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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划光电显示材料(共2篇)光电材料与器件摘要：本文中主要介绍了光电材料与器件的基本概念，还有其发展的背景条件，和在相关领域的一些应用，以及对新型光电材料的一些研究进展。从而使读者能够对光电材料与器件有一个初步了解，进而对其产生研究探索的兴趣。关键词：光电材料；光电器件；光伏发电OptoelectronicmaterialsanddevicesAbstract:Thisarticlemainlyintroducesthebasicconceptofoptoelectronicmateria
2、lsanddevices,anditsbackgroundconditionsofdevelopment,andsomeapplicationinrelatedfields(communications,photovoltaicpowergeneration,etc.),andsomeresearchprogressofnewtypeofphotoelectricthatthereaderscanhaveapreliminaryknowledgeofoptoelectronicmaterialsanddevices,andhaveintereststoexploremoreaboutthem.
3、Keywords:photovoltaicmaterials;Photoelectricdevice;Photovoltaicpowergeneration光电材料与器件1.光电材料与器件简介1光电材料简介光电材料是指用于制造各种光电器件的材料。具有信息产生、传输、转换、检测、存储、调制、处理和显示等功能。主要包括红外材料、激光材料、光纤材料、非线性光学材料等。光电材料不仅是现代信息社会的支柱，也是信息技术革命的先导；光电材料的研究是当代科学的前沿，具有多学科交叉的特点，是一个极富创造和挑战的领域。光电材料是整个光电产业的基础和先导。光电子产业概况光电材料激光材料光纤玻璃纤维光电材料主要包括：
4、III-V族的化合物半导体光电材料；有机半导体光电材料；无机晶体和石英玻璃；III-V族的元素可以任意组合形成许多化合物半导体材料，例如AlGaAs、InGaAsN等。目前，大多数商用半导体光电器件由GaAs基,InP基和GaN基化合物半导体材料系统制成，广泛用于光通信网络、光电显示、光电存储、光电转换和光电探测等领域。光电器件光电器件是指能实现光辐射能量与信号之间转换功能或光电信号传输、处理和存储等功能的器件。新产品新技术不断涌现由光电材料制成的光电器件和产品正逐渐应用于信息产业的每一个重要环节，从信息的获取、处理、传输到信息的存储和显示，信息产业对信息相关产品的高速、大容量、高清晰、超薄和
5、超轻的不断要求，推动者光电产业的持续高速发展，光电新产品和新技术不断涌现。其中，光通信产品与相关系统及其组件、光电显示、光通信和光存储是目前光电产业最主要的几个应用领域。光电传感系统及其相关器件在光通信产品与相关系统及其组件方面，国内外主要发展的光电产品和系统包括新型的光纤光缆、10Gb/s以上的超高速、大容量SDH光传输系统，密集波分复用(DWDM)光纤通信系统、IPoverDWDM系统、全光网络产品与系统、光有源器件、光无源器件、光子集成(PIC)和光电集成(OEIC)器件和模块。光电显示领域在光电显示领域，以液晶显示(LCD)为主流的平面显示器件产品几乎已全面地取代了传统的CRT产品，进
6、入新世纪后，世界平面显示器件产品的市场就已达到约280亿美元的规模，现在每年以10%-15%的速率增长。在光电平面显示器件和产品中，液晶已经渗透到显示器件的每一个领域；等离子显示屏在42英寸以上的大尺寸彩电已经实现商品化并占据主导地位；被誉为梦幻显示的有机电致发光显示器件也开始在手机、数码相机、PDA等小尺寸显示领域得到应用。GaN基蓝光发光二极管的研制成功和商用器件的面世，为LED产品的全彩显示和白光照明提供了可能，并在世界范围掀起了一场蓝光热和照明革命。半导体激光器与光存储.半导体激光器的成功开发，使CD-ROM、VCD和DVD为代表的数字光盘成为当光电信息材料的应用前景Name:asdf
7、ghj摘要：光电信息材料是一类重要的功能材料,在激光、计算机、自动化、航空航天以及现代国防术中有着广泛而重要的应用,是当前高技术新材料研究开发和竞争的热点。本文仅对光电半导体材料、纳米光电材料的基本特性,分类及其应用进行简要介绍,并对它们的发展前景作一些个人的展望。关键字：光电半导体材料纳米光电材料ApplicationprospectofphotoelectricinformationfunctionalmaterialsJiangLiJunSchool:BeijingUniversityofPostsandTelecommunicationsClass:XXE-mail:Phone:Abs
8、tract:photoelectricinformationmaterialsareimportantfunctionalmaterialswithwideapplicationsinlaser,computer,automation,aerospaceandmodernnationaldefense.Itsahotspotforresearchanddevelopment,competitionofhi-techmaterialsatpresent.Thisarticlejustsimplyintroducefundamentalcharacteristics,classificationa
