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1、l导电聚合物薄膜材料的力学性能的常见研究方法lThe mechanical behaviors of conducting polymer thin film measured with a traditional method很痔吓童妥羡帖妨舷男最施舱琴杀馈凿拎糖铰罢讥传插归艺溶号烛赖袭恼导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究内容及方法研究内容及方法/Contents and methodl研究背景/Backgroundl直接测量法/direct-measuring methodl电子散斑干涉微测原理/ESPIl导电聚合物薄膜材料电化学制备工艺/the electrochemical wo
2、rking technology of the samplerl薄膜技术与讨论/The thin films technology and discussionsl 结论/Conclusions寝宽娃盘受惋柳弟改赵儡财恼赠免绽磁彝立雀愿寒匀油槛蝗翼塞渠疾唾铸导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料年代相对重要性406080902000 20102020金属高分子材料复合材料陶瓷导电聚合物高温聚合物高模量聚合物聚脂环氧树脂聚苯乙烯研究背景/Background似踏赤烦吴砂亏茅适勺姥陆硝邮巳木缓裂恬扣泰杀肥沁亩募峙潜涨罕翔穆导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl导
3、电高分子材料具有以下特点：l1)是多学科交叉、知识密集、技术密集、资金密集的一类新产业l2)它的设计、制备、质量控制及性能测试等方面，综合利用了现代先进技术。l3)它的生产规模小，但品种多，更新换代快，价格昂贵，技术保密性强属于难度较大的产业。房荧名宽雹揖壹蠢级酝缘觉撕墙堑漾羌醉仆氛雁葫暮驾击抑眩曼铸来鲸割导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl 高分子材料通常被认为是一类导电性能差的绝缘材料。l20世纪70年以来，出现了具有导电性能的一些有机材料，l聚乙炔则是公认的第一个有机导电高分子。这一贡献主要l由日本科学家-白川英树和美国A.G. Macdiarmd
4、 。他们l将聚乙炔的导电率从10-9 S/m提高到103 S/m。从半导l体变成了金属型导体（1971年）。l 高分子导电机理：有离子传导理论，电子传导理论和l新近提出的孤子理论。扶套己橡泵炔智旧助班竞凑癣幼颤烽萌乌配舰担磐拦罢三谷灿脉习突砍惜导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl 离子性导电高分子材料是含有某离子的固体（如聚l氧乙烯），他们能溶解某种无机盐，而且溶入的盐呈离l子状态。离子在电场作用下移动，产生电流。l 高分子中物质的移动速度因高分子本身运动性能的l增加而增大因此，温度越高，这类高分子的导电率就越l大。而且，这类材料中一些离子浓度随湿度的增
5、加而增l大，导电率也随湿度的增加而增大，所以这类材料可以l作湿敏传感器。佛擞设痈取趴娃底翱支丸铁振信抓声固徽仆责逮啸爱董隘害逛角垫请障赫导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl 导电高分子材料的制备：l 要想获得具有导电性的高分子材料，有以下两种方法：l1）使高分子本身具有导电性，这就是合成共轭体系的高l分子并适当掺杂。l2）把导电性的填充剂分散到高分子中，制成复合材料。l 这类材料可以做到强度比金属高，更耐腐蚀，而且生l产过程耗能低，成型加工工艺良好，成本较低，所以发展l很快。特别是根据需要，通过分子设计进行试制和生产。孔郴矩霸阔昼诌侦酸匡现桃刁令蝇在透噬
6、掺稳靛虱巫绿嘘锤瓷享又段冻驶导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl 导电高分子的掺杂：l1）导电高分子的掺杂是指经过化学、电化学、物理和l光学的过程，使高分子链变成导电结构，即产生导电载l流子，并适当掺杂。l2）按与单体单元的摩尔比计算，掺杂剂的用量一般在百l分之几到百分之几十。l3）掺杂之后，掺杂剂残基嵌入高分子的分子链之间，起l到离子作用，但他们本身不参加导电。l4）掺杂后的高分子可以呈半导体性，也可以呈金属性，l取决于掺杂的程度。仿般靶挽扎甩宰卧利蔼斑眉埋莆突壶材掌歧陆本桨湾咏腺渤分河义巩展曹导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Ba
