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1、大功率大功率LED技术、照明产品及技术、照明产品及其散热技术其散热技术主要内容主要内容功率型芯片技术原功率型芯片技术原理大功率技术结构设计大功率技术结构设计功率型散热技术功率型散热技术结束语结束语LED的应用面不断扩大，首先进入特种照明照明的市场领域，并向普通照明市场迈进。由于LED芯片芯片输入功率的不断提高，对这些功率型LED的封装技术提出了更高的要求。功率型LED封装技术主要应满足以下两点要求：一是封装结构要有高的取光效率；二是热阻要尽可能低，这样才能保证功率LED的光电性能和可靠性。功率型芯片技术原理功率型芯片技术原理 大功率LED广义上说就是单颗LED光源功率大于0.35W(含0.35
2、W)的，拥有大额定工作电流的发光二极管。普通LED功率一般为0.05W、工作电流为20mA，而大功率LED可以达到1W、2W、甚至数十瓦，工作电流可以是几十毫安到几百毫安不等。由于目前大功率LED在光通量、转换效率和成本等方面的制约，因此决定了大功率白光LED短期内的应用主要是一些特殊领域的照明，中长期目标才是通用照明。何为大功率芯片何为大功率芯片?(1)加大尺寸法: 通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。(2)硅底板倒装法: 首先制备出适合共晶焊接的
3、大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层（超声金丝球焊点），再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。LED大功率的实现方法大功率的实现方法美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片（FCLED）结构，其制造流程是： 首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆接触和背反射； 再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层； 经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸
4、为1mm1mm,P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小； 然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（ESD）的硅载体上。(3) 陶瓷底板倒装法: 先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化
5、封装预留空间。(4)蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。(5) AlGaInN碳化硅（SiC）背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInNLED发展的另一主流产品。半导体LED若要作为照明光源，常规产品的光通量与白炽灯和荧光灯等通用性光源相比，距离甚
6、远。LED要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生长技术和多量子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型LED的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增大芯片面积，加大工作电流来提高器件的光电转换效率，从而获得较高的发光通量。除了芯片外，器件的封装技术也举足轻重。关键的封装技术工艺有：大功率技术结构设计大功率技术结构设计3W模组,9颗芯片(芯片尺寸:18mil),3并3串, 电流300mA,电压9.6-10.5V5W模组,4颗
