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1、第四章第四章 薄膜材料与工艺薄膜材料与工艺1、电子封装中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装中至关重要的膜材料及膜技术F1.1 薄膜和厚膜薄膜和厚膜F1.2 膜及膜电膜及膜电l路的功能路的功能F1.3 成膜方法成膜方法F1.4 电路图形的形成方法电路图形的形成方法F1.5 膜材料膜材料2、薄膜材料、薄膜材料F2.1 导体薄膜材料导体薄膜材料F2.2 电阻薄膜材料电阻薄膜材料F2.3 介质薄膜材料介质薄膜材料F2.4 功能薄膜材料功能薄膜材料1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术薄膜和厚膜薄膜和厚膜F电子封装过程中膜材料与膜技术的出现及发展，源于电子封装
2、过程中膜材料与膜技术的出现及发展，源于与电器、电子装置设备向高性能、多功能、高速度方向发展及与电器、电子装置设备向高性能、多功能、高速度方向发展及信息处理能力的急速提高信息处理能力的急速提高系统的大规模、大容量及大型化系统的大规模、大容量及大型化要求构成系统的装置、部件、材料等轻、薄、短、小化要求构成系统的装置、部件、材料等轻、薄、短、小化F晶体管普及之前晶体管普及之前真空电子管的板极、栅极、灯丝等为块体材料，电子管插在管真空电子管的板极、栅极、灯丝等为块体材料，电子管插在管座上由导管连接，当时并无膜可言座上由导管连接，当时并无膜可言F20世纪世纪60年代，出现薄膜制备技术年代，出现薄膜制备技
3、术在纸、塑料、陶瓷上涂刷乃至真空蒸镀、溅射金属膜，用以形在纸、塑料、陶瓷上涂刷乃至真空蒸镀、溅射金属膜，用以形成小型元器件及电路等成小型元器件及电路等F进入晶体管时代进入晶体管时代从半导体元件、微小型电路到大规模集成电路，膜技术便成为从半导体元件、微小型电路到大规模集成电路，膜技术便成为整套工艺中的核心与关键。整套工艺中的核心与关键。1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术薄膜和厚膜薄膜和厚膜F与三维块体材料比较：一般地，膜厚度很小，可看作二维与三维块体材料比较：一般地，膜厚度很小，可看作二维F膜又有薄膜和厚膜之分膜又有薄膜和厚膜之分经典分类：经典分类
4、：l厚膜厚膜制作方法分类：制作方法分类：l块体材料制作的（如经轧制、锤打、碾压等）块体材料制作的（如经轧制、锤打、碾压等）厚膜厚膜l膜的构成物一层层堆积而成膜的构成物一层层堆积而成薄膜。薄膜。膜的存在形态分类：膜的存在形态分类：l只能成形于基体之上的只能成形于基体之上的薄膜（包覆膜）薄膜（包覆膜） 沉积膜基体表面由膜物质沉积析出形成 化合形成膜通过对基体表面进行化学处理形成，在物理沉积过程中伴随有表面参与的化学反应1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术薄膜、厚膜区分通常无实际意义薄膜、厚膜区分通常无实际意义l针对具体膜层形成方法针对具体膜层形成方法
5、膜层材料膜层材料 界面结构界面结构 结晶状态结晶状态 晶体学取向晶体学取向 微观组织微观组织 各种性能和功能各种性能和功能l进行研究更有用进行研究更有用电子封装工程涉及膜层：膜厚电子封装工程涉及膜层：膜厚数百微米数百微米按膜层的形成方法：按膜层的形成方法：l真空法真空法(干式干式)和和溶液法溶液法(湿式湿式)沉积得到的膜层沉积得到的膜层薄薄膜，为数微米膜，为数微米l浆料印刷法浆料印刷法形成的膜层形成的膜层厚膜，前者膜厚多，厚厚膜，前者膜厚多，厚200微米微米薄膜的真空沉积法优点薄膜的真空沉积法优点可以得到各种材料的膜层可以得到各种材料的膜层F镀料气化方式很多（如电子束蒸发、溅射、气体源等），控
6、镀料气化方式很多（如电子束蒸发、溅射、气体源等），控制气氛还可以进行反应沉积制气氛还可以进行反应沉积通过基板、镀料、反应气氛、沉积条件的选择，可以通过基板、镀料、反应气氛、沉积条件的选择，可以对界面结对界面结构、结晶状态、膜厚等进行控制构、结晶状态、膜厚等进行控制，还可，还可制取多层膜制取多层膜、复合膜复合膜及及特殊界面结构的膜特殊界面结构的膜层等。由于膜层表面精细光洁，故层等。由于膜层表面精细光洁，故便于通过便于通过光刻制取电路图形光刻制取电路图形可以较方便地采用光、等离子体等激发手段，可以较方便地采用光、等离子体等激发手段，在一般的工艺条在一般的工艺条件下，即可获得在高温、高压、高能量密度
