大大状态，状态，=100，试计算晶体管的试计算晶体管的IBQ、ICQ和和UCEQ。 解：解：放大状态下的直流等效电路：放大状态下的直流等效电路：二二. 晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析晶体管是否截止的判别方法晶体管是否截止的判别方法:RBUBBUEERERCUCC 可见，晶体管是否截止，是根据外电路所确定的各可见，晶体管是否截止，是根据外电路所确定的各极电位，通过判断而不是计算得出的。极电位，通过判断而不是计算得出的。 将将晶晶体体管管接接入入直直流流电电路路，在在通通常常情情况况下下，围围绕绕晶晶体体管管可将电路化
25、为图示的一般形式。可将电路化为图示的一般形式。由图可知，若由图可知，若 UBBUEE+UBE(on)且且UBB UEE+UBE(on)，则晶体管导通。是放大还饱和导通？则晶体管导通。是放大还饱和导通？借助上式的结果，现在可对电借助上式的结果，现在可对电路中的晶体管是处于放大还是饱和路中的晶体管是处于放大还是饱和作出判别。作出判别。 ？ 放大还是饱和的判别放大还是饱和的判别UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB+(1+)IBQRERBUBBRCUCCUEEREUBE(on) IBRBUBBUEERERCUCC 现现假定为放大导通，则直流等效电路：假定为放大导通，则直流等效电路：RB
26、UBBRCUCCUEEREUBE(on) IB因为处于饱和状态时，集电极电流因为处于饱和状态时，集电极电流所以在集电极回路，按所以在集电极回路，按ICQ计算计算UCE必然得出必然得出 若若UCEQ UBE(ON)（硅管为（硅管为0.7V锗管为锗管为0.3V），则放），则放 大导通的假定成立，即晶体管处于放大状态；大导通的假定成立，即晶体管处于放大状态；若若UCEQ IB(sat) ， 则晶体管处于饱和状态。则晶体管处于饱和状态。 方法方法2 假定晶体管临界饱和，此时的最大集电极电流假定晶体管临界饱和，此时的最大集电极电流 IC(sat)为为 RBUBBUEERERCUCC按以上方法判别，若按以
27、上方法判别，若晶体管处于放大状态，则由式晶体管处于放大状态，则由式算出的结果有效，即为晶体管的直流工作点。算出的结果有效，即为晶体管的直流工作点。 若晶体管处于饱和状态，则上式不再适用。此时若晶体管处于饱和状态，则上式不再适用。此时按饱和状态下的模型，得出如下管子饱和状态时的直按饱和状态下的模型，得出如下管子饱和状态时的直流等效电路：流等效电路：由图可列出如下方程组由图可列出如下方程组 UBB UEE=IBQRB+UBE(on)+(IBQ+ICQ)RE UCCUEE=ICQRC+UCE(sat)+(IBQ+ICQ)RE 显然，求解显然，求解IBQ和和ICQ将是很将是很繁琐的。繁琐的。RBUBB
28、RCUCCUEEREUBE(on)UCE(sat) 如果晶体管是浅饱和，即如果晶体管是浅饱和，即IBQ不大，即不大，即IEQ ICQ，则，则ICQ的近的近似值可按下式估算：似值可按下式估算： 例例2 2 判别下列电路中晶体管的工作状态判别下列电路中晶体管的工作状态截止状态截止状态截止状态截止状态截止状态截止状态放大状态放大状态饱和状态饱和状态饱和状态饱和状态 例例3 晶晶体体管管电电路路及及其其输输入入电电压压ui的的波波形形如如图图 (a)，(b)所所示示。已已知知=50，试试求求ui作作用用下下输输出出电电压压uo的的值值，并画出波形图。并画出波形图。 解解 当当ui=0时，时，UBE=0
29、，则晶体管截止。此时，则晶体管截止。此时， ICQ=0，uo=UCEQ=UCC=5V。当当ui =3V时，晶体管导通且有时，晶体管导通且有那么晶体管是放大导通，还是饱和导通？那么晶体管是放大导通，还是饱和导通？ 方法方法2：集电极临界饱和电流为集电极临界饱和电流为 所以晶体管处于饱和。此时所以晶体管处于饱和。此时 ICQ=IC(sat)=1.4mA ，uo=UCEQ=UCE(sat)=0.3V。 因为因为 方法方法1 1： 因为因为 所以晶体管处于饱和状态所以晶体管处于饱和状态 通通过过本本例例题题可可以以看看出出，在在实实际际电电路路分分析析中中，由由于于晶晶体体管管的的直直流流模模型型很很