7、芯片 (芯片尺寸:40mil),2并2串,电流700mA,电压6.2-7.0V10W 10W 模组模组,9 ,9 颗芯片颗芯片 ( (芯片尺寸芯片尺寸:40mil),3:40mil),3并并3 3串串, ,电流电流1050mA,1050mA,电压电压9.0-10.5V9.0-10.5V几种整合模式几种整合模式10W 模组,36颗芯片(芯片尺寸:18mil),6并6串,电流500mA,电压18-21V25W 模组,25颗芯片 (芯片尺寸:40mil),5并5串,电流1750mA,电压15-17.5V30W模组,81颗芯片(芯片尺寸:18mil),9并9串,电流1000mA,电压27-31.5V1
8、W 氮化镓蓝光LED倒装芯片产品特点产品特点应用领域应用领域专利倒装技术普通照明领域专利模组技术道路照明领域超高出光效率车用照明领域高效散热设计景观照明领域超高可靠性能高级闪光灯领域便于客户封装特殊照明领域1. 产品优势与应用领域产品优势与应用领域外观图外观图材料说明材料说明尺寸说明尺寸说明芯片衬底蓝宝石芯片尺寸1325m1325m外延材料氮化镓基板尺寸1995m1775m基体材料硅电极尺寸99m304m电极材料金芯片厚度1155m凸点材料金基板厚度2505m总厚度39010m2. 倒装芯片说明倒装芯片说明(1) 倒装芯片尺寸与材料倒装芯片尺寸与材料(2)光电参数说明光电参数说明(测试环境温度
9、测试环境温度TA=25)项目项目符号符号测试电流测试电流最小值最小值最大值最大值单位单位正向电压正向电压(VF)VFIf=350mA2.83.4V主波长主波长(WLD)d450465nm辐射功率辐射功率(LOP)IV250370mW3.特性测试特性测试 注注1(3)最大额定值最大额定值(测试环境温度测试环境温度TA=25) 注注1项目项目符号符号APT-B5501AB-VWWWLL正向电流正向电流IF1400mA正向脉冲电流正向脉冲电流(1/10占空比占空比1KHz)IFP2000mALED结温结温Tj125工作温度范围工作温度范围Topr-40 to +85存储温度范围存储温度范围Tstg-
10、40 to +100抗静电释放能力抗静电释放能力(HBM模式模式)注注2ESDHBM4000V抗静电释放等级抗静电释放等级(根据根据JESD22-A114-B)注注2ESDLevelClass3A反向电压反向电压VR注注 3备注备注:1. 以上数据为使用Power Dome支架、无灌胶条件下裸晶测试结果，不同封装方式得到的测试结果可能不尽相同，仅供参考；LED最大结温允许值也与封装方式相关；若封装生产使用回流焊，必须保证不能在300 以上温度条件使用超过3秒；2. 抗静电释放测试根据人体模型，使用RAET方式模拟静电释放，所有产品通过测试，符合JESD22-A114-B标准Class 3A等级
11、。3. 测试LED使用的反向电压不能超过6V，否则有可能损坏产品，而且正常使用情况下，供电电源不能反接LED。4. 由于硅基体易碎，因此强烈建议封装打线时，尽量远离基体边缘，以免损坏基体。 大功率芯片封装结构大功率芯片封装结构提高LED性能的一种方法乃将电流由弯流改成顺流。由于蓝宝石基材不导电，LED正负两个电极乃设在同面。当电流通过GaN晶格时电流必须由垂直顺流改成水平横流，这样电流就会集中在内弯处，导致不能有效使用P-N接口的电子层和电洞层，因而减少了发光效率。更有甚者，电流集中之处会产生热点使晶格缺陷范围延伸，LED的亮度就会随缺陷扩大而递减。为了延长LED的寿命，输入的电流必须降低（如
12、350mA），单位面积的发光亮度，就受到了限制。LED设计的主要设计有如下列诸图所示(如图1)LED电流转弯的问题不能靠封装的设计(如复晶或Flip Chip)改善，把电流截弯取直才是正道，这样必须把电极置于LED磊晶的两侧。电流平顺就可以明显提升LED的亮度。除此之外，相同亮度的顺流LED使用的芯片面积较小，因此晶圆上切出的晶粒数目较多，也就是单颗LED的制造成本可能降低。尤其进者，电流转弯时若扩大芯片的面积会使LED发光更不均匀。但是顺流LED其发射的光子数目则会由发光面积的加大而提高。所以一颗以大电流(如1A)驱动大面积的顺流LED，其亮度会大于具有相同面积的多颗横流LED。(如图2)p
