光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx

上传人:摩西的****12 文档编号:148773241 上传时间:2020-10-22 格式:PPTX 页数:23 大小:208.18KB
返回 下载 相关 举报
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx_第1页
第1页 / 共23页
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx_第2页
第2页 / 共23页
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx_第3页
第3页 / 共23页
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx_第4页
第4页 / 共23页
光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx_第5页
第5页 / 共23页
点击查看更多>>
资源描述

《光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光电子技术安毓英习题答案(2020年10月整理).pptx(23页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、第一章 1. 设在半径为 Rc 的圆盘中心法线上,距盘圆中心为 l0 处有一个辐 射强度为 Ie 的点源 S,如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功 率。,解:因为,且,22 ,0,0,0c ,l R,l,dS r 2,d ,Rc, 2 1 ,sin dd 2 1 cos ,22 , 0,0c ,e ,ee,l R,l, 2 I1 ,所以 I d,2. 如图所示,设小面源的面积为 As,辐射亮度为 Le,面源法线 与 l0 的夹角为 s;被照面的面积为 Ac,到面源 As 的距离为 l0。若 c 为辐射在被照面 Ac 的入射角,试计算小面源在 Ac 上产生的辐射 照度。,d,解:亮度定义:

2、强度定义: I, d e,e,可得辐射通量: d e Le As cos s d,0,l 2,在给定方向上立体角为: d Ac cosc,0,l 2,dA,则在小面源在 Ac 上辐射照度为: E,e, de Le As coss cosc,3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源(如红外装置 面对的天空背景),其各处的辐亮度 Le 均相同,试计算该扩展源在面 积为 Ad 的探测器表面上产生的辐照度。,e,答:由 L ,e,22,d,l r ,得d L ddA cos ,且d ,dA cos ddA cos,e,ee,rdr,l r ,则辐照度: E L,2 d L,2 ,220, l 2

3、 0,d ,,e,I, de,dI,Le ,l0,S,Rc,第 1.1 题图,Le,As,Ac,l0,s,c,第 1.2 题图,1,4. 霓虹灯发的光是热辐射吗? 不是热辐射。霓虹灯发的光是电致发光,在两端放置有电极的 真空充入氖或氩等惰性气体,当两极间的电压增加到一定数值时,气 体中的原子或离子受到被电场加速的电子的轰击,使原子中的电子受 到激发。当它由激发状态回复到正常状态会发光,这一过程称为电致 发光过程。,v 8hvc exphv k T 1 33 B,2,间黑体辐射能量密度。已知,, d 试求 。 解答: 由 C ,通过全微分进行计算。,从黑体辐射曲线图可以看出,不同温度下的黑体辐射

4、曲线的极 大值处的波长 m 随温度 T 的升高而减小。试由普朗克热辐射公式导 出 mT 常数。 答:这一关系式称为维恩位移定律,其中常数为 2.89810-3mK。 普朗克热辐射公式求一阶导数,令其等于 0,即可求的。 黑体辐射曲线下的面积等于等于在相应温度下黑体的辐射出射 度M。试有普朗克的辐射公式导出M与温度T的四次方成正比,即 M 常数 T4 这一关系式称斯特藩-波耳兹曼定律,其中常数为5.6710-8W/m2K4 解答:教材P9,并参见大学物理相关内容。 9. 常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。你知道这是按什么 区分的吗? 按色温区分。 10 v dv 为频率在v v dv 间黑体

5、辐射能量密度, d 为波长在,11 如果激光器和微波器分别在=10m,=500nm和=3000MHz 输出一瓦的连续功率,问每秒钟从激光上能级向下能级跃迁的粒子数 分别是多少? 解答:,P Nhv ,,P N hC,12 设一对激光能级为E2和E(1 g2=g1),相应的频率为( 波长为), 各能级上的粒子数为n2和n1。求 (1)当=3000MHz,T=300K时,n2/n1=? (2)当=1m,T=300K时,n2/n1=? (3)当=1m,n2/n1=0.1 温度T=?。 解答:,ng, E2 E1 hv, C, E 2E1 kT,2 2 e n1g1,13 试证明,由于自发辐射,原子在

