光电成原理第五直视型电真空成像物理

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1、第五章第五章 直视型电真空成像物理直视型电真空成像物理n5.1 5.1 像管成像的物理过程像管成像的物理过程 n5.2 5.2 像管结构类型与性能参数像管结构类型与性能参数 n5.3 5.3 辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换 n5.4 5.4 电子图像的成像理论电子图像的成像理论 n5.5 5.5 电子图像的发光显示电子图像的发光显示 n5.6 5.6 光学图像的传像与电子图像的倍增光学图像的传像与电子图像的倍增 5.1 5.1 像管成像的物理过程像管成像的物理过程 像管包括变像管和像增强器。像管包括变像管和像增强器。像管包括变像管和像增强器。像管包括变像管和像增强器。 像管通过三个环节完

2、成图像的电磁波谱转换和亮像管通过三个环节完成图像的电磁波谱转换和亮像管通过三个环节完成图像的电磁波谱转换和亮像管通过三个环节完成图像的电磁波谱转换和亮度增强，即：度增强，即：度增强，即：度增强，即：1.1.1.1.将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像将接收的微弱的可见光图像或不可见的辐射图像转换成电子图像；转换成电子图像；转换成电子图像；转换成电子图像；2.2.2.2.使电子图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增；使电子图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增；使电子图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增；使电子

3、图像聚焦成像并获得能量增强或数量倍增；3.3.3.3.将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像。将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像。将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像。将获得增强后的电子图像转换成可见的光学图像。上述三个环节分别由光阴极、电子光学系统和微通上述三个环节分别由光阴极、电子光学系统和微通上述三个环节分别由光阴极、电子光学系统和微通上述三个环节分别由光阴极、电子光学系统和微通道板道板道板道板(MCP)(MCP)(MCP)(MCP)以及荧光屏完成。这三部分共同封置以及荧光屏完成。这三部分共同封置以及荧光屏完成。这三部分共同封置以及荧光屏完成。这三部分共同封置在一个高真

4、空的管壳内。在一个高真空的管壳内。在一个高真空的管壳内。在一个高真空的管壳内。 下一页下一页返回5.1 5.1 像管成像的物理过程像管成像的物理过程n n5.1.1 5.1.1 5.1.1 5.1.1 辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换n n5.1.2 5.1.2 5.1.2 5.1.2 电子图像的能量增强电子图像的能量增强电子图像的能量增强电子图像的能量增强 n n5.1.3 5.1.3 5.1.3 5.1.3 电子图像的发光显示电子图像的发光显示电子图像的发光显示电子图像的发光显示上一页上一页返回返回5.1.1 5.1.1 5.1.1 5.1.1 辐射

5、图像的光电转换辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换 外光电效应的特点包括两方面的内容：外光电效应的特点包括两方面的内容：外光电效应的特点包括两方面的内容：外光电效应的特点包括两方面的内容： n n斯托列托夫定律：当入射光的频率或频谱成分不斯托列托夫定律：当入射光的频率或频谱成分不斯托列托夫定律：当入射光的频率或频谱成分不斯托列托夫定律：当入射光的频率或频谱成分不变时，光电发射体单位时间内发射出的光电子数或变时，光电发射体单位时间内发射出的光电子数或变时，光电发射体单位时间内发射出的光电子数或变时，光电发射体单位时间内发射出的光电子数或饱和光电流饱和光电流饱和光电流饱和光电流I

6、 I I IG G G G与入射光的强度成正比；与入射光的强度成正比；与入射光的强度成正比；与入射光的强度成正比； 该定律表明：入射光越强，其产生的光电发射越大。该定律表明：入射光越强，其产生的光电发射越大。该定律表明：入射光越强，其产生的光电发射越大。该定律表明：入射光越强，其产生的光电发射越大。 n n爱因斯坦定律：光电发射出来的光电子的最大初爱因斯坦定律：光电发射出来的光电子的最大初爱因斯坦定律：光电发射出来的光电子的最大初爱因斯坦定律：光电发射出来的光电子的最大初动能与入射光的频率成正比，与入射光的强度无关动能与入射光的频率成正比，与入射光的强度无关动能与入射光的频率成正比，与入射光的

7、强度无关动能与入射光的频率成正比，与入射光的强度无关 。 该定律表明：当入射频率低于该定律表明：当入射频率低于该定律表明：当入射频率低于该定律表明：当入射频率低于0 0 0 0时，不论光强如何时，不论光强如何时，不论光强如何时，不论光强如何都不会产生光电发射。都不会产生光电发射。都不会产生光电发射。都不会产生光电发射。下一页下一页返回返回5.15.1像管的光阴极：像管的光阴极：像管的光阴极：像管的光阴极： 像管的输入端面是采用光电发射材料制成的光敏像管的输入端面是采用光电发射材料制成的光敏像管的输入端面是采用光电发射材料制成的光敏像管的输入端面是采用光电发射材料制成的光敏面。该光敏面接收辐射量

8、子产生光电子发射，所面。该光敏面接收辐射量子产生光电子发射，所面。该光敏面接收辐射量子产生光电子发射，所面。该光敏面接收辐射量子产生光电子发射，所发射的电子流密度分布正比于入射的辐射通量分发射的电子流密度分布正比于入射的辐射通量分发射的电子流密度分布正比于入射的辐射通量分发射的电子流密度分布正比于入射的辐射通量分布，由此完成将辐射图像转换为光电子图像的过布，由此完成将辐射图像转换为光电子图像的过布，由此完成将辐射图像转换为光电子图像的过布，由此完成将辐射图像转换为光电子图像的过程。由于光电子发射需要在发射表面有法向电场，程。由于光电子发射需要在发射表面有法向电场，程。由于光电子发射需要在发射表

9、面有法向电场，程。由于光电子发射需要在发射表面有法向电场，所以光敏面应接于低电位。这一光敏面通常称为所以光敏面应接于低电位。这一光敏面通常称为所以光敏面应接于低电位。这一光敏面通常称为所以光敏面应接于低电位。这一光敏面通常称为光阴极。光阴极。光阴极。光阴极。下一页下一页上一页上一页光阴极分类：光阴极分类：光阴极分类：光阴极分类： 按工作方式分为：透射型和反射型。按工作方式分为：透射型和反射型。按工作方式分为：透射型和反射型。按工作方式分为：透射型和反射型。 红外光阴极：银红外光阴极：银红外光阴极：银红外光阴极：银- - - -氧氧氧氧- - - -铯铯铯铯 按敏感光谱：按敏感光谱：按敏感光谱：

10、按敏感光谱： 可见光阴极：双碱、多碱、可见光阴极：双碱、多碱、可见光阴极：双碱、多碱、可见光阴极：双碱、多碱、 负电子亲和势负电子亲和势负电子亲和势负电子亲和势 紫外光阴极紫外光阴极紫外光阴极紫外光阴极下一页下一页上一页上一页光阴极进行图像转换的物理过程：光阴极进行图像转换的物理过程：光阴极进行图像转换的物理过程：光阴极进行图像转换的物理过程： 当具有能量的辐射量子入射到半透明的光电发当具有能量的辐射量子入射到半透明的光电发当具有能量的辐射量子入射到半透明的光电发当具有能量的辐射量子入射到半透明的光电发射体内时，会与体内电子产生非弹性碰撞而交换射体内时，会与体内电子产生非弹性碰撞而交换射体内时

11、，会与体内电子产生非弹性碰撞而交换射体内时，会与体内电子产生非弹性碰撞而交换能量。当辐射量子的能量大于电子产生跃迁的能能量。当辐射量子的能量大于电子产生跃迁的能能量。当辐射量子的能量大于电子产生跃迁的能能量。当辐射量子的能量大于电子产生跃迁的能量时，电子将被激发到受激态。这些受激电子向量时，电子将被激发到受激态。这些受激电子向量时，电子将被激发到受激态。这些受激电子向量时，电子将被激发到受激态。这些受激电子向真空界面迁移，如果电子在到达真空界面后仍具真空界面迁移，如果电子在到达真空界面后仍具真空界面迁移，如果电子在到达真空界面后仍具真空界面迁移，如果电子在到达真空界面后仍具有可克服电子亲和势的

12、能量，则可发射到真空中，有可克服电子亲和势的能量，则可发射到真空中，有可克服电子亲和势的能量，则可发射到真空中，有可克服电子亲和势的能量，则可发射到真空中，成为光电发射的光电子。成为光电发射的光电子。成为光电发射的光电子。成为光电发射的光电子。由光电发射的斯托列托由光电发射的斯托列托由光电发射的斯托列托由光电发射的斯托列托夫定律可知，饱和光电发射的光电子流密度与入夫定律可知，饱和光电发射的光电子流密度与入夫定律可知，饱和光电发射的光电子流密度与入夫定律可知，饱和光电发射的光电子流密度与入射辐射通量密度成正比。因此，由入射辐射分布射辐射通量密度成正比。因此，由入射辐射分布射辐射通量密度成正比。因

13、此，由入射辐射分布射辐射通量密度成正比。因此，由入射辐射分布构成的图像可以通过光阴极变换成由光电子流分构成的图像可以通过光阴极变换成由光电子流分构成的图像可以通过光阴极变换成由光电子流分构成的图像可以通过光阴极变换成由光电子流分布构成的图像，这一图像称为光电子图像。布构成的图像，这一图像称为光电子图像。布构成的图像，这一图像称为光电子图像。布构成的图像，这一图像称为光电子图像。 下一页下一页上一页上一页5.1.2 5.1.2 5.1.2 5.1.2 电子图像的能量增强电子图像的能量增强电子图像的能量增强电子图像的能量增强 像管中的光电子图像通过特定的静电场或电磁像管中的光电子图像通过特定的静电

14、场或电磁像管中的光电子图像通过特定的静电场或电磁像管中的光电子图像通过特定的静电场或电磁复合场获得能量增强。光阴极的光电发射产生的复合场获得能量增强。光阴极的光电发射产生的复合场获得能量增强。光阴极的光电发射产生的复合场获得能量增强。光阴极的光电发射产生的光电子图像在刚离开光阴极面时是低速运动的光光电子图像在刚离开光阴极面时是低速运动的光光电子图像在刚离开光阴极面时是低速运动的光光电子图像在刚离开光阴极面时是低速运动的光电子流，其初速由爱因斯坦定律决定。这一低能电子流，其初速由爱因斯坦定律决定。这一低能电子流，其初速由爱因斯坦定律决定。这一低能电子流，其初速由爱因斯坦定律决定。这一低能量的光电

15、子图像在静电场或电磁复合场的力作用量的光电子图像在静电场或电磁复合场的力作用量的光电子图像在静电场或电磁复合场的力作用量的光电子图像在静电场或电磁复合场的力作用下得到加速并聚焦到荧光屏上。到达像面时的高下得到加速并聚焦到荧光屏上。到达像面时的高下得到加速并聚焦到荧光屏上。到达像面时的高下得到加速并聚焦到荧光屏上。到达像面时的高速运动的光电子流能量很大，由此完成了电子图速运动的光电子流能量很大，由此完成了电子图速运动的光电子流能量很大，由此完成了电子图速运动的光电子流能量很大，由此完成了电子图像的能量增强。像管中特定设置的静电场或电磁像的能量增强。像管中特定设置的静电场或电磁像的能量增强。像管中

16、特定设置的静电场或电磁像的能量增强。像管中特定设置的静电场或电磁复合场统称之为电子光学系统。由于它具有聚焦复合场统称之为电子光学系统。由于它具有聚焦复合场统称之为电子光学系统。由于它具有聚焦复合场统称之为电子光学系统。由于它具有聚焦光电子成像的作用，故又被称为电子透镜。光电子成像的作用，故又被称为电子透镜。光电子成像的作用，故又被称为电子透镜。光电子成像的作用，故又被称为电子透镜。下一页下一页返回返回5.15.1 像管中常用的电子光学系统有：像管中常用的电子光学系统有：像管中常用的电子光学系统有：像管中常用的电子光学系统有： 纵向均匀静电场的投射成像系统；纵向均匀静电场的投射成像系统；纵向均匀

17、静电场的投射成像系统；纵向均匀静电场的投射成像系统； 轴对称的静电聚焦成像系统；轴对称的静电聚焦成像系统；轴对称的静电聚焦成像系统；轴对称的静电聚焦成像系统； 准球对称的静电聚焦成像系统；准球对称的静电聚焦成像系统；准球对称的静电聚焦成像系统；准球对称的静电聚焦成像系统； 旋转对称的电磁场复合聚焦成像系统等。旋转对称的电磁场复合聚焦成像系统等。旋转对称的电磁场复合聚焦成像系统等。旋转对称的电磁场复合聚焦成像系统等。 二代像管中常使用微通道板二代像管中常使用微通道板二代像管中常使用微通道板二代像管中常使用微通道板(MCP),(MCP),(MCP),(MCP),利用二次电子利用二次电子利用二次电子

18、利用二次电子发射来实现电子流密度的倍增，从而实现图像增发射来实现电子流密度的倍增，从而实现图像增发射来实现电子流密度的倍增，从而实现图像增发射来实现电子流密度的倍增，从而实现图像增强。强。强。强。下一页下一页上一页上一页5.1.3 5.1.3 5.1.3 5.1.3 电子图像的发光显示电子图像的发光显示电子图像的发光显示电子图像的发光显示 为把光电子图像转换成可见的光学图像，通常需为把光电子图像转换成可见的光学图像，通常需为把光电子图像转换成可见的光学图像，通常需为把光电子图像转换成可见的光学图像，通常需要使用荧光屏。像管中常用的荧光屏材料有多种，要使用荧光屏。像管中常用的荧光屏材料有多种，要

19、使用荧光屏。像管中常用的荧光屏材料有多种，要使用荧光屏。像管中常用的荧光屏材料有多种，基本材料是金属的硫化物、氧化物或硅酸盐晶体等，基本材料是金属的硫化物、氧化物或硅酸盐晶体等，基本材料是金属的硫化物、氧化物或硅酸盐晶体等，基本材料是金属的硫化物、氧化物或硅酸盐晶体等，掺杂后具有发光特性。掺杂后具有发光特性。掺杂后具有发光特性。掺杂后具有发光特性。 实验证明，荧光屏由高速电子激发发光的亮度除实验证明，荧光屏由高速电子激发发光的亮度除实验证明，荧光屏由高速电子激发发光的亮度除实验证明，荧光屏由高速电子激发发光的亮度除与发光材料的性质有关外，主要取决于入射电子流与发光材料的性质有关外，主要取决于入

20、射电子流与发光材料的性质有关外，主要取决于入射电子流与发光材料的性质有关外，主要取决于入射电子流的密度和加速电压值。当像管中光电子图像的加速的密度和加速电压值。当像管中光电子图像的加速的密度和加速电压值。当像管中光电子图像的加速的密度和加速电压值。当像管中光电子图像的加速电压一定时，荧光屏的发光亮度正比于入射光电子电压一定时，荧光屏的发光亮度正比于入射光电子电压一定时，荧光屏的发光亮度正比于入射光电子电压一定时，荧光屏的发光亮度正比于入射光电子流的密度。由此可知，像管的荧光屏可以将光电子流的密度。由此可知，像管的荧光屏可以将光电子流的密度。由此可知，像管的荧光屏可以将光电子流的密度。由此可知，

21、像管的荧光屏可以将光电子图像转换成可见的光学图像。图像转换成可见的光学图像。图像转换成可见的光学图像。图像转换成可见的光学图像。下一页下一页返回返回5.15.15.2 5.2 像管结构类型与性能参数像管结构类型与性能参数 根据工作波段可分为：工作于微弱可见光的像根据工作波段可分为：工作于微弱可见光的像根据工作波段可分为：工作于微弱可见光的像根据工作波段可分为：工作于微弱可见光的像增强器；工作于非可见辐射（近红外、紫外、增强器；工作于非可见辐射（近红外、紫外、增强器；工作于非可见辐射（近红外、紫外、增强器；工作于非可见辐射（近红外、紫外、X X X X射线、射线、射线、射线、射线）的变像管。射线

22、）的变像管。射线）的变像管。射线）的变像管。 根据工作方式可分为：连续工作像管、选通工根据工作方式可分为：连续工作像管、选通工根据工作方式可分为：连续工作像管、选通工根据工作方式可分为：连续工作像管、选通工作像管、变倍工作像管等；作像管、变倍工作像管等；作像管、变倍工作像管等；作像管、变倍工作像管等； 根据结构可分为：近贴式像管、倒像式像管、根据结构可分为：近贴式像管、倒像式像管、根据结构可分为：近贴式像管、倒像式像管、根据结构可分为：近贴式像管、倒像式像管、静电聚焦式像管、电磁复合聚焦式像管等；静电聚焦式像管、电磁复合聚焦式像管等；静电聚焦式像管、电磁复合聚焦式像管等；静电聚焦式像管、电磁复

23、合聚焦式像管等； 根据使用技术可分为：级联式的一代像管、带根据使用技术可分为：级联式的一代像管、带根据使用技术可分为：级联式的一代像管、带根据使用技术可分为：级联式的一代像管、带MCPMCPMCPMCP（微通道板）的二代像管、采用负电子亲和（微通道板）的二代像管、采用负电子亲和（微通道板）的二代像管、采用负电子亲和（微通道板）的二代像管、采用负电子亲和势光阴极和势光阴极和势光阴极和势光阴极和MCPMCPMCPMCP的三代像管等。的三代像管等。的三代像管等。的三代像管等。 下一页下一页返回5.2 5.2 像管结构类型与性能参数像管结构类型与性能参数n n5.2.1 5.2.1 5.2.1 5.2

24、.1 像增强器像增强器像增强器像增强器n n5.2.2 5.2.2 5.2.2 5.2.2 红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、X X X X射线变像管射线变像管射线变像管射线变像管 和和和和射线变像管射线变像管射线变像管射线变像管n n5.2.3 5.2.3 5.2.3 5.2.3 像管性能参数及其要求像管性能参数及其要求像管性能参数及其要求像管性能参数及其要求 上一页上一页5.2.1 5.2.1 像增强器像增强器近贴式像增强器近贴式像增强器近贴式像增强器近贴式像增强器 光阴极在输入窗的内表面，荧光屏在输光阴极在输入窗的内表面，荧光

25、屏在输光阴极在输入窗的内表面，荧光屏在输光阴极在输入窗的内表面，荧光屏在输出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。出窗的内表面，光阴极和荧光屏相互平行。在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电在光阴极与荧光屏之间施加高压时，两电极间形成纵向均匀静电场，光阴极发射出极间形成纵向均匀静电场，光阴极发射出极间形成纵向均匀静电场，光阴极发射出极间形成纵向均匀静电场，光阴极发射出的电子受到电场的作用飞向荧光屏，由于的电子受到电场的作用飞向荧光屏，由于的电子受到电场

26、的作用飞向荧光屏，由于的电子受到电场的作用飞向荧光屏，由于间距很近（约间距很近（约间距很近（约间距很近（约1mm1mm1mm1mm），所以称电极为近贴），所以称电极为近贴），所以称电极为近贴），所以称电极为近贴聚焦的电子光学系统。近贴式像增强器是聚焦的电子光学系统。近贴式像增强器是聚焦的电子光学系统。近贴式像增强器是聚焦的电子光学系统。近贴式像增强器是结构最简单的像增强器，在荧光屏上成正结构最简单的像增强器，在荧光屏上成正结构最简单的像增强器，在荧光屏上成正结构最简单的像增强器，在荧光屏上成正像，且无畸变。但是由于受分辨力的限制，像，且无畸变。但是由于受分辨力的限制，像，且无畸变。但是由于受分

27、辨力的限制，像，且无畸变。但是由于受分辨力的限制，极间距离不能太大，又因为受场致发射的极间距离不能太大，又因为受场致发射的极间距离不能太大，又因为受场致发射的极间距离不能太大，又因为受场致发射的限制，极间电压不能太高，因此系统的亮限制，极间电压不能太高，因此系统的亮限制，极间电压不能太高，因此系统的亮限制，极间电压不能太高，因此系统的亮度增益受到限制，像质也受到影响。度增益受到限制，像质也受到影响。度增益受到限制，像质也受到影响。度增益受到限制，像质也受到影响。 下一页下一页上一页上一页2. 2. 2. 2. 静电聚焦倒像式像增强器静电聚焦倒像式像增强器静电聚焦倒像式像增强器静电聚焦倒像式像增

28、强器 静电聚焦倒像式像增强器中由光阴极和阳极共同静电聚焦倒像式像增强器中由光阴极和阳极共同构成静电聚焦系统。常用的电极结构有：平面光阴构成静电聚焦系统。常用的电极结构有：平面光阴极双圆筒系统和球面光阴极双球面（同心球）系统极双圆筒系统和球面光阴极双球面（同心球）系统两种，它们都能形成轴对称的静电场。静电场形成两种，它们都能形成轴对称的静电场。静电场形成的电子透镜可使的电子透镜可使光阴极面上的物光阴极面上的物像发射出来的电像发射出来的电子图像加速并聚子图像加速并聚焦于荧光屏上，焦于荧光屏上，形成一倒像。形成一倒像。 下一页下一页上一页上一页 在实际应用中，为了获得更高的亮度增益，常常在实际应用中