13、可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热；设计二次散热装置，来降低器件的热阻。在器件的内部，填充透明度高的柔性硅橡胶，在硅橡胶承受的温度范围内（一般为-40200），胶体不会因温度骤然变化而导致器件开路，也不会出现变黄现象。零件材料也应充分考虑其导热、散热特性，以获得良好的整体热特性。对于大工作电流的功率型对于大工作电流的功率型LED芯片，低热阻、散热良好及芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型低应力的新的封装结构是功率型LED器件的技术关键。器件的技术关键。二次光学设计技术为提高器件的取光效率，设计外加的反射杯与多重光学透镜。
14、粉涂布量控制：LED芯片+荧光粉工艺采用的涂胶方法，通常是将荧光粉与胶混合后用分配器将其涂到芯片上。在操作过程中，由于载体胶的粘度是动态参数、荧光粉比重大于载体胶而产生沉淀以及分配器精度等因素的影响，此工艺荧光粉的涂布量均匀性的控制有难度，导致了白光颜色的不均匀。功率型LED白光技术芯片光电参数配合：半导体工艺的特点，决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数（如波长、光强）和电学（如正向电压）参数差异。RGB三基色芯片更是这样，对于白光色度参数影响很大。这是产业化必须要解决的关键技术之一。根据应用要求产生的光色度参数控制：不同用途的产品，对白光白光LED的色坐标、色温、显色性、光功率（或
15、光强）和光的空间分布等要求不同。上述参数的控制涉及产品结构、工艺方法、材料等多方面因素的配合。在产业化生产中，对上述因素进行控制，得到符合应用要求、一致性好的产品十分重要。检测技术与标准随着W级功率芯片制造技术和白光LED工艺技术的发展，LED产品正逐步进入（特种）照明市场，显示或指示用的传统LED产品参数检测标准及测试方法已不能满足照明应用的需要。国内外的半导体设备仪器生产企业也纷纷推出各自的测试仪器，不同的仪器使用的测试原理、条件、标准存在一定的差异，增加了测试应用、产品性能比较工作的难度和问题复杂化。我国光学光电子行业协会光电子器件分会行业协会根据LED产品发展的需要，于2003年发布了
16、“发光二极管发光二极管测试方法（试行）”,该测试方法增加了对LED色度参数的规定。但LED要往照明业拓展，建立LED照明照明产品标准是产业规范化的重要手段。筛选技术与可靠性保证由于灯具灯具外观的限制，照明用LED的装配空间密封受到局限，密封且有限的空间不利于LED散热，这意味着照明LED的使用环境要劣于传统显示、指示用LED产品。照明LED是处于大电流驱动下工作，这就对其提出更高的可靠性要求。在产业化生产中，针对不同的产品用途，进行适当的热老化、温度循环冲击、负载老化工艺筛选试验，剔除早期失效品，保证产品的可靠性很有必要。电防护技术由于GaN是宽禁带材料，电阻率较高，该类芯片在生产过程中因静电
17、产生的感生电荷不易消失，累积到相当的程度，可以产生很高的静电电压。当超过材料的承受能力时，会发生击穿现象并放电。蓝宝石衬底的蓝色芯片其正负电极均位于芯片上面，间距很小；对于InGaN/AlGaN/GaN双异质结，InGaN活化薄层仅几十纳米，对静电的承受能力很小，极易被静电击穿，使器件失效。对生产、使用场所从人体、台、地、空间及产品传输、堆放等方面实施防范，手段有防静电服装、手套、手环、鞋、垫、盒、离子风扇、检测仪器等。芯片上设计静电保护线路。LED上装配保护器件。 在产业化生产中，静电的防范是否得当，直接影响到产品的成品率、可靠性和经济效益。几种静电防范技术半导体若要作为照明光源，与常规产品
18、白炽灯和荧光灯等通用性光源的光通量相比，差距较大。因此，要在照明领域发展，关键是要将其发光效率、光通量提高至现有照明光源的等级。照明用级功率型要实现产业化，应从以下技术层面进行整体创新突破，从而全面提高功率型产品的生产质量和产量。目前国内从事功率型研发生产的厂家多关注于个别技术点，尤其是封装技术。p 现在需要倡导的的创新理念是一定要整体创新 、全面突破，因为功率型芯片产业化的 四个关键技术环节是相互制约同时又能相互促 进的，只有全面提升才能拓宽产业化道路。功率型芯片的产业化关键技术的四个重要环节：（1）通过加大工作电流提高芯片的整体功率；（2）采用新型的封装结构提高光电功率转换效率；（3）设计
