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1、報告人報告人姚濤姚濤 干膜干膜 之迷思之迷思報告目的報告目的1.了解干膜的作業原理和未來趨勢2.分享干膜的實際應用知識3.探討今后改善方向報告大綱報告大綱干膜基礎技術干膜應用流程研討1040和7738的差異干膜的未來方向第一部份第一部份:乾膜基礎篇乾膜基礎篇乾膜的起源及發展乾膜的起源及發展 能夠作為感光成像媒介物的乾膜,是自 1950 年起在精密印刷工業上展開用途。 且直到 1968 年杜邦才以專利 U.S.Pat. 3,469,982 (by J.R.Celest) 發展商品,而引進到電子及電路板的工業領域中。 之後的十餘年之間,在專利的保護下,一向以高科技高價位的美商產品在全世界業界中行銷
2、。 一直到了 1984 年末,專利到期之後,才首先逐漸有美商以外的日立 (Hitachi) 等公司推出產品在亞洲市場上。 在線路板市場上,從五十年代初期用於收音機的線路寬度為 1.5-3mm,到半導體的出現而令線寬要求降至 10-12 mil,直到現要求線寬及線距達 1.0/1.0 mil 的精密線路製作來看,乾膜無論在附著力、抗化學攻擊能力及解像度等性能上,有著顯著的改善乾膜光阻成份乾膜光阻成份蓋膜層(PET)感光層(photopolymer)隔膜層(PE)約 17 19 微米厚0.8 4.0 條厚約 25 微米厚各層功能各層功能蓋膜層(PET)一、支持保護感光層二、隔絕氧氣三、防止或抑制光
3、 聚合作用各層功能各層功能感光層產生光聚合作用光聚合作用隔離感光性高分子沾黏至其他聚酯層又稱隔離層(separatorSheet )各層功能各層功能隔膜層(PE)感光層感光層（Photo resist）主要組成主要組成感光啟始劑及光敏劑 (photo-initiator & senstizer)聚合體 (Polymer)單體或中體/寡聚物 (monomer or oligonm)染料(dye)塑化劑及附著力促進劑(plasticizer & adhesion promoter)功能功能感光速度的引發1.方便檢查、貼膜時對位2.感光後褪色(Photofugitive) 或感光後增色 (Photo
4、tropic) 影響感光聚合過程、貼膜能力、解像度、抗化學能力等調節附着力、減低機械性磨損、物理力性強度及乾膜壁的平直等1.乾膜層的物理性強度 (Flexibility)2.影響貼膜、顯影時間、退膜時間及抗化學藥物能力等乾膜的製作乾膜的製作 乾膜製造流程圖： 客戶印刷電路板廠流程連結劑聚合印刷電路板完成線路製作裁切成品冷藏塗佈光阻劑調配成品包裝PET發送(線路影像轉移)PE發送塗佈貼合烘乾卷取銅箔基層板(CCL)乾膜光阻(一)(二)(三)(四)(五)(六)評估項目評估方式1.乾膜本身外觀品質 1. 1.膜的粘性膜的粘性: :太粘影響撕保護膜太粘影響撕保護膜 (Mylar),(Mylar),不粘
5、影響密著性不粘影響密著性2. 2.流膠情形流膠情形3. 3.裁切捲取張力是否太鬆或太緊裁切捲取張力是否太鬆或太緊. .太鬆會有重叠太鬆會有重叠/ /起皺起皺, ,太緊易流膠太緊易流膠4. 4.是否有是否有“魚眼魚眼”或橘子皮或橘子皮5. 5.是否有髒點或氣泡是否有其他製程上之缺點是否有髒點或氣泡是否有其他製程上之缺點 2.附著力測試 1. 1.瞬間附著力瞬間附著力: :壓壓膜膜後後五五分分鐘鐘內內欲欲將將膜膜撕撕去去時時, ,以以感感覺覺來來量量測測其其附附著著性性之之比比較較性性品品質質。因因為為是是憑憑感感覺覺之之相相對對性比較性比較, ,故此結果只能供參考。故此結果只能供參考。2. 2.