7、下才能获得的物质件下，即可获得在高温、高压、高能量密度下才能获得的物质真空薄膜沉积涉及从气态到固态的超急冷（过程，因此真空薄膜沉积涉及从气态到固态的超急冷（过程，因此可以获可以获得特异成分、组织及晶体结构的物质得特异成分、组织及晶体结构的物质由于在工艺中薄膜沉积及光刻图形等已有成熟的经验，由于在工艺中薄膜沉积及光刻图形等已有成熟的经验，很很便于在电子封装工程中推广便于在电子封装工程中推广厚膜的丝网印刷法有优点厚膜的丝网印刷法有优点通过丝网印刷，可直接形成电路图形通过丝网印刷，可直接形成电路图形膜层较厚，经烧结收缩变得致密，电阻率低，膜层较厚，经烧结收缩变得致密，电阻率低，容易实现很低的电路电阻
8、容易实现很低的电路电阻导体层、电阻层、绝缘层、介电质层及其他导体层、电阻层、绝缘层、介电质层及其他功能层都可以印刷成膜功能层都可以印刷成膜容易实现多层化，与陶瓷生片共烧可以制取容易实现多层化，与陶瓷生片共烧可以制取多层共烧基板多层共烧基板设备简单，投资少设备简单，投资少1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术膜及膜电路的功能膜及膜电路的功能电气连接电气连接F印制线路板（）的发明，使电路以膜的印制线路板（）的发明，使电路以膜的形式与基板作成一体，元器件搭载在基板上并形式与基板作成一体，元器件搭载在基板上并与导体端子相连接，这对于整个系统的小型化、与导体端
9、子相连接，这对于整个系统的小型化、高性能、低功耗、高可靠性及经济性等方面都高性能、低功耗、高可靠性及经济性等方面都有重大贡献有重大贡献F三维立体布线方式的多层板、陶瓷多层三维立体布线方式的多层板、陶瓷多层共烧基板、积层多层板、复合多层板的出现，共烧基板、积层多层板、复合多层板的出现，对于提高封装密度起着十分关键的作用对于提高封装密度起着十分关键的作用元件搭载元件搭载芯片装载在封装基板芯片装载在封装基板F无论采用引线键合方式还是倒装片方式都离不开焊盘无论采用引线键合方式还是倒装片方式都离不开焊盘元器件搭载在基板上元器件搭载在基板上F特别是封装体实装在基板上，无论采用、特别是封装体实装在基板上，无
10、论采用、等哪种方式，都离不开导体端子、等哪种方式，都离不开导体端子焊盘，端子都是膜电路的一部分。焊盘，端子都是膜电路的一部分。在许多情况下，引线端子节距的大小以及引线端子的排列方式在许多情况下，引线端子节距的大小以及引线端子的排列方式是决定封装类型及封装密度的关键因素是决定封装类型及封装密度的关键因素F批量生产来说，最小端子节距的界限为批量生产来说，最小端子节距的界限为.，若低于此，则操作难度太大，成品率太低若低于此，则操作难度太大，成品率太低元件搭载元件搭载F想提高封装密度，需要由四侧引出端子的方式转变为想提高封装密度，需要由四侧引出端子的方式转变为平面阵列布置端子的方式平面阵列布置端子的方
11、式这样，端子节距提高（这样，端子节距提高（.，.）的同时，反而）的同时，反而降低了实装密度降低了实装密度对来说，端子节距由对来说，端子节距由.降为降为.，实装面，实装面积可减小到（积可减小到（.）.特殊功能特殊功能泛指除电气连接、元件搭载、表面改性以外泛指除电气连接、元件搭载、表面改性以外的所有其他功能的所有其他功能F涉及电阻膜、绝缘膜、介电质膜等涉及电阻膜、绝缘膜、介电质膜等以以LCD（液晶显示器）中所采用的（薄膜三极管）（液晶显示器）中所采用的（薄膜三极管）玻璃复合基板玻璃复合基板为例为例玻璃基板分前基板和后基板两块玻璃基板分前基板和后基板两块前基板：形成偏光膜、滤色膜、前基板：形成偏光膜
12、、滤色膜、ITO膜，后基板上形成膜，后基板上形成TFT、ITO膜、金属布线及绝缘膜等膜、金属布线及绝缘膜等液晶夹于二者之间液晶夹于二者之间受受TFT控制的非晶硅（控制的非晶硅（aSi）图像传感器按阵列布置在后基板上，并由）图像传感器按阵列布置在后基板上，并由CraSi/ITO构构成成Cr肖特基二极管肖特基二极管布置在布置在ITO膜上与驱动器相连接的布线导体要通过膜上与驱动器相连接的布线导体要通过Cr/Al实现多层化，以降低布线电阻实现多层化，以降低布线电阻表面改性表面改性与在与在LSI元件表面沉积元件表面沉积SiO2、Si3N4等钝化等钝化膜用于绝缘、保护类似膜用于绝缘、保护类似电子封装工程中
