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1、Home Next Back 单元单元1： ： 电阻电阻、电容电容、电感的选择与使用 电感的选择与使用 单元单元2：二极管的选择与使用 二极管的选择与使用 单元单元3：三极管的选择与使用 三极管的选择与使用 单元单元4：场效应管的选择与使用 场效应管的选择与使用 单元单元5：EWB仿真软件的使用仿真软件的使用Home Next Back （一）电阻的作用（一）电阻的作用： ： 分压 分压 限流 限流 偏置 偏置 滤波（与电容器组合使用） 滤波（与电容器组合使用） 阻抗匹配阻抗匹配 一、电阻：用符号一、电阻：用符号R表示表示Home Next Back （二）电阻的分类 （二）电阻的分类 1、按
2、电阻的1、按电阻的制作材料制作材料可分为： 可分为： 金属膜电阻、碳膜电阻、合成膜电阻等。 金属膜电阻、碳膜电阻、合成膜电阻等。 2、按电阻的2、按电阻的数值能否变化数值能否变化分为： 分为： 固定电阻、可变电阻（电阻值变化范围小）、电 固定电阻、可变电阻（电阻值变化范围小）、电 位器（电阻值变化范围大）等。 位器（电阻值变化范围大）等。 3、按电阻的3、按电阻的用途用途分为： 分为： 高频电阻、高温电阻、光敏电阻、热敏电阻等。高频电阻、高温电阻、光敏电阻、热敏电阻等。Home Next Back 可变电阻 可变电阻 热敏电阻 热敏电阻 光敏电阻 光敏电阻 固定电阻固定电阻Home Next
3、Back （三）电阻的参数标注： （三）电阻的参数标注： 1、1、数码法数码法： ： 在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从 在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从 左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个 左到右，第一、二位为有效值，第三位为指数，即零的个 数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。 例如：472 表示 4710 例如：472 表示 4710 2 2 （即4.7K）；104（即4.7K）；104则表示 则表示 100K。 100K。 2、2、色标法色标法： ： 用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允
4、许 用不同颜色的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许 偏差。国外电阻大部分采用色标法。电阻的色标位置和倍 偏差。国外电阻大部分采用色标法。电阻的色标位置和倍 率关系如下表所示： 率关系如下表所示： 例如：电阻器上的色带依次为绿、黑、橙、无色，则表 例如：电阻器上的色带依次为绿、黑、橙、无色，则表 示501000=50k20%; 示501000=50k20%; 又如电阻器上的色标是红、红、黑、金，其阻值是 又如电阻器上的色标是红、红、黑、金，其阻值是 221=22k,误差是5%.221=22k,误差是5%.Home Next Back 20% 20% 无色 无色 10% 10% 10 10 -2
5、 -2 银 银 5% 5% 10 10 -1 -1 金 金 +50至 +50至 -20% -20% 10 10 9 9 9 9 9 9 白 白 10 10 8 8 8 8 8 8 灰 灰 10 10 7 7 7 7 7 7 紫 紫 10 10 6 6 6 6 6 6 蓝 蓝 10 10 5 5 5 5 5 5 绿 绿 10 10 4 4 4 4 4 4 黄 黄 10 10 3 3 3 3 3 3 橙 橙 10 10 2 2 2 2 2 2 红 红 10 10 1 1 1 1 1 1 棕 棕 10 10 0 0 0 0 0 0 黑 黑 允许 允许 误差 误差 倍率 倍率 第二位 第二位 有效数
6、有效数 第一位 第一位 有效数 有效数 颜色颜色Home Next Back 二二、电容、电容：用符号：用符号C表示 表示 1、电容的结构 1、电容的结构 电容是由两片金属膜紧靠电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而 中间用绝缘材料隔开而 组成的元件。 组成的元件。 2、电容的特性 2、电容的特性 电容的特性主要是电容的特性主要是隔直流通交流隔直流通交流。 。 3、电容的容量 3、电容的容量 电容容量的大小就是表示能电容容量的大小就是表示能贮存电能贮存电能的大小的大小。电容 电容 对交流信号的阻碍作用称为容抗对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率 它与交流信号的频率 和电容量有
7、关。容抗和电容量有关。容抗XC=1/（2fc）XC=1/（2fc）Home Next BackHome Next BackHome Next Back 4、电容的单位 4、电容的单位 电容的基本单位用法拉电容的基本单位用法拉（F F）表示表示，其它单位还有其它单位还有：毫 毫 法法（mFmF）、）、微法（微法（uF）、uF）、纳法（纳法（nF）、皮法（PFnF）、皮法（PF）。其中。其中： ： 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 5、电容的参数标注 5、电容的参数标注 容量大的电容其容量值在电容上容量大的电容其容量
8、值在电容上直接标明直接标明，如如10 10 uF/16VuF/16V。 。 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数 字表示。 字表示。 字母表示法：1m=1000 uF 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示数字表示法法：一般用三位数字表示容量大小一般用三位数字表示容量大小，前两位表 前两位表 示有效数字，第三位数字是倍率。 示有效数字，第三位数字是倍率。 如： 如： 102表示10102PF=1000PF 102表示10102PF=1000PF 224表示221