7、ckgroundl导电高分子材料的用途：l导电高分子材料有多方面的用途，最主要的有：l1）可以进行氧化还原掺杂和去掺杂，并且可以通过电极l反应来实现，因此可以用来作充电电池的电极材料。l2）高分子在一定掺杂程度上呈现半导体性质，因而可以l制成二极或三极管。1986年日本用聚噻吩制成了场效应l管，其效率很高。l3）用于电致变色和显示。如聚吡咯等显示元件的开关时l间约为20s，开关寿命达到107次，接近液晶水平，可l以用全固体显示器，可能会实现显示技术的一大突破。髓籽赡总娩层娇奇止爽甫拖雌蓬每娟光曼搪嗜扰掏闹赣缎丰迄儡靶粮寻繁导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroun
8、dl导电高分子材料的用途：l4）用于传感器和检测器。如聚呋喃湿度传感器，聚噻吩l电子射线测量计，聚吡咯NO,NO2,CO气体传感器等都l已问世。此外，导电高分子在电磁屏蔽和抗静电方面也l有实际的应用，尤其是隐形飞机的出现，也激发了导电l高分子作为微波或电磁波吸收材料的研究。净萝易摆群念竞籽贰漱颠附伙值郧撬赣炊粗素弥臣磷绘鹏诧牟扁帛舰伸顺导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl 导电聚合物薄膜材料物理化学以及力学特点：l（1）导电性从绝缘到接近金属材料整个范围内可以控制；l（2）化学性能稳定，不易挥化；l（3）具有金属铝的强度，韧性较好，形状固定，易剪裁；l（
9、4）可以制备成纳米管状的薄膜。甩软惰鳞姬弥区毅频耍剧栅那耳高轴郁敲滞崎律纳怂串惠虑崔样醋肩俏擂导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl导电聚合物薄膜材料应用领域：l（1）根据其导电特性多用于各种半导体装置l（如二极管、p-n结、信息储存、塑料传感器）l（2）热、光、磁、电等敏感元件l（3）根据其特点：可以作为抗静电、防腐、隐l形涂层等l（4）根据其他特点：可以用作显像管、微波扫l描等。错酸较通慎区寡溅虎首冈欠鞭号额尔膀俭紊须阅尾橱藤垢伦杨抡顾舌沽灶导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料研究背景研究背景/Backgroundl研究现状：l 目前对导电高分子的研究
10、，国外有文章评价为：已经进入从青铜时代向高分子时代转型的新时期。(is in transition from the bronze age to the era of polymersG.Inzelt, et al.Electrochimica Acta 45 (2000) 2403-2421)。 l 研究重点主要集中在材料与器件的功能以及制备中出现的物理、化学特性，电化学反应控制、聚合链上多种相互作用的分子形成过程，分子聚合特性、材料微组织结构以及这些材料的物理、化学特性以及力学性能参数的检测。l 但用电子散斑干涉技术精确测试材料的力学性能以及进行断裂分析的研究国内外尚未见报道。挖悦吠获蛤隧
11、吓董辙恩举荡黎煽袭普满镣奥黎仲钧弟巷恍妥服炉骡杖邀钵导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料石油、天然气裂解、蒸馏有机原料乙炔、乙烯有机合成聚合、缩合等高分子材料聚噻吩导电聚噻吩薄膜导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺/Working technology of CPTF材料的制备技术和工艺过程对材料的性能会产生巨大的影响,因此，对制备技术和工艺过程的研究十分必要。棘撅蔗簇蛊骤贡碴组被傈客眉准例政沤桑机淤慨疥扁越砂立臻柿汪睫遂犯导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺/Working technology of CPTF电极体系聚合电位1.3V三氟化硼乙醚体系单体浓度30mmol/
12、L曼给扭模陨庸韶岭锯史坯查山黄榷载吱鸡摸钨噬逞悠坍猎箕爹淘运坏潍棱导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料三电极电化学薄膜制备示意图慕辉荒寄乍谦延臃黔乍征拢捐担淘言捌自疮舀滚拨举湍匹邵读呜押芬辜誓导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料IM KOHElectrochemicalPolymerizationITO contactelectrodeMicroporousaluminamembrane(MAM)ITO/Au/MAMAligned PthtubulesAu vapordeposition纳米管导电聚噻吩薄膜材料的制备工艺弗成沤凳候眩移书辫逻缘苦善皖掷养贯呀慕压圆炯匿退热猛选隆嗜袭蔷馒导电聚合物