13、也广泛用膜层作表面改性电子封装工程中也广泛用膜层作表面改性F金属被釉基板、有机或无机绝缘层包覆金属被釉基板、有机或无机绝缘层包覆的金属芯基板的金属芯基板F塑料表面电镀金属以增加耐磨性、降低塑料表面电镀金属以增加耐磨性、降低接触电阻等，常用的方法有镀铑、镀金接触电阻等，常用的方法有镀铑、镀金等等1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术成膜方法成膜方法按干式和湿式对分类按干式和湿式对分类干式：干式：FPVD（物理气相沉积）（物理气相沉积）真空蒸镀、真空蒸镀、溅射镀膜、离子镀溅射镀膜、离子镀F（化学气相沉积）（化学气相沉积）湿式：湿式：F电镀、化学镀、阳极氧
14、化、溶胶凝胶、电镀、化学镀、阳极氧化、溶胶凝胶、厚膜印刷法厚膜印刷法典型的成膜方法典型的成膜方法真空蒸镀及溅射法真空蒸镀及溅射法真空蒸镀：是将镀料在真空中加热、蒸发，使蒸气的原子真空蒸镀：是将镀料在真空中加热、蒸发，使蒸气的原子或原子团在温度较低的基板上析出形成薄膜的方法或原子团在温度较低的基板上析出形成薄膜的方法F主要用于主要用于Au、Cu、Ni、Cr等导体材料及电阻材料成膜等导体材料及电阻材料成膜F不同的镀料及不同的沉积速率要选择不同的加热方法。不同的镀料及不同的沉积速率要选择不同的加热方法。溅射镀膜：是将放电气体导入真空，在辉光放电等离子体溅射镀膜：是将放电气体导入真空，在辉光放电等离子
15、体中产生的正离子加速轰击处于阴极的靶材，使溅射出的原中产生的正离子加速轰击处于阴极的靶材，使溅射出的原子沉积在基板上的方法子沉积在基板上的方法F从道理上讲，这种方法可以在任何基板上沉积任何物质从道理上讲，这种方法可以在任何基板上沉积任何物质的薄膜，但一般多用于氧化物、氮化物等绝缘材料及的薄膜，但一般多用于氧化物、氮化物等绝缘材料及合金材料的成膜合金材料的成膜典型的成膜方法典型的成膜方法法法泛指由气态原料通过化学反应生成固体薄膜的沉积过程泛指由气态原料通过化学反应生成固体薄膜的沉积过程F该反应可以是气态化合物由基板表面向其内部的扩散，气该反应可以是气态化合物由基板表面向其内部的扩散，气态化合物与
16、基板表面的反应，气态化合物的分解，或者是态化合物与基板表面的反应，气态化合物的分解，或者是气态化合物之间的反应等气态化合物之间的反应等F这些反应的共同特点是，至少要有一种固态产物生成，并这些反应的共同特点是，至少要有一种固态产物生成，并且以薄膜的形态沉积在基板表面上且以薄膜的形态沉积在基板表面上F化合物蒸气一般是常温下具有较高蒸气压的气体，多采用化合物蒸气一般是常温下具有较高蒸气压的气体，多采用碳氢化物、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等碳氢化物、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等F法成膜材料范围广泛，除碱金属、碱土金属之外，法成膜材料范围广泛，除碱金属、碱土金属之外，几乎所有材料均可以成膜，
17、特别适用于绝缘膜、超硬膜等几乎所有材料均可以成膜，特别适用于绝缘膜、超硬膜等特殊功能膜的沉积特殊功能膜的沉积典型的成膜方法典型的成膜方法厚膜印刷法厚膜印刷法是按功能要求将金属、金属氧化物、玻璃粘结剂是按功能要求将金属、金属氧化物、玻璃粘结剂等的粉末同有机粘结剂、表面活性剂、有机溶剂等的粉末同有机粘结剂、表面活性剂、有机溶剂等均匀混合，调制成符合丝网印刷要求的浆料，等均匀混合，调制成符合丝网印刷要求的浆料，利用丝网印刷等工艺，在基板上印刷图形，经烧利用丝网印刷等工艺，在基板上印刷图形，经烧成，有机粘结剂挥发而成膜的方法成，有机粘结剂挥发而成膜的方法F特点：工艺简单、设备投资少，在低价格的优特点：
18、工艺简单、设备投资少，在低价格的优势下可大量生产导体、电阻体、介电体等厚膜势下可大量生产导体、电阻体、介电体等厚膜F特别是可直接印刷电路图形。特别是可直接印刷电路图形。典型的成膜方法典型的成膜方法电镀和化学镀成膜电镀和化学镀成膜是依靠电场反应，使金属从金属盐溶液中析出成是依靠电场反应，使金属从金属盐溶液中析出成膜的方法膜的方法电镀电镀F促进电场析出的还原能量由外部电源提供促进电场析出的还原能量由外部电源提供化学镀化学镀F需添加还原剂，利用自分解而成膜需添加还原剂，利用自分解而成膜电镀或化学镀成膜的特点电镀或化学镀成膜的特点F可对大尺寸基板大批量成膜，与其他成膜方法可对大尺寸基板大批量成膜，与其