9、04PF=0.22uF224表示22104PF=0.22uFHome Next Back 三三、电感线圈 、电感线圈 电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上，导线彼此 导线彼此 互相绝缘互相绝缘，而绝缘管可以是空心的而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉 也可以包含铁芯或磁粉 芯芯，简称电感简称电感。用用L L表示表示，单位有单位有亨利亨利(H)(H)、毫亨利 毫亨利 (mH)(mH)、微 微 亨利(uH)，1H=103mH=106uH亨利(uH)，1H=103mH=106uH。 。 1、电感的分类 1、电感的分类 按电感形式分类：固定电感、可变电
10、感。 按电感形式分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、 铜芯线圈。 铜芯线圈。 按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波 按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波 线圈、偏转线圈。 线圈、偏转线圈。 按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。Home Next BackHome Next BackHome Next Back 2、电感线圈的主要特性参数 2、电感线圈的主要特性参数 （1）电感量L （1）电感量L 电感量L表示线圈本
11、身固有特性，与电流大小无关。 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。 （2）感抗XL （2）感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是 欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2fL XL=2fL （3）品质因素Q （3）品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与 其等效的电阻的比值，即：其等效的电阻的比值，即：Q=XL/RQ=XL/R。 线圈的Q值愈高，回路 。 线圈的Q值愈高，回路 的损耗愈小
12、。的损耗愈小。Home Next Back 半导体器件是现代电子电路的重要 半导体器件是现代电子电路的重要 组成部分组成部分。本章简要地介绍半导体的基 本章简要地介绍半导体的基 础知识础知识，讨论半导体的核心环节，讨论半导体的核心环节PN 结结，阐述了半导体二极管阐述了半导体二极管、双极性晶体 、双极性晶体 管管（BJT）和场效应管和场效应管（FET）的工作 的工作 原理原理、特性曲线和主要参数以及二极管 特性曲线和主要参数以及二极管 基本电路和分析方法基本电路和分析方法。 内容简介Home Next Back 一一. 半导体材料 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率根据物体导电能力(电阻率)
13、的不同)的不同，来划分导 ，来划分导 体、绝缘体和半导体。 体、绝缘体和半导体。 导 导 体体：10 9 cm 半导体半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间。：导电性能介于导体和绝缘体之间。 二二. 半导体的晶体结构 半导体的晶体结构 典型的元素半导体有典型的元素半导体有硅硅Si和和锗锗Ge ，此外，还有 ，此外，还有 化合物半导体化合物半导体砷化镓砷化镓GaAs等。等。Home Next Back 三三.本征半导体 本征半导体 本征半导体本征半导体：化学成分纯净、结构完整的半导 ：化学成分纯净、结构完整的半导 体。它在物理结构上呈单晶体形态体。它在物理结构上呈单晶体形态。 。 半导体的导电性能
14、是由其原子结构决定的，半导体的导电性能是由其原子结构决定的，就 就 元素半导体硅和锗而言，其元素半导体硅和锗而言，其原子序数分别为原子序数分别为1414和 和 3232，但它们有一个共同的特点：即原子最外层的 ，但它们有一个共同的特点：即原子最外层的 电子（价电子）电子（价电子）数均为4数均为4，其原子结构和晶体结构 ，其原子结构和晶体结构 如如图 图 图 图 图图1.1.1 1.1.1 1.1.1所示。 所示。 ：受温度受温度、光照等环境因 、光照等环境因 素的影响素的影响，半导体共价键中的价电子获得足够的 ，半导体共价键中的价电子获得足够的 能量而挣脱共价键的束缚，能量而挣脱共价键的束缚，
15、成为自由电子的现 成为自由电子的现 象，称之为本征激发（热激发）（象，称之为本征激发（热激发）（见图1.1.2）。 见图1.1.2）。 本征激发本征激发(热激发）(热激发）Home Next Back 电子空穴对电子空穴对：由本征激发：由本征激发（热激发（热激发）而产生的 ）而产生的 自由电子和空穴总是成对出现的，自由电子和空穴总是成对出现的，称为电子空穴 称为电子空穴 对。所以对。所以，在本征半导体中，在本征半导体中： n i =p i （n i 自由电 自由电 子的浓度子的浓度；p i 空穴的浓度）。 空穴的浓度）。 空穴空穴：共价键中的空位。：共价键中的空位。 ) 1 . 1 . 1 (
16、 ) 2 /( 2 / 3 1 kT E i i GO e T K p n = = = = K 1 常数，硅为常数，硅为3.87 10 6 K 3/2 /cm 3 ，锗为，锗为 1.76 10 6 K 3/2 /cm 3 ；T热力学温度；热力学温度；E GO 禁带 禁带 宽度，硅为宽度，硅为1.21eV，锗为，锗为0.785eV ；k波耳兹曼 波耳兹曼 常数，常数，8.63 10 5 eV/K。（。（e单位电荷单位电荷，eV=J）Home Next Back 载流子载流子：能够参与导电的带电粒子能够参与导电的带电粒子。 。 ：如图：如图1.1.3所示。从图中 所示。从图中 可以看出可以看出，空穴可以看
