《奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件》由会员分享，可在线阅读，更多相关《奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题「微电薄膜...课件（167页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题微电薄膜奈米科技教学改进计画数位化网路自我学习练习题微电薄膜1. ( ) 何謂真空的定義？ (A) 容器內的壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任何的氣體(C) 容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.精2 ( ) 精41. ( A ) 何謂真空的定義？ (A) 容器內的壓力低於一大氣壓(B)容器中沒有任何的氣體(C) 容器中氣體密度小於2.510-19 mol/cm3.精3 ( A ) 精52. ( ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa) (B) 高度真空(110-6 Pa 1 10-
2、9 Pa) (C) 超高真空(110-4 Pa 110-6 Pa) 精4 ( ) 精62. ( B ) 真空可以真空度來區分為(何者為非)：(A) 粗略真空(1105 Pa 1 10-1 Pa) (B) 高度真空(110-6 Pa 1 10-9 Pa) (C) 超高真空(110-4 Pa 110-6 Pa) 精5 ( B ) 精73. ( ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度 (C) 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空精6 ( ) 精83. ( B ) 下列敘述何者為非？ (A) 真空室是完全一個密閉的空間 (B) 真空計是用來偵測真空度
3、(C) 派藍尼真空計常被使用在偵測超高真空精7 ( B ) 精94. ( ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非精8 ( ) 精104. ( C ) 真空計的分類可用以下哪幾種方式區分？ (A) 量測範圍 (B) 量測方法 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非精9 ( C ) 精115. ( ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇精10 ( ) 精125. ( B ) 如何選擇真空計：(A)依照當日天氣 (B) 依照系統所需真空度 (C) 依照個人喜好選擇精11 ( B
4、 ) 精136. ( ) 以下何者為非： (A) 粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa (B) 中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa (C) 高度真空110 Pa-1 110-4 Pa (D) 超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa精12 ( ) 精146. ( D ) 以下何者為非： (A) 粗略真空110-6 Pa 1 10-9 Pa (B) 中度真空 110-4 Pa 110-6 Pa (C) 高度真空110-1Pa 110-4 Pa (D) 超高真空1105 Pa 1 10-1 Pa精13 ( D ) 精157. ( ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal
5、(B) Torr (C) mbar (D) atm精14 ( ) 精167. ( A ) 目前最常用的真空單位：(A) Pascal (B) Torr (C) mbar (D) atm精15 ( A ) 精178. ( ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750 mbar 精16 ( ) 精188. ( C ) 下列何者非等值換算單位 (A) 1 atm (B) 760 torr (C) 750mbar精17 ( C ) 精199. ( ) 下列何者非真空計(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) TA真空計精18 ( ) 精209. (
6、 C ) 下列何者非真空計？(A) 派藍尼真空計 (B) 熱陰極真空計 (C) TA真空計精19 ( C ) 精2110. ( ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標精20 ( ) 精2210. ( C ) 以下何者為是 ： (A) 真空系統是指幫浦的串連 (B) 真空系統是一完善系統不需要加裝真空計辨識真空度 (C) 真空計在真空系統中是辨識真空度的重要指標精21 ( C ) 精2311. ( ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high
7、Pressure ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed)精22 ( ) 精2411. ( A ) 真空系統如何選用幫浦(下列何者為是)? (A)所能達到之最高壓力(high Pressure ) (B)有效之工作壓力範圍(Pressure Range) (C)抽氣速率大小(Pumping Speed)精23 ( A ) 精2512. ( ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressu
8、re Range)精24 ( ) 精2612. ( C ) 下列何者不是真空系統選用幫浦所需考慮的準則？ (A)抽氣速率大小(Pumping Speed) (B)排氣口壓力(Exhaust Pressure) (C)無效之壓力範圍(Pressure Range).精25 ( C ) 精2713. ( ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是 精26 ( ) 精2813. ( D ) 下列何者為真空系統所需俱備的必要項目 ？(A) 幫浦 (B) 真空計 (C) 腔體(D)以上皆是精27 ( D ) 精2914. ( ) 下列何者為儲氣式