19、他成膜方法相比，设备投资低相比，设备投资低F需要考虑环境保护问题需要考虑环境保护问题1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术电路图形的形成方法电路图形的形成方法各种成膜方法形成的膜层，应用于电子工业各种成膜方法形成的膜层，应用于电子工业（如电子元器件制造、电子封装、平板显（如电子元器件制造、电子封装、平板显示器），都需要形成电路图形示器），都需要形成电路图形形成方法包括：形成方法包括：F有填平法、蚀刻法、掩模法、厚膜印刷有填平法、蚀刻法、掩模法、厚膜印刷（丝网印刷）法、喷沙法（丝网印刷）法、喷沙法填平法填平法先将光刻胶涂敷（甩胶）或将光刻先将光刻胶涂敷
20、（甩胶）或将光刻胶干膜贴附（贴膜）于基板表面，胶干膜贴附（贴膜）于基板表面，经光刻形成经光刻形成 “负负”的电路图形，即的电路图形，即没有电路的部分保留光刻胶没有电路的部分保留光刻胶以此负图形为以此负图形为“模型模型”，在其槽中，在其槽中印入导电浆料或沉积金属膜层，即印入导电浆料或沉积金属膜层，即所谓所谓“填平填平”最后将残留的光刻胶剥离最后将残留的光刻胶剥离缺点：采用印刷法填平时，导电胶缺点：采用印刷法填平时，导电胶膜中容易混入气泡膜中容易混入气泡蚀刻法蚀刻法化学蚀刻法：化学蚀刻法：F印刷电路图形材料的浆料、烧成印刷电路图形材料的浆料、烧成F涂布光刻胶、电路图形掩模曝光涂布光刻胶、电路图形掩
21、模曝光F化学蚀刻去除部分光刻胶化学蚀刻去除部分光刻胶F有机溶剂去除掉电路图形不对应部分的电极有机溶剂去除掉电路图形不对应部分的电极材料材料问题问题l使用有机溶剂，废液处理比较困难使用有机溶剂，废液处理比较困难l有时线条会出现残差（残留）有时线条会出现残差（残留）通常，不需要部位的电路图形材料应完全去除通常，不需要部位的电路图形材料应完全去除实际上，电路图形材料经烧成、化学蚀刻形成图实际上，电路图形材料经烧成、化学蚀刻形成图形后，应该去除的部分往往不能完全去除掉，而形后，应该去除的部分往往不能完全去除掉，而是有一部分残留下来是有一部分残留下来蚀刻法蚀刻法薄膜光刻法：薄膜光刻法：F用磁控溅射、真空
22、蒸镀等先在整个基板用磁控溅射、真空蒸镀等先在整个基板表面形成电路材料的薄膜表面形成电路材料的薄膜F光刻制取电路图形光刻制取电路图形可以获得精细度很高的图形可以获得精细度很高的图形所形成膜层的质量高所形成膜层的质量高膜厚可精确控制膜厚可精确控制缺点：缺点：F设备投资大设备投资大F工艺不容易掌握工艺不容易掌握掩模法掩模法工艺过程工艺过程F机械或光刻制作机械或光刻制作“正正” 掩模掩模F将掩模按需要电路图形位置定位将掩模按需要电路图形位置定位F真空蒸镀等方法成膜真空蒸镀等方法成膜F借助借助“正正”的掩模，基板表面形成所需要的电路的掩模，基板表面形成所需要的电路图形图形优点优点F工序少、电路图形精细度
23、高工序少、电路图形精细度高缺点缺点F需要预先制作掩模需要预先制作掩模F有些薄膜沉积技术，如溅射镀膜、离子镀等，不有些薄膜沉积技术，如溅射镀膜、离子镀等，不便于掩模沉积便于掩模沉积厚膜印刷法厚膜印刷法工艺过程工艺过程F通过网版在基板表面印刷厚膜导体浆料，形成通过网版在基板表面印刷厚膜导体浆料，形成与网版对应的图形与网版对应的图形F经烧成法形成电路图形经烧成法形成电路图形特点特点F浆料仅印刷在需要的部位，因此材料的利用率浆料仅印刷在需要的部位，因此材料的利用率高高F印刷机的价格较低，可降低设备总投资印刷机的价格较低，可降低设备总投资缺点缺点F线条精细度差线条精细度差F图形分辨率低图形分辨率低F多次
24、印刷难以保持图形的一致性多次印刷难以保持图形的一致性喷沙法喷沙法工艺过程：工艺过程：F在基板全表面由电路图形材料成膜在基板全表面由电路图形材料成膜F在表面形成光刻胶图形在表面形成光刻胶图形F经喷沙去除掉不需要的材料部分，保留经喷沙去除掉不需要的材料部分，保留光刻胶图形覆盖的部分光刻胶图形覆盖的部分F剥离光刻胶后得到所需要的电路图形剥离光刻胶后得到所需要的电路图形优点优点F采用光刻制版技术，能形成精细的电路采用光刻制版技术，能形成精细的电路图形图形缺点缺点F喷沙过程中会产生灰尘喷沙过程中会产生灰尘1、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术膜材料膜材料下表列
25、出与电子封装工程相关的各类膜材料，下表列出与电子封装工程相关的各类膜材料，同时给出用途、性质及成膜方法等同时给出用途、性质及成膜方法等薄膜材料薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料材料的种类及性质材料的种类及性质导体薄膜的主要用途导体薄膜的主要用途F形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电容等电路搭载部件提供电极及相互引线，以及金属化等等电路搭载部件提供电极及相互引线，以及金属化等为保证金属为保证金属半导体间连接为欧姆接触，要求：半导体间连接为欧姆接触，要求：F金属与半导体的结合部位不形成势垒金属与半导体的结合部位不形成势垒F对于型半导体，金
