薄膜黄光蚀刻制程简介

World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron1NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay1 薄膜黃光蝕刻製程簡介顏良富、簡鼎杰World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron2NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay2薄膜技術簡介World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron3NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay3 Sputter ITO技術介紹World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron4NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay4大 綱•成膜製程•ITO 靶材•品質異常處理World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron5NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay5Touch panel ITO layer剖面圖玻璃基板玻璃基板 (0.55 mm)§ ITO (Indium-Tin-Oxide) § 透明導電膜 § 高透過率§ 低Sheet阻抗值(高導電性)ITO film 200AWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron6NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay6•透明導電膜 可視透過率＞＞90﹪以上 (400~700nm)，，sheet抵抗<180 Ω/□以下•高品質透明導電膜的基本要求：： 高透過率，，低sheet抵抗值。

•ITO (Indium-Tin-Oxide): 與其他透明導電膜比較(IZO)，，ITO膜的性能好，，生產安定性佳World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron7NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay7濺鍍(Sputtering) 利用電漿所產生的離子，，藉著離子對被覆材電極的轟擊，，使電漿內具有被覆材料的原子，，再進行薄膜沉積反應在陰極靶(Target)加一負高壓，，使帶正電離子(一般為Ar +)加速之後，，以高動量狀態撞擊靶材，，經動量交換後，，將靶材表面原子、、二次電子(Secondary electron)等濺鍍出其中，，原子在基板(Substrate)表面沈積，，形成薄膜;而二次電子朝陽極(基板)加速，，並於加速過程中再撞擊Ar氣體，，使游離出更多帶正電離子(Ar +)，，此正電離子再由負高壓來加速並撞擊靶材，，如此不斷重複此過程，，置備所需之薄膜World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron8NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay8濺鍍的原理真空室基板靶材電漿Ar+e-氣入口真空泵-2kVWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron9NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay9ITO 製程腔室Chamber說明Carrier真空腔體基板靶材直流電源供應冷卻水背板製程气体 (Ar, Ar+O2 )真空幫浦陰極遮板真空計(MFC)電漿(Plasma)絕緣板磁鐵配合箱DC￿ ￿World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron10NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay10ITO成膜特性介紹ITO膜性質的決定因素:1.基板溫度:高溫成膜可降低sheet抵抗值2.成膜壓力:成膜壓力會影響ITO膜與基板間的密著性，， 一般成膜壓力控制在5E-03 h Pa ~ 7E-03 h Pa 3.氣體成份: 通常添加Ar及O2 作為濺鍍所需之氣體。

理 論上，，若O2 的比例越大，，其透過率越佳;但 抵抗值則在某一比例時會得到最低值 World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron11NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay11成膜方式•濺鍍的種類1500A約 140℃大氣回火1500A約 140℃真空回火低溫成膜2nd約200℃ (3.8-4.0kw)200A，1300A1st約140℃ (約1.9kw)無需回火高溫成膜膜厚成膜溫度回火方法World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron12NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay12成膜方式(續)200℃140℃高溫成膜低溫成膜TWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron13NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay13熱剖面圖World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron14NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay14ITO 膜厚之決定方式1500A導電率透過率 D 用電阻值及透過光性得最適當的膜厚 調整膜厚 現在電力值×1500A÷膜厚實測值＝＝變更電力值World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron15NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay15World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron16NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay16World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron17NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay17ITO 製程調校1.確認濺鍍是否運轉符合規格書上訂定之規格 2. 製程調整: 一般以舊有之機台之參數當參考若第一次調機則先調整基板溫度至所需要的製程溫度;然後再調整腔體壓力至所需要的壓力範圍(通常為5.0~7.0 E-3)左右;最後再調整O2/Ar的比例，，讓透過率及sheet抵抗值得到最佳的數據。