9、幫浦？ (A) 活塞式幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦精28 ( ) 精3014. ( C ) 下列何者為儲氣式幫浦？ (A) 活塞式幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦精29 ( C ) 精3115. ( ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣精30 ( ) 精3215. ( A ) 真空幫浦在真空系統中的主要作用為： (A) 抽氣 (B) 排氣 (C) 打氣 (D) 儲氣精31 ( A ) 精3316. ( ) 下列何者為排氣式幫浦？下列何者為排氣式幫浦？(A) 吸附幫吸附幫浦浦 (B) 結拖幫浦結拖幫浦 (C)
10、擴散幫浦擴散幫浦精32 ( ) 精3416. ( B ) 下列何者為排氣式幫浦？(A) 吸附幫浦 (B) 結拖幫浦 (C) 擴散幫浦精33 ( B ) 精3517. ( ) 下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非精34 ( ) 精3617. ( C ) 下列何者非大氣壓可啟動的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 以上皆是 (D) 以上皆非精35 ( C ) 精3718. ( ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生
11、成物1.(B) The hydrogen (氫) atom at ground state (A) can, (B) cannot, absorb a photon with 9.0 eV.精36 ( ) (B) The hydrogen (氫) a18. ( B ) 真空系統可能因什麼因素而受到汙染？(A) 氣體在腔體中燃燒 (B)幫浦的油氣回流造成污染 (C) 氣體管路帶來的不明氣體導致氣體生成物精37 ( B ) 精3919. ( ) 想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C) 冷凍幫浦 精38 ( ) 精4019. ( B )
12、想從一大氣壓將系統降至粗略真空範圍需要選用什麼樣的幫浦？ (A) 擴散幫浦 (B) 魯式幫浦 (C) 冷凍幫浦精39 ( B ) 精4120. ( ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程精40 ( ) 精4220. ( C ) 何為RCA 清洗(何者為非)？(A) 屬於半導體製程的一部份 (B)可去除晶圓上的油污、附著物及表面氧化物 (C)處理矽晶圓的主要清理流程精41 ( C ) 精4321. ( ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (
13、C) 鹽酸 (HCl)精42 ( ) 精4421. ( C ) 下列何者非RCA清洗所需藥品？ (A)氰氟酸 (HF) (B) 氨水 (NH4OH) (C) 鹽酸 (HCl)精43 ( C ) 精4522. ( ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化 精44 ( ) 精4622. ( C ) RCA清洗的步驟中哪個動作是不需要的？ (A) 加熱 (B) 以去離子水清洗 (C) 活化/敏化精45 ( C ) 精4723. ( ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍
14、幫浦+渦輪分子幫浦精46 ( ) 精4823. ( A ) 選用下列何種幫浦組合可以達到中度真空？(A) 魯式幫浦+擴散幫浦 (B) 擴散幫浦+冷凍幫浦 (C) 冷凍幫浦+渦輪分子幫浦精47 ( A ) 精4924. ( ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可精48 ( ) 精5024. ( C ) 以下哪一種方式不能達到高度真空？(A) 乾式幫浦+渦輪分子幫浦 (B) 乾式幫浦+冷凍幫浦 (C) 以上皆可精49 ( C ) 精5125. ( ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B)
15、低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦無法從大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空精50 ( ) 精5225. ( B ) 高真空使用的幫浦跟低真空使用的幫浦有什麼差異？ (A) 轉速不同 (B) 低真空幫浦可以從大氣壓啟動，高真空幫浦無法從大氣壓下啟動 (C) 高真空幫浦可以從大氣壓抽到高真空，低真空幫浦只能從一大氣壓抽到低真空精51 ( B ) 精5326. ( ) 高真空系統的保護裝置有何功用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C)
16、在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體精52 ( ) 精5426. ( B ) 高真空系統的保護裝置有何功用？ (A) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會自動斷電，系統關機 (B) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入，會關上閥門隔絕 (C) 在非正常啟動的環境下，避免氣體分子進入系統，旋葉會反轉排出氣體精53 ( B ) 精5527. ( ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫浦 精54 ( ) 精5627. ( A ) 到達超高真空所需的主要後段幫浦 (A) 渦輪分子幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 旋片幫
17、浦精55 ( A ) 精5728. ( ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C) 派藍尼真空計 精56 ( ) 精5828. ( A ) 觀察高度真空所需的真空計為下列何者？ (A) 彭甯冷陰極真空計 (B) 熱電偶真空計 (C) 派藍尼真空計 精57 ( A ) 精5929. ( ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B) 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計精58 ( ) 精6029. ( B ) 到達高度真空系統所需的真空計組合為何？(A) 熱電偶真空計+派藍尼真空計 (B)