26、属的功函数要比半导体的功函数小对于型半导体，金属的功函数要比半导体的功函数小F对于型半导体，与上述相反对于型半导体，与上述相反F金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄，电子金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄，电子直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等2、薄膜材料、薄膜材料F导体薄膜材料导体薄膜材料F电阻薄膜材料电阻薄膜材料F介质薄膜材料介质薄膜材料F功能薄膜材料功能薄膜材料2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料材料的种类及性质材料的种类及性质实际情形实际情形F随半导体的表面处理，在导体和半导体表面往往会存在薄随半导体的表面处理，在导
27、体和半导体表面往往会存在薄的氧化膜，但电子通过隧道效应可穿过此膜层，因此并不的氧化膜，但电子通过隧道效应可穿过此膜层，因此并不存在很大的问题存在很大的问题F依表面处理条件不同，半导体的表面状态会发生变化，相依表面处理条件不同，半导体的表面状态会发生变化，相应金属及半导体的功函数也会发生变化应金属及半导体的功函数也会发生变化F功函数还与表面能级、晶体取向等相关，必须注意其值的功函数还与表面能级、晶体取向等相关，必须注意其值的变化变化2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料材料的种类及性质材料的种类及性质其他布线及电极用的导体材料，还应具有下述特性：其他布线及电极用的导体材料，还应具有下述特
28、性：F电导率要高电导率要高F对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接F热导率高、机械强度高，对于碱金属离子及湿度等的电化热导率高、机械强度高，对于碱金属离子及湿度等的电化学反应要尽量小学反应要尽量小F高温状态，电气特性也不发生变化，不发生蠕变现象高温状态，电气特性也不发生变化，不发生蠕变现象F附着力大，成膜及形成图形容易附着力大，成膜及形成图形容易F可形成电阻、电容，可进行选择性蚀刻可形成电阻、电容，可进行选择性蚀刻F可进行丝、丝引线键合及焊接等加工可进行丝、丝引线键合及焊接等加工2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料材料的种类及性质材料的种类及性质实际
29、情形实际情形F单一种导体不可能满足上述所有要求单一种导体不可能满足上述所有要求F构成电子电路往往需要多种导体膜的组合构成电子电路往往需要多种导体膜的组合2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料而且而且F相互连接及电极中往往也不是采用单一金属，而是多种导体膜积相互连接及电极中往往也不是采用单一金属，而是多种导体膜积层化，以达到上述各种要求层化，以达到上述各种要求多层金属组合的实例多层金属组合的实例2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料多层组合薄膜说明多层组合薄膜说明F导体的表面方阻均在导体的表面方阻均在以下以下F进一步降低电阻，需要在膜上再电镀进一步降低电阻，需要在膜上再电镀F所列
30、的材料组合之外，在半导体的电极凸点及梁式引线部分，还所列的材料组合之外，在半导体的电极凸点及梁式引线部分，还采用，采用，等组合，以及，等组合，以及，等金属硅化物作导体。，等金属硅化物作导体。F可满足上述条件中的大部分可满足上述条件中的大部分F单独使用时与基板及单独使用时与基板及等膜层的附着力太低等膜层的附着力太低F往往在最底层采用，等附着性好的膜层往往在最底层采用，等附着性好的膜层F最上层采用容易热压附着或容易焊接的及最上层采用容易热压附着或容易焊接的及等等F但两种金属薄膜相互结合时，往往在比块体材料更低的温度下就产生但两种金属薄膜相互结合时，往往在比块体材料更低的温度下就产生明显扩散，生成化