29、，为了获得更高的亮度增益，常常用光学纤维面板将完全相同的像增强器进行多级耦用光学纤维面板将完全相同的像增强器进行多级耦合，因此像增强器的输入窗和输出窗多由光学纤维合，因此像增强器的输入窗和输出窗多由光学纤维面板制成，以便将球面像转换为平面像，完成极间面板制成，以便将球面像转换为平面像，完成极间耦合。由于每级像增强器都成倒像，故为获得正像，耦合。由于每级像增强器都成倒像，故为获得正像，耦合级数多为奇数，通常为三级。三级级联的像增耦合级数多为奇数，通常为三级。三级级联的像增强器也称为第一代像增强器。强器也称为第一代像增强器。下一页下一页上一页上一页3. 3. 3. 3. 电磁复合聚焦式像增强器电磁

30、复合聚焦式像增强器电磁复合聚焦式像增强器电磁复合聚焦式像增强器 在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加在平面光阴极和荧光屏之间设置有环形电极，其上加有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时，有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时，有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时，有逐步升高的电压，沿管轴建立起上升的电位；同时，管壳外设置有通以恒定电流的螺旋线圈，产生的均匀磁管壳外设置有通以恒定电流的螺旋线圈，产生的均匀磁管壳外设置有通以恒定电流的螺旋线圈，产生的均匀磁管壳外设置有通以

31、恒定电流的螺旋线圈，产生的均匀磁场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发场，由此形成纵向的均匀电磁场。该电磁场使光阴极发射的光电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控射的光电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控射的光电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控射的光电子加速并聚焦到荧光屏上成像。只要严格地控制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，在荧光屏上制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，在荧光屏上制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，在荧光屏上制电压和磁场，就可以得到良好的像平面，在

32、荧光屏上获得较高分辨力的图像。获得较高分辨力的图像。获得较高分辨力的图像。获得较高分辨力的图像。 但是由于复合聚焦系统但是由于复合聚焦系统但是由于复合聚焦系统但是由于复合聚焦系统 结构复杂、笨重，给使结构复杂、笨重，给使结构复杂、笨重，给使结构复杂、笨重，给使 用带来不方便。因此通用带来不方便。因此通用带来不方便。因此通用带来不方便。因此通 常只在需要高性能像质常只在需要高性能像质常只在需要高性能像质常只在需要高性能像质 的场合，如天文观察时的场合，如天文观察时的场合，如天文观察时的场合，如天文观察时 才使用这种聚焦方式。才使用这种聚焦方式。才使用这种聚焦方式。才使用这种聚焦方式。下一页下一页

33、上一页上一页4. 4. 4. 4. 选通式像增强器选通式像增强器选通式像增强器选通式像增强器 选通式像增强器是静电聚焦式像增强器。它是在普选通式像增强器是静电聚焦式像增强器。它是在普选通式像增强器是静电聚焦式像增强器。它是在普选通式像增强器是静电聚焦式像增强器。它是在普通两电极像增强器的结构上增加控制栅极构成的。控通两电极像增强器的结构上增加控制栅极构成的。控通两电极像增强器的结构上增加控制栅极构成的。控通两电极像增强器的结构上增加控制栅极构成的。控制栅极由靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极制栅极由靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极制栅极由靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极制栅极由

34、靠近光阴极的栅网和阳极孔栏组成。当栅极电位低于光阴极电位时，形成反向电场使光阴极的光电位低于光阴极电位时，形成反向电场使光阴极的光电位低于光阴极电位时，形成反向电场使光阴极的光电位低于光阴极电位时，形成反向电场使光阴极的光电发射截止；当在栅极上施加正电位的工作脉冲时，电发射截止；当在栅极上施加正电位的工作脉冲时，电发射截止；当在栅极上施加正电位的工作脉冲时，电发射截止；当在栅极上施加正电位的工作脉冲时，构成聚焦成像的电场，构成聚焦成像的电场，构成聚焦成像的电场，构成聚焦成像的电场， 由此实现了选通式工由此实现了选通式工由此实现了选通式工由此实现了选通式工 作状态。作状态。作状态。作状态。 具有

35、可控具有可控具有可控具有可控 间断工作功能，选通间断工作功能，选通间断工作功能，选通间断工作功能，选通 工作方式有两种：工作方式有两种：工作方式有两种：工作方式有两种： 单脉冲触发式、单脉冲触发式、单脉冲触发式、单脉冲触发式、 连续脉冲触发式。连续脉冲触发式。连续脉冲触发式。连续脉冲触发式。下一页下一页上一页上一页 5. 5. 5. 5. 变倍式像增强器变倍式像增强器变倍式像增强器变倍式像增强器 能够改变图像倍率的像增强器称为变倍式像增能够改变图像倍率的像增强器称为变倍式像增能够改变图像倍率的像增强器称为变倍式像增能够改变图像倍率的像增强器称为变倍式像增强器。它具有可变放大率的电子光学系统。由

36、于强器。它具有可变放大率的电子光学系统。由于强器。它具有可变放大率的电子光学系统。由于强器。它具有可变放大率的电子光学系统。由于变倍的同时必然使焦距发生变化，因此在普通像变倍的同时必然使焦距发生变化，因此在普通像变倍的同时必然使焦距发生变化，因此在普通像变倍的同时必然使焦距发生变化，因此在普通像增强器内除增强器内除增强器内除增强器内除 了加变倍电极外，了加变倍电极外，了加变倍电极外，了加变倍电极外， 同时还需要加聚焦同时还需要加聚焦同时还需要加聚焦同时还需要加聚焦 电极来补偿像面的电极来补偿像面的电极来补偿像面的电极来补偿像面的 变动，所以，变倍变动，所以，变倍变动，所以，变倍变动，所以，变倍

37、 式像增强器通常为式像增强器通常为式像增强器通常为式像增强器通常为 四电极结构四电极结构四电极结构四电极结构 。下一页下一页上一页上一页6.6.6.6.带有带有带有带有MCPMCPMCPMCP的像增强器（二代像增强器）的像增强器（二代像增强器）的像增强器（二代像增强器）的像增强器（二代像增强器） 二代像增强器与一代像增强器的根本区别在于：它二代像增强器与一代像增强器的根本区别在于：它二代像增强器与一代像增强器的根本区别在于：它二代像增强器与一代像增强器的根本区别在于：它不是采用多级级联实现光电子图像倍增，而是采用在不是采用多级级联实现光电子图像倍增，而是采用在不是采用多级级联实现光电子图像倍增

38、，而是采用在不是采用多级级联实现光电子图像倍增，而是采用在单级像增强器中设置单级像增强器中设置单级像增强器中设置单级像增强器中设置MCPMCPMCPMCP来实现光电子图像倍增。来实现光电子图像倍增。来实现光电子图像倍增。来实现光电子图像倍增。 MCP MCP MCP MCP是两维空间的电子倍增器，它是由大量平行堆是两维空间的电子倍增器，它是由大量平行堆是两维空间的电子倍增器，它是由大量平行堆是两维空间的电子倍增器，它是由大量平行堆集的微细单通道电子倍增器组成的薄板。在集的微细单通道电子倍增器组成的薄板。在集的微细单通道电子倍增器组成的薄板。在集的微细单通道电子倍增器组成的薄板。在MCPMCPM

39、CPMCP的两的两的两的两端面之间施加直流电压，入射到通道内的电子在电场端面之间施加直流电压，入射到通道内的电子在电场端面之间施加直流电压，入射到通道内的电子在电场端面之间施加直流电压，入射到通道内的电子在电场的作用下，碰撞通道内壁形成二次电子，二次电子在的作用下，碰撞通道内壁形成二次电子，二次电子在的作用下，碰撞通道内壁形成二次电子，二次电子在的作用下，碰撞通道内壁形成二次电子，二次电子在电场力的作用下不断碰撞通道内壁，直至输出端输出，电场力的作用下不断碰撞通道内壁，直至输出端输出，电场力的作用下不断碰撞通道内壁，直至输出端输出，电场力的作用下不断碰撞通道内壁，直至输出端输出，实现了连续倍增

40、。实现了连续倍增。实现了连续倍增。实现了连续倍增。 二代像增强器有两种管型结构，一种是双近贴式像二代像增强器有两种管型结构，一种是双近贴式像二代像增强器有两种管型结构，一种是双近贴式像二代像增强器有两种管型结构，一种是双近贴式像增强器，另一种是倒像式像增强器增强器，另一种是倒像式像增强器增强器，另一种是倒像式像增强器增强器，另一种是倒像式像增强器。下一页下一页上一页上一页二代双近贴式像二代双近贴式像增强器结构示意图增强器结构示意图 下一页下一页上一页上一页二代静电聚焦倒像式二代静电聚焦倒像式像增强器结构示意图像增强器结构示意图7. 7. 7. 7. 负电子亲和势光阴极像增强器（三代像增强器）负

41、电子亲和势光阴极像增强器（三代像增强器）负电子亲和势光阴极像增强器（三代像增强器）负电子亲和势光阴极像增强器（三代像增强器） 三代像增强器具有高增益、低噪声的优点。而三代像增强器具有高增益、低噪声的优点。而三代像增强器具有高增益、低噪声的优点。而三代像增强器具有高增益、低噪声的优点。而且负电子亲和势是热化电子发射，光电子的初动且负电子亲和势是热化电子发射，光电子的初动且负电子亲和势是热化电子发射，光电子的初动且负电子亲和势是热化电子发射，光电子的初动能较低，能量又比较集中，所以，三代像增强器能较低，能量又比较集中，所以，三代像增强器能较低，能量又比较集中，所以，三代像增强器能较低，能量又比较集

42、中，所以，三代像增强器又具有较高的图像分辨力。这些特点使三代像增又具有较高的图像分辨力。这些特点使三代像增又具有较高的图像分辨力。这些特点使三代像增又具有较高的图像分辨力。这些特点使三代像增强器成为目前性能最优越的直视型光电成像器件。强器成为目前性能最优越的直视型光电成像器件。强器成为目前性能最优越的直视型光电成像器件。强器成为目前性能最优越的直视型光电成像器件。 下一页下一页上一页上一页5.2.2 5.2.2 红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、X X射线变射线变像管和像管和射线变像管射线变像管 红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、红外变像管、紫外变像管、红外变像管、

43、紫外变像管、X X X X射线和射线和射线和射线和射线变像管用于射线变像管用于射线变像管用于射线变像管用于分别将不可见的红外图像、紫外图像、分别将不可见的红外图像、紫外图像、分别将不可见的红外图像、紫外图像、分别将不可见的红外图像、紫外图像、X X X X射线图像和射线图像和射线图像和射线图像和射射射射线图像转换为可见的光学图像，其中红外变像管和紫外变线图像转换为可见的光学图像，其中红外变像管和紫外变线图像转换为可见的光学图像，其中红外变像管和紫外变线图像转换为可见的光学图像，其中红外变像管和紫外变像管在结构上与普通的像增强器基本相同，只是光阴极的像管在结构上与普通的像增强器基本相同，只是光阴

44、极的像管在结构上与普通的像增强器基本相同，只是光阴极的像管在结构上与普通的像增强器基本相同，只是光阴极的材料和光谱响应有所不同。材料和光谱响应有所不同。材料和光谱响应有所不同。材料和光谱响应有所不同。X X X X射线和射线和射线和射线和射线变像管则比普射线变像管则比普射线变像管则比普射线变像管则比普通像管多了一个射线转换荧光屏（又称输入荧光屏）。射通像管多了一个射线转换荧光屏（又称输入荧光屏）。射通像管多了一个射线转换荧光屏（又称输入荧光屏）。射通像管多了一个射线转换荧光屏（又称输入荧光屏）。射线转换屏位于变像管的输入窗内，在它与外壳之间设置有线转换屏位于变像管的输入窗内，在它与外壳之间设置

45、有线转换屏位于变像管的输入窗内，在它与外壳之间设置有线转换屏位于变像管的输入窗内，在它与外壳之间设置有薄铝层以遮挡杂光。转换屏与光阴极之间靠很薄的玻璃耦薄铝层以遮挡杂光。转换屏与光阴极之间靠很薄的玻璃耦薄铝层以遮挡杂光。转换屏与光阴极之间靠很薄的玻璃耦薄铝层以遮挡杂光。转换屏与光阴极之间靠很薄的玻璃耦合，以减小荧光图像的扩散。这一转换屏可将入射的合，以减小荧光图像的扩散。这一转换屏可将入射的合，以减小荧光图像的扩散。这一转换屏可将入射的合，以减小荧光图像的扩散。这一转换屏可将入射的X X X X射射射射线图像或线图像或线图像或线图像或射线图像转换为荧光的弱光图像，该弱光图像射线图像转换为荧光的

46、弱光图像，该弱光图像射线图像转换为荧光的弱光图像，该弱光图像射线图像转换为荧光的弱光图像，该弱光图像入射到光阴极上产生光电子图像，其后续过程与普通像管入射到光阴极上产生光电子图像，其后续过程与普通像管入射到光阴极上产生光电子图像，其后续过程与普通像管入射到光阴极上产生光电子图像，其后续过程与普通像管相同。相同。相同。相同。 下一页下一页返回返回5.25.2近贴式X射线变像管工作原理示意图 下一页下一页上一页上一页缩小型X射线变像管结构示意图 5.2.3 5.2.3 像管性能参数及其要求像管性能参数及其要求 直视式光电成像器件既能探测到微弱的或人眼直视式光电成像器件既能探测到微弱的或人眼直视式光

47、电成像器件既能探测到微弱的或人眼直视式光电成像器件既能探测到微弱的或人眼不可见的目标辐射信号，又能将目标满意地进行成不可见的目标辐射信号，又能将目标满意地进行成不可见的目标辐射信号，又能将目标满意地进行成不可见的目标辐射信号，又能将目标满意地进行成像，使人眼能看到再现的目标图像。因此，像管既像，使人眼能看到再现的目标图像。因此，像管既像，使人眼能看到再现的目标图像。因此，像管既像，使人眼能看到再现的目标图像。因此，像管既是一个辐射探测器、放大器，同时又是成像器。作是一个辐射探测器、放大器，同时又是成像器。作是一个辐射探测器、放大器，同时又是成像器。作是一个辐射探测器、放大器，同时又是成像器。作

48、为辐射探测器，它应具有高的量子效率和信号放大为辐射探测器，它应具有高的量子效率和信号放大为辐射探测器，它应具有高的量子效率和信号放大为辐射探测器，它应具有高的量子效率和信号放大能力，作为成像器，它必须具有小的图像几何失真，能力，作为成像器，它必须具有小的图像几何失真，能力，作为成像器，它必须具有小的图像几何失真，能力，作为成像器，它必须具有小的图像几何失真，这些性能通常用畸变、放大率、分辨力及调制传递这些性能通常用畸变、放大率、分辨力及调制传递这些性能通常用畸变、放大率、分辨力及调制传递这些性能通常用畸变、放大率、分辨力及调制传递函数来描述。函数来描述。函数来描述。函数来描述。下一页下一页 返

49、回返回5.25.2 1.1.1.1.光谱响应特性光谱响应特性光谱响应特性光谱响应特性 光谱响应特性是指像管的响应能力与入射波长的对光谱响应特性是指像管的响应能力与入射波长的对光谱响应特性是指像管的响应能力与入射波长的对光谱响应特性是指像管的响应能力与入射波长的对应关系。像管的光谱响应特性实际上是其光阴极的光应关系。像管的光谱响应特性实际上是其光阴极的光应关系。像管的光谱响应特性实际上是其光阴极的光应关系。像管的光谱响应特性实际上是其光阴极的光谱响应特性，它决定了像管工作的光谱范围。像管的谱响应特性，它决定了像管工作的光谱范围。像管的谱响应特性，它决定了像管工作的光谱范围。像管的谱响应特性，它决

50、定了像管工作的光谱范围。像管的光谱响应特性通常用光谱响应率、量子效率、光谱特光谱响应特性通常用光谱响应率、量子效率、光谱特光谱响应特性通常用光谱响应率、量子效率、光谱特光谱响应特性通常用光谱响应率、量子效率、光谱特性曲线等来描述，像管的光谱响应之和称为积分响应性曲线等来描述，像管的光谱响应之和称为积分响应性曲线等来描述，像管的光谱响应之和称为积分响应性曲线等来描述，像管的光谱响应之和称为积分响应率（或光电灵敏度）。率（或光电灵敏度）。率（或光电灵敏度）。率（或光电灵敏度）。 响应率的定义：入射辐射功率所产生的输出光电流。响应率的定义：入射辐射功率所产生的输出光电流。响应率的定义：入射辐射功率所

51、产生的输出光电流。响应率的定义：入射辐射功率所产生的输出光电流。光谱响应率是像管对单色入射辐射的响应能力；响应光谱响应率是像管对单色入射辐射的响应能力；响应光谱响应率是像管对单色入射辐射的响应能力；响应光谱响应率是像管对单色入射辐射的响应能力；响应率是像管对全色入射辐射的响应能力。率是像管对全色入射辐射的响应能力。率是像管对全色入射辐射的响应能力。率是像管对全色入射辐射的响应能力。下一页下一页上一页上一页 2. 2. 2. 2.增益特性增益特性增益特性增益特性 合适的亮度是观察图像的必要条件。像管输出的图像合适的亮度是观察图像的必要条件。像管输出的图像合适的亮度是观察图像的必要条件。像管输出的

52、图像合适的亮度是观察图像的必要条件。像管输出的图像亮度既与入射图像的照度有关，又取决于像管本身对辐亮度既与入射图像的照度有关，又取决于像管本身对辐亮度既与入射图像的照度有关，又取决于像管本身对辐亮度既与入射图像的照度有关，又取决于像管本身对辐射能量的变换与增强的能力。射能量的变换与增强的能力。射能量的变换与增强的能力。射能量的变换与增强的能力。“增益增益增益增益”就是用来描述像就是用来描述像就是用来描述像就是用来描述像管这种能力的参数。管这种能力的参数。管这种能力的参数。管这种能力的参数。 像管的增益有：亮度增益、辐射亮度增益及光通量增像管的增益有：亮度增益、辐射亮度增益及光通量增像管的增益有

53、：亮度增益、辐射亮度增益及光通量增像管的增益有：亮度增益、辐射亮度增益及光通量增益之分。其中亮度增益是最基本而通用的。益之分。其中亮度增益是最基本而通用的。益之分。其中亮度增益是最基本而通用的。益之分。其中亮度增益是最基本而通用的。 像管的亮度增益定义为：像管在标准光源照射下，荧像管的亮度增益定义为：像管在标准光源照射下，荧像管的亮度增益定义为：像管在标准光源照射下，荧像管的亮度增益定义为：像管在标准光源照射下，荧光屏上的光出射度光屏上的光出射度光屏上的光出射度光屏上的光出射度M M M M与入射到阴极面上的照度与入射到阴极面上的照度与入射到阴极面上的照度与入射到阴极面上的照度E E E EV

54、 V V V之比。之比。之比。之比。 即：即：即：即： ，由于荧光屏具有朗伯发光体的特性，则：，由于荧光屏具有朗伯发光体的特性，则：，由于荧光屏具有朗伯发光体的特性，则：，由于荧光屏具有朗伯发光体的特性，则： 下一页下一页上一页上一页 3.3.3.3.背景特性背景特性背景特性背景特性 合适的亮度是人眼观察图像的必要条件，除了有用合适的亮度是人眼观察图像的必要条件，除了有用合适的亮度是人眼观察图像的必要条件，除了有用合适的亮度是人眼观察图像的必要条件，除了有用的成像（信号）亮度以外，还存在一种非成像的附加亮的成像（信号）亮度以外，还存在一种非成像的附加亮的成像（信号）亮度以外，还存在一种非成像的

55、附加亮的成像（信号）亮度以外，还存在一种非成像的附加亮度，称之为背景（或背景亮度）。像管的背景包括无光度，称之为背景（或背景亮度）。像管的背景包括无光度，称之为背景（或背景亮度）。像管的背景包括无光度，称之为背景（或背景亮度）。像管的背景包括无光照射情况下的暗背景和因入射信号的影响而产生的附加照射情况下的暗背景和因入射信号的影响而产生的附加照射情况下的暗背景和因入射信号的影响而产生的附加照射情况下的暗背景和因入射信号的影响而产生的附加背景，称为信号感生背景（或光致背景）。暗背景产生背景，称为信号感生背景（或光致背景）。暗背景产生背景，称为信号感生背景（或光致背景）。暗背景产生背景，称为信号感生

56、背景（或光致背景）。暗背景产生的主要原因是光阴极的热电子发射和颗粒引起的场致发的主要原因是光阴极的热电子发射和颗粒引起的场致发的主要原因是光阴极的热电子发射和颗粒引起的场致发的主要原因是光阴极的热电子发射和颗粒引起的场致发射。产生信号感生背景的主要原因是阴极透射光、管内射。产生信号感生背景的主要原因是阴极透射光、管内射。产生信号感生背景的主要原因是阴极透射光、管内射。产生信号感生背景的主要原因是阴极透射光、管内散射光、离子反馈、光反馈所致。散射光、离子反馈、光反馈所致。散射光、离子反馈、光反馈所致。散射光、离子反馈、光反馈所致。 为了反映背景对像为了反映背景对像为了反映背景对像为了反映背景对像