6、E2能级的平均寿命 s 1 A21 。 解答: 参见教材P12,3,00,V 0,14 焦距f是共焦腔光束特性的重要参数,试以f表示 w0 ,wz ,Rz, 。 由于f和w0 是一一对应的,因而也可以用作为表征共焦腔高斯,0,w,z,w,Rz,0,00,V,光束的参数,试以表示f、,。,解答:,f ,w ,0, z 2,w wz w01 f,2,2,0,00,0s,VL,1L2 L,w, f 22, zf , f fz,Rz z ,f 2 z,15 今有一球面腔,R1=1.5m,R2=-1m,L=0.8m。试证明该腔为稳 定腔;并求出它的等价共焦腔的参数。 解答:,2,1,1,R,L,g2 1

7、 L R,g 1,稳定强条件: 0 g1 g 2 1 ,求出g1和g2为腔参数。 16 某高斯光束 w0 =1.2mm,求与束腰相距0.3m,10m和1000m远 处的光斑 w 的大小及波前曲率半径R。 解答:,f ,w ,0, z 2,w wz w01 f,4, zf , f fz,Rz z ,f 2 z,第二章 何为大气窗口,试分析光谱位于大气窗口内的光辐射的大气衰减 因素。 答:对某些特定的波长,大气呈现出极为强烈的吸收。光波几乎 无法通过。根据大气的这种选择吸收特性,一般把近红外区分成八个 区段,将透过率较高的波段称为大气窗口。 何为大气湍流效应,大气湍流对光束的传播产生哪些影响? 答

8、:是一种无规则的漩涡流动,流体质点的运动轨迹十分复杂, 既有横向运动,又有纵向运动,空间每一点的运动速度围绕某一平均 值随机起伏。这种湍流状态将使激光辐射在传播过程中随机地改变其 光波参量,使光束质量受到严重影响,出现所谓光束截面内的强度闪 烁、光束的弯曲和漂移(亦称方向抖动)、光束弥散畸变以及空间相 干性退化等现象,统称为大气湍流效应。 对于 3m 晶体 LiNbO3,试求外场分别加在 x,y 和 z 轴方向的 感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在 x 方向上) 解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即 nx=ny=n0、nzne 。它所属 的三方晶系 3m 点群电光系数有四个,即22、13

9、、33、51。电光 系数矩阵为:, , , 0,0 ,0 0,22,51,33, 13 ,22, , 51, 13 ,0 22 0 00 0,ij,由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射,率椭球方程为:,1,5,1,( 1,2,0,2,0,n1,n2,n2,33 z51zx22 x,e,22 y13 z,22 y15 z, E E ) y ( E )z 2 2 (E yz E xz) 2E xy 1, E E )x (,n2n2n2,(1) 通常情况下,铌酸锂晶体采用 450z 切割,沿 x 轴或 y 轴加压, z 轴方向通光,即有 Ez=Ey=0,且 Ex0。晶体主轴 x,y 要发生旋转, 上

10、式变为: x 2 y 2 z 2,51 x22 x, 2 E xz 2E xy 1,(2),xyz 因 51 Ex 1 ,且光传播方向平行于 z 轴,故对应项可为零。将坐标 轴绕 z 轴旋转角度得到新坐标轴,使椭圆方程不含交叉项,新坐标 轴取为, , y,sin cos y, x cos, sin x ,z=z,(3),将上式代入 2 式,取 45o 消除交叉项,得新坐标轴下的椭球方 程为:,22,22, 0 0, 1 1,2 e,z2,nnn, 22 Ex x 22 Ex y 1,(4),可求出三个感应主轴 x、y、z(仍在 z 方向上)上的主折射率 变成:,3,6,y 00 22x,3,x