18、 熱電偶真空計+彭甯冷陰極真空計 (C) 派藍尼真空計精59 ( B ) 精6130. ( ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可精60 ( ) 精6230. ( A ) 下列哪一種真空幫浦兼具有真空計的效用(A) 鈦昇華幫浦 (B) 擴散幫浦 (C) 以上皆可精61 ( A ) 精6331. ( ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A) 擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦精62 ( ) 精6431. ( A ) 下列哪一種真空幫浦具有油氣污染的疑慮而須加設油氣捕捉陷阱 (A)
19、擴散幫浦 (B) 渦輪分子幫浦 (C) 冷凍幫浦 (D) 乾式幫浦精63 ( A ) 精6532. ( ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽精64 ( ) 精6632. ( C ) 下列何者非RCA清洗的目的 (A)去除表面有機物汙染 (B) 去除金屬鍍膜層 (C) 去除生長閘極氧化層前之原生氧化矽精65 ( C ) 精67第二單元感應耦合電漿離子束濺鍍沉積銅金屬化薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製精66精681. ( ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A)
20、SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.精67 ( ) 精691. ( A ) 本系統有採用MFC(流量控制器)，請說明本系統所採用的單位為何 ?(A) SCCM, (B) SCKM, (C)SCLM.精68 ( A ) 精702. ( ) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計精69 ( ) 精712. (B) 本系統採用哪 種低度真空計(A) 冷陰極真空計, (B) 派藍尼真空計, (C) 液位真空計精70 (B) 精723. ( ) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)0.1104, (C)
21、10-210-5精71 ( ) 精733. (B) 本系統採用的低度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)0.1104, (C) 10-210-5精72 (B) 精744. ( )本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 110-7, (B)0.1104, (C) 10-210-5精734. ( )精754. ( A )本系統採用的高度真空計工作範圍約略在幾Pa (A) 110-7, (B)0.1104, (C) 10-210-5精744. ( A )精765. ( ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)1105, (C) 10-
22、210-4精755. ( ) 精775. ( B ) 本系統採用的低度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 1100, (B)1105, (C) 10-210-4精765. ( B ) 精786. ( ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦精776. ( ) 精796. ( A ) 本系統採用哪種低度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪幫浦, (C) 活塞式幫浦精786. ( A ) 精807. ( ) 本系統採用哪種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦精797. ( ) 精817. ( B ) 本系統採用哪
23、種高度真空幫浦 (A)渦捲幫浦, (B)渦輪分子幫浦, (C) 活塞式幫浦精807. ( B ) 精828. ( ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1100, (B) 102105, (C) 10-110-7精818. ( ) 精838. ( C ) 本系統採用的高度真空幫浦工作範圍約略在幾Pa (A) 10-1100, (B) 102105, (C) 10-110-7精828. ( C ) 精849. ( ) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) ICP (B) PVD (C) CVD精839. ( ) 精859. (A) 本系統是採用哪種方式產生電漿(A) IC
24、P (B) PVD (C) CVD精849. (A) 精8610. ( ) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.精85 ( ) 精8710. (D) 冷凍幫浦的抽氣方式有哪三種 (A) 低溫冷凝 (B)低溫捕獲 (C)低溫吸附 (D) 以上皆是.精86 (D) 精8811. ( ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.精8711. ( ) 精8911. ( A ) 濺鍍時是採用哪種氣體來產生電漿 (A)Ar (B)N2 (C) H2.精8811. ( A ) 精9012. ( ) Vent氣是採用哪種
25、氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.精89 ( ) 精9112. ( B ) Vent氣是採用哪種氣體 (A)Ar (B)N2 (C) H2.精90 ( B ) 精9213. ( ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar. 精91 ( ) 精9313. ( A ) 系統所顯示的壓力值是採用何種單位 . (A) Pa, (B) Torr, (C) mBar. 精92 ( A ) 精9414. ( ) 本次所採用的基板為何種材料本次所採用的基板為何種材料. (A) Si, (B) glass, (C) Stainless stell.精
26、93 ( ) 精9514. ( A ) 本次所採用的基板為何種材料本次所採用的基板為何種材料. (A) Si, (B) glass, (C) Stainless stell.精94 ( A ) 精9615. ( ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6精95 ( ) 精9715. ( A ) RF power supply 所採用的頻率為何Hz (A) 13.6, (B) 12.6, (C) 10.6精96 ( A ) 精9816. ( ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000,