57、管图像对比度的影响，引入两个参数：等效背景照度和管图像对比度的影响，引入两个参数：等效背景照度和管图像对比度的影响，引入两个参数：等效背景照度和管图像对比度的影响，引入两个参数：等效背景照度和对比恶化系数。对比恶化系数。对比恶化系数。对比恶化系数。 下一页下一页上一页上一页（1 1 1 1） 等效背景照度等效背景照度等效背景照度等效背景照度 为了与来自目标的照度相比较，通常用等效背景为了与来自目标的照度相比较，通常用等效背景为了与来自目标的照度相比较，通常用等效背景为了与来自目标的照度相比较，通常用等效背景照度来表示暗背景。使荧光屏亮度等于暗背景亮照度来表示暗背景。使荧光屏亮度等于暗背景亮照度

58、来表示暗背景。使荧光屏亮度等于暗背景亮照度来表示暗背景。使荧光屏亮度等于暗背景亮度值时的光阴极面上的输入照度值称为等效背景度值时的光阴极面上的输入照度值称为等效背景度值时的光阴极面上的输入照度值称为等效背景度值时的光阴极面上的输入照度值称为等效背景照度。照度。照度。照度。 等效背景照度的典型值，对变像管而言为等效背景照度的典型值，对变像管而言为等效背景照度的典型值，对变像管而言为等效背景照度的典型值，对变像管而言为10101010-3-3-3-3lxlxlxlx数量级，对像增强器而言则为数量级，对像增强器而言则为数量级，对像增强器而言则为数量级，对像增强器而言则为10101010-7-7-7-

59、7lxlxlxlx数量级。数量级。数量级。数量级。（2 2 2 2）对比恶化系数）对比恶化系数）对比恶化系数）对比恶化系数 由于背景的存在使图像模糊不清，背景使像质下由于背景的存在使图像模糊不清，背景使像质下由于背景的存在使图像模糊不清，背景使像质下由于背景的存在使图像模糊不清，背景使像质下降的程度可用对比恶化的多少来描述。降的程度可用对比恶化的多少来描述。降的程度可用对比恶化的多少来描述。降的程度可用对比恶化的多少来描述。 下一页下一页上一页上一页有背景影响时输出图像的对比度有背景影响时输出图像的对比度无背景影响时输出图像的对比度无背景影响时输出图像的对比度 4.4.4.4.成像特性成像特性

60、成像特性成像特性 像管光阴极面接收来自物空间的图像辐射，这一辐像管光阴极面接收来自物空间的图像辐射，这一辐像管光阴极面接收来自物空间的图像辐射，这一辐像管光阴极面接收来自物空间的图像辐射，这一辐射在阴极面上的强度分布构成输入图像，通过像管的射在阴极面上的强度分布构成输入图像，通过像管的射在阴极面上的强度分布构成输入图像，通过像管的射在阴极面上的强度分布构成输入图像，通过像管的转换与增强在荧光屏上产生相应的亮度分布，构成输转换与增强在荧光屏上产生相应的亮度分布，构成输转换与增强在荧光屏上产生相应的亮度分布，构成输转换与增强在荧光屏上产生相应的亮度分布，构成输出图像。成像特性通常用放大率、畸变、分

61、辨力和调出图像。成像特性通常用放大率、畸变、分辨力和调出图像。成像特性通常用放大率、畸变、分辨力和调出图像。成像特性通常用放大率、畸变、分辨力和调制传递函数来描述。制传递函数来描述。制传递函数来描述。制传递函数来描述。 （1 1 1 1）放大率）放大率）放大率）放大率 像管的放大率指的是：像管输出端输出的图像线性像管的放大率指的是：像管输出端输出的图像线性像管的放大率指的是：像管输出端输出的图像线性像管的放大率指的是：像管输出端输出的图像线性尺寸与其对应的输入端图像的线性尺寸之比。因此，尺寸与其对应的输入端图像的线性尺寸之比。因此，尺寸与其对应的输入端图像的线性尺寸之比。因此，尺寸与其对应的输

62、入端图像的线性尺寸之比。因此，放大率是表征像管对图像几何尺寸放大或缩小能力的放大率是表征像管对图像几何尺寸放大或缩小能力的放大率是表征像管对图像几何尺寸放大或缩小能力的放大率是表征像管对图像几何尺寸放大或缩小能力的一个性能参数。一个性能参数。一个性能参数。一个性能参数。 下一页下一页上一页上一页（2 2 2 2）畸变）畸变）畸变）畸变 由于物高不同，放大率不同，导致图像形状发生畸形由于物高不同，放大率不同，导致图像形状发生畸形由于物高不同，放大率不同，导致图像形状发生畸形由于物高不同，放大率不同，导致图像形状发生畸形变化，故称为畸变。由于像管常采用静电聚焦电子光学变化，故称为畸变。由于像管常采

63、用静电聚焦电子光学变化，故称为畸变。由于像管常采用静电聚焦电子光学变化，故称为畸变。由于像管常采用静电聚焦电子光学系统，它的边缘放大率比近轴放大率大，所以在输出端系统，它的边缘放大率比近轴放大率大，所以在输出端系统，它的边缘放大率比近轴放大率大，所以在输出端系统，它的边缘放大率比近轴放大率大，所以在输出端图像产生枕形畸变。图像产生枕形畸变。图像产生枕形畸变。图像产生枕形畸变。 （3 3 3 3）分辨力）分辨力）分辨力）分辨力 成像器件刚刚能分辨清两个相邻极近目标的像的能力成像器件刚刚能分辨清两个相邻极近目标的像的能力成像器件刚刚能分辨清两个相邻极近目标的像的能力成像器件刚刚能分辨清两个相邻极近

64、目标的像的能力称为该成像器件的分辨力。称为该成像器件的分辨力。称为该成像器件的分辨力。称为该成像器件的分辨力。 像管的分辨力是指高对比度的标准测试板图案聚焦在像管的分辨力是指高对比度的标准测试板图案聚焦在像管的分辨力是指高对比度的标准测试板图案聚焦在像管的分辨力是指高对比度的标准测试板图案聚焦在像管的光阴极面上，通过目视方法观察荧光屏上每毫米像管的光阴极面上，通过目视方法观察荧光屏上每毫米像管的光阴极面上，通过目视方法观察荧光屏上每毫米像管的光阴极面上，通过目视方法观察荧光屏上每毫米尺度包含的能够分辨开的黑白相间等宽矩形条纹的对数。尺度包含的能够分辨开的黑白相间等宽矩形条纹的对数。尺度包含的能

65、够分辨开的黑白相间等宽矩形条纹的对数。尺度包含的能够分辨开的黑白相间等宽矩形条纹的对数。下一页下一页上一页上一页 所谓分辨的线对数是指能分辨出每个测试单元四个所谓分辨的线对数是指能分辨出每个测试单元四个所谓分辨的线对数是指能分辨出每个测试单元四个所谓分辨的线对数是指能分辨出每个测试单元四个方向（或两个方向）的条纹。对于像管来说，中心的方向（或两个方向）的条纹。对于像管来说，中心的方向（或两个方向）的条纹。对于像管来说，中心的方向（或两个方向）的条纹。对于像管来说，中心的成像性能好于边缘。一般用中心分辨力来表示，但有成像性能好于边缘。一般用中心分辨力来表示，但有成像性能好于边缘。一般用中心分辨力

66、来表示，但有成像性能好于边缘。一般用中心分辨力来表示，但有时也测定半视场分辨力和边缘分辨力。时也测定半视场分辨力和边缘分辨力。时也测定半视场分辨力和边缘分辨力。时也测定半视场分辨力和边缘分辨力。 用分辨力来表示像管的成像质量也存在一些问题：用分辨力来表示像管的成像质量也存在一些问题：用分辨力来表示像管的成像质量也存在一些问题：用分辨力来表示像管的成像质量也存在一些问题：n n 虽然测定的两个像管的极限分辨力一样，但成像虽然测定的两个像管的极限分辨力一样，但成像虽然测定的两个像管的极限分辨力一样，但成像虽然测定的两个像管的极限分辨力一样，但成像质量却可能存在很大差异。质量却可能存在很大差异。质量

67、却可能存在很大差异。质量却可能存在很大差异。n n 不能揭示出单管分辨率好，但耦合的级联像管分不能揭示出单管分辨率好，但耦合的级联像管分不能揭示出单管分辨率好，但耦合的级联像管分不能揭示出单管分辨率好，但耦合的级联像管分辨率显著降低的原因，即不能揭示串光的影响。辨率显著降低的原因，即不能揭示串光的影响。辨率显著降低的原因，即不能揭示串光的影响。辨率显著降低的原因，即不能揭示串光的影响。n n 有些像管从可以分辨到不可分辨，转变比较明显。有些像管从可以分辨到不可分辨，转变比较明显。有些像管从可以分辨到不可分辨，转变比较明显。有些像管从可以分辨到不可分辨，转变比较明显。有些像管则模模糊糊，甚至可以

68、跨越几个组，似乎都有些像管则模模糊糊，甚至可以跨越几个组，似乎都有些像管则模模糊糊，甚至可以跨越几个组，似乎都有些像管则模模糊糊，甚至可以跨越几个组，似乎都可以分辨，但又都难以分辨。可以分辨，但又都难以分辨。可以分辨，但又都难以分辨。可以分辨，但又都难以分辨。n n 它以目测为手段，受人眼的差异和主观因素的限它以目测为手段，受人眼的差异和主观因素的限它以目测为手段，受人眼的差异和主观因素的限它以目测为手段，受人眼的差异和主观因素的限制。制。制。制。下一页下一页上一页上一页 （4 4 4 4）调制传递函数）调制传递函数）调制传递函数）调制传递函数 调制传递函数是一种可以全面描述成像系统对构成调制

69、传递函数是一种可以全面描述成像系统对构成调制传递函数是一种可以全面描述成像系统对构成调制传递函数是一种可以全面描述成像系统对构成图像的各种细节（较高空间频率）的衰减能力的数学图像的各种细节（较高空间频率）的衰减能力的数学图像的各种细节（较高空间频率）的衰减能力的数学图像的各种细节（较高空间频率）的衰减能力的数学关系。调制传递函数建立在傅里叶级数和傅里叶变换关系。调制传递函数建立在傅里叶级数和傅里叶变换关系。调制传递函数建立在傅里叶级数和傅里叶变换关系。调制传递函数建立在傅里叶级数和傅里叶变换的基础上，将整个成像过程描述为物图像与成像系统的基础上，将整个成像过程描述为物图像与成像系统的基础上，将

70、整个成像过程描述为物图像与成像系统的基础上，将整个成像过程描述为物图像与成像系统的响应函数（扩散函数）的卷积过程。通过数学上的的响应函数（扩散函数）的卷积过程。通过数学上的的响应函数（扩散函数）的卷积过程。通过数学上的的响应函数（扩散函数）的卷积过程。通过数学上的分析，可以描述各种细节在像方组成图像时调制度的分析，可以描述各种细节在像方组成图像时调制度的分析，可以描述各种细节在像方组成图像时调制度的分析，可以描述各种细节在像方组成图像时调制度的变化和影响。变化和影响。变化和影响。变化和影响。下一页下一页上一页上一页5.3 5.3 辐射图像的光电转换辐射图像的光电转换n n5.3.1 5.3.1

71、 5.3.1 5.3.1 光电子发射的基本理论光电子发射的基本理论光电子发射的基本理论光电子发射的基本理论n n5.3.2 5.3.2 5.3.2 5.3.2 典型实用光阴极典型实用光阴极典型实用光阴极典型实用光阴极n n5.3.3 5.3.3 5.3.3 5.3.3 光电发射的极限电流密度光电发射的极限电流密度光电发射的极限电流密度光电发射的极限电流密度 下一页下一页返回5.3.1 5.3.1 光电子发射的基本理论光电子发射的基本理论 由像管的工作过程可知，辐射图像的光电转换是像由像管的工作过程可知，辐射图像的光电转换是像由像管的工作过程可知，辐射图像的光电转换是像由像管的工作过程可知，辐射

72、图像的光电转换是像管工作的基础，像管中实现辐射图像光电转换的环节管工作的基础，像管中实现辐射图像光电转换的环节管工作的基础，像管中实现辐射图像光电转换的环节管工作的基础，像管中实现辐射图像光电转换的环节是光阴极。是光阴极。是光阴极。是光阴极。 光电发射现象是赫兹于光电发射现象是赫兹于光电发射现象是赫兹于光电发射现象是赫兹于1887188718871887年在做电磁振荡的研究年在做电磁振荡的研究年在做电磁振荡的研究年在做电磁振荡的研究中首先发现的，并由此开拓了外光电转换技术。经过中首先发现的，并由此开拓了外光电转换技术。经过中首先发现的，并由此开拓了外光电转换技术。经过中首先发现的，并由此开拓了

73、外光电转换技术。经过100100100100多年的大量研究工作，光电发射的理论得到了不断多年的大量研究工作，光电发射的理论得到了不断多年的大量研究工作，光电发射的理论得到了不断多年的大量研究工作，光电发射的理论得到了不断的发展，目前公认的光电发射理论模型是一个三步过的发展，目前公认的光电发射理论模型是一个三步过的发展，目前公认的光电发射理论模型是一个三步过的发展，目前公认的光电发射理论模型是一个三步过程模型（三阶段理论）。程模型（三阶段理论）。程模型（三阶段理论）。程模型（三阶段理论）。 下一页下一页返回返回5.35.3 整个光电发射的物理过程分为三步：整个光电发射的物理过程分为三步：整个光电

74、发射的物理过程分为三步：整个光电发射的物理过程分为三步：n n 光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态；光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态；光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态；光电发射体内的电子被入射光子激发到高能态；n n 受激电子向表面运动，在运动的过程中因碰撞而受激电子向表面运动，在运动的过程中因碰撞而受激电子向表面运动，在运动的过程中因碰撞而受激电子向表面运动，在运动的过程中因碰撞而损失部分能量；损失部分能量；损失部分能量；损失部分能量； n n 到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而逸出。到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而逸出。到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而

75、逸出。到达表面的受激电子克服表面电子亲和势而逸出。 上述三步过程完整地描述了光电发射的物理现象。上述三步过程完整地描述了光电发射的物理现象。上述三步过程完整地描述了光电发射的物理现象。上述三步过程完整地描述了光电发射的物理现象。从这一物理模型可以看出：从这一物理模型可以看出：从这一物理模型可以看出：从这一物理模型可以看出： 第一步是入射的光子与体内的电子相互作用的结果，第一步是入射的光子与体内的电子相互作用的结果，第一步是入射的光子与体内的电子相互作用的结果，第一步是入射的光子与体内的电子相互作用的结果，光电子受激是一种量子化的过程，是大量电子分立的光电子受激是一种量子化的过程，是大量电子分立

76、的光电子受激是一种量子化的过程，是大量电子分立的光电子受激是一种量子化的过程，是大量电子分立的动力学过程，只能用统计的方法加以描述。动力学过程，只能用统计的方法加以描述。动力学过程，只能用统计的方法加以描述。动力学过程，只能用统计的方法加以描述。 第二步中每一个受激电子在其向表面迁移的轨道上所第二步中每一个受激电子在其向表面迁移的轨道上所第二步中每一个受激电子在其向表面迁移的轨道上所第二步中每一个受激电子在其向表面迁移的轨道上所经过的散射势场是不同的，所以也是一个随机过程。经过的散射势场是不同的，所以也是一个随机过程。经过的散射势场是不同的，所以也是一个随机过程。经过的散射势场是不同的，所以也

77、是一个随机过程。 第三步由前两步的离散性，必然导致每个出射电子的第三步由前两步的离散性，必然导致每个出射电子的第三步由前两步的离散性，必然导致每个出射电子的第三步由前两步的离散性，必然导致每个出射电子的差异，难以定量描述。差异，难以定量描述。差异，难以定量描述。差异，难以定量描述。 下一页下一页上一页上一页 总之，光电发射是大量电子分立地受激、散射和逸总之，光电发射是大量电子分立地受激、散射和逸总之，光电发射是大量电子分立地受激、散射和逸总之，光电发射是大量电子分立地受激、散射和逸出的结果。由于电子本身的量子性和散射过程的随机出的结果。由于电子本身的量子性和散射过程的随机出的结果。由于电子本身

78、的量子性和散射过程的随机出的结果。由于电子本身的量子性和散射过程的随机性，导致了光电发射过程是一个离散随机过程。虽然性，导致了光电发射过程是一个离散随机过程。虽然性，导致了光电发射过程是一个离散随机过程。虽然性，导致了光电发射过程是一个离散随机过程。虽然在稳定的入射辐射强度激发下可获得确定的累计平均在稳定的入射辐射强度激发下可获得确定的累计平均在稳定的入射辐射强度激发下可获得确定的累计平均在稳定的入射辐射强度激发下可获得确定的累计平均光电子发射值。但在每一瞬间考查该值，将是围绕其光电子发射值。但在每一瞬间考查该值，将是围绕其光电子发射值。但在每一瞬间考查该值，将是围绕其光电子发射值。但在每一瞬

79、间考查该值，将是围绕其平均值起伏变化的离散随机变量。光电发射所产生的平均值起伏变化的离散随机变量。光电发射所产生的平均值起伏变化的离散随机变量。光电发射所产生的平均值起伏变化的离散随机变量。光电发射所产生的光电子统计特性吻合双随机泊松点过程。光电子统计特性吻合双随机泊松点过程。光电子统计特性吻合双随机泊松点过程。光电子统计特性吻合双随机泊松点过程。下一页下一页上一页上一页n n1 1 1 1受激电子向表面迁移过程的分析受激电子向表面迁移过程的分析受激电子向表面迁移过程的分析受激电子向表面迁移过程的分析 光电发射体内电子受激后，在其寿命时间内要产生光电发射体内电子受激后，在其寿命时间内要产生光电

80、发射体内电子受激后，在其寿命时间内要产生光电发射体内电子受激后，在其寿命时间内要产生迁移运动。电子从受激处向表面迁移的过程中会因散迁移运动。电子从受激处向表面迁移的过程中会因散迁移运动。电子从受激处向表面迁移的过程中会因散迁移运动。电子从受激处向表面迁移的过程中会因散射而损失一部分能量。所产生的散射有：自由电子散射而损失一部分能量。所产生的散射有：自由电子散射而损失一部分能量。所产生的散射有：自由电子散射而损失一部分能量。所产生的散射有：自由电子散射、晶格散射、激子散射等。除此之外，受激电子与射、晶格散射、激子散射等。除此之外，受激电子与射、晶格散射、激子散射等。除此之外，受激电子与射、晶格散

81、射、激子散射等。除此之外，受激电子与体内束缚电子发生非弹性碰撞而产生次级电子体内束缚电子发生非弹性碰撞而产生次级电子体内束缚电子发生非弹性碰撞而产生次级电子体内束缚电子发生非弹性碰撞而产生次级电子- - - -空穴空穴空穴空穴对时，将损失更多的能量。对时，将损失更多的能量。对时，将损失更多的能量。对时，将损失更多的能量。 下一页下一页上一页上一页 自由电子散射是发生在金属光电发射材料内的自由电子散射是发生在金属光电发射材料内的自由电子散射是发生在金属光电发射材料内的自由电子散射是发生在金属光电发射材料内的主要散射，只有靠近光电发射体表面处的受激电主要散射，只有靠近光电发射体表面处的受激电主要散

82、射，只有靠近光电发射体表面处的受激电主要散射，只有靠近光电发射体表面处的受激电子才能迁移到表面。这表明被激发电子的逸出深子才能迁移到表面。这表明被激发电子的逸出深子才能迁移到表面。这表明被激发电子的逸出深子才能迁移到表面。这表明被激发电子的逸出深度小，因此金属的光电发射特性差，所以一般不度小，因此金属的光电发射特性差，所以一般不度小，因此金属的光电发射特性差，所以一般不度小，因此金属的光电发射特性差，所以一般不使用纯金属作光电发射材料。与此相反，由于半使用纯金属作光电发射材料。与此相反，由于半使用纯金属作光电发射材料。与此相反，由于半使用纯金属作光电发射材料。与此相反，由于半导体在室温状态下，

83、自由电子很少，因此自由电导体在室温状态下，自由电子很少，因此自由电导体在室温状态下，自由电子很少，因此自由电导体在室温状态下，自由电子很少，因此自由电子散射几率显著下降。这样的半导体光电发射材子散射几率显著下降。这样的半导体光电发射材子散射几率显著下降。这样的半导体光电发射材子散射几率显著下降。这样的半导体光电发射材料的自由电子散射可以忽略不计，这也是主要光料的自由电子散射可以忽略不计，这也是主要光料的自由电子散射可以忽略不计，这也是主要光料的自由电子散射可以忽略不计，这也是主要光电发射体都采用半导体材料的原因之一。电发射体都采用半导体材料的原因之一。电发射体都采用半导体材料的原因之一。电发射