19、新的芯片结构以提高取光效率；（4）采用导热和光学性能优良的材料，在大电流下降低芯片结温。四个环节相辅相成，共同推动功率型的大规模产业化，构成半导体照明的核心力量。大功率产业简史国际先行者本世纪初，公司推出了倒梯形结构的功率型大面积芯片，工作电流可进一步增大至本世纪初，公司推出了倒梯形结构的功率型大面积芯片，工作电流可进一步增大至，发光通量大于。以脉冲方式工作时，则可达。，发光通量大于。以脉冲方式工作时，则可达。德国公司通过在器件表面制作纹理结构，于年研制出新一代功率型德国公司通过在器件表面制作纹理结构，于年研制出新一代功率型芯片，获得了大于的外量子效率，其基本性能与结构的相当。目前，芯片，获得
20、了大于的外量子效率，其基本性能与结构的相当。目前，该器件的制作工艺已大为简化，可批量生产。该器件的制作工艺已大为简化，可批量生产。国际先进行列对于基蓝绿光器件，美国公司于成功研制了倒装芯片结构对于基蓝绿光器件，美国公司于成功研制了倒装芯片结构的的功率型器件。当该器件的正向电流为，正向电压为时，光的的功率型器件。当该器件的正向电流为，正向电压为时，光输出功率达输出功率达W。据可靠性试验表明，该器件性能极为稳定。据可靠性试验表明，该器件性能极为稳定。同时，美国公司开发了背面出光功率型的同时，美国公司开发了背面出光功率型的/芯片芯片结构，该器件的芯片尺寸达结构，该器件的芯片尺寸达，采用米字型电极，其
21、工作电流为，采用米字型电极，其工作电流为时，输出光功率达到时，输出光功率达到W。国内情况我国台湾省是世界上开发生产各类器件的主要地区之一。继国联光电研制成大功我国台湾省是世界上开发生产各类器件的主要地区之一。继国联光电研制成大功率率-之后，光鼎电子也成功开发了白光与各种色光的功率型器之后，光鼎电子也成功开发了白光与各种色光的功率型器件，并投入了批量生产。这类器件在不附加额外热时，可通过的工作电流，红、件，并投入了批量生产。这类器件在不附加额外热时，可通过的工作电流，红、黄、蓝绿光的光通量分别为与。黄、蓝绿光的光通量分别为与。我国大陆较晚开展超高亮度红、黄与蓝绿光器件的研制工作，目前上海大晨光电
22、的功率型器我国大陆较晚开展超高亮度红、黄与蓝绿光器件的研制工作，目前上海大晨光电的功率型器件开发工作也达到了一定的水平。件开发工作也达到了一定的水平。n金属有机化合物汽相淀积（）金属有机化合物汽相淀积（）采用金属有机化合物汽相淀积的外延生长技术和多量子阱结构增大芯片面积，从而加大芯片的工作电流，提高芯片的整体功率。单芯片、和的大功率向功率高至，具有更高发光效率、经济实用的固态照明光源。n晶片键合（晶片键合（WB）采用新型封装结构的主要目标是提高光电功率转换效率。目前采用晶片键合以透明的衬底（）取代吸光的衬底（）的倒梯形结构的功率型大面积芯片，工作电流可达，光通量大于，以脉冲方式工作时，则可达。
23、采用（）纹理表面结构的新一代功率型芯片，可以获得大于的外量子效率，其基本性能与结构的相当，不仅可取代常规的方形芯片，而且还可以很容易按比例放大成为功率型的大尺寸芯片，因此在降低生产成本和实现产业化规模生产方面，纹理表面高效取光结构的（）具有广阔的发展前景。功率型led产业化的关键技术n芯片结构芯片结构设计新的芯片结构目标是提高取光效率。功率型所用的外延材料，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍乃是芯片的取光效率低，其原因是半导体与封装环氧的折射率相差较大，致使内部的全反射临界角很小。目前，按照常规理念设计的超高亮度远远不能满足固体照明所需的光通量。为提高的光通量，满足固体
