薄膜太阳能电池研发性项目建议书-pw

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1、薄膜太阳能电池研发性项目建议书项目安排王鹏首先,项目拟建规模要视预期情况,本建议以首先,项目拟建规模要视预期情况,本建议以 a-sia-si + + -si-si 试试验研发样板线为例。验研发样板线为例。闵行研发实验厂房现在要做的是:辅助的外围设施外围设施的搭建和规划工作,其具体工作有以下几个方面:环氧地坪,循环水,强电(柜) ,压缩空气机组,空调无尘间,特气间包括(氮气)和其他管道以及气体源处,设备端气路柜。其中这些工作要做要大概一个技术团队(大概要 10 人左右)和部分安装工人(15 人)环氧地坪肯定要请专业的地坪供应商做,要做 3 层,一般从预期开始调研大概要 1 周时间,真正定下来后,

2、以我们的实验性厂房(近 1000 平方)大概也要一周时间,大概预期规化的资金要分两种:一种是普通的(60-70 元每平) ,另一种是防静电的(大概要 120 元以上每平)在部分关键场地是必须做防静电的,例如 PECVD 系统车间等核心的车间,这个时间段我们只要负责监工(2 个人就好) ,不需要大量的人力,物力,只要严格把关,要求供用商有合格的资质证书和检验报告。循环水,整个非晶硅系统对水质,压力的要求比较高(入水,回水设计,压力要求根据设备而定)。当然以后也要有专门的工程师负责这方面。水质一般是经过杂质的严格控制。压力小于 2.5105Pa 一般是具有(纯水)循环冷却水,水温小于 25,流量要

3、求达到 12 升/分钟,及回水通道设计,都要满足实验的要求。具体的去离子水质要求是:电阻值2M,部分设备可以使用一般软水水质。强电进入车间的容量大小 300KW 一般就可以了,功能主要是产线上各设备系统加热,泵组,尾气处理等大功率用电,其中对设备用线的用线选型,位置的安排(根据设备而定)这一部分也要专门的工程师(两个)负责。前期规划要以 PECVD 为中心搭建各种备用接口。还有备用机动电源,保证在急停电情况,无闪断的切换,保证 PECVD 机组的正常工作,这部分以我们技术人员为主,配给几个电工(5 人) ,就没有太大问题,所有的设备供电大概要 15 工作日。压缩空气机组,空调无尘间可以一起进行

4、。压缩空气在非晶硅要求也很高,一般的气动阀门和动力元件多数要无油的压缩空气,要不污染很严重的,压力为 3-5 个大气压,压缩空气的湿度,温度都要控制,压缩无油螺杆式机组和管道要专业的公司做,以便以后的机组维护,在进行人员的安排方面,我们公司要配合几个工人做配合就好,为了以后的维护做准备,空调无尘间洁净度要十万级的就好,不要太高,但也要专业的公司来做,这块不需要专业太高人来维护。时间上 20 天就可以完成。特气间的设计要求很高,防爆的设计,管道的布局,危险的气体报警,换特气瓶的职业操守,及环境的要求,它是属于非常重要的外围设施,必须有专门的技术人员负责,设计阶段要起码 3 个设备工程师,2 个工

5、艺师,施工阶段,有要专门的技术人员负责,其中在气路有个别的截止阀,手动阀用进口件比较可靠,所以必须有技术人员专门指导安装,因为它的可靠性要求特别高。要求有普通氮气,压强要在 23 个大气压之间材料齐全情况下施工的时间起码一个月才能完成。操作人员:戴口罩、手套和穿洁净服非晶硅微晶硅薄膜太阳能电池要大量的准备工作,(注意:租赁的厂房对其施工,可能要开发区政府的审批,手续很多,时间的限制,所以公司要有专门的公关人员,希望时间不要浪费在施工的审批上)闵行研发实验厂房具体要做的实验性设备装备规划工作闵行研发实验厂房具体要做的实验性设备装备规划工作其具体工作有以下几个方面:我本人可能从事以下设计工作。由于

6、没有设计用软件,现在先做个技术方案。1.PECVD 系统设备总体设计技术方案(系统设备总体设计技术方案(6 个月)个月)真空腔体容积(圆腔体 48 片)粗算大于 8m,腔室要做到尽量小,温度均匀性要严格控制,腔内尽量简单,减少干扰;铠装加热方式:温度: 250,要求室温-400连续可调;CVD 反应室极限真空:约为 1.010-5Pa,气压自动控制,控制压力的蝶阀和薄膜计采用美国 MKS 公司产品,量程分别为 2Torr 和 10Torr;VHF 电源 48 片(5WM 每年计算)(满足从 10MHz100MHZ 连续可调,进口件)12 台用于沉积室;RF 电源 12 台(13.56MHz)。

7、真空室各种接口连接形式:反应室大接口采用无氧铜垫圈或银丝金属镶嵌密封,小接口采用无氧铜垫圈密封,双开门采用氟橡胶圈密封(或用铂金属片和石棉密封) ,以保证真空度的要求,避免杂质污染;真空腔体采用方型结构(可选择圆形) , 真空室组件及配备零部件全部采用 304 不锈钢材料制造,氩弧焊接,表面喷玻璃丸处理。反应室采用银丝等金属或氟橡胶圈密封。反应室内置平行平板型等离子体发生装置的电极工件箱,真空性能,极限真空:CVD 反应室的极限真空优于 1.010-4Pa;真空漏率小于 1.0x10-6pa.m3/s。 排气性能:CVD 反应室开始抽气 30 分钟后,真空度优于 1.010-4 Pa。 静态压

8、升性能:CVD 反应室升压率小于 10Pa/h。主抽泵组:采用多个 3500 升每秒分子泵(进口)+600 至 1000 升每秒机械泵(进口干泵)。工作旁抽管道:设置角阀连接机械泵+进口系统压力 APC(美国 MKS流量控制阀)闭环系统。气体输运控制气路为 9 条。所有气路中的质量流量计、气动截止阀、管路、接头均采用国外进口产品; 反应室用具有尾气高温与水喷淋双重处理零排放功能。一套气体柜,强电柜,自控柜,射频电源柜。工件电极盒的设计(工件电极盒的设计(3 个月不计算加工)个月不计算加工)样品大小(不锈钢衬底或塑料衬底,玻璃衬底):1100mm1400mm;PECVD 两个电极间的距离待定喷淋

9、式进气方式,即采用上进气结构;样品放置在上电极上(气流在电极间的分布匀流) ;电源线在反应室内屏蔽良好,从下电极板中心馈入;阴极和阳极之间尽量不要有其它(支架)金属干扰辉光。PECVD 系统要我们公司自主研发,包过电极工件箱的设计和开发,可以借系统要我们公司自主研发,包过电极工件箱的设计和开发,可以借鉴别的公司的意见,鉴别的公司的意见,2.磁控溅射系统的主要组成(磁控溅射系统的主要组成(8 个月搭建加调试)个月搭建加调试)磁控溅射系统用于生长 ZnO,Al,Ag 薄膜生长研究; PVD 反应室本底真空:5.010-5Pa。 PVD 反应室的极限真空优于 5.010-4Pa;真空漏率小于 1.0x10-10pa.m3/s。 PVD 反应室开始抽气 50 分钟后,真空度优于 5.010-4 Pa PVD 反应室升压率小于 5 Pa/h。 气体导入系统:本室有 H2、N2 等气体导入 磁悬浮的传导系统 其主要的泵组也是进口预热炉,冷却炉,老化炉的可以进一步分别做设计方案。王鹏2009-7-6

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