9、ndapplicationofphotoelectricsemiconductormaterialsandnanometerphotoelectricmaterials.Besides,Iwillmakeaindividualoutlookfortheirdevelopmentprospect.KeywordsPhotoelectricsemiconductormaterialsNanometerphotoelectricmaterials引言当今世界正处于光电信息产业飞速发展的时代，光电子产业是21世纪潜力巨大的产业。未来信息产业的竞争焦点将从微电子信息产业转向光电子信息产业，据预测，XX-
10、XX年，光电子产业可能会取代传统电子产业并成为21世纪最大的产业，同时成为衡量一个国家经济发展和综合国力的重要标志之一。为此，不少国家都采取了相应措施，加快发展光电子产业，美国、日本、德国、韩国、法国等国家竞相将光电子技术纳入国家发展计划。近年来，我国光电子产业飞速发展，激光、光纤、光缆、光器件技术和产业水平已经达到或接近国际先进水平。光电子产业是我国信息产业与国际先进水平差距相对较小的领域之一，在国家信息产业战略中，有望率先实现核心技术国产化。众所周知，光电材料是整个光电子产业的基础和先导。光电材料按用途来分，可分为光电转换材料和光电催化材料；按组成来分，可分为有机光电材料、无机光电材料和有
11、机一无机光电配合物；按尺度来分，可分为纳米光电材料和块体光电材料。由光电材料制成的光电器件和产品，其新产品、新技术不断涌现，已逐渐应用到从信息的获取、处理、传输到信息的存储和显示等信息产业的各个重要环节。目前，光电子产业最主要的372应用领域为光通信及其相关组件系统、光电显示和光存储。本文主要阐述半导体光电材料和纳米光电材料两类重要光电信息功能材料的特性及其研究进展。1光电半导体材料半导体材料是电子材料、光电材料和仪表材料的重要组成部分。由于其涉及面广,这里仅对光电半导体材料进行简要介绍。在光电信息的获取和传输过程中都要应用到光电半导体材料。最早工业应用的半导体材料是硅单晶,近几年化合物半导体
12、材料的研究和开发取得巨大进展。相对硅单晶而言,化合物半导体材料迁移率高,饱和速度大,特别是混溶三元、四元化合物半导体,它们的禁带、载流子迁移率、晶格常数可连续调节,有利于器件的高频、高速性能。然而随着分子束外延和金属有机化合物化学气相沉积技术的出现,在GaAs、InP等单晶衬底上生长AlXGa1-xAs、InxGa1-xAs等禁带宽度与衬底材料禁带宽度不同的单层外延层,构成p-n、p-p或n-n异质结的技术,或多层外延层构成异质结构的技术的实用化,化合物半导体材料的性能往往不再以它的母体材料的性能来衡量和表征,很多场合用的是它们的异质结或异质结构材料的性能。由于半导体异质结和异质结构优良的电子
13、输送性能和光电性能,它们在微电子和光电子领域得到越来越广泛的应用,在太阳能电池、光电传感器领域的应用也已开始。当今世界上速度最快的三端半导体器件是异质结构成的调制掺杂场效应晶体管,这种晶体管的超高速性能使它在厘米波和毫米波超低噪声、中功率、超宽带行波放大器和超高速数字电路领域中,正在逐渐取代砷化镓金属半导体场效应晶体管。硅微电子技术材料微电子技术是建立在以集成电路为核心的各种半导体器件基础上的高新电子技术。硅材料是半导体集成电路和光伏太阳能电池的主要原材料，是信息和新能源产业的基础。近年来，由于世界半导体产业及光伏产业的发展，我国的硅材料产业也得到了快速成长与发展壮大。硅微电子技术材料对当今信
14、息时代具有巨大的影响，其特点是体积小、质量轻、可靠性高等。作为半导体光电材料的硅材料，从提高硅的性能、集成电路成品率，以及降低成本来看，增大直拉硅单晶直径，解决硅片直径增大导致的缺陷密度增加和均匀性变差等问题，仍是今后硅材料发展的大趋势；另外，从进一步缩小半导体器件特征尺寸和提高硅的集成度来看，硅材料发展的另一个主要方向将是研制适合于深亚微米乃至纳米级工艺所需的大直径硅外延片。基于锗化硅(SiGe)材料生长的应变硅技术，能提供更高的器件驱动电流和更快的晶体管速度，将有可能替代硅材料而成65nm以下互补型金属氧化物半导体电路(cMOS)的主流技术；同时，人们也在开发诸如高K栅介质、双栅/多栅器件
15、、应变沟道和高迁移率材料和铜互连技术等。但是即便如此，硅微电子技术最终还是难以满足人类对信息量的庞大需求，因此，寻求基于全新原理的材料、器件和电路技术也是另一研究热点，如基于量子力学效应的纳米电子技术、量子信息技术和光计算技术等。量子级联激光器材料基于砷化镓和磷化铟基的超晶格、量子阱材料已经发展得比较成熟了，并广泛应用于光通信、移动通信等领域。1994年，美国贝尔实验室发明了基于量子阱子带跃迁和阱间共振隧穿的量子级联激光器(QCL)，它集量子工程和分子束外廷技术于一体，突破了半导体能隙对波长的限制，是国家纳米级量子器件核心技术的真正体现。经过十多年的快速发展，QCL已在新型中/远红外光源、自由空间通信、红外对抗和遥控化学传感等方面突显出广泛的应用前景。目前，QCL已成为各国争相研究的高新技术，许多基于QCL的可调谐中红外激光器(脉冲和红外)在国外已经进入工业化。光子带隙材料光子带隙材料(常被称为光子晶体)的概念首先出现于1987年，EYab1onoRitch和SJohn分别独立指出：介电函数的周期性变化能够调制材料中光子的状态模式。根据周期性的空间排列，可以将光子晶体分为一维、二维和三维光子晶体。1996年，ThomasKrauss作出了世界上第一个在光学尺寸上的一维光子晶体。他在半导体技术方面成功地开辟了一条新道路，即利用已有