27、 (B) 1400精97 ( ) 精9916. ( B ) 本系統的RF power supply最大的功率極限為何 . (A) 1000, (B) 1400精98 ( B ) 精10017. ( ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False精99 ( ) 精10117. ( A ) 本系統的離子束產生搭配裝置是否有直流電源供應器 (A) Ture, (B) False精100 ( A ) 精10218. ( ) 在XRD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.精101 ( ) 精10318. ( A ) 在X
28、RD的繞射光譜中是根據哪種光譜來獲得繞射訊息(A) 特徵光譜, (B) 連續光譜.精102 ( A ) 精10419. ( ) XRD是根據何定律成立的是根據何定律成立的 (A) 歐姆定歐姆定律律, (B) 牛頓第二定律牛頓第二定律, (C) 布拉格定布拉格定律律精103 ( ) 精10519. ( C ) XRD是根據何定律成立的是根據何定律成立的 (A) 歐姆定歐姆定律律, (B) 牛頓第二定律牛頓第二定律, (C) 布拉格定布拉格定律律精104 ( C ) 精10620. ( ) 在在X光管內部是否為真空狀態光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False精105 ( )
29、精10720. ( A ) 在在X光管內部是否為真空狀態光管內部是否為真空狀態 (A) True, (B) False精106 ( A ) 精108第三單元超高真空磁控濺鍍奈米氣體感測薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製精107精1091. ( ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）精108 ( ) 精1101. ( A ) 氧化鎢（WO3）薄膜具有何種結構（A）鈣鈦礦結構（ Perovskite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜（monoclinik）精1
30、09 ( A ) 精1112. ( ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可精110 ( ) 精1122. ( C ) 反應性濺鍍（Reactive Sputter Deposition）是通入反應性氣體進行反應，可使用那些氣體（A） O2（B ）N2 （C）皆可精111 ( C ) 精1133. ( ) 感測器依據檢測原與材型大致可區分為（）觸媒燃燒式（）場效電晶體（）屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有精112 ( ) 精1143. ( D ) 感測器依據檢測原與材型大致可區分為（）
31、觸媒燃燒式（）場效電晶體（）屬氧化物半導體（MOS）（D）皆具有精113 ( D ) 精1154. ( ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可精114 ( ) 精1164. ( D ) 觸媒燃燒式的氣體感測其使用之檢測氣體為（）C2H5OH（）CH4（）H2（）皆可精115 ( D ) 精1175. ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可精116 ( ) 精1185. ( ) 場效電晶體型的氣體感測其使用之檢測氣體為（）H2（）NH3（）O2（）皆可精117 ( ) 精1196. ( ) 屬氧化物半導體（
32、MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可精118 ( ) 精1206. ( D ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測其使用之檢測氣體為（）CO（）NO2（）SO2（）皆可精119 ( D ) 精1217. ( ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高精120 ( ) 精1227. ( C ) 觸媒燃燒式的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）不受溫度與溼度的影響（）反應速度慢（）操作溫度高精121 ( C ) 精1238. ( ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反 應 速
33、 度 慢（ ）操 作 溫 度 高精122 ( ) 精1248. ( B ) 場效電晶體型的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）反應速度慢（）操作溫度高精123 ( B ) 精1259. ( ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高精124 ( ) 精1269. ( C ) 屬氧化物半導體（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高精125 ( C ) 精127第四單元太陽能電池複晶吸收層薄膜製備與分析 逢甲大學材料科學與工程學系編製精126精1281. ( ) 高純度的半導體材料形
34、成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼精127 ( ) 精1291. ( C ) 高純度的半導體材料形成P型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 磷 (C) 硼精128 ( C ) 精1302. ( ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼精129 ( ) 精1312. ( A ) 高純度的半導體材料形成N型半導體是加入何種雜質(A) 氮 (B) 鋁 (C) 硼精130 ( A ) 精1323. ( ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.精131 ( )