84、体都采用半导体材料的原因之一。 下一页下一页上一页上一页 晶格散射是半导体光电发射材料中比较主要晶格散射是半导体光电发射材料中比较主要晶格散射是半导体光电发射材料中比较主要晶格散射是半导体光电发射材料中比较主要的一种散射。晶体中晶格振动能量的改变是量的一种散射。晶体中晶格振动能量的改变是量的一种散射。晶体中晶格振动能量的改变是量的一种散射。晶体中晶格振动能量的改变是量子化的，改变量的大小为声子。通常，受激电子化的，改变量的大小为声子。通常，受激电子化的，改变量的大小为声子。通常，受激电子化的，改变量的大小为声子。通常，受激电子每经过一次晶格散射会损失子每经过一次晶格散射会损失子每经过一次晶格散

85、射会损失子每经过一次晶格散射会损失0.0050.1eV0.0050.1eV0.0050.1eV0.0050.1eV的能的能的能的能量，比较可知，它比自由电子散射的损失要小量，比较可知，它比自由电子散射的损失要小量，比较可知，它比自由电子散射的损失要小量，比较可知，它比自由电子散射的损失要小得多。由于两次晶格散射之间受激电子的平均得多。由于两次晶格散射之间受激电子的平均得多。由于两次晶格散射之间受激电子的平均得多。由于两次晶格散射之间受激电子的平均自由程也较长，因此，半导体光电发射材料中自由程也较长，因此，半导体光电发射材料中自由程也较长，因此，半导体光电发射材料中自由程也较长，因此，半导体光电

86、发射材料中的受激电子可以迁移较长的距离而不损失过多的受激电子可以迁移较长的距离而不损失过多的受激电子可以迁移较长的距离而不损失过多的受激电子可以迁移较长的距离而不损失过多的能量。的能量。的能量。的能量。下一页下一页上一页上一页 束缚电子碰撞电离是指受激电子向表面迁移束缚电子碰撞电离是指受激电子向表面迁移束缚电子碰撞电离是指受激电子向表面迁移束缚电子碰撞电离是指受激电子向表面迁移时，与价带电子或其他束缚能级上的电子发生时，与价带电子或其他束缚能级上的电子发生时，与价带电子或其他束缚能级上的电子发生时，与价带电子或其他束缚能级上的电子发生碰撞并在一定条件下产生电离，这一碰撞将使碰撞并在一定条件下产

87、生电离，这一碰撞将使碰撞并在一定条件下产生电离，这一碰撞将使碰撞并在一定条件下产生电离，这一碰撞将使受激电子损失较多的能量。受激电子损失较多的能量。受激电子损失较多的能量。受激电子损失较多的能量。 下一页下一页上一页上一页 除上面讨论的散射因素外，对受激电子产生除上面讨论的散射因素外，对受激电子产生除上面讨论的散射因素外，对受激电子产生除上面讨论的散射因素外，对受激电子产生影响的还有晶体状态的影响，包括：光电发射材影响的还有晶体状态的影响，包括：光电发射材影响的还有晶体状态的影响，包括：光电发射材影响的还有晶体状态的影响，包括：光电发射材料的晶体缺陷产生的散射、晶体中应力产生的散料的晶体缺陷产

88、生的散射、晶体中应力产生的散料的晶体缺陷产生的散射、晶体中应力产生的散料的晶体缺陷产生的散射、晶体中应力产生的散射、在晶粒边界处产生的散射等。这些散射也将射、在晶粒边界处产生的散射等。这些散射也将射、在晶粒边界处产生的散射等。这些散射也将射、在晶粒边界处产生的散射等。这些散射也将造成受激电子的能量损失。为减少这类散射的损造成受激电子的能量损失。为减少这类散射的损造成受激电子的能量损失。为减少这类散射的损造成受激电子的能量损失。为减少这类散射的损失，应严格控制光电发射体制备的工艺过程。失，应严格控制光电发射体制备的工艺过程。失，应严格控制光电发射体制备的工艺过程。失，应严格控制光电发射体制备的工

89、艺过程。5.3.2 5.3.2 典型实用光阴极典型实用光阴极 像管实用光阴极的种类很多，通常是以其敏像管实用光阴极的种类很多，通常是以其敏像管实用光阴极的种类很多，通常是以其敏像管实用光阴极的种类很多，通常是以其敏感的光谱范围来分类。目前，常用的光阴极包感的光谱范围来分类。目前，常用的光阴极包感的光谱范围来分类。目前，常用的光阴极包感的光谱范围来分类。目前，常用的光阴极包括：银氧铯阴极、锑铯阴极、锑钾钠铯阴极、括：银氧铯阴极、锑铯阴极、锑钾钠铯阴极、括：银氧铯阴极、锑铯阴极、锑钾钠铯阴极、括：银氧铯阴极、锑铯阴极、锑钾钠铯阴极、负电子亲和势和紫外阴极。负电子亲和势和紫外阴极。负电子亲和势和紫外

90、阴极。负电子亲和势和紫外阴极。下一页下一页返回返回5.35.35.3.2 5.3.2 典型实用光阴极典型实用光阴极紫外及可见光敏感的光阴极的光谱响应特性紫外及可见光敏感的光阴极的光谱响应特性 下一页下一页上一页上一页5.3.2 5.3.2 典型实用光阴极典型实用光阴极可见光敏感的光阴极的光谱响应特性可见光敏感的光阴极的光谱响应特性下一页下一页上一页上一页5.3.2 5.3.2 典型实用光阴极典型实用光阴极近红外及可见光敏感的光阴极的光谱响应特性近红外及可见光敏感的光阴极的光谱响应特性下一页下一页上一页上一页n n1 1 1 1银氧铯（银氧铯（银氧铯（银氧铯（Ag-O-CsAg-O-CsAg-O

91、-CsAg-O-Cs）光阴极）光阴极）光阴极）光阴极 银氧铯光阴极是银氧铯光阴极是银氧铯光阴极是银氧铯光阴极是1929192919291929年最先发明的一种对近年最先发明的一种对近年最先发明的一种对近年最先发明的一种对近红外光敏感的实用光阴极，它的光谱响应范围红外光敏感的实用光阴极，它的光谱响应范围红外光敏感的实用光阴极，它的光谱响应范围红外光敏感的实用光阴极，它的光谱响应范围在在在在3003003003001200nm1200nm1200nm1200nm的波长区域，其响应曲线有两的波长区域，其响应曲线有两的波长区域，其响应曲线有两的波长区域，其响应曲线有两个峰值：短波峰介于个峰值：短波峰介

92、于个峰值：短波峰介于个峰值：短波峰介于300300300300400nm400nm400nm400nm之间，长波峰之间，长波峰之间，长波峰之间，长波峰位于位于位于位于800nm800nm800nm800nm附近。目前附近。目前附近。目前附近。目前 有两种理论模型用于解有两种理论模型用于解有两种理论模型用于解有两种理论模型用于解 释银氧铯光阴极的发射释银氧铯光阴极的发射释银氧铯光阴极的发射释银氧铯光阴极的发射 机理：一个是半导体理机理：一个是半导体理机理：一个是半导体理机理：一个是半导体理 论模型，另一个是固溶论模型，另一个是固溶论模型，另一个是固溶论模型，另一个是固溶 胶理论模型。胶理论模型。

93、胶理论模型。胶理论模型。下一页下一页上一页上一页n n2 2 2 2锑铯（锑铯（锑铯（锑铯（Sb-CsSb-CsSb-CsSb-Cs）光阴极）光阴极）光阴极）光阴极 1936193619361936年研制出的锑铯光阴极其光谱响应在大年研制出的锑铯光阴极其光谱响应在大年研制出的锑铯光阴极其光谱响应在大年研制出的锑铯光阴极其光谱响应在大部分可见光区和紫外区，长波阈值接近部分可见光区和紫外区，长波阈值接近部分可见光区和紫外区，长波阈值接近部分可见光区和紫外区，长波阈值接近650nm650nm650nm650nm。峰值光谱灵敏度处于蓝光和紫外波段，峰值的峰值光谱灵敏度处于蓝光和紫外波段，峰值的峰值光谱

94、灵敏度处于蓝光和紫外波段，峰值的峰值光谱灵敏度处于蓝光和紫外波段，峰值的量子效率接近量子效率接近量子效率接近量子效率接近20202020。根据所用的窗口材料的不。根据所用的窗口材料的不。根据所用的窗口材料的不。根据所用的窗口材料的不同而有不同的光谱特性。同而有不同的光谱特性。同而有不同的光谱特性。同而有不同的光谱特性。下一页下一页上一页上一页1 1玻璃衬底；玻璃衬底；2 2CsCs缺陷或锑原子；缺陷或锑原子；3 3表面吸附的表面吸附的CsCs原子原子 表面吸附的表面吸附的CsCs原子原子层能进一步降低电层能进一步降低电子亲和势，提高电子亲和势，提高电子发射率。子发射率。 n n3. 3. 3.

95、 3. 多碱光阴极多碱光阴极多碱光阴极多碱光阴极 锑与一种以上的碱金属结合可获得比单碱锑锑与一种以上的碱金属结合可获得比单碱锑锑与一种以上的碱金属结合可获得比单碱锑锑与一种以上的碱金属结合可获得比单碱锑铯光阴极更高的量子效率，其中有双碱、三铯光阴极更高的量子效率，其中有双碱、三铯光阴极更高的量子效率，其中有双碱、三铯光阴极更高的量子效率，其中有双碱、三碱和四碱等，统称为多碱光阴极。这类光阴碱和四碱等，统称为多碱光阴极。这类光阴碱和四碱等，统称为多碱光阴极。这类光阴碱和四碱等，统称为多碱光阴极。这类光阴极在可见光波段有很高的量子效率，峰值量极在可见光波段有很高的量子效率，峰值量极在可见光波段有很

96、高的量子效率，峰值量极在可见光波段有很高的量子效率，峰值量子效率接近子效率接近子效率接近子效率接近30303030。 四碱光阴极四碱光阴极四碱光阴极四碱光阴极Sb-K-Na-CsSb-K-Na-CsSb-K-Na-CsSb-K-Na-Cs的应用中，特别是的应用中，特别是的应用中，特别是的应用中，特别是在夜视技术中，要求阴极增强其红光与红外在夜视技术中，要求阴极增强其红光与红外在夜视技术中，要求阴极增强其红光与红外在夜视技术中，要求阴极增强其红光与红外响应，以提高系统的探测能力。经过改进的响应，以提高系统的探测能力。经过改进的响应，以提高系统的探测能力。经过改进的响应，以提高系统的探测能力。经过

97、改进的多碱光阴极可以通过调整光阴极的厚度来改多碱光阴极可以通过调整光阴极的厚度来改多碱光阴极可以通过调整光阴极的厚度来改多碱光阴极可以通过调整光阴极的厚度来改善它的光谱响应特性。有效地利用了长波光善它的光谱响应特性。有效地利用了长波光善它的光谱响应特性。有效地利用了长波光善它的光谱响应特性。有效地利用了长波光子的吸收距离，从而可以将光阴极的长波阈子的吸收距离，从而可以将光阴极的长波阈子的吸收距离，从而可以将光阴极的长波阈子的吸收距离，从而可以将光阴极的长波阈延伸到延伸到延伸到延伸到0.9m0.9m0.9m0.9m以上，且光电灵敏度也显著提以上，且光电灵敏度也显著提以上，且光电灵敏度也显著提以上

98、，且光电灵敏度也显著提高。高。高。高。 下一页下一页上一页上一页n n4.4.4.4.负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（负电子亲和势（NEANEANEANEA）光阴极）光阴极）光阴极）光阴极 已经受到激发跃迁到导带的电子，在其损失已经受到激发跃迁到导带的电子，在其损失已经受到激发跃迁到导带的电子，在其损失已经受到激发跃迁到导带的电子，在其损失掉一部分能量运动到发射表面时，还必须有足掉一部分能量运动到发射表面时，还必须有足掉一部分能量运动到发射表面时，还必须有足掉一部分能量运动到发射表面时，还必须有足够的能量克服表面电子亲和势才能逸出。若能够的能量克服表面电子亲和势才能逸出。若能够的能量

99、克服表面电子亲和势才能逸出。若能够的能量克服表面电子亲和势才能逸出。若能设法使阴极表面获得近于零甚至是负的电子亲设法使阴极表面获得近于零甚至是负的电子亲设法使阴极表面获得近于零甚至是负的电子亲设法使阴极表面获得近于零甚至是负的电子亲和势，则即便是到达表面时已降至导带底的电和势，则即便是到达表面时已降至导带底的电和势，则即便是到达表面时已降至导带底的电和势，则即便是到达表面时已降至导带底的电子也可以发射出来。子也可以发射出来。子也可以发射出来。子也可以发射出来。 自负电子亲和势光阴极理论于自负电子亲和势光阴极理论于自负电子亲和势光阴极理论于自负电子亲和势光阴极理论于196319631963196

100、3年提出以年提出以年提出以年提出以来，研究者用铯吸附在来，研究者用铯吸附在来，研究者用铯吸附在来，研究者用铯吸附在P P P P型型型型GaAs(GaAs(GaAs(GaAs(砷化镓砷化镓砷化镓砷化镓) ) ) )表面表面表面表面得到了零电子亲和势，其后又有人对得到了零电子亲和势，其后又有人对得到了零电子亲和势，其后又有人对得到了零电子亲和势，其后又有人对GaAsGaAsGaAsGaAs表面表面表面表面以以以以CsCsCsCs和和和和O O O O2 2 2 2交替激活，得到了负电子亲和势，通交替激活，得到了负电子亲和势，通交替激活，得到了负电子亲和势，通交替激活，得到了负电子亲和势，通常用缩

101、写常用缩写常用缩写常用缩写NEANEANEANEA来表示的负电子亲和势光阴极。来表示的负电子亲和势光阴极。来表示的负电子亲和势光阴极。来表示的负电子亲和势光阴极。 下一页下一页上一页上一页n n5.5.5.5.紫外（紫外（紫外（紫外（UVUVUVUV）光阴极）光阴极）光阴极）光阴极 紫外辐射与可见光并没有本质上的区别，只是紫外辐射与可见光并没有本质上的区别，只是紫外辐射与可见光并没有本质上的区别，只是紫外辐射与可见光并没有本质上的区别，只是由于紫外辐射的光子能量高而产生了一些特殊要由于紫外辐射的光子能量高而产生了一些特殊要由于紫外辐射的光子能量高而产生了一些特殊要由于紫外辐射的光子能量高而产生

102、了一些特殊要求。求。求。求。 首先是对窗口材料的要求。紫外光阴极器件的首先是对窗口材料的要求。紫外光阴极器件的首先是对窗口材料的要求。紫外光阴极器件的首先是对窗口材料的要求。紫外光阴极器件的短波截止波长，一般取决于窗口材料的光谱透过短波截止波长，一般取决于窗口材料的光谱透过短波截止波长，一般取决于窗口材料的光谱透过短波截止波长，一般取决于窗口材料的光谱透过性质。性质。性质。性质。 其次，为了抑制背景辐射的干扰作用，在实际其次，为了抑制背景辐射的干扰作用，在实际其次，为了抑制背景辐射的干扰作用，在实际其次，为了抑制背景辐射的干扰作用，在实际应用中，通常要求紫外光阴极应用中，通常要求紫外光阴极应用

103、中，通常要求紫外光阴极应用中，通常要求紫外光阴极“日盲日盲日盲日盲”，即对太，即对太，即对太，即对太阳辐射没有响应。用于大气层中时，应对波长阳辐射没有响应。用于大气层中时，应对波长阳辐射没有响应。用于大气层中时，应对波长阳辐射没有响应。用于大气层中时，应对波长350nm350nm350nm350nm以上的辐射无响应。用于外层空间中时应以上的辐射无响应。用于外层空间中时应以上的辐射无响应。用于外层空间中时应以上的辐射无响应。用于外层空间中时应对波长对波长对波长对波长200nm200nm200nm200nm以上的辐射无响应。以上的辐射无响应。以上的辐射无响应。以上的辐射无响应。 下一页下一页上一页

104、上一页透紫外窗口材料的光谱透射比曲线透紫外窗口材料的光谱透射比曲线 下一页下一页上一页上一页5.3.3 5.3.3 光电发射的极限电流密度光电发射的极限电流密度 在工作状态下，像管维持光电发射要依赖于在工作状态下，像管维持光电发射要依赖于在工作状态下，像管维持光电发射要依赖于在工作状态下，像管维持光电发射要依赖于光阴极的真空界面有向内的电场场强。这一电光阴极的真空界面有向内的电场场强。这一电光阴极的真空界面有向内的电场场强。这一电光阴极的真空界面有向内的电场场强。这一电场是由电子光学系统提供的。光阴极的光电发场是由电子光学系统提供的。光阴极的光电发场是由电子光学系统提供的。光阴极的光电发场是由

105、电子光学系统提供的。光阴极的光电发射将产生空间电荷，此空间电荷所形成的附加射将产生空间电荷，此空间电荷所形成的附加射将产生空间电荷，此空间电荷所形成的附加射将产生空间电荷，此空间电荷所形成的附加场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电场与电子光学系统的电场方向相反。随着光电发射电流密度的增大，空间电荷的电场会增加发射电流密度的增大，空间电荷的电场会增加发射电流密度的增大，空间电荷的电场会增加发射电流密度的增大，空间电荷的电场会增加到足以抵消电子光学系统所提供的电场。如果到足以抵消电子光学系统所提供的电场。如果到足以

106、抵消电子光学系统所提供的电场。如果到足以抵消电子光学系统所提供的电场。如果忽略光电子的初速度，当光阴极面的法向场强忽略光电子的初速度，当光阴极面的法向场强忽略光电子的初速度，当光阴极面的法向场强忽略光电子的初速度，当光阴极面的法向场强为零时，光电发射就要受到抑制，这时像管的为零时，光电发射就要受到抑制，这时像管的为零时，光电发射就要受到抑制，这时像管的为零时，光电发射就要受到抑制，这时像管的光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射将呈饱和状态。这一电流密度称之为光电发射的极限电流密度。光电发射的极限电流密度

107、。光电发射的极限电流密度。光电发射的极限电流密度。下一页下一页返回返回5.35.35.4 5.4 电子图像的成像理论电子图像的成像理论 像管光阴极发出的电子图像通过电子光学系统的作用像管光阴极发出的电子图像通过电子光学系统的作用像管光阴极发出的电子图像通过电子光学系统的作用像管光阴极发出的电子图像通过电子光学系统的作用聚焦成像到输出像面上并完成电子图像的能量增强。聚焦成像到输出像面上并完成电子图像的能量增强。聚焦成像到输出像面上并完成电子图像的能量增强。聚焦成像到输出像面上并完成电子图像的能量增强。电子光学系统也称为电子透镜。在电子光学理论中，电子光学系统也称为电子透镜。在电子光学理论中，电子

108、光学系统也称为电子透镜。在电子光学理论中，电子光学系统也称为电子透镜。在电子光学理论中，研究电子束聚焦、偏转、成像，起着电子透镜和电子研究电子束聚焦、偏转、成像，起着电子透镜和电子研究电子束聚焦、偏转、成像，起着电子透镜和电子研究电子束聚焦、偏转、成像，起着电子透镜和电子棱镜作用的分支称为弱流细束电子光学。由于其分析棱镜作用的分支称为弱流细束电子光学。由于其分析棱镜作用的分支称为弱流细束电子光学。由于其分析棱镜作用的分支称为弱流细束电子光学。由于其分析方式与几何光学相似，故也称之为几何电子光学。方式与几何光学相似，故也称之为几何电子光学。方式与几何光学相似，故也称之为几何电子光学。方式与几何光

109、学相似，故也称之为几何电子光学。 弱流细束电子光学的主要研究内容包括：解决电子弱流细束电子光学的主要研究内容包括：解决电子弱流细束电子光学的主要研究内容包括：解决电子弱流细束电子光学的主要研究内容包括：解决电子光学系统中场的分布（等价于几何光学中的折射率分光学系统中场的分布（等价于几何光学中的折射率分光学系统中场的分布（等价于几何光学中的折射率分光学系统中场的分布（等价于几何光学中的折射率分布）问题；研究电子的运动规律和运动轨迹；讨论理布）问题；研究电子的运动规律和运动轨迹；讨论理布）问题；研究电子的运动规律和运动轨迹；讨论理布）问题；研究电子的运动规律和运动轨迹；讨论理想成像和各种特殊类型的

110、电子透镜等及其像差理论。想成像和各种特殊类型的电子透镜等及其像差理论。想成像和各种特殊类型的电子透镜等及其像差理论。想成像和各种特殊类型的电子透镜等及其像差理论。下一页下一页返回 带电粒子进入非均匀分布的旋转对称电磁场后，带电粒子进入非均匀分布的旋转对称电磁场后，带电粒子进入非均匀分布的旋转对称电磁场后，带电粒子进入非均匀分布的旋转对称电磁场后，在电场和磁场的作用下，将按照电磁场的场强和在电场和磁场的作用下，将按照电磁场的场强和在电场和磁场的作用下，将按照电磁场的场强和在电场和磁场的作用下，将按照电磁场的场强和磁感应强度分布而有规律地沿着一定的运动轨迹磁感应强度分布而有规律地沿着一定的运动轨迹