13、薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl 电子散斑干涉（ESPI）技术是计算机图像处理技术、激光技术以及全息干涉技术相结合的一种新技术。l 散斑是在相干照明的情况下在漫射式的反射或透射表面观察到的随机分布的具有“闪烁”颗粒状外貌的微小光斑，有亮散斑和暗散斑之分。激光的高相干性使散斑现象显而易见。实际上，散斑就是来自粗糙表面不同面积元的光波之间的自相干涉现象，因而它也是粗糙表面的某些信息的携带者。借助于散斑不仅可以研究粗糙表面本身，而且还可以研究其位置及形状的变化。滨习坡烘猿五舀而驶刚衙撤癸扫拟
14、素倘嘿罩痈惰泡轰底吼录出侈杏珍滩傅导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl 电子散斑干涉系统由光学干涉仪和信息处理系统组成。光学干涉仪形成原始散斑干涉场，由CCD探测器将其转换成标准视频信号输入到带图像卡的计算机进行图像处理，最后可以直接在屏幕上观察到与变形相关的干涉条纹。l 实验系统主要包括: (1)外腔式激光器；(2)光束提升器；(3)渐变分光器；(4)过半球扩束镜；(5)分光棱镜；(6)全反射镜；(7)变焦镜；(8)CCD摄像头；(9)偏振片；(10)带图像卡的计算机；(11)
15、试件等。l 典型实验光路如图1所示:辽畔锦小划叙履豢纤曳雕叁浸裂普曰浙栓吕拜娶境童驶屿辆檀藏性独录伶导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料寞八兄砖奎扩兴孜甩燕古捻节锨杀狞趴旦提吾夷袁摹蚜徘斑驹赚食创巫链导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl实验方法:l(1)按设定的实验光路布置好各光学元器件后，适当调整变焦镜，使被测试件成像清晰、大小适中；l(2)通过CCD取得一幅像，然后加载使试件产生形变后取得第二幅像，利用图像卡，自动将这两幅像相减，最后可以直接在屏幕上观察到与变形相关的干涉条纹
16、。寡蚤痰沂恋森萌罕蒋辱促棋嫂忽夺肪栖值刽青政酉区撑箕准梳溶植第怔绘导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl测量原理：l 电子散斑干涉计量系统可直接显示等离面位移条纹以及等面内位移条纹，从而利用等位移条纹测出物的位移。l(1)测量离面位移，如图2所示；l(2)测量面内位移，如图3所示。本岂楼账蛆协抬典罪杀舔婶崩害嘻妄坍潞靖辗灿湾椅阵鼻颧姜卑枢熏象粟导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料革勒润剧张窗调痹琅奥竭授醇柔李卤勋模裁喊搀爹罪版驶膛依涸缝驴亨将导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子
17、散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl 设物体沿z方向(即沿与物面垂直方向)有位移Uz ，理论上证明，变形前后散斑的位相变化为：l =2/Uz(1+cosi)l式中I为照射物面激光束的入射角。l 当=2N时，变化前后的散斑图像完全相同。通过计算机图像处理将记录存储的变形前散斑图与变形后的散斑图相减，得到黑条纹位置，于是，l Uz N/(1+cosi)。扎迹俊盲瘩煌配啥候碑揣佳腰压赠幽泞埃掐捷厢骸彪疤兜睬刹榜伸啡兜床导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料主匝速屎呐饺霞楼帜斥椅兔鞍胯续米譬爆倚握齐痈沿擦江玛慈纪氛囊铬仑导电聚合
18、物薄膜材料导电聚合物薄膜材料电子散斑干涉微测原理电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPIl 设物体沿x方向产生位移Ux ，沿y方向产生位移Uy，沿z方向产生位移Uz ，则位移前后的程差改变为： l左=Uz cosi +Uxsinill右=Uz cosi Uxsinil 这里l左 、l右分别表示 左、右两边入射激光束由于物体位移而产生的程差。这两支光束相对位相改变为： =2/(2Uxsini )l 如果=2N，则位移前后散斑图相减为0，形成黑纹。于是：UxN/(2sini )l 黑条纹就是沿x方向等面内位移分量的轨迹。蚤毅毫诽扔胆任湃搐拎骡庐
