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1、-第一章、半导体器件附答案一、选择题1PN 结加正向电压时，空间电荷区将 _A.变窄 B.根本不变 C.变宽2设二极管的端电压为 u ，则二极管的电流方程是 _A.B.C.3稳压管的稳压是其工作在 _A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿区4时，能够工作在恒流区的场效应管有 _A.结型场效应管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管5对PN结增加反向电压时，参与导电的是 _A.多数载流子 B.少数载流子 C.既有多数载流子又有少数载流子6当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量 _A.增加 B.减少 C.不变7用万用表的 R 100 档和 R 1K 档分别测量一个正常二极管的
2、正向电阻，两次测量结果 _A.一样 B.第一次测量植比第二次大 C.第一次测量植比第二次小8面接触型二极管适用于 _A.高频检波电路 B.工频整流电路 9以下型号的二极管中可用于检波电路的锗二极管是： _A. 2CZ11B. 2CP10C. 2CW11D.2AP610当温度为20时测得*二极管的在路电压为。假设其他参数不变，当温度上升到40，则的大小将 _A.等于 0.7VB.大于 0.7VC.小于 0.7V11当两个稳压值不同的稳压二极管用不同的方式串联起来，可组成的稳压值有 _A.两种 B.三种 C.四种12在图中，稳压管和的稳压值分别为6V和7V，且工作在稳压状态，由此可知输出电压为 _
3、 A. 6VB. 7VC. 0VD. 1V13将一只稳压管和一只普通二极管串联后，可得到的稳压值是A.两种 B.三种 C.四种14在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 _1_，而少数载流子的浓度与 _2_有很大关系。1A.温度 B. 掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷2A.温度 B. 掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷15当 PN 结外加正向电压时，扩散电流_1_漂移电流，耗尽层_2_，当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 _3_漂移电流，耗尽层 _4_。1A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变2A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变3A.大于
4、 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变4A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变16甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表 1.6 所示，你认为哪一个二极管的性能最好. 表 1.6管号加 0.5V 正向电压时的电流加反向电压时的电流哪个性能好.甲0.5mA 1uA 乙5 Ma 0.1 uA 丙2 mA5 uA A.甲B.乙C.丙17. 一个硅二极管在正向电压时，正向电流。假设增大到0.66V 即增加10%，则电流_A.约为11mA也增加10% B.约为20mA增大1倍C. 约为100mA增大到原先的10倍 D. 仍为10 mA根本不变18. 在如以下列图所示的电路
5、中，当电源V1=5V时，测得I=1mA 。假设把电源电压调整V1=10V，则电流的大小将V1=5V是 _。A.I =2mAB.I2mAC. I2mA21. 在P型半导体中，多数载流子是 _1_，在N型半导体中，多数载流子是 _21A.正离子B. 自由电子 C.负离子 D.空穴1A.正离子 B. 自由电子 C.负离子 D.空穴23. 本征半导体温度升高以后，自由电子和空穴的变化情况是_。A.自由电子数目增加，空穴数目不变 B.空穴数目增加，自由电子数目不变C.自由电子和空穴数目等量增加24.N 型半导体_1_， P 型半导体_2_。1A. 带正电 B.带负电C.呈电中性2A. 带正电 B.带负电
6、 C.呈电中性26.PN 结外加反向电压时，其电场_。A.减弱B.不变C.增强27.PN 结在外加正向电压的作用下，扩散电流_漂移电流。A.大于B.小于C.等于28. 在本征半导体中参加_1_ 元素可形成N型半导体，参加_2_ 元素可形成P型半导体。1 A.五价 B.四价 C.三价2 A.五价 B.四价 C.三价29. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 _A.增大B.不变C.减小30. 工作在放大区的*三极管，如果当从12A增大22 A时，从1mA变为2mA，则它的约为 _A.83B.91C.10031. 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零，只有在外加电压到达约_V 时，正向电
