n ITO 導電玻璃入門知識n ITO 外表處理方法n ITO 玻璃技術之 SiO2 阻擋膜層規格ITO 導電玻璃入門知識 2023-5-30ITO 導電玻璃是在鈉鈣基或矽硼基基片玻璃的基礎上，利用磁控濺射的方法鍍上一層氧化銦錫〔俗稱ITO〕膜加工製作成的液晶顯示器專用ITO 導電玻璃，還會在鍍 ITO 層之前，鍍上一層二氧化矽阻擋層，以阻挡基片玻璃上的鈉離子向盒內液晶裏擴散高檔液晶顯示器專用 ITO 玻璃在濺鍍 ITO 層之前基片玻璃還要進行拋光處理，以得到更均勻的顯示把握液晶顯示器專用 ITO 玻璃基板一般屬超浮法玻璃，全部的鍍膜面為玻璃的浮法錫面因此，最終的液晶顯示器都會沿浮法方向，規律的出現波紋不平坦情況在濺鍍 ITO 層時，不同的靶材與玻璃間，在不同的溫度和運動方式下，所得到的ITO 層會有不同的特性一些廠家的玻璃 ITO 層常常外表光潔度要低一些，更简洁出現“麻點”現象； 有些廠家的玻璃 ITO 層會出現高蝕間隔帶，ITO 層在蝕刻時，更简洁出現直線放射型的缺劃或電阻偏高帶；另一些廠家的玻璃 ITO 層則會出現微晶溝縫ITO 導電層的特性：ITO 膜層的主要成份是氧化銦錫在厚度只有幾千埃的情況下，氧化銦透過率高，氧化錫導電力气強，液晶顯示器所用的ITO 玻璃正是一種具有高透過率的導電玻璃。
由於ITO 具有很強的吸水性，所以會吸取空氣中的水份和二氧化碳並產生化學反應而變質，俗稱“黴變”， 因此在存放時要防潮ITO 層在活性正價離子溶液中易產生離子置換反應，形成其他導電和透過率不佳的反應物質，所以在加工過程中，儘量避开長時間放在活性正價離子溶液中ITO 層由很多細小的晶粒組成，晶粒在加溫過程中會裂變變小，從而增加更多晶界，電子突破晶界時會損耗确定的能量，所以 ITO 導電玻璃的 ITO 層在 600 度以下會隨著溫度的上升， 電阻也增大ITO 導電玻璃的分類：ITO 導電玻璃按電阻分，分為高電阻玻璃〔電阻在 150~500 歐姆〕、一般玻璃〔電阻在 60~150 歐姆〕、低電阻玻璃〔電阻小於 60 歐姆〕高電阻玻璃一般用於靜電防護、觸控螢幕製作用； 一般玻璃一般用於 TN 類液晶顯示器和電子抗干擾；低電阻玻璃一般用於STN 液晶顯示器和透亮線路板ITO 導電玻璃按尺寸分，有 14”x14”、14”x16”、20”x24”等規格；按厚度分，有 2.0mm、1.1mm、0.7mm、0.55mm、0.4mm、0.3mm 等規格，厚度在 0.5mm 以下的主要用於 STN 液晶顯示器產品。
ITO 導電玻璃按平坦度分，分為拋光玻璃和一般玻璃影響 ITO 玻璃性能的主要參數： 長度、寬度、厚度及允差〔±0.20〕垂直度〔≤0.10%〕翹曲度〔厚度 0.7mm 以上≤0.10%，厚度 0.55mm 以下≤0.15%〕 微觀波紋度倒邊C 倒邊〔0.05mm≤寬度≤0.40mm〕R 倒邊〔0.20mm≤寬度≤1.00mm，曲率半徑≤50mm〕 倒角〔浮法方向 2.0mmX5.0mm；其餘 1.5mmx1.5mm〕 SIO2 阻擋層厚度〔350 埃±50 埃，550nm 透過率≥90%〕ITO 層光學、電學、蝕刻性能〔蝕刻液：600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3〕：見表 1-1表 1-1化學穩定性：耐鹼為浸入 600C、濃度為 10%氫氧化鈉溶液中 5 分鐘後，ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%耐酸為浸入 250C、濃度為 6%鹽酸溶液中 5 分鐘後，ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%耐溶劑為在 250C、丙酮、無水乙醇或 100 份去離子水加 3 分 EC101 配製成的清洗液中 5 分鐘後，ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%附著力：在膠帶貼附在膜層外表並快速撕下，膜層無損傷；或連撕三次後，ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%。