111、磁感应强度分布而有规律地沿着一定的运动轨迹磁感应强度分布而有规律地沿着一定的运动轨迹运动。运动。运动。运动。 讨论和研究弱流细束电子光学的条件如下：讨论和研究弱流细束电子光学的条件如下：讨论和研究弱流细束电子光学的条件如下：讨论和研究弱流细束电子光学的条件如下： n n 场为静场，即场与时间无关或随时间变化甚慢，场为静场，即场与时间无关或随时间变化甚慢，场为静场，即场与时间无关或随时间变化甚慢，场为静场，即场与时间无关或随时间变化甚慢，换言之，静场只是空间坐标的函数；换言之，静场只是空间坐标的函数；换言之，静场只是空间坐标的函数；换言之，静场只是空间坐标的函数；n n 在真空中；在真空中；在真

112、空中；在真空中；n n 忽略电子束本身空间电荷（或电流）分布对场忽略电子束本身空间电荷（或电流）分布对场忽略电子束本身空间电荷（或电流）分布对场忽略电子束本身空间电荷（或电流）分布对场的影响；的影响；的影响；的影响；n n 电子速度远小于光速，即不考虑相对论修正电子速度远小于光速，即不考虑相对论修正电子速度远小于光速，即不考虑相对论修正电子速度远小于光速，即不考虑相对论修正。下一页下一页上一页上一页1 1 旋转对称静电场旋转对称静电场 如果电极系统对某一轴具有旋转对称形状，例如果电极系统对某一轴具有旋转对称形状，例如果电极系统对某一轴具有旋转对称形状，例如果电极系统对某一轴具有旋转对称形状，例

113、如由同轴的双圆筒组成的如图所示的系统，在两如由同轴的双圆筒组成的如图所示的系统，在两如由同轴的双圆筒组成的如图所示的系统，在两如由同轴的双圆筒组成的如图所示的系统，在两个圆筒上加上不同的电位，所形成的静电场即为个圆筒上加上不同的电位，所形成的静电场即为个圆筒上加上不同的电位，所形成的静电场即为个圆筒上加上不同的电位，所形成的静电场即为旋转对称静电场，或称为轴对称场。旋转对称静电场，或称为轴对称场。旋转对称静电场，或称为轴对称场。旋转对称静电场，或称为轴对称场。 若电子所受的若电子所受的若电子所受的若电子所受的 径向力指向对称径向力指向对称径向力指向对称径向力指向对称 轴，电子会受到轴，电子会受

114、到轴，电子会受到轴，电子会受到 会聚作用，若电会聚作用，若电会聚作用，若电会聚作用，若电 子受到的力是离子受到的力是离子受到的力是离子受到的力是离 轴的，电子受到轴的，电子受到轴的，电子受到轴的，电子受到 发散作用。发散作用。发散作用。发散作用。下一页下一页返回2 2 旋转对称静磁场旋转对称静磁场 旋转对称静磁场是电子光学系统中广泛应用的磁旋转对称静磁场是电子光学系统中广泛应用的磁旋转对称静磁场是电子光学系统中广泛应用的磁旋转对称静磁场是电子光学系统中广泛应用的磁场，而且是最早知道具有电子光学聚焦成像性能的场，而且是最早知道具有电子光学聚焦成像性能的场，而且是最早知道具有电子光学聚焦成像性能的

115、场，而且是最早知道具有电子光学聚焦成像性能的场。磁场对电子的作用力是由洛伦兹公式决定的。场。磁场对电子的作用力是由洛伦兹公式决定的。场。磁场对电子的作用力是由洛伦兹公式决定的。场。磁场对电子的作用力是由洛伦兹公式决定的。下一页下一页返回3 3 旋转对称电子光学系统的成像旋转对称电子光学系统的成像 理想成像应满足：理想成像应满足：理想成像应满足：理想成像应满足： 物平面上某点发出的电子在场的作用下能在像物平面上某点发出的电子在场的作用下能在像物平面上某点发出的电子在场的作用下能在像物平面上某点发出的电子在场的作用下能在像平面上会聚于相应的像点上；平面上会聚于相应的像点上；平面上会聚于相应的像点上

116、；平面上会聚于相应的像点上； 像和物的几何形状相似，横向放大率与物的大像和物的几何形状相似，横向放大率与物的大像和物的几何形状相似，横向放大率与物的大像和物的几何形状相似，横向放大率与物的大小无关。小无关。小无关。小无关。 旋转对称电场具有近似理想成像的性质。旋转对称电场具有近似理想成像的性质。旋转对称电场具有近似理想成像的性质。旋转对称电场具有近似理想成像的性质。下一页下一页上一页上一页4 4 普遍情况下电子光学系统的折射率普遍情况下电子光学系统的折射率 旋转对称场对带电粒子的聚焦成像作用与光学媒旋转对称场对带电粒子的聚焦成像作用与光学媒旋转对称场对带电粒子的聚焦成像作用与光学媒旋转对称场对

117、带电粒子的聚焦成像作用与光学媒质对光线的作用十分相似。因此，电子光学中也有质对光线的作用十分相似。因此，电子光学中也有质对光线的作用十分相似。因此，电子光学中也有质对光线的作用十分相似。因此，电子光学中也有类似的电子光学折射率的概念。类似的电子光学折射率的概念。类似的电子光学折射率的概念。类似的电子光学折射率的概念。电子光学和几何光电子光学和几何光电子光学和几何光电子光学和几何光学之间的相似性，反映了两者之间的内在联系和本学之间的相似性，反映了两者之间的内在联系和本学之间的相似性，反映了两者之间的内在联系和本学之间的相似性，反映了两者之间的内在联系和本质上的一致性。质上的一致性。质上的一致性。

118、质上的一致性。 但两者之间还是有着深刻差异的，例如在折射但两者之间还是有着深刻差异的，例如在折射但两者之间还是有着深刻差异的，例如在折射但两者之间还是有着深刻差异的，例如在折射率上就有如下区别：率上就有如下区别：率上就有如下区别：率上就有如下区别： 电子光学中的折射率是渐变的，是空间位置的连电子光学中的折射率是渐变的，是空间位置的连电子光学中的折射率是渐变的，是空间位置的连电子光学中的折射率是渐变的，是空间位置的连续函数，电子轨迹不可能是突然折射的连续的曲线；续函数，电子轨迹不可能是突然折射的连续的曲线；续函数，电子轨迹不可能是突然折射的连续的曲线；续函数，电子轨迹不可能是突然折射的连续的曲线

119、；而光学中的折射率是突变的，光线路径为一折线。而光学中的折射率是突变的，光线路径为一折线。而光学中的折射率是突变的，光线路径为一折线。而光学中的折射率是突变的，光线路径为一折线。 下一页下一页返回5.4n n电子光学折射率随电场电位的变化而变化，因此可电子光学折射率随电场电位的变化而变化，因此可电子光学折射率随电场电位的变化而变化，因此可电子光学折射率随电场电位的变化而变化，因此可使折射率具有任意的数值；而光学折射率的变化范围使折射率具有任意的数值；而光学折射率的变化范围使折射率具有任意的数值；而光学折射率的变化范围使折射率具有任意的数值；而光学折射率的变化范围很有限。很有限。很有限。很有限。

120、 n n在电子光学系统中，边界一经确定，折射率空间的在电子光学系统中，边界一经确定，折射率空间的在电子光学系统中，边界一经确定，折射率空间的在电子光学系统中，边界一经确定，折射率空间的分布就完全确定，不能自由改变和选择，因此也不能分布就完全确定，不能自由改变和选择，因此也不能分布就完全确定，不能自由改变和选择，因此也不能分布就完全确定，不能自由改变和选择，因此也不能采用几何光学的方法来消除像差；而几何光学中则可采用几何光学的方法来消除像差；而几何光学中则可采用几何光学的方法来消除像差；而几何光学中则可采用几何光学的方法来消除像差；而几何光学中则可通过改变透镜表面的几何形状来减小像差。通过改变透

121、镜表面的几何形状来减小像差。通过改变透镜表面的几何形状来减小像差。通过改变透镜表面的几何形状来减小像差。n n在存在磁场时，电子光学系统折射率与电子运动方在存在磁场时，电子光学系统折射率与电子运动方在存在磁场时，电子光学系统折射率与电子运动方在存在磁场时，电子光学系统折射率与电子运动方向有关，因此，在这种场中电子运动轨迹不可逆。这向有关，因此，在这种场中电子运动轨迹不可逆。这向有关，因此，在这种场中电子运动轨迹不可逆。这向有关，因此，在这种场中电子运动轨迹不可逆。这如同几何光学中各向异性媒质的情况。如同几何光学中各向异性媒质的情况。如同几何光学中各向异性媒质的情况。如同几何光学中各向异性媒质的

122、情况。下一页下一页上一页上一页n n电子光学系统折射率与电子速度的绝对值有关，某电子光学系统折射率与电子速度的绝对值有关，某电子光学系统折射率与电子速度的绝对值有关，某电子光学系统折射率与电子速度的绝对值有关，某点的折射率对于同一阴极发出的初速不同的电子有不点的折射率对于同一阴极发出的初速不同的电子有不点的折射率对于同一阴极发出的初速不同的电子有不点的折射率对于同一阴极发出的初速不同的电子有不同的数值，因而出现了色差。这正如光学介质的折射同的数值，因而出现了色差。这正如光学介质的折射同的数值，因而出现了色差。这正如光学介质的折射同的数值，因而出现了色差。这正如光学介质的折射率与波长有关一样。率

123、与波长有关一样。率与波长有关一样。率与波长有关一样。 此外，在电子光学中有时必须考虑电子之间的斥力，此外，在电子光学中有时必须考虑电子之间的斥力，此外，在电子光学中有时必须考虑电子之间的斥力，此外，在电子光学中有时必须考虑电子之间的斥力，即空间电荷效应，而几何光学中则不存在这种情况。即空间电荷效应，而几何光学中则不存在这种情况。即空间电荷效应，而几何光学中则不存在这种情况。即空间电荷效应，而几何光学中则不存在这种情况。下一页下一页上一页上一页5 5 电子透镜电子透镜 旋转对称电磁场具有聚焦成像性能，通常在电旋转对称电磁场具有聚焦成像性能，通常在电旋转对称电磁场具有聚焦成像性能，通常在电旋转对称

124、电磁场具有聚焦成像性能，通常在电子光学中，也把凡是能形成旋转对称电场、磁场子光学中，也把凡是能形成旋转对称电场、磁场子光学中，也把凡是能形成旋转对称电场、磁场子光学中，也把凡是能形成旋转对称电场、磁场或复合电磁场的电子光学系统中的电极系统和或复合电磁场的电子光学系统中的电极系统和或复合电磁场的电子光学系统中的电极系统和或复合电磁场的电子光学系统中的电极系统和/ / / /或或或或磁场系统称为电子透镜。电子透镜按场的情况分磁场系统称为电子透镜。电子透镜按场的情况分磁场系统称为电子透镜。电子透镜按场的情况分磁场系统称为电子透镜。电子透镜按场的情况分为静电透镜、磁透镜和复合透镜。为静电透镜、磁透镜和

125、复合透镜。为静电透镜、磁透镜和复合透镜。为静电透镜、磁透镜和复合透镜。 最常见的静电透镜按轴上电位分布形状不同可以最常见的静电透镜按轴上电位分布形状不同可以最常见的静电透镜按轴上电位分布形状不同可以最常见的静电透镜按轴上电位分布形状不同可以分为膜孔透镜、单透镜、浸没透镜和阴极透镜四分为膜孔透镜、单透镜、浸没透镜和阴极透镜四分为膜孔透镜、单透镜、浸没透镜和阴极透镜四分为膜孔透镜、单透镜、浸没透镜和阴极透镜四大类。大类。大类。大类。 下一页下一页返回5.4n n（1 1 1 1）膜孔透镜）膜孔透镜）膜孔透镜）膜孔透镜 这种透镜的结构简单：一块薄的膜片，上面这种透镜的结构简单：一块薄的膜片，上面这种

126、透镜的结构简单：一块薄的膜片，上面这种透镜的结构简单：一块薄的膜片，上面开一个很小的圆孔。膜片隔开两个不同的但恒开一个很小的圆孔。膜片隔开两个不同的但恒开一个很小的圆孔。膜片隔开两个不同的但恒开一个很小的圆孔。膜片隔开两个不同的但恒定的电场，即在膜片的两侧分别具有线性上升定的电场，即在膜片的两侧分别具有线性上升定的电场，即在膜片的两侧分别具有线性上升定的电场，即在膜片的两侧分别具有线性上升或下降的电位区域。单独一个圆孔光阑并不能或下降的电位区域。单独一个圆孔光阑并不能或下降的电位区域。单独一个圆孔光阑并不能或下降的电位区域。单独一个圆孔光阑并不能组成一个透镜，在两侧还必须有辅助电极存在。组成一

127、个透镜，在两侧还必须有辅助电极存在。组成一个透镜，在两侧还必须有辅助电极存在。组成一个透镜，在两侧还必须有辅助电极存在。下一页下一页上一页上一页n n（2 2 2 2）单透镜）单透镜）单透镜）单透镜 这种透镜近似于两侧与空气相邻的单个光学会聚透镜。这种透镜近似于两侧与空气相邻的单个光学会聚透镜。这种透镜近似于两侧与空气相邻的单个光学会聚透镜。这种透镜近似于两侧与空气相邻的单个光学会聚透镜。单透镜一般由三个直径相同（或不相同）的同轴圆筒形单透镜一般由三个直径相同（或不相同）的同轴圆筒形单透镜一般由三个直径相同（或不相同）的同轴圆筒形单透镜一般由三个直径相同（或不相同）的同轴圆筒形电极（或膜片）组

128、合而成。通常，三个电极的组合形状电极（或膜片）组合而成。通常，三个电极的组合形状电极（或膜片）组合而成。通常，三个电极的组合形状电极（或膜片）组合而成。通常，三个电极的组合形状是对称的。在这种透镜的两侧具有相同而恒定的电位。是对称的。在这种透镜的两侧具有相同而恒定的电位。是对称的。在这种透镜的两侧具有相同而恒定的电位。是对称的。在这种透镜的两侧具有相同而恒定的电位。由于外侧电极的电位相同（由于外侧电极的电位相同（由于外侧电极的电位相同（由于外侧电极的电位相同（V V V V1 1 1 1V V V V3 3 3 3）而中央电极的电位）而中央电极的电位）而中央电极的电位）而中央电极的电位V V

129、V V2 2 2 2为零，因此只需要一个电位（如为零，因此只需要一个电位（如为零，因此只需要一个电位（如为零，因此只需要一个电位（如V V V V1 1 1 1）就能工作，故这）就能工作，故这）就能工作，故这）就能工作，故这种透镜又称为单电位透镜。种透镜又称为单电位透镜。种透镜又称为单电位透镜。种透镜又称为单电位透镜。下一页下一页上一页上一页n n（3 3 3 3）浸没透镜）浸没透镜）浸没透镜）浸没透镜 在这种透镜的两侧有恒定的电位，但不相同，即电子在这种透镜的两侧有恒定的电位，但不相同，即电子在这种透镜的两侧有恒定的电位，但不相同，即电子在这种透镜的两侧有恒定的电位，但不相同，即电子光学折射

130、率不同。这种透镜类似于光学中为提高透镜分光学折射率不同。这种透镜类似于光学中为提高透镜分光学折射率不同。这种透镜类似于光学中为提高透镜分光学折射率不同。这种透镜类似于光学中为提高透镜分辨力而将光学透镜一侧浸没于油中的情况。大多数浸没辨力而将光学透镜一侧浸没于油中的情况。大多数浸没辨力而将光学透镜一侧浸没于油中的情况。大多数浸没辨力而将光学透镜一侧浸没于油中的情况。大多数浸没透镜由两个圆筒形电极组成，但也可以用两个膜片或一透镜由两个圆筒形电极组成，但也可以用两个膜片或一透镜由两个圆筒形电极组成，但也可以用两个膜片或一透镜由两个圆筒形电极组成，但也可以用两个膜片或一个圆筒与个圆筒与个圆筒与个圆筒与

131、个膜片组合而成。个膜片组合而成。个膜片组合而成。个膜片组合而成。 下一页下一页上一页上一页n n（4 4 4 4）阴极透镜）阴极透镜）阴极透镜）阴极透镜 这种透镜的一边有一垂直于对称轴的通常电位为零这种透镜的一边有一垂直于对称轴的通常电位为零这种透镜的一边有一垂直于对称轴的通常电位为零这种透镜的一边有一垂直于对称轴的通常电位为零的阴极。除阴极外，它还有两个膜孔电极：一个是较的阴极。除阴极外，它还有两个膜孔电极：一个是较的阴极。除阴极外，它还有两个膜孔电极：一个是较的阴极。除阴极外，它还有两个膜孔电极：一个是较阴极电位为负的调制极，一个是较阴极电位高很多的阴极电位为负的调制极，一个是较阴极电位高

132、很多的阴极电位为负的调制极，一个是较阴极电位高很多的阴极电位为负的调制极，一个是较阴极电位高很多的加速极。加速极。加速极。加速极。下一页下一页上一页上一页 在实际情况下，可以把对电子起有效作用的场在实际情况下，可以把对电子起有效作用的场在实际情况下，可以把对电子起有效作用的场在实际情况下，可以把对电子起有效作用的场透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内，称此透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内，称此透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内，称此透镜的作用区间限于一个有限的空间范围内，称此空间为透镜空间。在此空间中，电子轨迹在场的作空间为透镜空间。在此空间中，电子轨迹在场的作空间为透镜空间。在此

133、空间中，电子轨迹在场的作空间为透镜空间。在此空间中，电子轨迹在场的作用下是连续变化的，而物与像则位于透镜场外，透用下是连续变化的，而物与像则位于透镜场外，透用下是连续变化的，而物与像则位于透镜场外，透用下是连续变化的，而物与像则位于透镜场外，透镜场外的空间为等位空间。这种做了理想化的电子镜场外的空间为等位空间。这种做了理想化的电子镜场外的空间为等位空间。这种做了理想化的电子镜场外的空间为等位空间。这种做了理想化的电子透镜称为短透镜（或薄透镜）。在一般情况下，电透镜称为短透镜（或薄透镜）。在一般情况下，电透镜称为短透镜（或薄透镜）。在一般情况下，电透镜称为短透镜（或薄透镜）。在一般情况下，电子光

134、学中所谈及的透镜都属于短透镜。它满足以下子光学中所谈及的透镜都属于短透镜。它满足以下子光学中所谈及的透镜都属于短透镜。它满足以下子光学中所谈及的透镜都属于短透镜。它满足以下条件：条件：条件：条件： 透镜的作用区域（即透镜空间厚度）较之透镜到透镜的作用区域（即透镜空间厚度）较之透镜到透镜的作用区域（即透镜空间厚度）较之透镜到透镜的作用区域（即透镜空间厚度）较之透镜到物、像距离小得多，比焦距小得多，物、像和焦点物、像距离小得多，比焦距小得多，物、像和焦点物、像距离小得多，比焦距小得多，物、像和焦点物、像距离小得多，比焦距小得多，物、像和焦点均在透镜场外；均在透镜场外；均在透镜场外；均在透镜场外；

135、场划分为三个区域：物方空间、透镜空间和像方场划分为三个区域：物方空间、透镜空间和像方场划分为三个区域：物方空间、透镜空间和像方场划分为三个区域：物方空间、透镜空间和像方空间。在物方和像方空间，电位固定不变，电子轨空间。在物方和像方空间，电位固定不变，电子轨空间。在物方和像方空间，电位固定不变，电子轨空间。在物方和像方空间，电位固定不变，电子轨迹为直线。迹为直线。迹为直线。迹为直线。 下一页下一页上一页上一页6 6 典型电子光学系统分析典型电子光学系统分析 常用的电子光学系统可概括为三种类型：双平面常用的电子光学系统可概括为三种类型：双平面常用的电子光学系统可概括为三种类型：双平面常用的电子光学

136、系统可概括为三种类型：双平面近贴电子光学系统；电磁复合聚焦电子光学系统；准近贴电子光学系统；电磁复合聚焦电子光学系统；准近贴电子光学系统；电磁复合聚焦电子光学系统；准近贴电子光学系统；电磁复合聚焦电子光学系统；准球对称电子光学系统。球对称电子光学系统。球对称电子光学系统。球对称电子光学系统。 下一页下一页返回5.4n n1 1 1 1双平面近贴系统双平面近贴系统双平面近贴系统双平面近贴系统 双平面近贴系统是以光阴极为物面、以荧光双平面近贴系统是以光阴极为物面、以荧光双平面近贴系统是以光阴极为物面、以荧光双平面近贴系统是以光阴极为物面、以荧光屏或屏或屏或屏或MCPMCPMCPMCP为像面的电子光

