模拟电子技术习题答案(南开版)

第 1 页 共 18 页 南开大学模电南开大学模电习题答案习题答案 （秦世才，贾香鸾《模拟电子技术》 ，南开大学出版社） 第一章 1-1 I = -2A 1-2 VVThev9, 3ThevR；AINor3，3NorR 1-3 (a) 213||RRRRThev，)/(212RRERVThev (b) )(||321RRRRThen，)/()(2132RRERRVThev (c) KRThev93. 1，VVThev67.10 1-4 REII/2 . 04 . 0 1-5 I = 0.324mA 1-6 SsThevVRRIV)(12，)()1 (312RRRRThev 1-7 VVThev9，6ThevR 1-8 AI92 1-9 )]1/([||120ARRR 1-10 KRNor8 . 1，mAINor56. 5 1-11 )1/(1ARRMiller，)100||100()]1/([||12ARRRi 因为当 A=1.1 时，净输入电流为零，所以等效输入电阻为 1-12 (a) KrRRbeBi2 (b) KRi102 1-13 (a) 1026eEirRR (b) 1027iR 1-14 KRRRRii10100001||2 1第二章 第 2 页 共 18 页 2-1 ∞ ，绝缘体 2-2 电子，空穴，相等。

2-3 Ⅲ，B，大于，小于 2-4 Ⅴ，P，小于，小于 2-5 空穴，电子，受主电离，本征激发，等于，小于 2-6 电子，空穴，施主电离，本征激发，等于，小于 2-7 2-8 扩散，漂移，等于 2-9 窄，小，＞ 2-10 雪崩，齐纳，7，正，5，负 2-11 mA024. 12110/ )25125(，500mV 2-12 490mV，508mV，610mV，670mV 2-13 1：2：3，大，小 2-14 结电容，高频检波 2-15 700，26，小 2-16 近似法：.8 . 0,7 . 0mAIVVDD 图解法： 作直线DdVRI5 . 1， 与图中的曲线相交， 得到mAIVVDD8 . 0,7 . 0 2-17 1D导通，2D和3DOFF，mAIVVRO2 . 1,2 2-18 利用戴维宁定理，左边变成 7.5k与-5V 串联，右边变成-6V 与 16k串联，所以mAI0426. 0)165 . 7/(1 2-19 左图：VVVVVVABC3 . 0,0,7 . 0 mAImAImAIOFFDRRR93. 010/3 . 9,1 . 0100/10,1,3211 右图：VVVVVVVVDCBA0,7 . 0,0,7 . 0 mAImAImAImAIRRRR2325. 040/3 . 9,125. 080/10,1,93. 04321 2-20 （a）正半波整流 （b）输入波形与输入相同 （c）无输出 （d）正半波整流 （e）负全波整流 （f）无输出，若有一个二极管烧坏，则成半波整流 2-21 （1） R=100 设2DOFF，则： ,7 . 017. 16,3 .48120/ )2 . 06(11VVRIVmAIB可见2DOFF 的假设不正确，即1D和2D都导通。

用诺顿定理将三个支路化成 60mA，10mA 和 70mA 的诺顿电流源，解得mAImAI5 .17,7 .3121 （2）R=1000 第 3 页 共 18 页 设2DOFF， 则,314. 06,686. 51020/ )2 . 06(11VRIVmAIB可见2DOFF的假设正确，02I 2-22 （1）5//,31VRVIVV （2）25. 1/ )3(5/, 73VVIV （3）25. 1/ )7(25. 1/ )3(5/, 7VVVIV 2-23 （a）正半波整流 （b）±0.7V 限幅，可用做保护电路 （c）±0.6V 限幅 （d）钳位电路 2-24 证：电压有效值的定义是，在相同时间内通过相同电阻产生相同热量的 DC 电压 0222 21)()sin(1EtdtEVeff 所以2/EVeff 平均值：全波正弦电压的平均值为零 半波波形： 0)()sin(21EtdtEV 2-25 稳压管的最大电流为 300mW/6V=50mA，负载电流为 3-12mA，在输入为 16V 时， 稳压管的电流要小于 50mA，即 7 .188),350(/ )616(RR 在输入为 14V 时，稳压管的电流要大于 10mA，即 6 .363),1210(/ )614(RR 取 R=330 验证：当输入 16V 时，R 上的电流为（16-6）/330=30.3mA，稳压管的电流为(27.3— 18.3)mA， 当输入 14V 时， R 上的电流为 （14-6） /330=24.2mA， 稳压管的电流为 （21.2 —12.2）mA，满足要求。