熱穩定性：在3000C 的空氣中，加熱30 分鐘後，ITO 導電膜方塊電阻值應不大於原方塊電阻的 300%外觀質量：裂紋：不允許粘附物：包括塵粒、玻璃碎等凸起物，TN 型 ITO 導電玻璃鍍膜面不允許有不行去除的高度超過 0.1mm 的粘附物；STN 型 ITO 導電玻璃鍍膜面不允許有不行去除的高度超過 0.05mm 的粘附物沾汙：不行有不溶于水或一般清洗劑無法除去的沾汙崩邊：長 X 寬≤2.0mmx1.0mm；深度不超過玻璃基片厚度的 50%；總長度≤總邊長的 5%劃痕：見表 1-2表 1-2玻璃體點狀缺陷：包括氣泡、夾雜物、外表凹坑、異色點等點狀缺陷的直徑定義為：d=(缺陷長+缺陷寬)/2見表 1-3表 1-3玻璃體線狀缺陷(寬度 W)：包括玻筋、光學變形見表 1-4表 1-4膜層點狀缺陷：SIO2 阻擋層和 ITO 導電層的點狀缺陷包括針孔、空洞、顆粒等，點狀缺陷的直徑定義為：d=(缺陷長+缺陷寬)/2見表 1-5表 1-5ITO 導電玻璃的工廠自適應測試方法及判定標準：尺寸：A、測試方法：用直尺和遊標卡尺測量待測玻璃原片的長度、寬度、厚度B、判定標準：測量結果在供應商所供给的參數範圍之內為合格。
面電阻:A、測試方法：把待測試玻璃整個區域做為測試區域，然後測試區域分成九等份後再用四探針測試儀分別測試各區域的面電阻B、判定標準：根據測試結果計算出電阻平均值及電阻資料分散值，結果在要求範圍內既是合格ITO 層溫度性能A、測試方法：把待測玻璃原片在3000C 的空氣中，加熱 30 分鐘，測試其加溫前後的同一點面電阻阻值B、判定標準：ITO 導電膜方塊電阻值應不大於原方塊電阻的 300%為合格蝕刻性能：A、測試方法：把待測玻璃原片放入生產線所用的蝕刻液中測試其蝕刻完全的時間B、判定標準：蝕刻完全的時間值小於生產工藝所設定時間的一半值為合格或按表 1-1 蝕刻性能指標檢測ITO 層耐鹼性能A、測試方法：把待測玻璃原片放在 600C、濃度為 10%氫氧化鈉溶液中 5 分鐘後，測試其浸泡前後的同一點面電阻阻值B、判定標準：ITO 層方塊電阻變化值不超過 10%為合格光電性能與牢靠性：A、測試方法：把待測玻璃與現生產用玻璃按現生產工藝參數，選擇一型號製作成成品並測試其光電與牢靠性性能；B、判定標準：光電性能與牢靠性測試結果與現生產用玻璃結果相當，並在測試產品型號要求範圍之內ITO 導電玻璃的選用規則：模數在 240 以上的產品，一般可選用供應商 B 級品玻璃；模數在 40 模以上，240 模以下的產品，一般選用一般 A 級品玻璃；模數在 40 模以下的產品，STN 產品，一般選用低電阻拋光玻璃。
COG 產品，一般選用 15 歐姆拋光玻璃附：工廠 ITO 玻璃參考選用原則：6、ITO 導電玻璃的使用方法：l 任何時候都不容許疊放；l 除規定外，一般要求豎向放置；平放操作時，儘量保持 ITO 面朝下；厚度在 0.55mm 以下的玻璃只能豎向放置；l 取放時只能接觸四邊，不能接觸導電玻璃 ITO 外表；l 輕拿輕放，不能與其他治具和機器碰撞；l 假设要長時間存放，确定要留意防潮，以免影響玻璃的電阻和透過率；l 對於大面積和長條形玻璃，在設計排版時要考慮玻璃基片的浮法方向7、ITO 