6、顯影後附著力顯影後附著力:( :(常用之兩種方法如下常用之兩種方法如下) )(1)ASTM D-3359(1)ASTM D-3359法法: :作成一種網狀之線路作成一種網狀之線路, ,然後用然後用3M3M膠帶來試撕其附著性膠帶來試撕其附著性 (2)(2)使用已設計好之測試底片使用已設計好之測試底片, ,顯影後及蝕刻後直接判讀密著性顯影後及蝕刻後直接判讀密著性. .至少要通過至少要通過 2mil 2mil 線路線路 3.解析度測試 1. 1.正片解析度正片解析度: :使用已設計好之測試底片使用已設計好之測試底片, ,顯影後直接判讀解析度顯影後直接判讀解析度. .至少要通過至少要通過2.5mil2
7、.5mil線路線路2. 2.負片解析度負片解析度: :使用已設計好之測試底片使用已設計好之測試底片, ,顯影後直接判讀解析度顯影後直接判讀解析度. .至少要通過至少要通過2.5mil2.5mil線路線路( (以上測試結果須符合量產需求以上測試結果須符合量產需求) )4.曝光能力 1. 1.作出曝光量與線寬之關係作出曝光量與線寬之關係, ,比較比較1:11:1線路複製所需曝光能量線路複製所需曝光能量2. 2.曝光速度快者曝光速度快者, ,有利於提高生產速度及減低曝光檯面之發熱有利於提高生產速度及減低曝光檯面之發熱乾膜評估項目乾膜評估項目評估項目評估方式5.成像(曝光後對比色)1. 1.感光增色型
8、感光增色型 (Phototropic) (Phototropic) 及感光褪色型及感光褪色型(Photofugitive)(Photofugitive)兩種兩種. .2. 2.一般人喜歡曝光前的乾膜顏色較淡些一般人喜歡曝光前的乾膜顏色較淡些, ,以利對位以利對位; ; 曝光前後顏色的對比若清楚能辨時曝光前後顏色的對比若清楚能辨時, ,可方便線路檢查及對位準確可方便線路檢查及對位準確3. 3.而乾膜與銅的顏色對比鮮明者而乾膜與銅的顏色對比鮮明者, ,有利於修補線上之作業有利於修補線上之作業 6.顯影 1. 1.顯影速度影響生產速度很大顯影速度影響生產速度很大, ,以較快者為優以較快者為優. .可
9、由測顯影點來判斷可由測顯影點來判斷2. 2.對顯影液之溫度、濃度、速度之容許範圍要寬一點才有利對顯影液之溫度、濃度、速度之容許範圍要寬一點才有利3. 3.觀查顯影後乾膜側壁輪廓觀查顯影後乾膜側壁輪廓 (sidewall),(sidewall),以以SEMSEM照片瞭解其性質照片瞭解其性質 7.停留時間1. 1.壓膜壓膜/ /曝光曝光/ /顯影顯影, ,各階段在未作各階段在未作1515分鐘停置時分鐘停置時, ,是否影響其耐蝕刻性及耐電鍍性是否影響其耐蝕刻性及耐電鍍性, , 可直接利用線上條件作比較測試可直接利用線上條件作比較測試2. 2.黃光下長期老化試驗黃光下長期老化試驗: : (i) (i)
10、壓膜後將試驗板置於距壓膜後將試驗板置於距40W40W黃光燈黃光燈三呎距離處三呎距離處, ,一半曝於此黃光源一半曝於此黃光源, ,另一半用黑布另一半用黑布 ( (或不透光物或不透光物) )遮蓋著遮蓋著, ,放置一、二、三星期放置一、二、三星期, ,然後依正常製程進行製作然後依正常製程進行製作, ,觀察其耐蝕觀察其耐蝕 刻性及耐電鍍性有否不同刻性及耐電鍍性有否不同 (ii)(ii)先行曝光後再進行此黃光老化試驗先行曝光後再進行此黃光老化試驗, ,觀其結果觀其結果3. 3.白光下長期老化試驗白光下長期老化試驗: : (i) (i)顯影後將試驗板置於距顯影後將試驗板置於距40W40W白光燈白光燈三呎距
11、離處三呎距離處, ,一半曝於此光源一半曝於此光源, ,另一半用黑布遮另一半用黑布遮 蓋蓋, ,接著同上述黃光試驗之作法接著同上述黃光試驗之作法, ,觀其結果觀其結果 (ii)(ii)電鍍後進行白光老化試驗電鍍後進行白光老化試驗, ,觀察其對去膜之影響觀察其對去膜之影響 乾膜評估項目乾膜評估項目乾膜評估項目乾膜評估項目評估項目評估方式8.耐蝕刻性 1. 1.以生產線上現有酸、鹼性蝕刻液以生產線上現有酸、鹼性蝕刻液, ,故意走一遍、二遍、三遍故意走一遍、二遍、三遍, ,試驗其抵抗性之差別試驗其抵抗性之差別2. 2.量測蝕刻因子量測蝕刻因子, ,來判定側蝕情形來判定側蝕情形 9.耐電鍍性 1. 1.