第三章 3-1 双极晶体管的定义是：输出交流短路共基电流放大系数 双极晶体管的定义是：输出交流短路共射电流放大系数 和的关系是：)1/(，)1/( 它们的典型值为：=0.9~0.99，=10~数百 3-2 大、小、大 3-3 放大、饱和、截至、倒置；放大、反、正；bcii，beii)1 ( 第 4 页 共 18 页 3-4 CBOI的定义是：发射极开路集电极反向饱和电流 CEOI的定义是：基极开路 C、E 间的漏电流 CBOBCIII，CEOBeIII)1 ( 3-5 C、E、0.7V 3-6 E、C、-0.3V 3-7 540mV、558mV、618mV、636mV、654mV、660mV、720mV 3-8 不对 3-9 小 3-10 10M、K100 3-11 er、er 3-12 (a) 截至 (b) 放大 (c) 临界饱和 (d) 饱和 (e) 倒置 3-17 fbibrbfbib iehh hhhhh11fbfbrbfbfb fehhhhhhhh11fbobrbfbob oehh hhhhh11rb fbobibfbrbrbfbrb rehhhh hhh hhhhhh111其中rbfbobibhhhhh 3-18 oErRrh//)1 (11 EoEo RrRrh21)(122EoRrh )(12EoERrRh 3-19 KMKh6 . 210||5 . 2100111005 . 2405 . 2//21KMSKvrvvghm第 5 页 共 18 页 4 12105 . 2 rrrh Srrrg rhmo5 221001. 2113-20 CE： 2726ieh，100feh，4106 . 2reh，Shoe510 CB：2710110026ibh，99. 0fbh 5101rbh，Shob710 CC： 2726ich，101fch，1rch，Shoc510 3-21 MHzccgfm T4 .875)(2第四章 4-1 (a) 截至 (b)夹断 (c)夹断 4－3. 图（a）是（N 沟 JFET）的特性曲线，其中 Vp＝（－4V） ，IDSS=(10)mA；图（b）是（p 沟 JFET）的特性曲线，其中 Vp＝（4V） ，IDSS=(－8)mA。

4－4. 图略 4－5. 反；> 4－6. 证明略 4－7. 当 VDS等于（1V）时它就开始夹断 4－8. 2V；2.5mA 4－9. 1.2mA；1.6mA 4－10. 200 欧姆；800 欧姆 4－11. 100K 欧姆；40K 欧姆 4－12. 1mS；0.707mS 4－13. （a）－6V （b）4V （c）4V （d）6V 第 6 页 共 18 页 4－14. V0＝1V 4－15. （a）r0＝rds （b）r0＝（1/gm||rds）≈1/gm 4－16. 略 4－17. 略 4－18. （a） 饱和区（b）饱和区 （c）截止区 （d）电阻区 4－19. 略 4－20. （1）电阻区，VDSVT RDS＝1/K(VGS－VT)， 其中 K＝CoμnW/L （2）饱和区，VDS>VGS－VT，VGS>VT rds＝1/|λID| 4－21. VDSmin＝2V，ID＝8mA 4－22. RDS＝750 欧姆 4－23. V0＝1.414V 或 0.566V 两个解 4－24. rds＝100K 欧姆,gm=1.6mA/V；gm＝38.5mA/V。

第五章 5-1 答：2KΩ 5-4 Av(dB) -3 -6 0 6 20 26 32 38 40 120 Av(倍) 0.707 0.5 1 2 10 20 40 80 100 106 5-5 Ap(倍) 0.5 2 10 100 1000 106 Ap(dB) -3 3 10 20 30 60 5-6 答：BJT 的输出是恒流源，可接入大的负载电阻而输出电流不变，所以能放 大;无源网络接上负载之后，输出电流变小，电流关系不再成立 5-7 这种说法不对输出是电流源，RL||RC与 rce是分流而不是分压 5-8 VCEQ=5.6V ICQ=1.5mA 5-9 饱和 小；截止 大 第 7 页 共 18 页 5-10 截止 大；饱和 小 5-11 证：IBRB + VBC – ICRC = 0 VBC = ICRC – IBRB = IB(βRC – RB) 当βRC> RB时，VBC>0 所以饱和 5-12 解：(a) DC: 9=IC(2+0.2) + VCE 交横轴于 9V， 交纵轴于 4.1mA ICQ = 2mA VCEQ = 4.6V AC: RL’=1.5K EC’ = 7.6V ,它与 Q 的连线即 AC 线 (b) DC: 过(20V，0mA)的垂线，ICQ = 80mA AC: AC 负载为 250Ω EC’= 40V A(40V，0mA)点与 Q 点的连线即 AC 线 5-13 解：(a) DC：-12 = IC(2+0.2) + VCE, 交横轴于-12V，交纵轴于 5.45mA AC 线同 DC 线 (b) DC: 12 = ID(1+1) + VDS, 交横轴于 12V，交纵轴于 6mA AC 线同 DC 线 5-14 答：ICQ(RC||RL) = EC’ – VCEQ, 当 Q 点在 AC 负载中点以下时， 或该图先出现 截止失真时，这种说法成立。

5-15 答：2.9V 5-16 解: (1) ICQ = 1mA, VCEQ = 8V (2) 12 = VCE + 4IC (3) DC 线是 A(0V，3mA)和 B(12V，0mA)的连线 (4) AC 线是(10V，0mA)与 Q 的连线 (5) 截止失真 5-17 答：ICQ = 2.67mA 5-1。