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1、1,温度变化对BJT参数的影响,温度对以下三个参数的影响最大： （1）对放大系数的影响 （2）对穿透电流ICEO和反向饱和电流ICBO的影响 （3）对发射结电压ube、反向击穿电压V（BR）CEO、V（BR）CEO的影响,1,对放大系数的影响,当温度升高时，会促进三极管内部的载流子扩散运动，是基区载流子复合作用减小，则IBNIEN ，温度每上升l，值约增大0.51 。 温度升高，电流放大系数增大。温度由15升到45， 增大约30，如图所示。,图 温度对的影响示意图,1,对穿透电流ICEO和反向饱和电流ICBO的影响,温度升高， ICBO增大。这是由于ICBO是集电区少数载流子造成的，因而与温度
2、有很大关系。一般来说，温度每升高10，锗管和硅管的ICBO将增大一倍，如图所示。对锗管而言，温度变化引起ICBO的变化比硅管严重。由于ICEO是ICBO的（1）倍，因此穿透电流受温度影响最大。 ICEO增大，输出特性曲线上移，如图所示。,图 温度对ICBO影响示意图,图 温度对输出特性曲线影响示意图,1,对发射结电压UBE 、反向击穿电压V（BR）CBO、V（BR）CEO的影响,在相同的基极电流IB情况下，温度每升高10，发射结的正向压降UBE下降约2.5毫伏。如图所示。如果维持UBE不变，则基极电流IB会随温度升高而增大。 BJT的集电结的反向击穿电压一般均为雪崩击穿。雪崩击穿具有正温度系数，所以温度增加， V（BR）CEO 和V（BR）CBO都会增加。 集电极最大耗散功率PCM和反向击穿电压 V（BR）CEO受温度的影响也较大。温度升高使PCM降低， V（BR）CEO也会降低，如图所示。,图 温度对硅管的UBE影响示意图,图温度对V（BR）CEO的影响示意图,1,谢谢！,