31、合物。明显扩散，生成化合物。2、薄膜材料、薄膜材料导体薄膜材料导体薄膜材料F特点特点基常用导体材料基常用导体材料与作为保护膜的与作为保护膜的间的附着力大间的附着力大对于型及型都可以形成欧姆接触对于型及型都可以形成欧姆接触可进行引线键合可进行引线键合电气特性及物理特性等也比较合适电气特性及物理特性等也比较合适价格便宜价格便宜作为用的导体普遍采用作为用的导体普遍采用F但但随环境、气氛温度上升，与发生相互作用，生成金属随环境、气氛温度上升，与发生相互作用，生成金属间化合物，致使接触电阻增加，进而发生接触不良间化合物，致使接触电阻增加，进而发生接触不良当中通过高密度电流时，向正极方向会发生的迁移，当中
32、通过高密度电流时，向正极方向会发生的迁移，即所谓电迁移即所谓电迁移在在以上，会浸入下部的介电体中以上，会浸入下部的介电体中在元件中难以使用在元件中难以使用尽管的电阻率低，与不相上下，但由于与水蒸气及氧尽管的电阻率低，与不相上下，但由于与水蒸气及氧等发生反应，其电阻值会慢慢升高。等发生反应，其电阻值会慢慢升高。Al与与Au会形成化合物会形成化合物FAl端子与端子与Au线系统在线系统在300下放置下放置23，或者使气氛温度升高，或者使气氛温度升高到大约到大约，其间的相互作用会迅速发生，致使键合部位的，其间的相互作用会迅速发生，致使键合部位的电阻升高电阻升高F此时，上、下层直接接触，此时，上、下层直
33、接接触，Au、Al之间形成脆、弱之间形成脆、弱AuAl2、AuxAl等反应扩散层。造成键合不良等反应扩散层。造成键合不良F采用采用AuAu组合或组合或AlAl组合。在组合。在Au、Al层间设置层间设置Pd、Pt等中等中间层，可防止反应扩散发生，形成稳定的膜结构间层，可防止反应扩散发生，形成稳定的膜结构存在电迁移存在电迁移FAl导体中流过电流密度超过导体中流过电流密度超过106A/cm2F或多或少地发生电迁移现象或多或少地发生电迁移现象F气氛温度上升，电迁移加速，短时间内即可引起断线气氛温度上升，电迁移加速，短时间内即可引起断线FAl导体膜在大约导体膜在大约300长时间放置，会发生长时间放置，会
34、发生“竹节化竹节化”，即，即出现结晶化的节状部分和较瘦的杆状部分出现结晶化的节状部分和较瘦的杆状部分F进一步在进一步在500以上放置，以上放置，Al会浸入到下层的会浸入到下层的SiO2中，引起中，引起Si基板上的基板上的IC短路短路因此，使用因此，使用Al布线的器件，必须兼顾到布线的器件，必须兼顾到附着力、临界电附着力、临界电压、氧化膜的稳定性、价格等压、氧化膜的稳定性、价格等各种因素，对材料进行选择。各种因素，对材料进行选择。连接与布线的形成及注意点连接与布线的形成及注意点Si IC中的中的Al布线可由布线可由CrAu代替。代替。 CrAu与玻璃间具有良好的附着性，型、与玻璃间具有良好的附着
35、性，型、型均能形成欧姆结合型均能形成欧姆结合CrAu成膜有两种方法成膜有两种方法F其一是将基板加热到其一是将基板加热到，依次真，依次真空蒸镀空蒸镀Cr和和AuF其二是采用溅射法沉积其二是采用溅射法沉积CrAu系中系中Cr膜的膜厚及电阻率如表膜的膜厚及电阻率如表所列所列连接与布线的形成及注意点连接与布线的形成及注意点CrAu系可能引起劣化的机制系可能引起劣化的机制FCr向向Au中的扩散，由此会引起电阻增加中的扩散，由此会引起电阻增加MoAu系系F比比CrAu系在更高些的温度下更为稳定系在更高些的温度下更为稳定F其成膜通常采用真空蒸镀法其成膜通常采用真空蒸镀法将基板加热到将基板加热到，先蒸镀约的，
36、接着蒸，先蒸镀约的，接着蒸镀的，而后将基板温度降至镀的，而后将基板温度降至以下，再蒸以下，再蒸镀约的。最后，将基板温度降至镀约的。最后，将基板温度降至以下，以下，取出取出F在高温气氛中特别是加湿状态下很不稳定在高温气氛中特别是加湿状态下很不稳定连接与布线的形成及注意点连接与布线的形成及注意点F薄膜导体中应用广泛薄膜导体中应用广泛F制备工艺制备工艺先蒸镀先蒸镀.的合金膜，再蒸镀的合金膜，再蒸镀.的的F这种膜层在这种膜层在200400的干燥的干燥气氛中放置，电阻气氛中放置，电阻值有明显增加。值有明显增加。上蒸镀膜的系统上蒸镀膜的系统F在在会形成金属间化合物会形成金属间化合物-F，在，在.的膜上蒸镀
37、的膜上蒸镀.的的F老化，未发现生成化合物老化，未发现生成化合物F有少量固溶于中，有少量固溶于中，300附近，膜层阻值急剧增加附近，膜层阻值急剧增加连接与布线的形成及注意点连接与布线的形成及注意点以为底层的系以为底层的系F对于所有种类的基板都显示出相当高的附着力对于所有种类的基板都显示出相当高的附着力F在在不太高的温度下即形成化合物，使不太高的温度下即形成化合物，使膜的特性变差，由此造成电阻值增加膜的特性变差，由此造成电阻值增加F往往需在与之间加入阻挡层。往往需在与之间加入阻挡层。系系F即形成与的化合物，使膜层阻值即形成与的化合物，使膜层阻值增加增加导体膜的劣化及可靠性导体膜的劣化及可靠性成膜后