12、前處理性前處理性: :比較所需銅面微蝕比較所需銅面微蝕(microetch)(microetch)之深度之深度, ,有的乾膜僅需有的乾膜僅需5-10microetch5-10microetch之微蝕之微蝕 即可即可, ,有些則要求在有些則要求在30 microetch30 microetch以上才行以上才行2. 2.對鍍銅、鍍錫鉛對鍍銅、鍍錫鉛( (或鍍純錫或鍍純錫) )、鍍鎳、鍍金的相容性、鍍鎳、鍍金的相容性, ,試驗其是否能與各種電鍍槽液有良好之試驗其是否能與各種電鍍槽液有良好之 相容性相容性3. 3.對鍍液污染性對鍍液污染性(Leaching):(Leaching):故意將乾膜樣品浸泡於
13、鍍液中故意將乾膜樣品浸泡於鍍液中2424小時小時, ,然後比較其然後比較其 Hull CellHull Cell 試鍍片試鍍片, ,是否與原鍍液有所不同是否與原鍍液有所不同10.去膜性 比較不同濃度比較不同濃度 (2-5%) (2-5%) 的氫氧化鈉的氫氧化鈉 NaOH NaOH 及不同溫度下的去膜速度以及所剝下之膜片大小及不同溫度下的去膜速度以及所剝下之膜片大小, ,以碎以碎小者為佳小者為佳( (一般要求約一般要求約1cm21cm2之大小之大小) )11.蓋孔性(Tenting) 1. 1.於鑽有數組於鑽有數組 2-8mm 2-8mm 不同孔徑之特定板材上壓貼乾膜不同孔徑之特定板材上壓貼乾膜
14、, ,經曝光、顯影到蝕銅後比較及統計其破經曝光、顯影到蝕銅後比較及統計其破孔率孔率2. 2.一般一般6mm-4mil ring6mm-4mil ring之孔徑應該不能破孔之孔徑應該不能破孔3. 3.另亦有設計不同大小之槽形孔及八字孔作蓋孔性測試另亦有設計不同大小之槽形孔及八字孔作蓋孔性測試12.覆蓋性(Conformation): 故意於基板上微蝕出不同深度之溝線故意於基板上微蝕出不同深度之溝線(4-6(4-6 m m深深,100,100 m m寬寬), ),將此板材壓膜後將此板材壓膜後, ,再利用與此溝線垂再利用與此溝線垂直之線路底片進行曝光直之線路底片進行曝光, ,然後顯影然後顯影/ /蝕
15、刻蝕刻, ,觀察其正交處是否有斷路情形。斷路比率愈高表示覆蓋觀察其正交處是否有斷路情形。斷路比率愈高表示覆蓋性愈差性愈差第二部份第二部份:乾膜應用篇乾膜應用篇乾膜應用流程乾膜應用流程n線路板主要兩類製作流程線路板主要兩類製作流程n1. 酸性蝕刻酸性蝕刻 或或 鹼性蝕刻鹼性蝕刻n2. 圖形電鍍圖形電鍍n電鍍銅電鍍銅n電鍍錫電鍍錫n電鍍鉛電鍍鉛/錫錫n電鍍鎳金電鍍鎳金n化學鎳金化學鎳金表面處理表面處理(Surface Preparation)板面污染物來源板面污染物來源板面污染物來源: :- -油脂、機油油脂、機油油脂、機油- -手印手印手印- -板面氣化物板面氣化物板面氣化物- -殘留化學藥品殘
16、留化學藥品殘留化學藥品- -灰塵灰塵灰塵- -不適當處理表面處理不適當處理表面處理不適當處理表面處理 (Surface Preparation)(Surface Preparation)(Surface Preparation)板面不平整原因板面不平整原因板面不平整原因: :1. 1.1.擦花擦花擦花- - - 處理不當處理不當處理不當- - - 機械擦花機械擦花機械擦花2. 2.2.凹痕凹痕凹痕- - - 處理不當處理不當處理不當- - - 壓板不當壓板不當壓板不當3. 3.3.板面分佈不平板面分佈不平板面分佈不平- - - 壓板不當壓板不當壓板不當板板面面擦擦花花板板面面壓壓傷傷表面處理表
