《精简管脚闪存测试的研究和实现》由会员分享，可在线阅读，更多相关《精简管脚闪存测试的研究和实现（73页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、橇旦大学学校代码t1 0 2 4 6 学号：0 3 3 0 2 1 0 9 2硕士学位论文 ( 专业学位)精简管脚闪存测试的研究和实现院系( 所) ：信息科学与工程学院专姓业：电子与通讯工程名：方文炜襁巨蜘赫李巍博士副教授指导教师：于弱附1 刚双驭完成日期：2 0 0 5 年1 0 月2 2 日摘要此论文从集成电路测试应用丌发工程师角度，分析集成电路通用故障模型。从应用角度给出集成电路静态参数测试原理的模型和方法，包括有：接触测试、漏电流、输入电压、输出电压和电流、电源电流；功能测试原理和方法；动态参数测试原理和方法，其包括有：设置时间，保持时间，延迟时间和最小脉冲。讨论存储器芯片的结构模型和
2、故障模型，得出相应测试要求，进而选择相应测试方法，其中详细讨论存储器测试的各种测试图形和读写方法，及其可处理的故障。测试图形包括有：全0 和全l 、正反棋盘格，正反对角线。读写方法有：行优先，列优先，齐步法，走步法，跳步法。给出实际存储器测试设备的结构和工作原理，并分析两种不同体系结构存储器测试设备的优缺点。讨论闪存N O R 型和N A N D 型基本结构，工作原理并比较其性能，给出闪存的结构模型，总结闪存测试模式。给出实际闪存的测试流程，详细分析晶圆测试和成品删试的测试要求。通过实现某一精简管脚闪存芯片测试的实例，分析此类芯片的测试挑战，并提出相应的测试方案，其包括有：编程和擦除、基准单元
3、调整、高电压电路调整、冗余分析和修补、多电平单元管、数据和地址复用、E C R 重构、电源资源需求、擦除时间计算。证明此所提出的方案无论对于晶圆测试还是成品测试都是可行的，测试精度是可以保证的，能提高删试效率节省测试时间。最后借鉴软件工程思想提出集成电路测试程序开发的流程，并对流程各个步骤进行详细讨论和分析。关键字：I C 故障模型；存储器测试图形；S P I 闪存测试；I C 测试流程T N 4 微电子学、集成电路( I C )3 7 3 页A b s t r a c tT h ep a p e ri sb a s e do nt h eV L S It e s t i n gd e v e
4、 l o p m e n te n g i n e e rp o i n to fV l e w F i r s t l yi tp r e s e n t sV L S If a l lm o d e ，a n ds u p p l i e sV L S Is t a t i cp a r a m e t e rt e s t i n gm o d ea n dm e t h o d ，w i n c hm c l u d ec o n t m u i t yt e s t i n g ，l e a k a g ec u r r e n t ，i n p u tv o l t a g e ，
5、o u t p u tv o l t a g ea n dc u r r e n t ，p o w e rs u p p l yc u r r e n t T h e ni tg w e st h em o d ea n dm e t h o df o rf u n c t a o n a lt e s t m ga n dd y n a m i c a lp a r a m e t e rt e s t i n g ，w i n c hC O V e rs e t u pt i m e ，h o l dt i m e ，d e l a yt i m ea n dm i n i m u mp
6、u l s ew i d t h s nd l S C U S S C St h em e m o r yI Cs t r u c t u r ea n df a i l u r em o d et og e tt e s t i n gr e q u i r e m e n t a n ds e l e c tp r o p e rt e s t m gm e t h o dT h e r ea r ed e t a i l sr e l a t e dt om e m o r yt e s t i n gp a t t e r n , a n dr e a d w r i t em e t
7、 h o d st h a tC a l lh a n d l ev a r i o u sf a l l u r e s T e s tp a t t e r nc o n t a i n sa 1 1 0 a 1 1 1 ，c h e c kb o a r d ，r e v e r s ec h e c kb o a r d d a a g o n a la n dr e v e r s ed i a g o n a lR e a d w n t e m e t h o d sh a v er o wf a s t ，c o l u m nf a s t ，m a r c h i n g
8、，w a l k i n g ，a n dg a l l o p m gI tg a v e sa c t u a l m e m o r yA T E ( A u t o m a t l cT e s t i n gE q u i p m e n t ) s t r u c t u r ea n dw o r k i n gp n n c l p l e ，a n dg c t sm e r i ta n dd e m e n to f t w od i f f e r e n tm e m o r yA T Ea r c l u t e c t u r e I tf o c u s e s