24、照明的要求，必须采用新的设计理念，用倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，从而获得较高的光通量。n生产工艺生产工艺（1）金属有机化合物汽相淀积（）；（2）多量子阱结构；（3）倒装焊接；（4）晶片键合；（5）纹理表面结构；（6）动态自适应粉涂布量控制。功率型led产业化的关键技术如下国内外市场竞争力功率型产品已获市场认可，供不应求，目前产销矛盾突出。在技术路线正确，技术指标先进，技术分析可行的前提下，确定合理的生产规模，其产业化的目标是能够实现的。功率型项目是高技术、高投入、高产出项目，在国内外市场上都具有相当的竞争能力。目前所用功率型芯片基本依靠进口，如果本国功率型产业化后产能大幅提高，可以大大减
25、少进口，节省大量外汇，并可打入国际市场，能取得较好的经济效益和社会效益。次级贴装示意图LED特点耗电量少，白炽灯的1/8，荧光灯的50；发光效率高，可达到50200lm/W；体积小，重量轻，稳定性好，寿命达10万小时；使用低压电源，安全可靠；生产和使用过程中无污染，有利于环保。LED被称为第四代照明光源或绿色光源广东省节能减排科技行动计划中，将广东省节能减排科技行动计划中，将LEDLED产业化产业化和推广应用作为节能减排的主要任务之一和推广应用作为节能减排的主要任务之一LED中，约80的能量转化为热能；其光谱中，不包含红外部分，热量不能靠辐射散出。 芯片体积小，结构紧凑，局部热流密度大，热量不
26、宜释放。结温与相对出光率关系结温与相对出光率关系 LED结温结温上升上升发光效率降低发光效率降低可靠性差，使用可靠性差，使用寿命降低寿命降低发热量更大发热量更大散热问题是当前半导体照明技术发展的技术瓶颈！散热问题是当前半导体照明技术发展的技术瓶颈！ 功率型散热技术大功率LED的散热问题例如，1个10W白光LED若其光电转换效率为20%，则有8W的电能转换成热能，若不加散热措施，则大功率LED的器芯温度会急速上升，当其结温（TJ）上升超过最大允许温度时（一般是150），大功率LED会因过热而损坏。因此在大功率LED灯具设计中，最主要的设计工作就是散热设计。散热技术传统的指示灯型LED封装结构，一
27、般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上，由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成，其热阻高达250/W300/W,新的功率型芯片若采用传统式的LED封装形式，将会因为散热不良而导致芯片结温迅速上升和环氧碳化变黄，从而造成器件的加速光衰直至失效，甚至因为迅速的热膨胀所产生的应力造成开路而失效。散热研究发展状况解决方法：(A)改进LED芯片、封装的结构和材料; 上游产业完成(B)系统集成，主要针对灯具散热方式，提高换热功率。 散热路径散热路径热是从温度高处向温度低处散热。大功率LED主要的散热路散热路径是径是：管芯散热垫印制板敷铜层印制板环境空气。在热的传导过程中，各种材料的
28、导热性能不同，即有不同的热阻。若管芯传导到散热垫底面的热阻为R RJCJC（LED的热阻）、散热垫传导到PCB面层敷铜层的热阻为R RCBCB、PCB传导到环境空气的热阻为RBA,则从管芯的结温结温TJ传导到空气空气TA的总热阻RJA与各热阻关系为： R RJAJA=R=RJCJC+R+RCBCB+R+RBABA各热阻的单位是/W。可以这样理解：热阻越小，其导热性能越好，即散热性能越好。如果LED的散热垫与PCB的敷铜层采用回流焊焊在一起，则RCB=0，则上式可写成：RJA=RJC+RBA散热的计算公式散热的计算公式若结温为TJ、环境温度为TA、LED的功耗为PD,则RJA与TJ、TA及PD的
29、关系为：RJA=（TJTA）/PD(1)式中PD的单位是W。PD与LED的正向压降V及LED的正向电流IF的关系为：PD=VFIF(2)如果已测出LED散热垫的温度TC，则(1)式可写成：RJA=(TJTC)/PD+(TCTA)/PD则RJC=(TJTC)/PD(3)RBA=(TCTC)/PD(4)散热计算举例散热计算举例例:已知3W白光LED，RJC=16OC/W，K型热电偶点温度计测量头焊在散热垫上。PCB试验板：双层铜板40*40*1.6mmLED工作状态：IF=500mA，VF=3.97VK型热电偶点温度计测TC=71OC.TJ=RJC*PD+TC=RJC*IF*VF+TC=16(0.