7、流才明显增加，这个电压称为硅二极管的死区电压。与硅二极管一样，只有在锗三极管上外加正向电压到达约_V 时，正向电流才明显增加。这个电压称为锗二极管的死区电压。1 A.0.7V B.0.2V C2 A.0.7V B.0.2V C二、判断题(正确的选Y，错误的选N)1.P型半导体可通过在纯洁半导体中掺入五价磷元素而获得。Y N2.在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质改型为P型半导体。Y N3. P型半导体带正电，N型半导体带负电。Y N4. PN结的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。Y N5. 漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。Y N6. 由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两
8、端短路时就有电流流过。Y N7. PN结方程可以描述 PN结的正向、特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。Y N8N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。Y N11在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。Y N12当外加反向电压增加时， PN 结的结电容将会增大。Y N13通常的 BJT 管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。Y N14通常的 JEFT 管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。Y N15当环境温度升高时，本征半导体中自由电子的数量增加，而空穴的数量根本不变。Y N16当环境温度升高时，本征半导体中空穴和自由电子的数量都增加
9、，且它们增加的数量相等。Y N17 P 型半导体中的多数载流子都是空穴，因此， P 型半导体带正电。Y N18 PN 结中的空间电荷区是由带电的正，负离子形成的，因而它的电阻率很高。Y N19半导体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成。因此，半导体二极管也具有单向导电性。Y N21当二极管两端加正向电压时，二极管中有很大的正向电流通过。这个正向电流是由 P 型和 N 型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。Y N22用万用表判断二极管的极性，假设测得二极管的电阻很小，则，与万用表的红表笔相接的电极是二极管的负极，与黑表笔相接的是二极管的正极。Y N24用万用表欧姆挡测量二极管的正相电阻，用
10、R 1 档测出的电阻值和用 R 100 挡测出的电阻值不一样，说明这个二极管的性能不稳定。Y N25漂移电流是少数载流子形成的。Y N26当晶体二极管加反向电压时，将有很小的反向电流通过，这个反向电流是由 P 型和 N 型半导体中少数载流子的漂移运动产生的。Y N27. 普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿都是不可逆的。Y N28. 正偏时二极管的动态阻随着流过二极管的正向电流的增加而减小。Y N29. 发光二极管部仍有一个PN结，因而他同普通二极管一样导通后的正向压降为0.3V或0.7V 。Y N30. 发光二极管的发光颜色是由采用的半导体的材料决定的。Y N31. 稳压二极管只要加上反向
11、电压就能起到稳压作用。Y N32. 整流二极管一般都采用面接触型或平面型硅二极管。Y N33. 硅二极管存在一个结电容，这仅是由引脚和壳体形成的。Y N34. P 型半导体可以通过在本征半导体中掺入五价磷元素而得到。Y N35. N 型半导体可以通过在本征半导体正掺入三价铟元素而得到。Y N36. N 型半导体中，掺入高浓度的三价元素，可以改变为 P 型半导体。Y N37漂移电流是在电场作用先形成的。Y N38导体的价电子易于脱离原子核的束缚而在晶格中运动。Y N39导体中的空穴的移动是借助于相邻价电子于空穴复合而移动的。Y N40施主杂质成为离子后是正离子。Y N41受主杂质成为离子后是负离
12、子。Y N43极管的伏安特性方程式除了可以描述正向特性和反向特性外，还可以描述二极管的击穿特性。Y N题目系电力高等专科学校精品课程电子技术根底其中缺少题号的题目是与已有的题目重复，故没有写出。答案是本人参考各资料整理，旨在学习交流，如有错误，敬请指正。liuyj_chu*i163.答案：选择题：15. ACCAB 610. ACBDC 第9题中，2表示二极管，三极管则为3，A、B表示材料锗，C、D表示材料硅，A、C表示N型，P表示普通，W表示稳压，Z表示整流，后面阿拉伯数字表示序号。1115. CDA(1)C(2)A(1)A(2)E(3)B(4)D11题中两个稳压管D1和D2，稳定电压分别是V1和V2，正向导通电压都是0.7V，当D1和D2都反接即工作在稳压状态时，稳定电压为V