137、学系统。这种系统用为像面的电子光学系统。这种系统用为像面的电子光学系统。这种系统用为像面的电子光学系统。这种系统用于近贴式或双近贴式像管中。它的物面和像面于近贴式或双近贴式像管中。它的物面和像面于近贴式或双近贴式像管中。它的物面和像面于近贴式或双近贴式像管中。它的物面和像面都是平面的，其间的间距很近，由外加的电位都是平面的，其间的间距很近，由外加的电位都是平面的，其间的间距很近，由外加的电位都是平面的，其间的间距很近，由外加的电位差形成轴向均匀场，场强方向指向光阴极。电差形成轴向均匀场，场强方向指向光阴极。电差形成轴向均匀场，场强方向指向光阴极。电差形成轴向均匀场，场强方向指向光阴极。电子由光

138、阴极出射受到电场力的加速作用以高速子由光阴极出射受到电场力的加速作用以高速子由光阴极出射受到电场力的加速作用以高速子由光阴极出射受到电场力的加速作用以高速到达像面。这种系统的结构简单，易于小型化，到达像面。这种系统的结构简单，易于小型化，到达像面。这种系统的结构简单，易于小型化，到达像面。这种系统的结构简单，易于小型化，且边缘与中心的像质一样，没有畸变。分辨力且边缘与中心的像质一样，没有畸变。分辨力且边缘与中心的像质一样，没有畸变。分辨力且边缘与中心的像质一样，没有畸变。分辨力不高是其主要的缺点。不高是其主要的缺点。不高是其主要的缺点。不高是其主要的缺点。下一页下一页上一页上一页n n2 2

139、2 2电磁复合聚焦系统电磁复合聚焦系统电磁复合聚焦系统电磁复合聚焦系统 电磁复合聚焦系统是采用均匀的轴向电磁场，电磁复合聚焦系统是采用均匀的轴向电磁场，电磁复合聚焦系统是采用均匀的轴向电磁场，电磁复合聚焦系统是采用均匀的轴向电磁场，电场的场强方向垂直于光阴极，方向指向光阴极，电场的场强方向垂直于光阴极，方向指向光阴极，电场的场强方向垂直于光阴极，方向指向光阴极，电场的场强方向垂直于光阴极，方向指向光阴极，磁场的磁感应强度也垂直于光阴极，但方向与电磁场的磁感应强度也垂直于光阴极，但方向与电磁场的磁感应强度也垂直于光阴极，但方向与电磁场的磁感应强度也垂直于光阴极，但方向与电场相反。该系统的物面和像

140、面都是平面并彼此平场相反。该系统的物面和像面都是平面并彼此平场相反。该系统的物面和像面都是平面并彼此平场相反。该系统的物面和像面都是平面并彼此平行。在有效聚焦区域内，电场和磁场都是完全均行。在有效聚焦区域内，电场和磁场都是完全均行。在有效聚焦区域内，电场和磁场都是完全均行。在有效聚焦区域内，电场和磁场都是完全均匀的。匀的。匀的。匀的。 下一页下一页上一页上一页5.5 5.5 电子图像的发光显示电子图像的发光显示 像管是借助于荧光屏将电子图像转换为可见像管是借助于荧光屏将电子图像转换为可见像管是借助于荧光屏将电子图像转换为可见像管是借助于荧光屏将电子图像转换为可见光图像的。荧光屏由受高能电子轰击

141、而发光的光图像的。荧光屏由受高能电子轰击而发光的光图像的。荧光屏由受高能电子轰击而发光的光图像的。荧光屏由受高能电子轰击而发光的材料制成。某些金属的硫化物、氧化物或硅酸材料制成。某些金属的硫化物、氧化物或硅酸材料制成。某些金属的硫化物、氧化物或硅酸材料制成。某些金属的硫化物、氧化物或硅酸盐等粉末状晶体在适当掺杂后就具有受激发光盐等粉末状晶体在适当掺杂后就具有受激发光盐等粉末状晶体在适当掺杂后就具有受激发光盐等粉末状晶体在适当掺杂后就具有受激发光的特性。这些材料称之为晶态磷光体。晶态磷的特性。这些材料称之为晶态磷光体。晶态磷的特性。这些材料称之为晶态磷光体。晶态磷的特性。这些材料称之为晶态磷光体

142、。晶态磷光体在受电子激发时产生的光发射称为荧光，光体在受电子激发时产生的光发射称为荧光，光体在受电子激发时产生的光发射称为荧光，光体在受电子激发时产生的光发射称为荧光，停止电子激发后持续产生的光发射称为磷光。停止电子激发后持续产生的光发射称为磷光。停止电子激发后持续产生的光发射称为磷光。停止电子激发后持续产生的光发射称为磷光。 下一页下一页返回5.5.1 5.5.1 荧光层发光理论基础荧光层发光理论基础n n1 1 1 1 荧光屏的构成荧光屏的构成荧光屏的构成荧光屏的构成镀铝荧光屏的剖面图镀铝荧光屏的剖面图1 1铝膜；铝膜；2 2荧光粉层；荧光粉层；3 3玻璃或光纤面板玻璃或光纤面板下一页下一

143、页上一页上一页返回返回5.55.5 荧光屏的底层是由晶态磷光体微细颗粒沉积荧光屏的底层是由晶态磷光体微细颗粒沉积荧光屏的底层是由晶态磷光体微细颗粒沉积荧光屏的底层是由晶态磷光体微细颗粒沉积而成的薄层，其厚度稍大于颗粒直径。所用的而成的薄层，其厚度稍大于颗粒直径。所用的而成的薄层，其厚度稍大于颗粒直径。所用的而成的薄层，其厚度稍大于颗粒直径。所用的晶态磷光体先在水中用重力沉积的方式进行颗晶态磷光体先在水中用重力沉积的方式进行颗晶态磷光体先在水中用重力沉积的方式进行颗晶态磷光体先在水中用重力沉积的方式进行颗粒分选。颗粒越细获得的图像分辨率就越高，粒分选。颗粒越细获得的图像分辨率就越高，粒分选。颗粒

144、越细获得的图像分辨率就越高，粒分选。颗粒越细获得的图像分辨率就越高，但发光效率则与之相反。通常选取颗粒直径与但发光效率则与之相反。通常选取颗粒直径与但发光效率则与之相反。通常选取颗粒直径与但发光效率则与之相反。通常选取颗粒直径与荧光屏厚度相近，这样可获得发光效率与图像荧光屏厚度相近，这样可获得发光效率与图像荧光屏厚度相近，这样可获得发光效率与图像荧光屏厚度相近，这样可获得发光效率与图像分辨力的最佳组合。分辨力的最佳组合。分辨力的最佳组合。分辨力的最佳组合。 在荧光屏的表层上蒸镀一层铝膜。铝膜的厚在荧光屏的表层上蒸镀一层铝膜。铝膜的厚在荧光屏的表层上蒸镀一层铝膜。铝膜的厚在荧光屏的表层上蒸镀一层

145、铝膜。铝膜的厚度约为度约为度约为度约为0.1m0.1m0.1m0.1m。其作用为：引走积累的负电荷；。其作用为：引走积累的负电荷；。其作用为：引走积累的负电荷；。其作用为：引走积累的负电荷；防止光反馈给光阴极；使荧光屏形成等电位；防止光反馈给光阴极；使荧光屏形成等电位；防止光反馈给光阴极；使荧光屏形成等电位；防止光反馈给光阴极；使荧光屏形成等电位；将光反射到输出方向。通常的铝膜是在真空状将光反射到输出方向。通常的铝膜是在真空状将光反射到输出方向。通常的铝膜是在真空状将光反射到输出方向。通常的铝膜是在真空状态下蒸镀的亮铝膜，也可是在充氩气状态下蒸态下蒸镀的亮铝膜，也可是在充氩气状态下蒸态下蒸镀的

146、亮铝膜，也可是在充氩气状态下蒸态下蒸镀的亮铝膜，也可是在充氩气状态下蒸镀的黑铝膜，后者有利于改善输出图像的对比镀的黑铝膜，后者有利于改善输出图像的对比镀的黑铝膜，后者有利于改善输出图像的对比镀的黑铝膜，后者有利于改善输出图像的对比度。度。度。度。下一页下一页上一页上一页n n2 2 2 2 荧光层的发光理论荧光层的发光理论荧光层的发光理论荧光层的发光理论 描述荧光屏受激发光的机理有两种理论模型：一种描述荧光屏受激发光的机理有两种理论模型：一种描述荧光屏受激发光的机理有两种理论模型：一种描述荧光屏受激发光的机理有两种理论模型：一种是用于解释复合发光过程的固体能带模型；另一种是是用于解释复合发光过

147、程的固体能带模型；另一种是是用于解释复合发光过程的固体能带模型；另一种是是用于解释复合发光过程的固体能带模型；另一种是用于解释分立发光过程的位形坐标模型。用于解释分立发光过程的位形坐标模型。用于解释分立发光过程的位形坐标模型。用于解释分立发光过程的位形坐标模型。（1 1 1 1）复合发光的能带模型理论）复合发光的能带模型理论）复合发光的能带模型理论）复合发光的能带模型理论 由受激辐射的理论可知，晶态磷光体的发光取决于由受激辐射的理论可知，晶态磷光体的发光取决于由受激辐射的理论可知，晶态磷光体的发光取决于由受激辐射的理论可知，晶态磷光体的发光取决于电子能态的跃迁。因此受激辐射可见光的条件是电子电

148、子能态的跃迁。因此受激辐射可见光的条件是电子电子能态的跃迁。因此受激辐射可见光的条件是电子电子能态的跃迁。因此受激辐射可见光的条件是电子跃迁的能级差必须与可见光光子的能量相同。晶体中跃迁的能级差必须与可见光光子的能量相同。晶体中跃迁的能级差必须与可见光光子的能量相同。晶体中跃迁的能级差必须与可见光光子的能量相同。晶体中掺入的适量杂质称为激活剂，由激活剂的原子所产生掺入的适量杂质称为激活剂，由激活剂的原子所产生掺入的适量杂质称为激活剂，由激活剂的原子所产生掺入的适量杂质称为激活剂，由激活剂的原子所产生的局部能级刚好满足受激辐射可见光子的条件，这些的局部能级刚好满足受激辐射可见光子的条件，这些的局

149、部能级刚好满足受激辐射可见光子的条件，这些的局部能级刚好满足受激辐射可见光子的条件，这些激活剂杂质所构成的局部能态称为发光中心。激活剂杂质所构成的局部能态称为发光中心。激活剂杂质所构成的局部能态称为发光中心。激活剂杂质所构成的局部能态称为发光中心。 高能电子轰击晶态磷光体会产生受激电子，受激电高能电子轰击晶态磷光体会产生受激电子，受激电高能电子轰击晶态磷光体会产生受激电子，受激电高能电子轰击晶态磷光体会产生受激电子，受激电子与电离的发光中心相互复合辐射出可见光光子。子与电离的发光中心相互复合辐射出可见光光子。子与电离的发光中心相互复合辐射出可见光光子。子与电离的发光中心相互复合辐射出可见光光子

150、。 下一页下一页上一页上一页 由高能电子轰击晶态磷光体所产生的受激电子，将通由高能电子轰击晶态磷光体所产生的受激电子，将通由高能电子轰击晶态磷光体所产生的受激电子，将通由高能电子轰击晶态磷光体所产生的受激电子，将通过以下三种方式与电离的发光中心相互复合辐射出可过以下三种方式与电离的发光中心相互复合辐射出可过以下三种方式与电离的发光中心相互复合辐射出可过以下三种方式与电离的发光中心相互复合辐射出可见光光子：见光光子：见光光子：见光光子： 在靠近电离的发光中心产生的受激电子，经过短距离在靠近电离的发光中心产生的受激电子，经过短距离在靠近电离的发光中心产生的受激电子，经过短距离在靠近电离的发光中心产

151、生的受激电子，经过短距离的迁移就可以与电离的发光中心复合。的迁移就可以与电离的发光中心复合。的迁移就可以与电离的发光中心复合。的迁移就可以与电离的发光中心复合。 在导带中迁移的受激电子，可能被某些浅的局部能级在导带中迁移的受激电子，可能被某些浅的局部能级在导带中迁移的受激电子，可能被某些浅的局部能级在导带中迁移的受激电子，可能被某些浅的局部能级所俘获，而后借助于晶格振动能量再次跃迁到导带，所俘获，而后借助于晶格振动能量再次跃迁到导带，所俘获，而后借助于晶格振动能量再次跃迁到导带，所俘获，而后借助于晶格振动能量再次跃迁到导带，再与电离的发光中心复合而辐射光子。这一过程由于再与电离的发光中心复合而

152、辐射光子。这一过程由于再与电离的发光中心复合而辐射光子。这一过程由于再与电离的发光中心复合而辐射光子。这一过程由于受激电子被局部能态俘获而延迟，所以发光要滞后于受激电子被局部能态俘获而延迟，所以发光要滞后于受激电子被局部能态俘获而延迟，所以发光要滞后于受激电子被局部能态俘获而延迟，所以发光要滞后于电子轰击的时间。由此构成荧光屏发光的余辉过程。电子轰击的时间。由此构成荧光屏发光的余辉过程。电子轰击的时间。由此构成荧光屏发光的余辉过程。电子轰击的时间。由此构成荧光屏发光的余辉过程。 受激电子在导带中迁移时，又可能被较深的局部能级受激电子在导带中迁移时，又可能被较深的局部能级受激电子在导带中迁移时，

153、又可能被较深的局部能级受激电子在导带中迁移时，又可能被较深的局部能级所俘获。常温下，晶格振动能不足以使电子逸出这个所俘获。常温下，晶格振动能不足以使电子逸出这个所俘获。常温下，晶格振动能不足以使电子逸出这个所俘获。常温下，晶格振动能不足以使电子逸出这个能级，只有在加热或辐射照射等外界条件下才能使电能级，只有在加热或辐射照射等外界条件下才能使电能级，只有在加热或辐射照射等外界条件下才能使电能级，只有在加热或辐射照射等外界条件下才能使电子获释。称为热释光或光释光过程。子获释。称为热释光或光释光过程。子获释。称为热释光或光释光过程。子获释。称为热释光或光释光过程。 下一页下一页上一页上一页 上述的三

154、种发光方式具有共同的特点，即吸收上述的三种发光方式具有共同的特点，即吸收上述的三种发光方式具有共同的特点，即吸收上述的三种发光方式具有共同的特点，即吸收电子轰击的能量是在基质中进行，而辐射光子是电子轰击的能量是在基质中进行，而辐射光子是电子轰击的能量是在基质中进行，而辐射光子是电子轰击的能量是在基质中进行，而辐射光子是在激活剂处完成。由吸收和辐射两个过程的复合在激活剂处完成。由吸收和辐射两个过程的复合在激活剂处完成。由吸收和辐射两个过程的复合在激活剂处完成。由吸收和辐射两个过程的复合才构成发光的全过程。因此称为复合发光。又由才构成发光的全过程。因此称为复合发光。又由才构成发光的全过程。因此称为

155、复合发光。又由才构成发光的全过程。因此称为复合发光。又由于该过程中还伴随有电子和空穴的漂移或扩散，于该过程中还伴随有电子和空穴的漂移或扩散，于该过程中还伴随有电子和空穴的漂移或扩散，于该过程中还伴随有电子和空穴的漂移或扩散，从而产生特征性的光电导现象从而产生特征性的光电导现象从而产生特征性的光电导现象从而产生特征性的光电导现象, , , ,因此复合发光又因此复合发光又因此复合发光又因此复合发光又称为光电导型发光。称为光电导型发光。称为光电导型发光。称为光电导型发光。下一页下一页上一页上一页（2 2 2 2）分立发光的位形坐标模型理论）分立发光的位形坐标模型理论）分立发光的位形坐标模型理论）分立

156、发光的位形坐标模型理论 晶态磷光体还存在着另一种发光过程。这种发光过程晶态磷光体还存在着另一种发光过程。这种发光过程晶态磷光体还存在着另一种发光过程。这种发光过程晶态磷光体还存在着另一种发光过程。这种发光过程的特点是：电子的受激与光子的辐射在单一发光中心的的特点是：电子的受激与光子的辐射在单一发光中心的的特点是：电子的受激与光子的辐射在单一发光中心的的特点是：电子的受激与光子的辐射在单一发光中心的内部进行。每一发光的全过程只与一个激活剂发光中心内部进行。每一发光的全过程只与一个激活剂发光中心内部进行。每一发光的全过程只与一个激活剂发光中心内部进行。每一发光的全过程只与一个激活剂发光中心有关，彼

157、此是分立的，因此称之为分立发光。由于发光有关，彼此是分立的，因此称之为分立发光。由于发光有关，彼此是分立的，因此称之为分立发光。由于发光有关，彼此是分立的，因此称之为分立发光。由于发光过程并不伴随有电子和空穴的迁移，故又称之为非光电过程并不伴随有电子和空穴的迁移，故又称之为非光电过程并不伴随有电子和空穴的迁移，故又称之为非光电过程并不伴随有电子和空穴的迁移，故又称之为非光电导型发光。典型的分立发光材料是钨酸钙。导型发光。典型的分立发光材料是钨酸钙。导型发光。典型的分立发光材料是钨酸钙。导型发光。典型的分立发光材料是钨酸钙。 分立发光的过程只局限在发光中心上。入射的高能电分立发光的过程只局限在发

158、光中心上。入射的高能电分立发光的过程只局限在发光中心上。入射的高能电分立发光的过程只局限在发光中心上。入射的高能电子，可直接使电子由发光中心的基态激发到受激态。电子，可直接使电子由发光中心的基态激发到受激态。电子，可直接使电子由发光中心的基态激发到受激态。电子，可直接使电子由发光中心的基态激发到受激态。电子在受激态是不稳定的，它有两种可能：一是以一定的子在受激态是不稳定的，它有两种可能：一是以一定的子在受激态是不稳定的，它有两种可能：一是以一定的子在受激态是不稳定的，它有两种可能：一是以一定的激发态寿命时间存留在受激态，而后直接回到基态并辐激发态寿命时间存留在受激态，而后直接回到基态并辐激发态

159、寿命时间存留在受激态，而后直接回到基态并辐激发态寿命时间存留在受激态，而后直接回到基态并辐射出可见光光子；另一种可能是被亚稳态的能级所俘获，射出可见光光子；另一种可能是被亚稳态的能级所俘获，射出可见光光子；另一种可能是被亚稳态的能级所俘获，射出可见光光子；另一种可能是被亚稳态的能级所俘获，而后在晶格振动或其他能量作用下获释再跃迁回到基态而后在晶格振动或其他能量作用下获释再跃迁回到基态而后在晶格振动或其他能量作用下获释再跃迁回到基态而后在晶格振动或其他能量作用下获释再跃迁回到基态并辐射光子。并辐射光子。并辐射光子。并辐射光子。下一页下一页上一页上一页5.5.2 5.5.2 荧光屏发光衰减过程荧光

160、屏发光衰减过程n n1 1 1 1复合发光衰减的基本规律复合发光衰减的基本规律复合发光衰减的基本规律复合发光衰减的基本规律 当导带中电子被附着能级截获的有效面积远小于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积远小于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积远小于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积远小于与电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时： 其中其中其中其中p p p p表示晶格热运动使附着能级上电子获释的几率。表示晶格热运动使附着能级上电子获释的几率。表示晶格热运动使附着能级上电子获释的几率。表示晶格热运动

161、使附着能级上电子获释的几率。 当导带中电子被附着能级截获的有效面积约等于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积约等于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积约等于与当导带中电子被附着能级截获的有效面积约等于与电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时：电离的发光中心复合的有效截面时： 其中其中其中其中 分别为附着能级总数分别为附着能级总数分别为附着能级总数分别为附着能级总数 和受激的发光中心数。和受激的发光中心数。和受激的发光中心数。和受激的发光中心数。 可以看出理想晶态磷光体复合发光的衰减规律包含指可以看出理想晶态磷光体复合发光的衰减规律包含

162、指可以看出理想晶态磷光体复合发光的衰减规律包含指可以看出理想晶态磷光体复合发光的衰减规律包含指数函数和双曲线函数。数函数和双曲线函数。数函数和双曲线函数。数函数和双曲线函数。 下一页下一页上一页上一页返回返回5.55.5n n2 2 2 2分立发光衰减的基本规律分立发光衰减的基本规律分立发光衰减的基本规律分立发光衰减的基本规律 理想的分立发光过程可直接由电子处于受激理想的分立发光过程可直接由电子处于受激理想的分立发光过程可直接由电子处于受激理想的分立发光过程可直接由电子处于受激态的寿命态的寿命态的寿命态的寿命0 0 0 0来求出发光的衰减规律。则发光来求出发光的衰减规律。则发光来求出发光的衰减

163、规律。则发光来求出发光的衰减规律。则发光强度随时间强度随时间强度随时间强度随时间t t t t衰减的规律为：衰减的规律为：衰减的规律为：衰减的规律为： 上式表明，这一衰减规律呈指数型衰减。上式表明，这一衰减规律呈指数型衰减。上式表明，这一衰减规律呈指数型衰减。上式表明，这一衰减规律呈指数型衰减。下一页下一页上一页上一页5.6 5.6 光学图像的传像与电子图像的倍光学图像的传像与电子图像的倍增增n n5.6.1 5.6.1 5.6.1 5.6.1 光学纤维面板光学纤维面板光学纤维面板光学纤维面板 n n5.6.2 5.6.2 5.6.2 5.6.2 微通道板（微通道板（微通道板（微通道板（MCP