30、500*3.97)+71=103OCRBA=(TC-TA)/PD=(71-25)/(0.5*3.97)=23.1OC/WRJA=RJC+RBA=16+23.1=39.1OC/W如果设计的TJ=90OC,则按上条件不能满足设计要求,需改换散热更好的PCB板或增大散热面积并再一次试验和计算,直到满足TJTJMAX为止.另一方法是,更换LED的RJC太大产品如RJC=9OC/WTJ=RJC*IF*VF+TC=9(0.5*3.97)+71=87.4OC作业已知3W白光LED，RJC=12OC/W，K型热电偶点温度计测量头焊在散热垫上。PCB试验板：双层铜板35*35*1.2mm,LED工作状态：IF=
31、600mA，VF=3.9V,K型热电偶点温度计测TC=80OC.如果设计的TJ=95OC,则按上条件能否满足设计要求吗？解决办法？简式鳍片法、主动散热法、传统热管技术简式鳍片法简式鳍片法主动散热法主动散热法传统热管技术传统热管技术当前主要散热方法：散热方式对比LED散热处理方案1)小功率的环氧树脂散热法2)铝基板（缺点：金属热膨胀系数很大与低膨胀陶瓷芯片焊接易受热冲击，发生不调协）3）陶瓷基板（是新一代散热材料，散热佳，耐高温，价高数倍）4）导热硅脂（用耒向散热片传导LED散发出耒的热量。）产品的散热设计产品的散热设计设计理论傅立叶定律：牛顿冷却定律： 根据散热要求（一般要求PCB板的温度T，
32、达到某个特定值），利用上述公式，计算出所需的散热表面积A灯具结构设计散热表面积A设计散热翅片（包括翅片的厚度、长度、宽度、间距以及数目等）模拟优化样品加工与测试产品发展趋势-新型热管技术自激式振荡流热管自激式振荡流热管环路热管环路热管 它们作为传统热管技术的延伸，也是依靠液体相变实现换热的，它们作为传统热管技术的延伸，也是依靠液体相变实现换热的，传热能力较烧结热管提高传热能力较烧结热管提高20-3020-30，具有传热效率高、结构简单、成本，具有传热效率高、结构简单、成本低、适应性好、热输运距离远等特点，是解决大功率低、适应性好、热输运距离远等特点，是解决大功率LEDLED灯散热问题最灯散热问
33、题最为有效的解决方案。为有效的解决方案。 大功率LED是在小功率的基础上，根据生产生活的需要而发展起来的，在封装上受其影响很大，比如大功率传统的封装。这会大大的减弱大功率的使用效果。随着对led照明的需求，加上技术的发展，这方面会有比较大的突破，比如解决散热问题，解决出光问题等。 LED封装是一个涉及到多学科(如光学、热学、机械、电学、力学、材料、半导体等)的研究课题。从某种角度而言，LED封装不仅是一门制造技术(Technology)，而且也是一门基础科学(Science)，良好的封装需要对热学、光学、材料和工艺力学等物理本质的理解和应用。LED封装设计应与芯片设计同时进行，并且需要对光、热、电、结构等性能统一考虑。在封装过程中，虽然材料(散热基板、荧光粉、灌封胶)选择很重要，但封装结构(如热学界面、光学界面)对LED光效和可靠性影响也很大，大功率白光LED封装必须采用新材料，新工艺，新思路。对于LED灯具而言，更是需要将光源、散热、供电和灯具等集成考虑。结束语
