高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究

上传人:E**** 文档编号:117891839 上传时间:2019-12-11 格式:PDF 页数:86 大小:2.88MB
返回 下载 相关 举报
高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究_第1页
第1页 / 共86页
高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究_第2页
第2页 / 共86页
高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究_第3页
第3页 / 共86页
高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究_第4页
第4页 / 共86页
高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究_第5页
第5页 / 共86页
点击查看更多>>
资源描述

《高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究》由会员分享,可在线阅读,更多相关《高k介质材料氧化镁的制备及其性质研究(86页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、分类号: 密级: 单位代码:10 4 2 2 学号; 雾办孑 硕士学位论文 S h and on gU n iv er s i t yM aster sTho Si0 论文题目: 作者 专业 导师 合作导师 年月日 i - 原创性声明 I I l l l lII IIt 1 1 1 11 1 1I I III II Y 17 9 19 7 2 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进 行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何 其他个人或集体己经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡 献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由

2、本入 承担。 论文作者签名:墨盘重 日期:坦丝:三:鹜 关于学位论文使用授权的声明 本人同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的印刷件和电子 版,允许论文被查阅和借阅;本人授权山东大学可以将本学位论文的全部 或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手 段保存论文和汇编本学位论文。 ( 保密论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名:盥导师签名 学 ,r 略 山东大学硕士学位论文 目录 摘要j i A B S T R A C T i v 主要符号表v i i i 第一章绪论l 1 1 概述:”1 1 2M g O 薄膜的性质及应用4 1 3M 9 0 薄膜的制备方法4 1

3、 4 超临界二氧化碳O O Og0000 OOO O IO OO00 O00Q O 6 1 5 课题的选取及研究方法6 本章参考文献0 0 O O Og oOO 8 第二章实验设备和测试分析方法1 2 2 1 金属有机化学气相沉积法n 4 1 1 2 2 1 1M O C V D 法的基本原理1 2 2 1 2M O C V D 法的特点1 2 2 1 3M O C V D 系统1 3 2 1 4 本实验的M O C V D 系统1 5 2 1 5 本论文中材料生长所用的源1 6 2 2 磁控溅射法1 7 2 2 1 溅射原理【l 6 1 1 7 2 2 2 溅射镀膜的特点【2 ,4 】1 7

4、 2 2 3 本实验的磁控溅射系统B O OO 1 8 2 3 测试分析方法1 9 2 3 1 结构和成分测试分析0 OO OOOO0 1 9 2 3 2 薄膜表面形貌分析2 0 2 3 3 椭圆偏振光谱仪( S E ) 1 9 - 1 1 1 2 1 本章参考文献2 5 山东大学硕士学位论文 第三章M O C V D 法制备M g O 薄膜的研究2 6 3 1 概述2 6 3 2 薄膜的制备2 6 3 2 1 实验准备2 6 3 2 2 薄膜制备过程2 7 3 3 M g O 薄膜的性质分析2 8 3 3 1M g O 薄膜的X P S 分析2 8 3 3 2M g O 薄膜的透过谱分析3

5、5 3 3 3M g O 薄膜的S E M 分析3 6 3 3 4M g O 薄膜的膜厚分析3 7 本章参考文献3 9 第四章磁控溅射法制各M g O 薄膜的研究4 0 4 1 M g O 薄膜的制备4 0 4 1 1 实验准备4 0 4 1 2 制备薄膜过程4 1 4 2M g O 薄膜性质分析4 1 4 2 1M g O 薄膜的X P S 分析4 2 4 2 2M g O 薄膜的X R D 分析一4 3 本章参考文献:4 4 第五章高置介质材料M g O 薄膜电学性质的研究4 5 5 1 概述4 5 5 2M O S 电容器的电学测量4 5 5 2 1 界面陷阱与氧化层电荷3 1 4 6

6、5 2 2C V 曲线与氧化层介电常数K 的计算H 1 4 8 5 2 3 修正电容C 。与界面陷阱电荷密度( D i t ) 的计算阳,7 5 1 5 3 实验步骤5 3 5 4M g O 薄膜的C - V 特性5 4 5 4 1 修正电容C 。的测量与相关值计算5 4 5 4 2 退火和s c C 0 2 处理对M g O 薄膜电学特性的影响5 6 5 4 3M g O 薄膜的界面陷阱电荷密度( 仇) 5 7 山东大学硕士学位论文 5 4 4M g O 薄膜的漏电流密度( J ) 5 9 本章参考文献6 l 第六章结论6 2 致谢6 4 山东大学硕士学位论文 C O N T E N T S

7、 A B S T R A C T ( C h i n e s e ) i A B S T R A C T i v L i s to fs y m b o l s V i i C H A P T E R1I n t r o d u c t i o n :1 1 1 O v e r v i e w 1 1 2P r o p e r t i e sa n dA p p l i c a t i o no fM a g n e s i u mO x i d e ( M g O ) 4 1 3 P r e p a r a t i o no fM g O z I 1 4 S u p e r e c r i

8、t i c a lC a r b o nD i o x i d e ( s c C 0 2 ) 6 1 5M o t i v a t i o na n dR e s e a r c hS t r a t e g y 6 R e f e r e n c e s 8 C H A P T E R2E x p e r i m e n t a lE q u i p m e n t sa n dC h a r a c t e r i z a t i o nM e t h o d s 12 2 1M e t a lO r g a n i cC h e m i c a lV a p o rD e p o s

9、i t i o n ( M O C V D ) 12 2 1 1 P r i n c i p l e so fM O C V D 1 2 2 1 2C h a r a c t e r i s t i e so fM O C V D 1 2 2 1 3M O C V DS y s t e m 1 3 2 1 gM O C V D S y s t e mU s e di nO u rS t u d y 1 5 2 1 5O r g a n o m e t a U i cS o u r c e sU s e di nO u rS t u d y 1 6 2 2R FM a g n e t r o nS p u t t e r i n g

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 办公文档 > 其它办公文档

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号