3. 條件確認後，，產品需作特性值(膜厚、、阻抗值、、透過率)，，剝落測試，，膜附著力等確認項目規格項目規格項目規格進入/離開 腔室chamber≦ ≦2E-02 hPa轉換腔室chamber≦ ≦5E-06 hPa處理chamber≦ ≦3E-06 hPaWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron18NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay18World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron19NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay19•ITO = Indium Tin Oxide•90 wt. % In2O3-10 wt.% SnO2World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron20NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay20ITO 靶材製造流程原料 (In2O3 粉末 + SnO2 粉末)最終製品檢查粘著加工燒結混合造粒成形秤量脫脂真空包裝出貨World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron21NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay21ITO 靶材製程種類•MMF 製程法 (Mitsui Membrane Filtration Method)•CP 製程法 (Cold Press Method)•HP 製程法 (Hot Press Method)World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron22NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay22HP (Hot Press) 製程法ITO 粉末(乾式)加熱加熱垂直加壓碳質成型框World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron23NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay23CP (Cool Press) 製程法ITO 粉末(乾式)垂直加壓不鏽鋼成型框World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron24NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay24MMF (Mitsui Membrane Filter) 製程法ITO粉末 + DIW (Slurry狀)真空吸引脫水垂直加壓過濾膜Stainless成型框World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron25NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay25ITO 靶材製程種類與密度特性製程法密度(g/cm³)相對密度(%)MMF 7.11 99.5CP 7.08 99.0CP 7.0 98.0CP 5.0 70HP 6.44 90World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron26NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay26ITO 靶材技術發展方向•減少nodule發生 (nodule less)•降低成本 (cost down)•防止靶材破裂 (crack)•減少原始污染物 (initial particle)World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron27NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay27品 質 異 常 處 理•特性值(膜厚、、阻抗值、、透過率)數值稍差調整•特性值(膜厚、、阻抗值、、透過率)數值異常之可能發生因素•膜面刮傷異常之可能原因及處置•靶材更換後，，真空異常之可能原因World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron28NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay28特性值(膜厚、、阻抗值、、透過率)數值稍差調整•一般膜厚偏高或低則調低或高每一層之 濺鍍功率即可•一般阻抗偏高則調高每一層之濺鍍功率，，即可降低阻抗值World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron29NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay29特性值(阻抗或透過率)數值異常之可能發生因素•濺鍍處理壓力異常: MFC之氣體流量異常=> 檢查每一氣體流量是否異常 進料穿越漏氣 => 檢查處理壓力異常處 底下漏氣 => 檢查處理壓力異常處 濺鍍內部Carrier 感測器之石英玻璃是否破裂 靶材是否擊穿漏水 濺鍍 Chamber間是否有Gap造成漏氣•濺鍍功率異常: 電源供應損壞 Sparc損壞  剝離造成靶材和備品導通•量測機台異常或人員量測錯誤World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron30NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay30靶材更換後，，真空異常之可能原因•氣灑裝置異常(螺絲未裝或未鎖緊;O-環損壞或未裝)•背板有坑洞傷痕•靶材未裝好或鐵弗龍框架變形，，O-環不潔或受損•腔室上之O-環不潔或受損•清機後東西未收拾完全(如無塵布留在腔室…等)•設備工程師保養不妥善•背板漏水•其他World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron31NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay31黃光技術簡介World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron32NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay32綱要黃光工程基本概念黃光製程流程簡介黃光設備功能簡介World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron33NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay33黃光工程基本概念Negative Type Photo Resist Resist CoatingExposure & PatterningDeveloping & Pattern FormingGlass SubstrateWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron34NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay34黃光工程基本概念Positive Type Photo Resist Resist CoatingExposure & PatterningDeveloping & Pattern FormingGlass Substrate正型光阻所製作出來的Pattern與光罩上的相同World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron35NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay35黃光製程流程簡介(正型光阻)LDCleanerPlasmaB/FSlit CoaterCPB/FHP(pre bake)ExposureDevelopStripperEtchingFlipperHP(post bake)B/FSlit CoaterB/FFlipperHP(pre bake)B/FULDWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron36NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay36黃光設備功能簡介World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron37NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay37Cleaner (溼式洗淨)Brush Area毛刷洗淨Jet-spray噴射灑水(DIW1)MS超高音波(DIW2)Air Knife空氣刀基板行進方向World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron38NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay38Detergent CleanerDETERGENTC.J. AREAD.I.W. 1BRUSH AREAD.I.W. 2AIR KNIFED.I.W.TANK 上方噴嘴 下方噴嘴AIRFILTERDRAINDRAIN廠務端廠務給水廠務端壓縮空氣(CDA)廠務給水DETERGENTTANK UNITDETERGENTTANK UNITDRAINALKALINE鹼性排氣給水方向排水方向壓縮空氣方向World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron39NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay39DIW CleanerD.I. WATER TANK廠務給水DRAIN 上方噴嘴 下方噴嘴DRY CHAMBERD.I.W. 2D.I.W. 1D.I.W. BRUSHDRAIN(2)AIRFILTER廠務端壓縮空氣(CDA)WET濕氣排氣給水方向排水方向壓縮空氣方向WET濕氣排氣DRAIN(1)WET濕氣排氣(1)(1)(1)(2)BRUSHBRUSHSHOWERSHOWER(B)(B)(A)(C)排水氣BRUSHWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron40NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay40Brush Area基板可藉由刷洗的程序除去較大粒徑的異物(100μm)。

