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CST仿真FSS详解

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CST仿真FSS详解_第1页
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CST仿真FSS详解(非原创)[table=1120px][tr][td] v5@4 |u3ds 1.建模首先在CST中建立单个阵列单元的模型,软件就会将该单元在x和y’(阵列的两个周期方向)方向上进行周期延拓,从而得到FSS二维无限阵列结构建模时,可应用窗口上方的建模工具栏 应用相应的布尔运算 ,可进行结构之间的加减我建立了几个基本的FSS模型,供您参考2.设置需设置的条件有:①仿真频率段,工具栏上方的图标②边界条件,工具栏上方的图标a). z方向的将z方向的两个端口的边界条件改为“open(add space)”(默认为open)b).Floquet端口模式数“Open Boundary”按钮可以更改端口的Floquet模式数设置当不会产生栅瓣时,Floquet模式数为2即可;当会产生栅瓣时,需设置高阶模式数c).阵列的排布方式“Unit Cell”选项卡可以设置FSS阵列的排列方式阵列的倾斜角度由“Grid angle”设置,x和y’为阵列的延拓方向,此处应填写两个方向上的阵列周期③激励及参数扫描选择频域仿真按钮 ,进行激励及扫描参数设置激励源端需选择Zmax若要进行参数扫描,需选择“Par. Sweep”按钮。

在参数扫描对话框中左边窗口为设置的扫描参数以及扫描范围;右边窗口为选择关心的结果项,通常选择“Postprocessing template”进行选择1.仿真计算及结果观察当设置好扫描参数和观察结果项后,就可以点击“Start”按钮进行仿真计算了此时,CST会逐个对扫描参数依次仿真仿真结束后,在左边窗口中最下方的Tables树中,可以观察仿真结果若不进行参数扫描,则在选择频域求解器并设置好激励源后,可以直接点Start按钮进行仿真,并且此时结果中会显示相位等很多基本信息补充:CST中端口模式与栅瓣的关系pq]z%\$u CST对FSS结构的仿真,按照Floquet模式计量透射系数和反射系数,这允许我们评估栅瓣的影响对于固定的FSS结构,栅瓣现象出现的最低频率可以由它所满足的相位条件公式来计算当FSS结构在所观察频率段会产生栅瓣时,需要在CST的端口模式(Floquet)中设置足够的模式数,以计量栅瓣的影响,并得到正确的透射系数和反射系数结果来自“yxy0728”1在CST中选择FSS模板 iJE:>qOTD5 w>cqsTq -5 2建立所需模型 T5|kO:CbHq OIU1sU x5MS#c!7 3设置单位制 wH!$TAZ:Yw XX /s@C 这个是比较容易忽略的一步,如果有介质的时候。

我们会设置介电常数,在设置色散参数的时候,可能会造成单位错误 3s?u05_ Le?g ,c 4设置背景材料 [5~mP` He -->0e{y 8 5ET$YV 5设置仿真频率 ?[Y(JO# t?G6|3 6边界条件设置 jG7PT66>; mTI`^e 要把zmin和zmax改为open (and space) @T\n@M] I)bf/6? 7斜入射设置 *p $0(bz K{ar)_V/ 这里的角度和球坐标系的定义一致,蓝色的线是入射波的波矢量的方向 0i_:J jj[6oNKE1 8斜排布设置 h[]9F.[ ElQ?|HsQ6p D8Fi{?A#FV 9频域求解 Vbl-Ff C")genMH ?+d`_/IB 10算法选择和划分选择 "O jAhKfG 6^Wep- $ 3选1的表示:是全波解,谐振解,选第一个了 yU v YV-7 选择hexahedral,表示使用的是有限积分法;选择tetrahedral,表示使用的是有限元法 Z[. M>| bT.q@oU 11激励设置 WBE>0L OH\^j1x9I 如果选的是tetrahedral,就是有限元。

>aVgI< 激励在zmin和zmax都无所谓,mode是波的模式,按照需求来选 *|A QV: 如果选的是hexahedral,就不能设置激励了,cst会全算出来 E8# >k ^LMgOA(7 12按下star等结果 11=$] K> kU

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