30、简简单单，一一旦旦其其工工作作状状态态确确定定，则则直直流流等等效效电电路路可可不不必必画画出出，而而等等效效的的涵涵义将在计算式中反映出来。义将在计算式中反映出来。 4.4.5晶体管应用电路举例晶体管应用电路举例 一、对数和反对数运算电路一、对数和反对数运算电路 晶体管的电流方程晶体管的电流方程图中，图中，UO = - UBE = - UTln(IC / IS)，又又IC = UI / R，所以，所以这样就实现了对数运算。这样就实现了对数运算。图图中中，输输出出电电压压UO = ICR = - ISR exp(- UBE / UT)，而而输入电压输入电压UI = - UBE，因此，因此从而实
31、现了从而实现了UO和和UI之间的反对数之间的反对数 (指数指数) 运算。运算。 二、二、 值测量电路值测量电路 图图示示电电路路用用以以测测量量晶晶体体管管的的共共发发射射极极电电流流放放大大倍倍数数 。因因为为IC = = (U1 - - U2) / / R1，IB = = UO / / R2，所以，所以 据据此此可可以以根根据据电电压压表表的的读读数数UO，结结合合预预设设电电压压U1和和U2以以及及电电阻阻R1和和R2计算计算 。 三、恒流源电路三、恒流源电路 如如图图所所示示，稳稳压压二二极极管管DZ的的稳稳定定电电压压UZ = = 6 V。UZ通通过过集集成成运运放放A传传递递到到电
32、电阻阻R2上上端端，于于是是有有IO = = IC IE = = UZ / / R2 = = 20 mA。 作业作业 p64 2-2, 2-3, 2-4, 2-7(只求复合管的等效) 2-8, 本节课的主要内容本节课的主要内容本节课的主要内容本节课的主要内容 2-3晶体管工作状态分析及偏置电路晶体管工作状态分析及偏置电路 一一.晶体管的直流电路模型晶体管的直流电路模型二二.晶体管工作状态分析晶体管工作状态分析 三三.放大状态下的直流偏置电路放大状态下的直流偏置电路饱和状态饱和状态UBE=UBE（on）UCE=UCE(sat)放大状态放大状态UBE=UBE(on)IC= IB 截止状态截止状态I
33、B=0，IC=0模型模型模型模型 晶体管的直流电路模型晶体管的直流电路模型 若若UBBUBE(on) 则晶体管导通。则晶体管导通。RBUBBRERCUCCRBUBBRCUCCREUBE(on) IB 假定为放大导通假定为放大导通UBBUBE(on)且且UBB UCC 晶体管晶体管截止。截止。 若若UCEQ UBE(ON) 放大导通；放大导通；若若UCEQ IB(sat) 饱和导通。饱和导通。 若若IBQ IB(sat) 放大导通；放大导通； 若若UBBUEE+UBE(on)，则晶体管导通。是放大还是饱和导通？则晶体管导通。是放大还是饱和导通？UBB - UEE - UBE(on) =IBQRB
34、+(1+)IBQRERBUBBRCUCCUEEREUBE(on) IBRBUBBUEERERCUCC 现现假定为放大导通，则直流等效电路：假定为放大导通，则直流等效电路：UBBUEE+UBE(on)且且UBB UCC 晶体管截止晶体管截止。 若若UCEQ UBE(ON) 晶体管放大导通；晶体管放大导通；若若UCEQ0，uCEuBE，即，即e结正偏，结正偏，c 结反偏）结反偏） 特点：特点：.iC受受iB控制，即控制，即IC= IB或或IC= IB . IB一定时，一定时，iC具有恒流特性。具有恒流特性。 .饱和状态饱和状态（ iB0，uCE uBE，即，即e结结、c结均正偏）结均正偏） 特点：
35、特点：. iC不受不受iB控制，即控制，即 .三个电极间的电压很小，相当短路，各极电三个电极间的电压很小，相当短路，各极电 流主要由外电流主要由外电 路决定。路决定。 . .截止状态截止状态（ iB0，uCEuBE， 即即e结正偏，结正偏，c 结反偏）结反偏）.饱和区饱和区（ iB0，uCE uBE，即，即e结、结、c结均正偏）结均正偏）.截止区截止区（ iB0，uCEuBE，即，即e结、结、c 结均反偏）结均反偏） .放大放大状态状态 特点：特点：.iC受受iB控制，即控制，即IC= IB或或IC= IB . IB一定时，一定时，iC具有恒流特性。具有恒流特性。 .饱和状态饱和状态 特点：特点：. iC不受不受iB控制，即控制，即 .三个电极间的电压很小，三个电极间的电压很小， UBE=0.7V, UCE=0.5V,相当短路，各极电流主要由外电路决定。相当短路，各极电流主要由外电路决定。 . .截止状态截止状态 特点：特点：. iCiBiE0 。 . 三个电极间相当开路，各极电位主要由外电三个电极间相当开路，各极电位主要由外电 路决定。路决定。 三种工作状态的特点：三种工作状态的特点：IC IB 或或IC IB