164、MCPMCPMCP） 下一页下一页返回5.6.1 5.6.1 光学纤维面板光学纤维面板 一代级联式像增强器的输入窗和输出窗都是由光一代级联式像增强器的输入窗和输出窗都是由光一代级联式像增强器的输入窗和输出窗都是由光一代级联式像增强器的输入窗和输出窗都是由光学纤维面板所制成，利用光学纤维面板之间通过光学纤维面板所制成，利用光学纤维面板之间通过光学纤维面板所制成，利用光学纤维面板之间通过光学纤维面板所制成，利用光学纤维面板之间通过光学接触即可传像的性能，可以直接耦合。同时，光学接触即可传像的性能，可以直接耦合。同时，光学接触即可传像的性能，可以直接耦合。同时，光学接触即可传像的性能，可以直接耦合。

165、同时，光学纤维面板又使像增强器获得以下优点：学纤维面板又使像增强器获得以下优点：学纤维面板又使像增强器获得以下优点：学纤维面板又使像增强器获得以下优点： 增加了传递图像的传光效率；增加了传递图像的传光效率；增加了传递图像的传光效率；增加了传递图像的传光效率； 提供了采用准球对称电子光学系统的可能性，提供了采用准球对称电子光学系统的可能性，提供了采用准球对称电子光学系统的可能性，提供了采用准球对称电子光学系统的可能性，从而改善了像质；从而改善了像质；从而改善了像质；从而改善了像质； 可制成锥形光学纤维面板或光学纤维扭像器。可制成锥形光学纤维面板或光学纤维扭像器。可制成锥形光学纤维面板或光学纤维扭

166、像器。可制成锥形光学纤维面板或光学纤维扭像器。下一页下一页上一页上一页返回返回5.65.6n n1 1 1 1传像原理传像原理传像原理传像原理 光学纤维面板可以将输入端面上的像传递到光学纤维面板可以将输入端面上的像传递到光学纤维面板可以将输入端面上的像传递到光学纤维面板可以将输入端面上的像传递到输出端面上，其由密集的微细光导管组成，在输出端面上，其由密集的微细光导管组成，在输出端面上，其由密集的微细光导管组成，在输出端面上，其由密集的微细光导管组成，在两个端面进行抛光。每根光导管都是由高折射两个端面进行抛光。每根光导管都是由高折射两个端面进行抛光。每根光导管都是由高折射两个端面进行抛光。每根光

167、导管都是由高折射率的玻璃做芯，低折射率的玻璃做外皮，其外率的玻璃做芯，低折射率的玻璃做外皮，其外率的玻璃做芯，低折射率的玻璃做外皮，其外率的玻璃做芯，低折射率的玻璃做外皮，其外表再涂以吸光层制成，称之为光导纤维。表再涂以吸光层制成，称之为光导纤维。表再涂以吸光层制成，称之为光导纤维。表再涂以吸光层制成，称之为光导纤维。 光学纤维面板是基于光线的全反射原理进光学纤维面板是基于光线的全反射原理进光学纤维面板是基于光线的全反射原理进光学纤维面板是基于光线的全反射原理进行传像的，由于光导纤维的芯料折射率高于皮行传像的，由于光导纤维的芯料折射率高于皮行传像的，由于光导纤维的芯料折射率高于皮行传像的，由于

168、光导纤维的芯料折射率高于皮料的折射率，因此入射角小于全反射临界角的料的折射率，因此入射角小于全反射临界角的料的折射率，因此入射角小于全反射临界角的料的折射率，因此入射角小于全反射临界角的全部光线都只能在内芯中反射。所以每一根光全部光线都只能在内芯中反射。所以每一根光全部光线都只能在内芯中反射。所以每一根光全部光线都只能在内芯中反射。所以每一根光导纤维能独立地传递光线，且相互之间不串光。导纤维能独立地传递光线，且相互之间不串光。导纤维能独立地传递光线，且相互之间不串光。导纤维能独立地传递光线，且相互之间不串光。由大量光导纤维所组成的面板则可以传递一幅由大量光导纤维所组成的面板则可以传递一幅由大量

169、光导纤维所组成的面板则可以传递一幅由大量光导纤维所组成的面板则可以传递一幅光学图像。光学图像。光学图像。光学图像。 下一页下一页上一页上一页光导纤维的全反射示意图光导纤维的全反射示意图 返回返回 光学纤维面板具有不同的类型。例如根据端光学纤维面板具有不同的类型。例如根据端光学纤维面板具有不同的类型。例如根据端光学纤维面板具有不同的类型。例如根据端面的形状分为双平面型和平面的形状分为双平面型和平面的形状分为双平面型和平面的形状分为双平面型和平- - - -凹球面型。平凹球面型。平凹球面型。平凹球面型。平- - - -凹凹凹凹球面型的光学纤维面板用于制作准球对称电子球面型的光学纤维面板用于制作准球

170、对称电子球面型的光学纤维面板用于制作准球对称电子球面型的光学纤维面板用于制作准球对称电子光学系统的像管。根据传像性能，又可分为普光学系统的像管。根据传像性能，又可分为普光学系统的像管。根据传像性能，又可分为普光学系统的像管。根据传像性能，又可分为普通光学纤维面板、变放大率的锥形光学纤维面通光学纤维面板、变放大率的锥形光学纤维面通光学纤维面板、变放大率的锥形光学纤维面通光学纤维面板、变放大率的锥形光学纤维面板和传递倒像的扭像器等。板和传递倒像的扭像器等。板和传递倒像的扭像器等。板和传递倒像的扭像器等。 下一页下一页上一页上一页n n2 2 2 2锥形光学纤维面板和扭像器锥形光学纤维面板和扭像器锥

171、形光学纤维面板和扭像器锥形光学纤维面板和扭像器 锥形光导纤维所组成的光学纤维锥形光导纤维所组成的光学纤维锥形光导纤维所组成的光学纤维锥形光导纤维所组成的光学纤维 面板具有放大和缩小图像的作用。面板具有放大和缩小图像的作用。面板具有放大和缩小图像的作用。面板具有放大和缩小图像的作用。 锥形光学纤维面板传递图像的原理锥形光学纤维面板传递图像的原理锥形光学纤维面板传递图像的原理锥形光学纤维面板传递图像的原理 与普通光学纤维面板是相同的，只与普通光学纤维面板是相同的，只与普通光学纤维面板是相同的，只与普通光学纤维面板是相同的，只 是图像传递的放大率不等于是图像传递的放大率不等于是图像传递的放大率不等于

172、是图像传递的放大率不等于1 1 1 1。 采用扭像的光学纤维面板可以实现采用扭像的光学纤维面板可以实现采用扭像的光学纤维面板可以实现采用扭像的光学纤维面板可以实现 像管倒像。这种光学纤维面板的输像管倒像。这种光学纤维面板的输像管倒像。这种光学纤维面板的输像管倒像。这种光学纤维面板的输 入面与其输出面之间旋转了入面与其输出面之间旋转了入面与其输出面之间旋转了入面与其输出面之间旋转了180180180180， 因此，每根光导纤维的两端都对应因此，每根光导纤维的两端都对应因此，每根光导纤维的两端都对应因此，每根光导纤维的两端都对应 地旋转地旋转地旋转地旋转180180180180。所以它的输入像与其

173、输出像刚好呈正像。所以它的输入像与其输出像刚好呈正像。所以它的输入像与其输出像刚好呈正像。所以它的输入像与其输出像刚好呈正像与倒像的关系。通常将这种能成倒像的光学纤维面板与倒像的关系。通常将这种能成倒像的光学纤维面板与倒像的关系。通常将这种能成倒像的光学纤维面板与倒像的关系。通常将这种能成倒像的光学纤维面板称之为光学纤维扭像器。称之为光学纤维扭像器。称之为光学纤维扭像器。称之为光学纤维扭像器。下一页下一页上一页上一页n n3 3 3 3 数值孔径与三环效应数值孔径与三环效应数值孔径与三环效应数值孔径与三环效应 表征光学元件集光性能的参数是数值孔径。表征光学元件集光性能的参数是数值孔径。表征光学

174、元件集光性能的参数是数值孔径。表征光学元件集光性能的参数是数值孔径。 光学纤维面板的有效传光效率总是小于光学纤维面板的有效传光效率总是小于光学纤维面板的有效传光效率总是小于光学纤维面板的有效传光效率总是小于1 1 1 1的。当入的。当入的。当入的。当入射光为朗伯光源时，其效率约为射光为朗伯光源时，其效率约为射光为朗伯光源时，其效率约为射光为朗伯光源时，其效率约为50%50%50%50%60%60%60%60%。降低有。降低有。降低有。降低有效传光效率的因素有：效传光效率的因素有：效传光效率的因素有：效传光效率的因素有： 入射到光导纤维外皮的光全部是无效的。通常光入射到光导纤维外皮的光全部是无效

175、的。通常光入射到光导纤维外皮的光全部是无效的。通常光入射到光导纤维外皮的光全部是无效的。通常光学纤维面板的外皮截面面积占总截面面积的比例约学纤维面板的外皮截面面积占总截面面积的比例约学纤维面板的外皮截面面积占总截面面积的比例约学纤维面板的外皮截面面积占总截面面积的比例约为为为为30303030； 光线在光学纤维面板端面上及界面处的反射损失；光线在光学纤维面板端面上及界面处的反射损失；光线在光学纤维面板端面上及界面处的反射损失；光线在光学纤维面板端面上及界面处的反射损失； 光线在光导纤维之间的串光损失。光线在光导纤维之间的串光损失。光线在光导纤维之间的串光损失。光线在光导纤维之间的串光损失。下一

176、页下一页上一页上一页 光导纤维间串光的起因可以用三环效应来说明。当光导纤维间串光的起因可以用三环效应来说明。当光导纤维间串光的起因可以用三环效应来说明。当光导纤维间串光的起因可以用三环效应来说明。当用准直光束照射光学纤维面板时，其输出光呈现三用准直光束照射光学纤维面板时，其输出光呈现三用准直光束照射光学纤维面板时，其输出光呈现三用准直光束照射光学纤维面板时，其输出光呈现三个环带，它们分别为：个环带，它们分别为：个环带，它们分别为：个环带，它们分别为： 出射角最小的第一环带光，其出射角出射角最小的第一环带光，其出射角出射角最小的第一环带光，其出射角出射角最小的第一环带光，其出射角0 0 0 0与

177、入射与入射与入射与入射角角角角i i i i呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系 这是由光导纤维内芯向外皮串光所产生的光环。这是由光导纤维内芯向外皮串光所产生的光环。这是由光导纤维内芯向外皮串光所产生的光环。这是由光导纤维内芯向外皮串光所产生的光环。 出射角相等的第二环带光。其出射角出射角相等的第二环带光。其出射角出射角相等的第二环带光。其出射角出射角相等的第二环带光。其出射角0 0 0 0与入射与入射与入射与入射角角角角i i i i呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系呈下式所表述的关系 sinsinsinsin0 0 0 0 =sin

178、=sin =sin =sini i i i 这是由光导纤维内芯经全反射所产生的光环，同时这是由光导纤维内芯经全反射所产生的光环，同时这是由光导纤维内芯经全反射所产生的光环，同时这是由光导纤维内芯经全反射所产生的光环，同时也有入射到纤维外皮又由外皮出射的光。也有入射到纤维外皮又由外皮出射的光。也有入射到纤维外皮又由外皮出射的光。也有入射到纤维外皮又由外皮出射的光。 下一页下一页上一页上一页 出射角最大的第三环带光，其出射角出射角最大的第三环带光，其出射角出射角最大的第三环带光，其出射角出射角最大的第三环带光，其出射角0 0 0 0与入射与入射与入射与入射角角角角i i i i呈下式所表达的关系呈

179、下式所表达的关系呈下式所表达的关系呈下式所表达的关系 这是由光导纤维外皮向内芯串光所产生的光环。这是由光导纤维外皮向内芯串光所产生的光环。这是由光导纤维外皮向内芯串光所产生的光环。这是由光导纤维外皮向内芯串光所产生的光环。 在上述三个环带光中只有由光导纤维内芯出射的在上述三个环带光中只有由光导纤维内芯出射的在上述三个环带光中只有由光导纤维内芯出射的在上述三个环带光中只有由光导纤维内芯出射的第二个光环是有效传递图像的光。其余都是非有效第二个光环是有效传递图像的光。其余都是非有效第二个光环是有效传递图像的光。其余都是非有效第二个光环是有效传递图像的光。其余都是非有效光，将造成图像对比度的损失。通常

180、为了减少这一光，将造成图像对比度的损失。通常为了减少这一光，将造成图像对比度的损失。通常为了减少这一光，将造成图像对比度的损失。通常为了减少这一损失而在光导纤维的外部涂以吸光层或在缝隙中加损失而在光导纤维的外部涂以吸光层或在缝隙中加损失而在光导纤维的外部涂以吸光层或在缝隙中加损失而在光导纤维的外部涂以吸光层或在缝隙中加入吸光丝。通过吸收杂散的串光来改善光学纤维面入吸光丝。通过吸收杂散的串光来改善光学纤维面入吸光丝。通过吸收杂散的串光来改善光学纤维面入吸光丝。通过吸收杂散的串光来改善光学纤维面板的传像特性。板的传像特性。板的传像特性。板的传像特性。 下一页下一页上一页上一页5.6.2 5.6.2

181、 微通道板（微通道板（MCPMCP） MCPMCPMCPMCP的最重要应用是作为二维电子图像倍增级。的最重要应用是作为二维电子图像倍增级。的最重要应用是作为二维电子图像倍增级。的最重要应用是作为二维电子图像倍增级。由于它具有高增益、低噪声、高分辨力、宽频由于它具有高增益、低噪声、高分辨力、宽频由于它具有高增益、低噪声、高分辨力、宽频由于它具有高增益、低噪声、高分辨力、宽频带、低功耗、长寿命及自饱和效应等优点，因带、低功耗、长寿命及自饱和效应等优点，因带、低功耗、长寿命及自饱和效应等优点，因带、低功耗、长寿命及自饱和效应等优点，因而被广泛用在像管、高速光电倍增管、阴极射而被广泛用在像管、高速光电

182、倍增管、阴极射而被广泛用在像管、高速光电倍增管、阴极射而被广泛用在像管、高速光电倍增管、阴极射线管、摄像管、存储管以及电子、离子、线管、摄像管、存储管以及电子、离子、线管、摄像管、存储管以及电子、离子、线管、摄像管、存储管以及电子、离子、X X X X射线射线射线射线和紫外线探测器等领域。和紫外线探测器等领域。和紫外线探测器等领域。和紫外线探测器等领域。 下一页下一页上一页上一页返回返回5.65.6n n1 1 1 1MCPMCPMCPMCP的构成的构成的构成的构成 MCPMCPMCPMCP的结构是由大量平行堆集的单通道电子倍增器的结构是由大量平行堆集的单通道电子倍增器的结构是由大量平行堆集的

183、单通道电子倍增器的结构是由大量平行堆集的单通道电子倍增器组成的薄板。它实际上是一块通道内壁具有良好二组成的薄板。它实际上是一块通道内壁具有良好二组成的薄板。它实际上是一块通道内壁具有良好二组成的薄板。它实际上是一块通道内壁具有良好二次发射性能和一定导电性能的微细空心通道玻璃纤次发射性能和一定导电性能的微细空心通道玻璃纤次发射性能和一定导电性能的微细空心通道玻璃纤次发射性能和一定导电性能的微细空心通道玻璃纤维面板。这些微通道的孔径为维面板。这些微通道的孔径为维面板。这些微通道的孔径为维面板。这些微通道的孔径为6 6 6 612m12m12m12m。孔间距尽。孔间距尽。孔间距尽。孔间距尽可能小，以

184、求尽量减少非通孔的端面。端面上的开可能小，以求尽量减少非通孔的端面。端面上的开可能小，以求尽量减少非通孔的端面。端面上的开可能小，以求尽量减少非通孔的端面。端面上的开口面积比为口面积比为口面积比为口面积比为5555555585858585。通道的长度与孔径之比的。通道的长度与孔径之比的。通道的长度与孔径之比的。通道的长度与孔径之比的典型值为典型值为典型值为典型值为40404040。在。在。在。在MCPMCPMCPMCP的两个端面镀有镍层，形成输入的两个端面镀有镍层，形成输入的两个端面镀有镍层，形成输入的两个端面镀有镍层，形成输入电极和输出电极。在电极和输出电极。在电极和输出电极。在电极和输出电

185、极。在MCPMCPMCPMCP的外缘带有加固环。通常微的外缘带有加固环。通常微的外缘带有加固环。通常微的外缘带有加固环。通常微通道不垂直于端面，而具有通道不垂直于端面，而具有通道不垂直于端面，而具有通道不垂直于端面，而具有7 7 7 715151515的斜角。的斜角。的斜角。的斜角。 下一页下一页上一页上一页微通道板剖面示意图微通道板剖面示意图 下一页下一页上一页上一页n n2 2 2 2 通道内的二次电子发射通道内的二次电子发射通道内的二次电子发射通道内的二次电子发射 高速电子入射到固体表层，与体内电子连续碰高速电子入射到固体表层，与体内电子连续碰高速电子入射到固体表层，与体内电子连续碰高速

186、电子入射到固体表层，与体内电子连续碰撞使电子受激而逸出表面的过程称为二次电子撞使电子受激而逸出表面的过程称为二次电子撞使电子受激而逸出表面的过程称为二次电子撞使电子受激而逸出表面的过程称为二次电子发射。其出射的电子数与入射的电子数之比值发射。其出射的电子数与入射的电子数之比值发射。其出射的电子数与入射的电子数之比值发射。其出射的电子数与入射的电子数之比值定义为二次电子发射系数定义为二次电子发射系数定义为二次电子发射系数定义为二次电子发射系数 ，也称为二次电子，也称为二次电子，也称为二次电子，也称为二次电子倍增系数。倍增系数。倍增系数。倍增系数。 二次电子发射过程受多种因素制约。通过半二次电子发

187、射过程受多种因素制约。通过半二次电子发射过程受多种因素制约。通过半二次电子发射过程受多种因素制约。通过半经典理论的分析与实验验证，对纯洁的固体表经典理论的分析与实验验证，对纯洁的固体表经典理论的分析与实验验证，对纯洁的固体表经典理论的分析与实验验证，对纯洁的固体表面可以用相似的函数来描述它的二次电子发射面可以用相似的函数来描述它的二次电子发射面可以用相似的函数来描述它的二次电子发射面可以用相似的函数来描述它的二次电子发射特性。这一函数通常称为二次发射的普适函数：特性。这一函数通常称为二次发射的普适函数：特性。这一函数通常称为二次发射的普适函数：特性。这一函数通常称为二次发射的普适函数： 下一页

188、下一页上一页上一页 这一普适函数式表明：二次电子发射系数取决于这一普适函数式表明：二次电子发射系数取决于这一普适函数式表明：二次电子发射系数取决于这一普适函数式表明：二次电子发射系数取决于材料性质和表面状态的参数，同时也取决于初电子材料性质和表面状态的参数，同时也取决于初电子材料性质和表面状态的参数，同时也取决于初电子材料性质和表面状态的参数，同时也取决于初电子垂直入射时的最大二次发射系数和加速电位值。式垂直入射时的最大二次发射系数和加速电位值。式垂直入射时的最大二次发射系数和加速电位值。式垂直入射时的最大二次发射系数和加速电位值。式中中中中是函数逼近实验曲线的待定值。二次电子发射是函数逼近实

189、验曲线的待定值。二次电子发射是函数逼近实验曲线的待定值。二次电子发射是函数逼近实验曲线的待定值。二次电子发射系数是初电子入射角系数是初电子入射角系数是初电子入射角系数是初电子入射角和加速电位和加速电位和加速电位和加速电位V V V V的函数，并且的函数，并且的函数，并且的函数，并且存在极值。当存在极值。当存在极值。当存在极值。当cos0cos0cos0cos0和和和和V V V VVmVmVmVm时，时，时，时，可获得最大可获得最大可获得最大可获得最大值。值。值。值。 综上所述：为获得最大的二次电子发射系数，应综上所述：为获得最大的二次电子发射系数，应综上所述：为获得最大的二次电子发射系数，应

190、综上所述：为获得最大的二次电子发射系数，应取电子入射角接近取电子入射角接近取电子入射角接近取电子入射角接近90 90 90 90 ，同时电子的加速电压应，同时电子的加速电压应，同时电子的加速电压应，同时电子的加速电压应取最佳值，过高或过低都将不利，因为过高的加速取最佳值，过高或过低都将不利，因为过高的加速取最佳值，过高或过低都将不利，因为过高的加速取最佳值，过高或过低都将不利，因为过高的加速电压和垂直入射电子穿透到材料深处，会使所激发电压和垂直入射电子穿透到材料深处，会使所激发电压和垂直入射电子穿透到材料深处，会使所激发电压和垂直入射电子穿透到材料深处，会使所激发的电子难以迁移到表面而被散射。