17、面處理 (Surface Preparation)目的目的: 優良的板面處理,能增強乾膜與銅箔之間的附着 力,及改善乾膜對其之填充性板面處理方式板面處理方式: 1.化學清洗 + 微蝕2.機械式研磨板3.火山灰或氧化鋁研磨板 表面處理表面處理(Surface Preparation)化學處理化學處理1. 1.1.化學清洗化學清洗化學清洗- -SURFACE kleen 112;SURFACE kleen 112;SURFACE kleen 112;15-20% v/v15-20% v/v15-20% v/v- -水洗水洗水洗水洗水洗水洗 (2-3x)(2-3x)(2-3x)- -3% 3% 3%
18、 硫酸硫酸硫酸硫酸硫酸硫酸- -水洗水洗水洗水洗水洗水洗 (2-3x)(2-3x)(2-3x)- -風乾風乾風乾風乾風乾風乾2. 2.2.化學清洗化學清洗化學清洗 + + + 微蝕微蝕微蝕- -SURFACE kleen 112;SURFACE kleen 112;SURFACE kleen 112;10-15% v/v10-15% v/v10-15% v/v- -水洗水洗水洗水洗水洗水洗 (2-3x)(2-3x)(2-3x)- -SURFACEprep 120, 4% v/vSURFACEprep 120, 4% v/vSURFACEprep 120, 4% v/v- -水洗水洗水洗水洗水洗
19、水洗 (2-3x)(2-3x)(2-3x)- -3% 3% 3% 硫酸硫酸硫酸硫酸硫酸硫酸- -水洗水洗水洗水洗水洗水洗 (2-3x)(2-3x)(2-3x)- -風乾風乾風乾風乾風乾風乾表面處理表面處理(Surface Preparation)機械式研磨板機械式研磨板火山灰研磨板火山灰研磨板火山灰研磨板火山灰研磨板 / / 氧化鋁研磨板氧化鋁研磨板氧化鋁研磨板氧化鋁研磨板噴砂研磨尼龍磨轆表面處理表面處理(Surface Preparation)銅箔銅箔 (未處理未處理)500 號機械磨板號機械磨板320 號機械磨板號機械磨板化學清洗化學清洗 + 微蝕微蝕化學性處理化學性處理 + 機械機械式磨
20、板式磨板火山灰磨板火山灰磨板壓膜壓膜(Lamination)滾輪之形狀應微微凸出，可得到一致的壓膜壓力v光阻及基板附著力是藉由光阻膜順著銅表面流動達成v加熱可降低光阻之黏度並增加流動性，壓力可將流動狀態之 光阻擠入銅表面產生附著力自動貼膜機自動貼膜機壓膜壓膜(Lamination)貼膜壓力貼膜壓力貼膜壓力 (Pressure)(Pressure)(Pressure)- -以物理原理將乾膜貼服以物理原理將乾膜貼服以物理原理將乾膜貼服以物理原理將乾膜貼服以物理原理將乾膜貼服以物理原理將乾膜貼服於板面上於板面上於板面上於板面上於板面上於板面上- -壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高:
21、:起皺、乾膜部份位置變起皺、乾膜部份位置變起皺、乾膜部份位置變起皺、乾膜部份位置變起皺、乾膜部份位置變起皺、乾膜部份位置變薄薄薄薄薄薄- -壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低: :低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力貼膜速度貼膜速度貼膜速度 (Lamination (Lamination (Lamination Speed)Speed)Speed)- -影響出板溫度及乾膜的流影響出板溫度及乾膜的流影響出板溫度及乾膜的流影響出板溫度及乾膜的流影響出板溫度及乾膜的流影響出板溫度及乾膜的流動程況動程況動
22、程況動程況動程況動程況- -壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高壓力過高: :低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力- -壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低壓力過低: :起皺、乾膜部份位置變薄、起皺、乾膜部份位置變薄、起皺、乾膜部份位置變薄、起皺、乾膜部份位置變薄、起皺、乾膜部份位置變薄、起皺、乾膜部份位置變薄、因乾透而減低附着力因乾透而減低附着力因乾透而減低附着力因乾透而減低附着力因乾透而減低附着力因乾透而減低附着力壓瞙溫度壓瞙溫度壓瞙溫度(Temperature)(Temperature)(Temp