11、00 22x,2,1,2,1,n n n E,n n n E,(5),nz ne 可见,在 x 方向电场作用下,铌酸锂晶体变为双轴晶体,其折射 率椭球 z 轴的方向和长度基本保持不变,而 x,y 截面由半径为 n0 变 为椭圆,椭圆的长短轴方向 x y相对原来的 x y 轴旋转了 450, 转角的大小与外加电场的大小无关,而椭圆的长度 nx,ny 的大小与 外加电场 Ex 成线性关系。 当光沿晶体光轴 z 方向传播时,经过长度为l 的晶体后,由于晶 体的横向电光效应(x-z),两个正交的偏振分量将产生位相差:,3,xy0 22 x,22,n )l n E l, (n ,(6),若d 为晶体在

12、x 方向的横向尺寸,Vx Ex d 为加在晶体 x 方向两,端面间的电压。通过晶体使光波两分量产生相位差 (光程差 /2) 所需的电压Vx ,称为“半波电压”,以V 表示。由上式可得出铌酸锂 晶体在以(x-z)方式运用时的半波电压表示式:,V,0 22,2n3l,d,(7),由(7)式可以看出,铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不 仅与外加电压称正比,还与晶体长度比l / d 有关系。因此,实际运用 中,为了减小外加电压,通常使l / d 有较大值,即晶体通常被加工成 细长的扁长方体。 4一块 45 度-z 切割的 GaAs 晶体,长度为 L,电场沿 z 方向,证,n r EL,41,3,2,

13、明纵向运用时的相位延迟为 ,。,解:GaAs 晶体为各向同性晶体,其电光张量为:, 41,63,0 , 0,0 ,0 , 0,0 , 0, 41 ,0 0 000 0 41 00,(1),n2n2n2,z 轴加电场时,EzE,Ex=Ey=0。晶体折射率椭球方程为: x2 y 2 z 2, 2 41 E xy 1,(2),经坐标变换,坐标轴绕 z 轴旋转 45 度后得新坐标轴,方程变为:,2,2,2,2, 1 1,n,z2, n, n, 41 E y 2 1, 41 E x,(3),可求出三个感应主轴 x、y、z(仍在 z 方向上)上的主折射率 变成:,nz n,7,y 41,x41,2,2,n

14、 n 1 n3E,n n 1 n3E,(4),纵向应用时,经过长度为 L 的晶体后,两个正交的偏振分量将产 生位相差:,xy41,3,22,n )L n EL, (n ,(5),何为电光晶体的半波电压?半波电压由晶体的那些参数决 定? 答:当光波的两个垂直分量 Ex,Ey的光程差为半个波长(相应的 相位差为 )时所需要加的电压,称为半波电压。 在电光晶体的纵向应用中,如果光波偏离 z 轴一个远小于 1 的角 度 传 播 , 证 明 由 于 自 然 双 折 射 引 起 的 相 位 延 迟 为,2,0,e,n, n 0 1 2,2c,L n2,,式中 L 为晶体长度。,解:,2 eoe,n2n2,

15、n,sin 2 ,1cos2 , ,2, 2,0,2,1 , e,e0,n,1 n2,,得n n 1 ,自然双折射引起的相位延迟:,2,0, e,0e ,n,2c,2L n2, n nL n 0 1 2,之比为,s,s,2,1 ,I2 cos ,I,0 0,I1 L2 P2 n6,1 ,(近似取,2,2 1,4,1, ,J,),解答:,用公式,8,s,s ,I ,I,2, n6 P 2 ,0, sin,I 1, 2, L 2, 作近似?,9.由布拉格衍射方程直接计算,答案:sinB=0.00363,解:由公式40 计算。答案:3.523mm。 8 利用应变S与声强Is的关系,证明一级衍射光强I1与入射光强I0,7. 若取 vs=616m/s,n=2.35, fs=10MHz,0=0.6328m,试估算 发生拉曼-纳斯衍射所允许的最大晶体长度 Lmax=? n2,L L0 s,fc是半功率点频率。,显然有,一束线偏振光经过长 L=25cm,直径 D=1cm 的实心玻璃,玻 璃外绕 N=250 匝导线,通有电流 I=5A。取韦尔德常数为 V=0.2510-5 ()/cmT,试计算光的旋转角 。 解:由公式 L 和 VH 计算。答案:0.3125 概括光纤弱导条件的意义。 答:从理论上讲,光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重 要差别之一。实际使

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 办公文档 > 其它办公文档

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号