191、的电子难以迁移到表面而被散射。的电子难以迁移到表面而被散射。的电子难以迁移到表面而被散射。 下一页下一页上一页上一页 MCPMCPMCPMCP是利用二次电子倍增性质来完成电子图像是利用二次电子倍增性质来完成电子图像是利用二次电子倍增性质来完成电子图像是利用二次电子倍增性质来完成电子图像增强的。下图示出了增强的。下图示出了增强的。下图示出了增强的。下图示出了MCPMCPMCPMCP中的单通道电子倍增器的中的单通道电子倍增器的中的单通道电子倍增器的中的单通道电子倍增器的工作情况。工作情况。工作情况。工作情况。 微通道电子倍增原理微通道电子倍增原理 下一页下一页上一页上一页n n3 3 3 3电流增

192、益与相关参数的关系电流增益与相关参数的关系电流增益与相关参数的关系电流增益与相关参数的关系 MCPMCPMCPMCP的电流增益用输出电流的电流增益用输出电流的电流增益用输出电流的电流增益用输出电流I I I Io o o o与其输入电流与其输入电流与其输入电流与其输入电流I I I Ii i i i之比值来表示：之比值来表示：之比值来表示：之比值来表示： 由于电子电荷量相同，故在连续稳定工作状态由于电子电荷量相同，故在连续稳定工作状态由于电子电荷量相同，故在连续稳定工作状态由于电子电荷量相同，故在连续稳定工作状态下，电流增益也可以由出射电子数下，电流增益也可以由出射电子数下，电流增益也可以由出

193、射电子数下，电流增益也可以由出射电子数N N N No o o o与其入射电与其入射电与其入射电与其入射电子数子数子数子数N N N Ni i i i之比来表示，即之比来表示，即之比来表示，即之比来表示，即下一页下一页上一页上一页 （1 1 1 1）简化的电流增益表达式）简化的电流增益表达式）简化的电流增益表达式）简化的电流增益表达式 MCPMCPMCPMCP的电流增益在每一瞬间并不是一个确定的数值，的电流增益在每一瞬间并不是一个确定的数值，的电流增益在每一瞬间并不是一个确定的数值，的电流增益在每一瞬间并不是一个确定的数值，这是因为通道中的二次电子倍增过程具有随机性。每这是因为通道中的二次电子

194、倍增过程具有随机性。每这是因为通道中的二次电子倍增过程具有随机性。每这是因为通道中的二次电子倍增过程具有随机性。每个电子所激发的二次电子数目并不相等，只能用平均个电子所激发的二次电子数目并不相等，只能用平均个电子所激发的二次电子数目并不相等，只能用平均个电子所激发的二次电子数目并不相等，只能用平均值来表示二次电子倍增特性。二次电子数目的平均值值来表示二次电子倍增特性。二次电子数目的平均值值来表示二次电子倍增特性。二次电子数目的平均值值来表示二次电子倍增特性。二次电子数目的平均值又取决于入射电子的加速电压值及入射角度。在通道又取决于入射电子的加速电压值及入射角度。在通道又取决于入射电子的加速电压

195、值及入射角度。在通道又取决于入射电子的加速电压值及入射角度。在通道多次倍增过程中这些因素都是变化的，因此在每一瞬多次倍增过程中这些因素都是变化的，因此在每一瞬多次倍增过程中这些因素都是变化的，因此在每一瞬多次倍增过程中这些因素都是变化的，因此在每一瞬间间间间MCPMCPMCPMCP的电流增益并不相同，通常只取其平均值为表的电流增益并不相同，通常只取其平均值为表的电流增益并不相同，通常只取其平均值为表的电流增益并不相同，通常只取其平均值为表示示示示MCPMCPMCPMCP的电流增益值的电流增益值的电流增益值的电流增益值。下一页下一页上一页上一页 简化的电流增益表达式是通过以下近似处理建立的简化的

196、电流增益表达式是通过以下近似处理建立的简化的电流增益表达式是通过以下近似处理建立的简化的电流增益表达式是通过以下近似处理建立的: : : : 通道内二次电子逸出表面的角度分布符合余弦分布通道内二次电子逸出表面的角度分布符合余弦分布通道内二次电子逸出表面的角度分布符合余弦分布通道内二次电子逸出表面的角度分布符合余弦分布律。律。律。律。 通道内二次电子的初能量分布呈现麦克斯韦分布。通道内二次电子的初能量分布呈现麦克斯韦分布。通道内二次电子的初能量分布呈现麦克斯韦分布。通道内二次电子的初能量分布呈现麦克斯韦分布。 由于通道内二次电子的出射角及初电位都归化为确由于通道内二次电子的出射角及初电位都归化为

197、确由于通道内二次电子的出射角及初电位都归化为确由于通道内二次电子的出射角及初电位都归化为确定值。定值。定值。定值。 在上述简化条件下，在上述简化条件下，在上述简化条件下，在上述简化条件下，MCPMCPMCPMCP的电流增益可表示为：的电流增益可表示为：的电流增益可表示为：的电流增益可表示为：下一页下一页上一页上一页n n（2 2 2 2）电流增益的实验表达式）电流增益的实验表达式）电流增益的实验表达式）电流增益的实验表达式 简化模型下的增益公式是近似值，更准确的增益简化模型下的增益公式是近似值，更准确的增益简化模型下的增益公式是近似值，更准确的增益简化模型下的增益公式是近似值，更准确的增益应该

198、通过试验测定。应该通过试验测定。应该通过试验测定。应该通过试验测定。n n（3 3 3 3）电流增益与相关参数的关系）电流增益与相关参数的关系）电流增益与相关参数的关系）电流增益与相关参数的关系 MCPMCPMCPMCP电流增益的相关参数包含有通道板的开口面积电流增益的相关参数包含有通道板的开口面积电流增益的相关参数包含有通道板的开口面积电流增益的相关参数包含有通道板的开口面积比、通道的长径比、工作电压和通道的二次倍增特比、通道的长径比、工作电压和通道的二次倍增特比、通道的长径比、工作电压和通道的二次倍增特比、通道的长径比、工作电压和通道的二次倍增特性。性。性。性。n n通道的长径比通道的长径

199、比通道的长径比通道的长径比 具有相同长径比的具有相同长径比的具有相同长径比的具有相同长径比的MCPMCPMCPMCP，当通道直径和长度按比例，当通道直径和长度按比例，当通道直径和长度按比例，当通道直径和长度按比例改变时其电流增益不变，这一点已被实验所证实。改变时其电流增益不变，这一点已被实验所证实。改变时其电流增益不变，这一点已被实验所证实。改变时其电流增益不变，这一点已被实验所证实。电流增益仅与通道长径比有关。电流增益仅与通道长径比有关。电流增益仅与通道长径比有关。电流增益仅与通道长径比有关。n nMCPMCPMCPMCP的工作电压的工作电压的工作电压的工作电压U U U U 电流增益开始是

200、随工作电压的上升而增加，到达峰电流增益开始是随工作电压的上升而增加，到达峰电流增益开始是随工作电压的上升而增加，到达峰电流增益开始是随工作电压的上升而增加，到达峰值后则随工作电压的上升而下降。值后则随工作电压的上升而下降。值后则随工作电压的上升而下降。值后则随工作电压的上升而下降。 下一页下一页上一页上一页n nMCPMCPMCPMCP的输入端开口面积比的输入端开口面积比的输入端开口面积比的输入端开口面积比 入射到入射到入射到入射到MCPMCPMCPMCP的电子将有一部分损失在输入端面上，的电子将有一部分损失在输入端面上，的电子将有一部分损失在输入端面上，的电子将有一部分损失在输入端面上，只有

201、进入通道开口的电子才能获得增益。对于均匀只有进入通道开口的电子才能获得增益。对于均匀只有进入通道开口的电子才能获得增益。对于均匀只有进入通道开口的电子才能获得增益。对于均匀入射的电子流则可用开口面积比值表征这一情况。入射的电子流则可用开口面积比值表征这一情况。入射的电子流则可用开口面积比值表征这一情况。入射的电子流则可用开口面积比值表征这一情况。这一比值有时称为这一比值有时称为这一比值有时称为这一比值有时称为MCPMCPMCPMCP的探测效率。通常制成的的探测效率。通常制成的的探测效率。通常制成的的探测效率。通常制成的MCPMCPMCPMCP，其开口面积比可达，其开口面积比可达，其开口面积比可

202、达，其开口面积比可达60606060。为了增大这一比值有时。为了增大这一比值有时。为了增大这一比值有时。为了增大这一比值有时采用喇叭口形的通道，目前开口面积比可达到采用喇叭口形的通道，目前开口面积比可达到采用喇叭口形的通道，目前开口面积比可达到采用喇叭口形的通道，目前开口面积比可达到80808080以上。以上。以上。以上。n n通道的二次电子倍增系数通道的二次电子倍增系数通道的二次电子倍增系数通道的二次电子倍增系数 为获得高增益必须尽量提高通道内壁的二次电子为获得高增益必须尽量提高通道内壁的二次电子为获得高增益必须尽量提高通道内壁的二次电子为获得高增益必须尽量提高通道内壁的二次电子倍增系数。因

203、此在制造倍增系数。因此在制造倍增系数。因此在制造倍增系数。因此在制造MCPMCPMCPMCP时要进行烧氢处理，以改时要进行烧氢处理，以改时要进行烧氢处理，以改时要进行烧氢处理，以改善内壁的二次电子发射特性。有时在通道入口处的善内壁的二次电子发射特性。有时在通道入口处的善内壁的二次电子发射特性。有时在通道入口处的善内壁的二次电子发射特性。有时在通道入口处的内壁上蒸镀氧化镁（内壁上蒸镀氧化镁（内壁上蒸镀氧化镁（内壁上蒸镀氧化镁（MgOMgOMgOMgO）层，也可改善通道输入端）层，也可改善通道输入端）层，也可改善通道输入端）层，也可改善通道输入端的二次电子倍增特性。的二次电子倍增特性。的二次电子倍

204、增特性。的二次电子倍增特性。 下一页下一页上一页上一页下一页下一页上一页上一页4.输出电流密度的饱和效应输出电流密度的饱和效应 MCP MCP的自饱和特性表现在输入电流密度增大到一定的自饱和特性表现在输入电流密度增大到一定程度后输出电流不再随输入电流增加而增加。这一最程度后输出电流不再随输入电流增加而增加。这一最大的输出电流密度称为大的输出电流密度称为MCPMCP的饱和电流密度。的饱和电流密度。MCPMCP的饱的饱和效应可以自行恢复，并且只限于每个通道而不影响和效应可以自行恢复，并且只限于每个通道而不影响邻近通道。邻近通道。 MCP MCP的自饱和特性构成了第二代像增强器的主要优的自饱和特性构

205、成了第二代像增强器的主要优点，使像增强器具有防强光特性，因为强光产生的光点，使像增强器具有防强光特性，因为强光产生的光电流受到电流受到MCPMCP饱和电流的限制而不会输出过高的电流，饱和电流的限制而不会输出过高的电流，从而保护了荧光屏不致灼伤损坏。从而保护了荧光屏不致灼伤损坏。 下一页下一页上一页上一页饱和效应的产生原因：饱和效应的产生原因：（1 1）通道壁的电阻效应）通道壁的电阻效应 对于连续工作的对于连续工作的MCPMCP，持续发射的二次电子是由传，持续发射的二次电子是由传导电流提供的。二次电子发射又产生了局部附加电流，导电流提供的。二次电子发射又产生了局部附加电流，方向与传导电流相反。通

206、道板内的电流是上述两种电方向与传导电流相反。通道板内的电流是上述两种电流的代数和。若输入电流增大到一定值时，会使输出流的代数和。若输入电流增大到一定值时，会使输出端的局部附加电流增大，使得通道板在局部的电流为端的局部附加电流增大，使得通道板在局部的电流为零，那么这段通道的压降也就为零，就不会继续导致零，那么这段通道的压降也就为零，就不会继续导致二次电子的发射。二次电子的发射。（2 2）通道壁的充电效应）通道壁的充电效应 当当MCPMCP工作在脉冲状态时，饱和电流密度取决于充工作在脉冲状态时，饱和电流密度取决于充电效应，极限工作状态是输出端充电所形成的电场完电效应，极限工作状态是输出端充电所形成

207、的电场完全抵消了工作电场，从而发射的二次电子得不到加速，全抵消了工作电场，从而发射的二次电子得不到加速，导致了脉冲工作的输出电流饱和现象。导致了脉冲工作的输出电流饱和现象。 下一页下一页上一页上一页微通道板的工作特性微通道板的工作特性n n5 5 5 5离子反馈离子反馈离子反馈离子反馈 MCP MCP MCP MCP是像管内部的元件，在真空状态下工作。但是由是像管内部的元件，在真空状态下工作。但是由是像管内部的元件，在真空状态下工作。但是由是像管内部的元件，在真空状态下工作。但是由于真空工艺的限制及气体分子吸附作用，必然在像管于真空工艺的限制及气体分子吸附作用，必然在像管于真空工艺的限制及气体

208、分子吸附作用，必然在像管于真空工艺的限制及气体分子吸附作用，必然在像管内有残余的气体分子，这些气体分子在内有残余的气体分子，这些气体分子在内有残余的气体分子，这些气体分子在内有残余的气体分子，这些气体分子在MCPMCPMCPMCP的输出端会的输出端会的输出端会的输出端会受到密集的二次电子碰撞而电离，所产生的正离子在受到密集的二次电子碰撞而电离，所产生的正离子在受到密集的二次电子碰撞而电离，所产生的正离子在受到密集的二次电子碰撞而电离，所产生的正离子在电场的作用下会轰击像管的光阴极，从而产生电子发电场的作用下会轰击像管的光阴极，从而产生电子发电场的作用下会轰击像管的光阴极，从而产生电子发电场的作

209、用下会轰击像管的光阴极，从而产生电子发射，在荧光屏形成亮斑，即离子斑。它一方面破坏了射，在荧光屏形成亮斑，即离子斑。它一方面破坏了射，在荧光屏形成亮斑，即离子斑。它一方面破坏了射，在荧光屏形成亮斑，即离子斑。它一方面破坏了MCPMCPMCPMCP的线性工作特性，同时也降低了光阴极的寿命，因的线性工作特性，同时也降低了光阴极的寿命，因的线性工作特性，同时也降低了光阴极的寿命，因的线性工作特性，同时也降低了光阴极的寿命，因此，必须避免产生离子反馈。此，必须避免产生离子反馈。此，必须避免产生离子反馈。此，必须避免产生离子反馈。 减少离子反馈的措施：减少离子反馈的措施：减少离子反馈的措施：减少离子反馈

210、的措施： 1. 1. 1. 1.提高像管的真空度及设置吸气剂。提高像管的真空度及设置吸气剂。提高像管的真空度及设置吸气剂。提高像管的真空度及设置吸气剂。 2. 2. 2. 2.采用倾斜通道或弯曲通道的采用倾斜通道或弯曲通道的采用倾斜通道或弯曲通道的采用倾斜通道或弯曲通道的MCPMCPMCPMCP。 3. 3. 3. 3.在在在在MCPMCPMCPMCP的输入端蒸镀一层氧化铝膜。的输入端蒸镀一层氧化铝膜。的输入端蒸镀一层氧化铝膜。的输入端蒸镀一层氧化铝膜。 4. 4. 4. 4.在像管的阳极区设置离子收集电极。在像管的阳极区设置离子收集电极。在像管的阳极区设置离子收集电极。在像管的阳极区设置离子

211、收集电极。 下一页下一页n n6 6 6 6MCPMCPMCPMCP的噪声的噪声的噪声的噪声 MCPMCPMCPMCP在无信号输入时，由工作电压产生的场强在无信号输入时，由工作电压产生的场强在无信号输入时，由工作电压产生的场强在无信号输入时，由工作电压产生的场强会使通道内壁产生微弱的场致发射，再经过后会使通道内壁产生微弱的场致发射，再经过后会使通道内壁产生微弱的场致发射，再经过后会使通道内壁产生微弱的场致发射，再经过后继的倍增而产生输出电流，这一输出通常称之继的倍增而产生输出电流，这一输出通常称之继的倍增而产生输出电流，这一输出通常称之继的倍增而产生输出电流，这一输出通常称之为背景噪声。若将这

212、一输出电流折合为输入电为背景噪声。若将这一输出电流折合为输入电为背景噪声。若将这一输出电流折合为输入电为背景噪声。若将这一输出电流折合为输入电流密度值，该数值被定义为背景噪声的等效电流密度值，该数值被定义为背景噪声的等效电流密度值，该数值被定义为背景噪声的等效电流密度值，该数值被定义为背景噪声的等效电子输入。它取决于通道内壁的材料性质及表面子输入。它取决于通道内壁的材料性质及表面子输入。它取决于通道内壁的材料性质及表面子输入。它取决于通道内壁的材料性质及表面状态，同时也与工作电压有关。它随工作电压状态，同时也与工作电压有关。它随工作电压状态，同时也与工作电压有关。它随工作电压状态，同时也与工作

213、电压有关。它随工作电压的升高而增大，呈线性关系。经实测得知，的升高而增大，呈线性关系。经实测得知，的升高而增大，呈线性关系。经实测得知，的升高而增大，呈线性关系。经实测得知，MCPMCPMCPMCP在典型工作状态下其背景噪声的等效电子输入在典型工作状态下其背景噪声的等效电子输入在典型工作状态下其背景噪声的等效电子输入在典型工作状态下其背景噪声的等效电子输入为为为为10101010-18-18-18-1810101010-17-17-17-17A/cmA/cmA/cmA/cm2 2 2 2。 该数值比光阴极的暗发该数值比光阴极的暗发该数值比光阴极的暗发该数值比光阴极的暗发射电流密度约小两个数量级

214、，因此在像管的背射电流密度约小两个数量级，因此在像管的背射电流密度约小两个数量级，因此在像管的背射电流密度约小两个数量级，因此在像管的背景噪声中可以忽略景噪声中可以忽略景噪声中可以忽略景噪声中可以忽略MCPMCPMCPMCP的噪声。的噪声。的噪声。的噪声。下一页下一页上一页上一页 MCP MCP MCP MCP的噪声的主要因素：的噪声的主要因素：的噪声的主要因素：的噪声的主要因素： 1.MCP 1.MCP 1.MCP 1.MCP的输入端面上通道开口面积只占总面积的一的输入端面上通道开口面积只占总面积的一的输入端面上通道开口面积只占总面积的一的输入端面上通道开口面积只占总面积的一部分。部分。部分

215、。部分。 2. 2. 2. 2.入射电子的运动方向与通道曲线一致时，则直接入射电子的运动方向与通道曲线一致时，则直接入射电子的运动方向与通道曲线一致时，则直接入射电子的运动方向与通道曲线一致时，则直接贯穿通道而不倍增。贯穿通道而不倍增。贯穿通道而不倍增。贯穿通道而不倍增。 3. 3. 3. 3.通道内二次电子倍增过程具有随机性。通道内二次电子倍增过程具有随机性。通道内二次电子倍增过程具有随机性。通道内二次电子倍增过程具有随机性。下一页下一页上一页上一页n n7 7 7 7MCPMCPMCPMCP在成像光子计数探测中的应用在成像光子计数探测中的应用在成像光子计数探测中的应用在成像光子计数探测中的

216、应用 成像光子计数探测是指利用极弱微光图像转换和增强成像光子计数探测是指利用极弱微光图像转换和增强成像光子计数探测是指利用极弱微光图像转换和增强成像光子计数探测是指利用极弱微光图像转换和增强原理，集高灵敏度光阴极、低噪声、高增益多块原理，集高灵敏度光阴极、低噪声、高增益多块原理，集高灵敏度光阴极、低噪声、高增益多块原理，集高灵敏度光阴极、低噪声、高增益多块MCPMCPMCPMCP、高亮度和高分辨力荧光屏、高帧速高亮度和高分辨力荧光屏、高帧速高亮度和高分辨力荧光屏、高帧速高亮度和高分辨力荧光屏、高帧速CCDCCDCCDCCD和读出系统于一和读出系统于一和读出系统于一和读出系统于一身，通过对其输出

217、噪声脉冲高度的分析和抑制，使探测身，通过对其输出噪声脉冲高度的分析和抑制，使探测身，通过对其输出噪声脉冲高度的分析和抑制，使探测身，通过对其输出噪声脉冲高度的分析和抑制，使探测灵敏阈下降灵敏阈下降灵敏阈下降灵敏阈下降2 2 2 23 3 3 3个数量级，从而可实时探测并提取远程个数量级，从而可实时探测并提取远程个数量级，从而可实时探测并提取远程个数量级，从而可实时探测并提取远程目标光分布经大气层扰动后引起的波前畸变信号，为自目标光分布经大气层扰动后引起的波前畸变信号，为自目标光分布经大气层扰动后引起的波前畸变信号，为自目标光分布经大气层扰动后引起的波前畸变信号，为自适应光学望远镜的波前校正器提供所需的焦平面二维瞬适应光学望远镜的波前校正器提供所需的焦平面二维瞬适应光学望远镜的波前校正器提供所需的焦平面二维瞬适应光学望远镜的波前校正器提供所需的焦平面二维瞬态图像光子数分布信息。态图像光子数分布信息。态图像光子数分布信息。态图像光子数分布信息。下一页下一页上一页上一页