35、 精1333. ( A ) 太陽能電池的發電效果和其面積成正比(A) True, (B) False, (C) Not certain.精132 ( A ) 精1344. ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子精133 ( ) 精1354. ( A ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往P型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子精134 ( A ) 精1365. ( ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子精135 ( ) 精1375. ( B
36、 ) 太陽能電池的發電機制，當太陽光照射晶片時，往N型區移動的為(A) 空孔 (B) 電子 (C) 中子精136 ( B ) 精1386. ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電精137 ( ) 精1396. ( B ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電精138 ( B ) 精1407. ( ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電精139 ( ) 精1417. ( A ) 太陽能電池的發電機制，當晶片受
37、光後負電子從P區負電極流出(A) 正電 (B) 負電 (C) 不帶電精140 ( A ) 精1428. ( ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有精141 ( ) 精1438. ( C ) CIGS為一種極具潛力的太陽能電池吸收層材料。具有那些優點（A）低成本（B）高光吸收係數 （C）皆具有精142 ( C ) 精1449. ( ) CIGS為何種結構（A）黃銅礦結構（chalcopyrite）（B）六方晶結構（hexagonul）（C）單斜結構（monoclinik）精143 ( ) 精1459. ( C ) 屬氧化物半導體
38、（MOS）的氣體感測具有那些優缺點，何者為非（）穩定性高（）靈敏度較低（）操作溫度高精144 ( C ) 精14610. ( ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain精145 ( ) 精14710. ( A ) Ga的掺雜可調節能隙值，會導致能隙值（Eg）增加，對元件的光電轉換效率有很大的好處(A) True, (B) False, (C) Not certain精146 ( A ) 精14811. ( ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板
39、 (C)塑膠精147 ( ) 精14911. ( A ) 日常所使用的太陽能電池，一般是以何種材料當作基板(A)玻璃(B) 鐵板 (C)塑膠精148 ( A ) 精15012. ( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半導體(B) 空乏區(C)不擴散精149 ( ) 精15112. ( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在p 型半導體中的電洞會向何處擴散(A) n 型半導體(B) 空乏區(C)不擴散精150 ( A ) 精15213. ( ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不
40、均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散精151 ( ) 精15313. ( A ) pn 接面在形成時，空間中的載體分布先天上就已經不均勻，在n 型半導體中的電子會向何處擴散(A) p型半導體(B) 空乏區(C)不擴散精152 ( A ) 精15414. ( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電精153 ( ) 精15514. ( A ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，n 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電精154 ( A )
41、 精15615. ( ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電精155 ( ) 精15715. ( B ) 由於帶電載體的移動，原本每個位置都保持電中性的特性便被破壞，p 型半導體中會帶(A)正電(B) 負電(C)不帶電精156 ( B ) 精15816. ( ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV精157 ( ) 精15916. ( A ) CuInSe2，其能隙值約為(A) 1.1(B) 3.5(C)5.6 eV精158 ( A ) 精16017. ( ) 在CIGS吸收層的
42、製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確精159 ( ) 精16117. ( C ) 在CIGS吸收層的製備上有以下幾種方法，何者正確(A)多元素共蒸鍍(B)金屬前驅層硒化(C)皆正確精160 ( C ) 精16218. ( ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 1.20 (B) 2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變精161 ( ) 精16318. ( A ) CuInSe2結構，在加入Ga後其能隙值依其百分比可在 (A)1.17 1.20 (B) 2.172.20(C)3.173.20 eV之間調變
43、精162 ( A ) 精16419. ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區精163 ( ) 精16519. ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在中間的離子區，電子與電洞的濃度都較中性區之多數載體濃度為低。由於離子區缺乏可移動的載體，一般將此區稱做(A)空乏區 (B) 本質區(C)異質區精164 ( A ) 精16620. ( ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同精165 ( ) 精16720. ( A ) 各區的電子與電洞濃度分佈，在p 型中性區中電洞濃度與電子濃度何者最大(A)電洞 (B) 電子(C)相同精166 ( A ) 精168感谢聆听