23、erature)- -乾膜在高溫之下會有所流乾膜在高溫之下會有所流乾膜在高溫之下會有所流乾膜在高溫之下會有所流乾膜在高溫之下會有所流乾膜在高溫之下會有所流動動動動動動- -溫度過高溫度過高溫度過高溫度過高溫度過高溫度過高: :起皺、出現氣泡、乾膜部起皺、出現氣泡、乾膜部起皺、出現氣泡、乾膜部起皺、出現氣泡、乾膜部起皺、出現氣泡、乾膜部起皺、出現氣泡、乾膜部份位置變薄、因乾透而減份位置變薄、因乾透而減份位置變薄、因乾透而減份位置變薄、因乾透而減份位置變薄、因乾透而減份位置變薄、因乾透而減低附着力低附着力低附着力低附着力低附着力低附着力- -溫度過低溫度過低溫度過低溫度過低溫度過低溫度過低: :低
24、附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力低附着力、低填充能力壓瞙參數壓瞙參數曝光曝光(Exposure)光罩或壓克力框 菲林層 線路層 CCLPI乾膜(光阻)Mylar(聚酯膜)底片保護膜 (感光保護膜)乾膜(X軸)能量理想的能量分佈實際的能量分佈乾膜中的UV能量分佈我廠用Mylar原理簡介手動曝光機手動曝光機自動曝光自動曝光機機曝光曝光(Exposure)底片乾膜聚酯 (PET)非曝光底片乾膜聚酯 (PET)銅箔曝光非曝光曝光非平衡光非平衡光曝光曝光非曝光銅箔平衡光平衡光影響曝光之因素影響曝光之因素能量:能量之大小影響成像品質(解析度
25、及密合度)曝光時間:由shutter控制紫外光波長:波長範圍250520(主波長:365、405、436nm)燈源:計有平行光(parallel light)、準平行光(almost parallel) 、散射光(scattered light)顯像顯像(Development)D/FCCLPI+AD完成光聚合反應之乾膜形成線路顯影液主要成份CO32-乾膜主要成份Resist-COOHD/FCCLPI+AD完成顯影過程之線路CO32-Resist-COOH + CO32- CO3- + Resist-COO - 反應官能基反應官能基由顯影液Na2CO3或K2CO3提供本反應實際為一種皂化作用，
26、故於製程中會產生類似肥皂狀的泡沫顯像顯像(Development)影響参數影響参數:- 顯影點 (Break-point)- 顯影液溫度 (Temperature)- 乾膜負荷量 (Resist Loading)- 乾膜類型及厚度 (Dry Film Type and Thickness)- 碳酸鹽濃度 (Carbonate Concentration)- 酸鹼值 (pH Value)- 消泡劑含量 (Antifoam)- 噴射壓力及形狀 (Spray Pressure and Pattern)- 水洗及風乾情況 (Rinsing and Drying顯像顯像(Development)剝膜剝膜
27、(Stripping)目的目的用化學及物理原理來清除線路板上乾膜用化學及物理原理來清除線路板上乾膜用化學及物理原理來清除線路板上乾膜用化學及物理原理來清除線路板上乾膜, ,從而顯露所要求的金屬從而顯露所要求的金屬從而顯露所要求的金屬從而顯露所要求的金屬影響退膜速度的因素影響退膜速度的因素- -退膜液濃度及成份退膜液濃度及成份退膜液濃度及成份退膜液濃度及成份- -退膜液溫度退膜液溫度退膜液溫度退膜液溫度- -曝光程度曝光程度曝光程度曝光程度- -乾膜特質及厚度乾膜特質及厚度乾膜特質及厚度乾膜特質及厚度- -退膜添加劑退膜添加劑退膜添加劑退膜添加劑- -水洗水洗水洗水洗干膜其它流程干膜其它流程n板