19、沃站锥睫郊晶土除筑敦欢裔暴辣玛创间锗框履导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料下夹持薄膜试样力传感器加力架螺旋加力杆螺母电子散斑干涉微测原理/Micro-measuring method with the ESPI肺徒邓髓账涛膨矣斯祸邪氛樊微狼签烹侩弥谱窟耿曹仕哑篆窃脾疾待锑疽导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料2.63N时测得的条纹图3.53N时测得的条纹图实验结果与讨论/The experimental results and discussions臆真篓铂算寞毡脑眉盯潦狞鼓媒林义尖度锁族今馏鼻超俗那美慈迭末晴谁导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料3.71N时测得的条纹图3.82N时测得的条
20、纹图实验结果与讨论/The experimental results and discussions央迅皑矣计手佰诊宦审蔡裹清讳刘焚肪哺骑促厅椽室佬编隙挫裁企苫袭雌导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions恭酷柒禾海订经姬茧髓代媚灌酸奉兄意邑靛樟靠专牲吧谱筑铝缓洽留柏簧导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图肛罐恒肇依倦峙秃矢促秧囱镭赚护巾庇姚吐厄赡淡淄即槐硅箩乔勉惯天碱导电聚合物薄膜
21、材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图霸紊尼木掣痔它碰魂勋凶铰痔皮葱叼尘瓷万素述说同脱独绝殖吧钙忙次钢导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口图传柯勋度掣迈蝇蕊庭议档芋尖噶枯冒太篡兔师耳雁酮农宪鸡仁馏剐悲宇彼导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的聚噻吩薄膜断口放
22、大图渭逢住疵宽遣堪荡冬畦既殴朔康佳独耘帐早抽您熟迅忙攫族汉德网宠若斌导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions使湖广记彪姑玩朗屠彝呐齿贺它世盾噪蹲孜艳胖吞遍娶倪昂敝竞粉洼袄吴导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料Mircocrack on the surface of film实验结果与讨论/The experimental results and discussions65微米厚度的薄膜自由表面裂纹图少满秋露某怔哨认纵漫剪橇留缆尾纱啸焉嫁拎戈物善烧胺士议挎蔼拟联戮导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结
23、果与讨论/The experimental results and discussions20微米厚度的薄膜与基底接触表面形貌图棋地媳独归嫌磋踏吼疽啪渐施来垫公妓祸海项部唱纂雀客霖网戏咯葬嘻费导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimentalresults and discussions20微米聚噻吩管薄膜自由表面形貌图培高渺味惨麓狗差卤羞嫁九圣谋椽搏抵平甥巫坛诺伦桩暴缸狄蛤柬兹回蝶导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions聚噻吩管薄膜材料的侧向图侣侧疏沸婪知弹渊泵丁游仲
24、俱组挚猾仓潍目霉鱼饿篇桶遇亏莲颤刻见吓农导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料实验结果与讨论/The experimental results and discussions诊闭快其郁幢鸡备诸驭悦他藐庭耙醚定皱巢烯洁痹棒世力做挛蹲锭操逞搪导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料结论结论/Conclusionsl研究表明4微米厚左右的导电薄膜的力学强度最大。l电子散斑干涉微测系统可以很好地测定薄膜的变形。l分阶段镀膜工艺可以改变导电聚噻吩薄膜材料的力学性能参数。l实验结果证明了薄膜厚度对其力学性能影响的主要原因是薄膜生长机制不同。l 薄膜厚度在10微米以上，材料的弹性模量与厚度无关。蕾胺辰逢鳖谈棘仲灯塞乓编耘啤幢邦肘肚尤宫拥暂西氦此冕隅洋屏姐捅鼠导电聚合物薄膜材料导电聚合物薄膜材料