毛刷旋轉方向可分為順時針與逆時針兩種World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron41NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay41Jet-Spray噴射灑水可除去中等粒徑的異物( 25μm) 噴射灑水洗淨又稱為二流體(liquid + gas)洗淨World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron42NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay42超音波洗淨的功能超高音波洗淨可除去細微粒徑( 10μm)的異物超高音波洗淨主要機制如下：(1)超高音波震動子震動(2)水分子獲得能量(3)水分子到達基板(4)除去基板表面微細異物(5)能量由基板表面傳至背面(6)藉由背面潤濕除去微細異物World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron43NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay43Cavitation Jet (CJ)利用小氣泡沾附於Particle，當聚集成較大的氣泡時，可藉由浮力將其帶走。

World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron44NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay44Air Knife空氣刀主要用來除去基板表面的水膜，避免因表面殘留的水痕造成後續製程Mura的產生World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron45NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay45Plasma Cleaner (乾式洗淨)類似UV的功能，藉由電漿將氣體分子(例如O2、H2、N2、CH4)分解成離子、電子、自由基等高反應性物質，再利用這些高反應性物質來與有機污染物進行反應，以達到表面改質及清潔的效能World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron46NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay46Plasma Cleaner (乾式洗淨)常壓式plasma cleaner的特點：•在常壓下即可產生電漿•不需要真空腔體，設備體積較小•污染小World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron47NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay47Plasma Cleaner (乾式洗淨)World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron48NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay48Slit Coating藉由壓力將光阻均勻塗佈於玻璃基板上。

變因：(1)吐出量 (ml) ：藉由氣體的壓力的大小來調整所需光阻的滴下量2)塗佈速度 (mm/sec)：視光阻黏度及製程需要而定3)塗佈寬度：以SIM片控制塗佈寬度及吐出量4)Gap：Nozzle與基板之間的距離，距離大小影響光阻耗用量與塗佈均勻性World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron49NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay49Slit Coating 作動流程World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron50NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay50Hot Plate (HP) & Cooling Plate (CP)變因：(1)溫度：影響光阻揮發狀況及附著性2)溫度的均勻性：間接影響膜厚均勻性3)排氣：可能是污染的來源4)加熱時間：影響附著性、間接影響CD值World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron51NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay51Hot Plate (HP) & Cooling Plate (CP)HP：主要將光阻表面進行預烘烤，除了可將光阻中部份的溶劑揮發並可增加其表面硬度外，另一方面可加強光阻與基板的附著性。

CP：主要用途是將高溫烘烤之基板降溫，使基板溫度適合於該製程使用World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron52NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay52曝光機變因：(1)曝光能量：能量的多寡視光阻的起使劑種類與數量而定2)Gap：Gap的高低與光阻本身特性及光罩設計有關3)溫度：影響曝光後產品的品質4)對位：曝光對應位置須一致￿￿World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron53NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay53Developer玻璃基板經過Developer後，正型光阻曝光的部分將被去除變因：(1)顯影液種類及濃度：(2)顯影壓力： (3)顯影速度： (4)流量：(5)溫度：顯影拔取時間World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron54NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay54DeveloperDeveloper顯影槽DilutionDeveloper稀釋槽WaterCurtain液切槽WaterSpray灑水Brush背面刷洗AirKnife空氣刀CavitationJetCJ洗淨基板行進方向World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron55NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay55DeveloperWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron56NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay56DeveloperWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron57NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay57Post-bake將光阻硬化，並增強附著力。

變因：(1)溫度：影響光阻揮發狀況及附著性2)溫度的均勻性：間接影響膜厚均勻性3)排氣：可能是污染的來源4)加熱時間：影響附著性、間接影響CD值World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron58NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay58 蝕刻技術簡介World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron59NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay59TFT Array 製程關鍵性技術—蝕刻製程技術•依其用途領域不同可分為–濕式蝕刻法(Wet Etching)–乾式蝕刻法(Dry Etching)•電漿蝕刻法•反應性離子蝕刻法World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron60NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay60資料來源：顧鴻壽編著，“光電液晶平面顯示器—技術基礎及應用”World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron61NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay61濕蝕刻反應過程大概可分為三個階段：（1）反應物質擴散到欲被蝕刻材質的表面，（2 ）反映物與被蝕刻薄膜反應，（3 ）反應後的產物從蝕刻表面擴散到溶液中，並隨溶液被排出。