38、造成膜异常的主要原因成膜后造成膜异常的主要原因F一是由于严重的热失配，存在过剩应力状态，膜层从通常的一是由于严重的热失配，存在过剩应力状态，膜层从通常的基板或者、基板或者、膜表面剥离，造成电路断线膜表面剥离，造成电路断线F二是由于物质的扩散迁移引起，其中包括电迁移、热扩散、二是由于物质的扩散迁移引起，其中包括电迁移、热扩散、克根达耳效应、反应扩散等。克根达耳效应、反应扩散等。造成物质扩散迁移的外因有造成物质扩散迁移的外因有F高电流密度高电流密度F高温度高温度F大的温度梯度大的温度梯度F接触电阻等，接触电阻等，F特别是几个因素联合作用时，效果更明显特别是几个因素联合作用时，效果更明显导体膜的劣化
39、及可靠性导体膜的劣化及可靠性造成物质扩散迁移的内因造成物质扩散迁移的内因F有构成物质的体系有构成物质的体系F晶粒度晶粒度F内部缺陷内部缺陷内因、外因之间随时都在发生作用内因、外因之间随时都在发生作用系系F电流密度高，造成膜内晶粒不断长大，即自发热效应与热处电流密度高，造成膜内晶粒不断长大，即自发热效应与热处理具有同样的效果理具有同样的效果F通常情况下，导体温度上升会加速组元之间的相互扩散，形通常情况下，导体温度上升会加速组元之间的相互扩散，形成反应扩散产物，造成机械强度下降及电阻升高等，反过来成反应扩散产物，造成机械强度下降及电阻升高等，反过来又造成温度升高，恶性循环，急速造成破坏又造成温度升
40、高，恶性循环，急速造成破坏导体膜的劣化及可靠性导体膜的劣化及可靠性F如超过如超过的高电流密度是造成导体劣化的主的高电流密度是造成导体劣化的主要机制之一要机制之一该机制是：导体中大量较高能量的传导电子对原子的动量传递该机制是：导体中大量较高能量的传导电子对原子的动量传递作用，使其向阳极方向迁移作用，使其向阳极方向迁移当原子从导体中的某一位置离开时，会在该位置留下空位当原子从导体中的某一位置离开时，会在该位置留下空位空位浓度取决于某一场所空位流入量加上产生量与流出量之差。空位浓度取决于某一场所空位流入量加上产生量与流出量之差。若此差值为正，则造成空位积蓄，空位积蓄意味着导体的劣化。若此差值为正，则
41、造成空位积蓄，空位积蓄意味着导体的劣化。克根达耳效应克根达耳效应F由于扩散组元之间自扩散系数不同引起的由于扩散组元之间自扩散系数不同引起的F自扩散系数大的组元的扩散通量大，自扩散系数小的组元的自扩散系数大的组元的扩散通量大，自扩散系数小的组元的扩散通量小扩散通量小F随扩散进行，若导体宏观收缩不完全，则原来自扩散系数大随扩散进行，若导体宏观收缩不完全，则原来自扩散系数大的组元含量高的场所，将有净空位积累，从而引起导体劣化的组元含量高的场所，将有净空位积累，从而引起导体劣化导体膜的劣化及可靠性导体膜的劣化及可靠性物质迁移容易沿晶界进行物质迁移容易沿晶界进行物质的迁移与其微观结构关系很物质的迁移与其
42、微观结构关系很密切密切F温度不是很高，晶界扩散系数比体扩散系数大得多。膜层中温度不是很高，晶界扩散系数比体扩散系数大得多。膜层中大量存在有晶界，大量存在有晶界，晶界中离子的活动性与各个晶粒的晶体学晶界中离子的活动性与各个晶粒的晶体学取向有关取向有关，特别是当许多晶粒的晶体学取向不一致时，易于，特别是当许多晶粒的晶体学取向不一致时，易于离子迁移离子迁移F晶粒取向与外加电场之间的角度，因场所不同而异，因此离晶粒取向与外加电场之间的角度，因场所不同而异，因此离子的迁移率在各处都不相同子的迁移率在各处都不相同，离子沿晶界的传输量因位置不，离子沿晶界的传输量因位置不同而异同而异F当传导电子从大晶粒一侧向
43、小晶粒一侧移动时，由于界面处当传导电子从大晶粒一侧向小晶粒一侧移动时，由于界面处也发生离子的迁移，因而引起小晶粒一侧空位的积蓄等也发生离子的迁移，因而引起小晶粒一侧空位的积蓄等导体膜的劣化及可靠性导体膜的劣化及可靠性劣化模式是上述各种机制的组合劣化模式是上述各种机制的组合平均故障时间与微观的结构因子数相关，特别是导体的平均故障时间与微观的结构因子数相关，特别是导体的长度与宽度、平均粒径与粒径分布、晶体学取向、晶界特性等长度与宽度、平均粒径与粒径分布、晶体学取向、晶界特性等影响很大影响很大为了增加，在条件允许的情况下应尽量采取如下措施：为了增加，在条件允许的情况下应尽量采取如下措施：F减小导体长