導電玻璃的貯存及搬運方法：ITO 導電玻璃的貯存方法：ITO 導電玻璃應貯存在室溫條件下，濕度在 65%以下乾燥保存；貯放時玻璃保持豎向放置， 玻璃間堆放不行超過二層，木箱裝ITO 導電玻璃貨物堆放不行超過五層紙箱裝貨ITO 導電玻璃貨物，原則上不能堆放ITO 導電玻璃搬運方法：易碎品，留神輕放，保持搬運過程中的穩定性，搬運時層高不得超過三層ITO 外表處理方法 2023-12-18林慧，成建波，陳文彬，楊剛，楊健軍〔電子科技大學光電資訊學院，四川 成都 610054〕 摘 要：不同的外表處理會影響ITO 薄膜的光學和電學性能，並對整個OLED 器件的效率和壽命產生影響。
因此需要通過外表性能本文介紹了幾種常用的外表處理方法，並對各種處理方法進行比較1 引言應用于彩色顯示器的有機發光器件〔OLED〕具有優秀的圖像質量，特別是在亮度以及對比度等方面近十年來，對 OLED 的争论得到廣泛的關注，對未來的圖像顯示技術帶來無法估量的衝擊OLED 器件的性能與空穴注入過程有格外亲热的關係，通過使用錫摻雜氧化銦〔ITO〕做 OLED 的陽極ITO 具有低電阻率、高可見光率和高紅外光反射率等優良特性，已經被廣泛應用於固態平板顯示器件ITO 的導帶主要由 In 和 Sn 的 55 軌道組成，價帶由氧的 2S 軌道占主導地位氧空位及 Sn 取代摻雜原子，構成施主能級並影響導帶中的載流子濃度在 ITO 澱積過程中， 由於薄膜中產生氧空位和 Sn 攙雜取代，形成高度簡並的n 型半導體費米能級位於導帶底之上，因而具有很高的載流子濃度及低電阻率此外，ITO 的帶隙較寬，因而 ITO 薄膜對可見 光和近紅外光具有很高的透過率但是，由於 ITO 屬於非化學計量化合物，噴塗法、真空蒸發、化學氣相澱積、反映離子注入以及磁控濺射等沉積方法、沉積條件，以及外表處理方法， 都將影響 ITO 薄膜的性能，導致ITO 外表功函數在 4~5eV 之間變化。
目前，ITO 玻璃的生產已經商業化，想要改善 OLED 的性能，需要對 ITO 的外表進行處理，使之適應有機物薄膜2 外表處理對 ITO 外表性能的影響下面從電學及外表性質兩個方面，討論 ITO 外表處理的作用以及對 OLED 性能的影響2.1 外表處理對 ITO 外表性能的影響ITO 陽極是 OLED 光出射面，粗糙的ITO 外表將使光線發生漫反射，減少出射光的強度，降低 OLED 的外量子效率粗糙的ITO 外表會影響 OLED 的內場分佈，ITO 外表的局部高場會加速有機材料老化，從而降低器件的壽命和穩定性2.2 外表處理對 ITO 電性能的影響OLED 是空穴注入限制器件，空穴注入的數目直接影響整個器件的性能通過改變外表的 In、O、Sn 及外表 C 污染物的含量，可以提高外表功函數，減小空穴注入的勢壘，提高空穴注入的數目ITO 是 n 型半導體，由重攙雜的Sn4+以及氧空位供给電子，當減少這兩種成份在外表的含量時間，外表功函數就會降低3 ITO 外表處理方法常用的 ITO 外表處理方法有機械拋光處理、酸堿處理、等離子處理及以上各種方法的結合在進行外表處理之前，要對 ITO 基片進行清洗，依次用去離子水、丙酮、無水醇超聲清洗各30 分鐘後，再用純氮氣吹幹。
下面詳細說明各種外表處理方法3.1 ITO 外表處理方法固體外表的結構和組成都與內部不同，處於外表的原子或離子表現為配位上的不飽和性，這是由於形成固體外表時被切斷的化學鍵造成的正是由於這一缘由，固體外表極易吸附外來原子，使外表產生污染因環境空氣中存在大量水份，所以水是固體外表最常見的污染物由於金屬氧化物外表被切斷的化學鍵為離子鍵或強極性鍵，易與極性很強的水分子結合，因此，絕大多數金屬氧化物的清潔外表，都。