28、面處理n圖形轉移n電鍍銅 / 錫n退膜n蝕刻n退錫電鍍流程電鍍流程第三部份第三部份:乾膜改善篇乾膜改善篇最大不良最大不良-凹陷凹陷雙面板不良現象中雙面板不良現象中,凹陷占凹陷占1/22/3之多之多 2001年52週雙面板品質狀況柏拉圖凹陷的凹陷的產產生生由于銅箔有凹凸點,造成干膜添覆不好若恰好在線路邊易被蝕刻液咬蝕而形成凹陷1040和和7738性能對比性能對比測試內容測試方法結果對比SHIPLEY長春抗顯影能力過4次顯影機后觀察干膜檢的線路無明顯問題,線路有輕微的測蝕抗蝕刻能力過4次蝕刻機后觀察蝕刻后的線路無明顯問題,線路有輕微的咬蝕掉最小顯影能力用標准底片曝光,再顯影最小達1MIL最小可以到
29、達2MIL1040和和7738實物對比實物對比量量產產驗証驗証綠色為長春1040干膜（1/19-1/27)黃色為SHIPLEY7738干膜(4/16-4/30)第四部份第四部份:乾膜未來篇乾膜未來篇乾膜發展趨勢乾膜發展趨勢發展趨勢發展趨勢 特性及用途特性及用途 1.乾膜朝更薄的方向增加壓合之吻合性流動性較佳改善曝光解析度折射率減低2.較寬操作範圍大部份乾膜以朝向低曝光能量,高感度來發展,且易於顯影不影響乾膜壁 (sidewall)此特性可獲得較寬之操作範圍 (operating window)3.适應更細的線路線路板趨向更小更薄4高品質、低價位及全線自動化1.改良配方,減少Hold time朝
30、連線自動化作業.前處理壓膜曝光DES2.由於PCB廠家削價競爭,加上乾膜製造廠商相繼投入台灣市場,儼然形成價格戰.鐳射成像技術(Laser Direct Imaging) 鐳射成像技術鐳射成像技術鐳射成像技術 ( LDI) ( LDI) ( LDI) 已經超過已經超過已經超過 25 25 25 年發展歷史年發展歷史年發展歷史, , , 但到但到但到199619961996年多間設備及乾年多間設備及乾年多間設備及乾膜生產商開始投放大量資源於此技術發展膜生產商開始投放大量資源於此技術發展膜生產商開始投放大量資源於此技術發展, ,在在在 1998 1998 1998 1999 1999 1999 年
31、間才開始有年間才開始有年間才開始有較為突破性及普及性的表現。較為突破性及普及性的表現。較為突破性及普及性的表現。在現在現在現 PCB PCB PCB 的線路要求越來越幼細之下的線路要求越來越幼細之下的線路要求越來越幼細之下, LDI , LDI , LDI 技術能令技術能令技術能令 PCB PCB PCB 生產商達到更生產商達到更生產商達到更精密的要求及獲得較高的合格率。所以精密的要求及獲得較高的合格率。所以精密的要求及獲得較高的合格率。所以, LDI , LDI , LDI 現設備的要求亦預期會已快現設備的要求亦預期會已快現設備的要求亦預期會已快速直線的增長。速直線的增長。速直線的增長。單面
32、曝光Orbotech雙面曝光Automa-Tech 鐳射成像技術和一般成像技術的對比鐳射成像技術和一般成像技術的對比鐳射成像技術鐳射成像技術鐳射成像技術1. 1.1.優點優點優點- - 能生產出能生產出能生產出較為幼細較為幼細較為幼細 (50-100(50-100(50-100 m)m)m)及精密的及精密的及精密的 線路線路線路( (較高的解像度及合格率較高的解像度及合格率較高的解像度及合格率) )- - - 不需曝光底片不需曝光底片不需曝光底片,因而刪減底片工序上的出因而刪減底片工序上的出因而刪減底片工序上的出 錯及其底片預備的時間和金錢錯及其底片預備的時間和金錢錯及其底片預備的時間和金錢-