9、o nN O Ra n dN A N Dt y p eF l a s hm e m o r ys t r u c t u r e ，w o r k m gp r i n c i p l e ， a n dc o m p a r i s o nb e t w e e nN O Ra n dN A N Dmf e a t u r e I ta l s oh a sF l a s hm e m o r ys t r u c t u r em o d e ，a n ds u n l n l a n e sg e n e r a lF l a s ht e s t i n gm o d eI ta n
10、a l y s e sr e a lF l a s ht e s t a n gf l o w ，a n dg w e sd e t a i l e dt e s t i n gi t e m smb o t hF l a s hw a f e rs o r ta n df i n a lt e s t I tp u t sl o to fe f f o r t st oa n a l y z et h er e d u c e p m c o u n tF l a s hm e m o r yt e s t i n gc h a l l e n g e ，a n ds u p p l i e
11、 si t sc o r r e s p o n d i n gt e s t i n gs o l u t i o n sb yi m p l e m e n t a t i o no f ar e a lS P I ( S e r i a lP e r i p h e r a lI n t e r f a c e ) F l a s hm e m o r yt e s t m gI tC O V e r Sp r o g r a m e r a s e ，r e f e r e n c ec e l lt n m m m g ，l l l g hv o l t a g ec i r c u
12、 i tt r i m m i n g r e d u n d a n c ya n a l y s i sa n dr e p a i r m u l t i l e v e lc e l l ，m u l t i p l e x i n ga d d r e s sa n dd a t ao ns a m eg r o u p so fp i n s ，E C Rd a t ar e c o n s t r u c t i o n , p o w e rs u p p l yr e s o u r c e ，m e a s u r et h ed u r a t i o no fe a c
13、 hs t a t u si n e m b e d d e de r a s eT h er e s u l ti sa b l et op r o v et h a tt h es o l u t i o ni ss m t a b l et ob o t hw a f e rs o r ta n df i n a lt e s t ，t h eu n c e r t a i n t yr a n g em e e t st h er e q u i r e m e n t s ，a n dt h es o l u t i o nc a nm a p r o v et h et e s t
14、 i n ge f f i c i e n c ya n dr e d u c et e s tt i m eA tl a s t ，i tc o m e su pw i t ht h ef l o wo fh o wt oi m p l e m e n tV L S It e s t i n gp r o g r a md e v e l o p m e n tb yu s i n gt h eI d e ao fs o f t w a r ee n g m e e n n ga sr e f e r e n c eI ta l s oC O V e r Sd e t m l e dr e
15、f o r m a t i o nc o n n e c t e dw i t ht h eV L S It e s t i n gp r o g r a mf l o we a c hs t e pf l o wK e yw o r d ：I Cf a i l u r em o d e l ，M e m o r yt e s tp a t t e r n ，S P IF l a s ht e s t i n g ，I Ct e s t i n gT N 4M l c r o e l e c t r o n l c ，I C4 7 3 页图目录图1 1 芯片制造成本与测试成本趋势图1 0 图2 1 开路短路测试原理图1 3 图2 2 低高输入漏电流原理图1 4图2 3 高阻态的低高输出端漏电流测试原理图1 5图24 输入电平测试原理图。1 5 图25 输出电压侧试原理图1 6图2 6 输出电流测试原理图1 7 图2 7 静态电流测试原理图1 8图28 动态电流测试原理图1 8图29 功能测试示意图1 9图21 0 设臂时间示意图2 0 图2 1 1 保持时间示意图2 0图21 2 传播延时示意图