在此三個階段中，反應最慢者就是蝕刻速率的控制關鍵，也就是說，該階段的進行速率即是反應速率World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron62NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay62Scheme of Wet Etching 噴嘴玻璃薄膜 蝕蝕 刻刻 液液化學反應化學反應化學反應化學反應光阻蝕刻製程(可分二種方式)1. Wet Etch 濕式蝕刻 蝕刻後光阻去除 去去 光光 　阻　阻 液液World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron63NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay632. Dry Etch 乾式蝕刻 A. PE mode (Plasma etching) B. RIE mode (Reactive ion etching) 下電極板下電極板 ( (陽極陽極) ) 下電極板 (陰極) PlasmaPlasma上電極板 (陽極) PlasmaPlasma上電極板上電極板 ( (陰極陰極) ) PE modeRIE modeWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron64NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay64 顯 影去光阻液去光阻(striping)鍍第二層膜上光阻對準,曝光光罩顯影 液 蝕刻TFT的循環製程圖解 2World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron65NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay65TFTCstContactTopside exposure---UV lightMo/AlNd 蝕刻蝕刻Mask 1Mo 500AAlNd 3000AWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron66NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay66World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron67NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay67(1)Indexer：主要功能為將產品玻璃送入蝕刻製程線（Process line）入口，並將已完成蝕刻製程的玻璃正確送回原產品匣（Cassette）(2)Entrance conveyer：為蝕刻線的入口傳輸單位，可透過玻璃在此單位的停留時間，來控制兩片玻璃進入蝕刻線之前後間隔(3)Etch 1 ：產品玻璃所遇到的第一個蝕刻槽（etching chamber），玻璃通常在此停留以完成主要的薄膜蝕刻移除程序；部分製程甚至加裝蝕刻終點偵測器（End PointDetector， EPD），以利蝕刻終點的正確抓取。

4)Etch 2：產品玻璃於Etch 1完成主要的蝕刻程序後，為了避免因蝕刻速率不均，而有少數薄膜殘留存在，將在第二個蝕刻槽進行過蝕刻（Over etching），以確保薄膜的徹底移除5)Rinse 1：蝕刻完成後，需將玻璃表面之化學溶液及反應生成物去除，故在此清洗槽進行初步的洗淨動作通常玻璃由蝕刻槽進入此清洗槽之前，會有風刀（A i rknife）的設置，以將伴隨玻璃進入清洗槽的化學溶液量降至最低，如此可同時減少化學溶液的消耗及清洗用水的需求量，如圖5所示6)Wet shuttle：由於此類的蝕刻機台設計為U 字型，故此單位的功能主要為傳輸過渡帶；在傳輸的過程中，適當的噴灑洗淨水，有助於殘留之化學溶液去除，並保持濕潤以免玻璃表面未洗淨之化學溶液及蝕刻反應生成物乾凅7)Rinse 2：產品玻璃在此洗淨槽進行二次沖洗的動作，務求徹底地將化學溶液及蝕刻反應生成物完全洗淨移除，以免影響後續之製程進行World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron68NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay68(8)Dryer：此單位主要由兩道的風刀前後排列（非平行）而成，主要是利用強力風壓的作用，將留在產品玻璃上的洗淨水驅離玻璃表面，以避免塵粒（Particle）的附著，或水痕（Water mark）的殘留。

9)Outlet conveyer & Cross passageWorld Class QualityCONFIDENTIALUnimicron69NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay69a.鋁、鉬金屬蝕刻鋁或鋁合金的濕蝕刻製程，主要是使用加熱的磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、醋酸（CH3COOH）及水的混合溶液來進行；加熱的溫度大約在攝氏35到60度之間，溫度越高蝕刻速率越快而蝕刻反應的進行方式則是藉由硝酸與鋁反應產生氧化鋁，再由磷酸和水來分解氧化鋁；而醋酸主要是用做緩衝劑（Buffer Agent），來抑制硝酸的解離至於蝕刻速率的調整，則可藉由改變硝酸及磷酸的比例，再配合醋酸的添加或是水的稀釋來控制， 相關之化學反應式如World Class QualityCONFIDENTIALUnimicron70NATIONAL QUALITY AWARD明興光電股份有限公司CONFIDENTIALUniDisplay70b.ITO蝕刻另外關於氧化銦錫（ITO）的蝕刻製程， 目前主要是利用草酸（H2C2O4）溶液來進行ITO 薄膜的移除， 再配合適當的界面活性劑（Surfactant），以調配出最佳的蝕刻率（Etching rate）、蝕刻均一性（Uniformity）等重要的製程控制參數，ITO 蝕刻相關的反應式如下：。