33、 - - 因部份工序的刪除因部份工序的刪除因部份工序的刪除,令生產成本為之下降令生產成本為之下降令生產成本為之下降- - - 生產的靈活性較大生產的靈活性較大生產的靈活性較大- - - 較為準確的板面對位較為準確的板面對位較為準確的板面對位2. 2.2.缺點缺點缺點- - - 需要專用乾膜作生產之用需要專用乾膜作生產之用需要專用乾膜作生產之用- - - 設備投資成本比較高設備投資成本比較高設備投資成本比較高- - - 設備保養費用比較高設備保養費用比較高設備保養費用比較高- - - 如生產如生產如生產 125125125 m m m 或以上的線路或以上的線路或以上的線路,其成本比其成本比其成本
34、比 較一般成像技術製程為高較一般成像技術製程為高較一般成像技術製程為高一般成像技術一般成像技術一般成像技術1. 1.1.優點優點優點- - - 此技術較為成熟此技術較為成熟此技術較為成熟- - - 市場上有大量相關的供應商市場上有大量相關的供應商市場上有大量相關的供應商- - - 設備成本相對為低設備成本相對為低設備成本相對為低- - - 生產的周期可以縮短生產的周期可以縮短生產的周期可以縮短- - - 如生產如生產如生產 125125125 m m m 或以上的線路或以上的線路或以上的線路,其成本比其成本比其成本比 較鐳射成像技術製程為低較鐳射成像技術製程為低較鐳射成像技術製程為低2. 2.
35、2.缺點缺點缺點- - - 如生產較精密線路時如生產較精密線路時如生產較精密線路時,其合格率偏低其合格率偏低其合格率偏低- - - 較為低的板面對位準確度較為低的板面對位準確度較為低的板面對位準確度- - - 線路的解像度較低線路的解像度較低線路的解像度較低- - - 製作底片的工序及使用底片時製作底片的工序及使用底片時製作底片的工序及使用底片時,較易產生較易產生較易產生 問題問題問題50m 線闊/線距25m 線闊/線距感光油應用感光油應用n n感光油厚度較薄、亦有較感光油厚度較薄、亦有較感光油厚度較薄、亦有較感光油厚度較薄、亦有較好覆蓋性及附著力好覆蓋性及附著力好覆蓋性及附著力好覆蓋性及附著
36、力, ,因而在生產一些幼細線路的線路因而在生產一些幼細線路的線路因而在生產一些幼細線路的線路因而在生產一些幼細線路的線路板時有較佳的表現板時有較佳的表現板時有較佳的表現板時有較佳的表現n n相對乾膜來說相對乾膜來說相對乾膜來說相對乾膜來說, ,感光油有較佳的蝕刻因素感光油有較佳的蝕刻因素感光油有較佳的蝕刻因素感光油有較佳的蝕刻因素(Etch Factor),(Etch Factor),有利於幼線路的生產有利於幼線路的生產有利於幼線路的生產有利於幼線路的生產n n在非平衡光的曝光設備下在非平衡光的曝光設備下在非平衡光的曝光設備下在非平衡光的曝光設備下, ,感光油的成像效果及其合格率較一般性乾膜為
37、高感光油的成像效果及其合格率較一般性乾膜為高感光油的成像效果及其合格率較一般性乾膜為高感光油的成像效果及其合格率較一般性乾膜為高n n感光油成本較乾膜為低感光油成本較乾膜為低感光油成本較乾膜為低感光油成本較乾膜為低n n感光油在幼線路的生產過程中感光油在幼線路的生產過程中感光油在幼線路的生產過程中感光油在幼線路的生產過程中, ,有較好的合格率有較好的合格率有較好的合格率有較好的合格率n n不需要保護膜不需要保護膜不需要保護膜不需要保護膜 (Maylor)(Maylor)n n其顯影缸及退膜缸的壽命較用乾膜的缸為長其顯影缸及退膜缸的壽命較用乾膜的缸為長其顯影缸及退膜缸的壽命較用乾膜的缸為長其顯影缸及退膜缸的壽命較用乾膜的缸為長感光油與乾膜的對比感光油與乾膜的對比感光油感光油 SN35R一般乾膜一般乾膜Depth=12.5um Gap=75um Depth=16um Gap=75um Depth=5um Gap=200umDepth=12um Gap=75um Depth=32.5um Gap=75um Depth=10um Gap=200um結束語結束語:改善永無止境改善永無止境!363更上一層樓