44、度减小导体长度F增加导体膜的宽度与厚度增加导体膜的宽度与厚度F减小的标准偏差减小的标准偏差F增加膜层的平均粒度等。增加膜层的平均粒度等。实际上，电路的劣化不仅仅源于导体的劣化，实际上，电路的劣化不仅仅源于导体的劣化，钝化层及封装的钝化层及封装的缺陷也常常是造成劣化的原因缺陷也常常是造成劣化的原因此外还要此外还要特别注意异常状态及环境变化特别注意异常状态及环境变化等。等。薄膜电感薄膜电感薄膜电感具有很多优点，但是也存在一些使用方面的限制薄膜电感具有很多优点，但是也存在一些使用方面的限制F制作技术制作技术将低电阻导体膜形成螺圈状，中间用绝缘层交插绝缘，并引出将低电阻导体膜形成螺圈状，中间用绝缘层交
45、插绝缘，并引出接线端子即形成薄膜电感接线端子即形成薄膜电感F薄膜电感的电感量很小薄膜电感的电感量很小几何条件所限，仅为，用途受到限制几何条件所限，仅为，用途受到限制F采用铁氧体基板，使导体螺旋成膜采用铁氧体基板，使导体螺旋成膜电感量可达，提高一个数量级电感量可达，提高一个数量级F要达到更大电感量，元件所占面积太大，不现实要达到更大电感量，元件所占面积太大，不现实F在铁氧体磁芯上绕线的小型电感的电感量在铁氧体磁芯上绕线的小型电感的电感量可达，多作为外设的片式元件用于电路可达，多作为外设的片式元件用于电路2、薄膜材料、薄膜材料电阻薄膜材料电阻薄膜材料薄膜电阻用原材料薄膜电阻用原材料F电阻率范围：电
46、阻率范围：F作成方阻值为作成方阻值为的薄膜方电阻的薄膜方电阻F以下的低方阻值电阻需求不多以下的低方阻值电阻需求不多获得高方阻值薄膜电阻方法获得高方阻值薄膜电阻方法F增加电阻膜长度增加电阻膜长度F减少电阻膜厚度减少电阻膜厚度电阻体薄膜实际使用的电阻温度系数电阻体薄膜实际使用的电阻温度系数FF要求其电气性能稳定要求其电气性能稳定薄膜电阻制造方法薄膜电阻制造方法F真空蒸镀、溅射镀膜、热分解、电镀等方法真空蒸镀、溅射镀膜、热分解、电镀等方法2、薄膜材料、薄膜材料电阻薄膜材料电阻薄膜材料制作方法对薄膜电气特性影响：制作方法对薄膜电气特性影响：F薄膜厚度：薄膜厚度：薄的膜层对传导电子产生表面散射，由此造成
47、薄的膜层对传导电子产生表面散射，由此造成减小、电阻率升高减小、电阻率升高但非常薄的膜为不连续的岛状结构，由此可能造成负的。这种但非常薄的膜为不连续的岛状结构，由此可能造成负的。这种膜容易发生凝聚或氧化，除少数几种物质外，特性不稳定膜容易发生凝聚或氧化，除少数几种物质外，特性不稳定膜层过厚时内部畸变大，特性也不稳定。膜层过厚时内部畸变大，特性也不稳定。F若膜层中含有若膜层中含有过量的杂质、缺陷及真空中的残留气体过量的杂质、缺陷及真空中的残留气体，由于引起，由于引起电子散射，使变小，长期稳定性变差。电子散射，使变小，长期稳定性变差。F组分：组分：在金属在金属绝缘体、金属陶瓷等多相系中，因组分比易发
48、生绝缘体、金属陶瓷等多相系中，因组分比易发生偏离，膜的均匀性不好，由于过剩成分的氧化，稳定性差。偏离，膜的均匀性不好，由于过剩成分的氧化，稳定性差。F单相与复合系：单相与复合系：单相薄膜具有正单相薄膜具有正TCR和较低的电阻。但组成复合和较低的电阻。但组成复合系，例如等，由于各成分的相抵消，使变系，例如等，由于各成分的相抵消，使变小，阻值升高小，阻值升高F其他：其他：基板表面沾污、凹凸等表面状态、基板加热温度、基板材基板表面沾污、凹凸等表面状态、基板加热温度、基板材质、成膜速率等都会造成特性的分散，并影响稳定性等质、成膜速率等都会造成特性的分散，并影响稳定性等电阻薄膜材料电阻薄膜材料代表性的薄
49、膜电阻材料，分为代表性的薄膜电阻材料，分为F单一成分金属单一成分金属F合金合金F金属陶瓷三大类金属陶瓷三大类陶瓷薄膜电阻陶瓷薄膜电阻陶瓷电阻薄膜陶瓷电阻薄膜金属陶瓷和金属陶瓷和膜陶瓷电阻薄膜膜陶瓷电阻薄膜F自混合集成开发的初期就开始使用自混合集成开发的初期就开始使用F金属陶瓷电阻膜金属陶瓷电阻膜金属和陶瓷的混合膜，其中有金属和陶瓷的混合膜，其中有CrSiO，CrMgF2，AuSiO等系统等系统CrSiO特性稳定，在不同的特性稳定，在不同的SiO含量（含量（2590）下，）下，可以获可以获得电阻率为得电阻率为4.310-33.110-4的电阻膜的电阻膜陶瓷电阻薄膜陶瓷电阻薄膜电阻膜电阻膜F晶体结
50、构、电阻率、与晶体结构、电阻率、与分压的关系分压的关系分压增加，分压增加， 次序变化次序变化在含有在含有的区域，膜层的电阻率大，接近零，而的区域，膜层的电阻率大，接近零，而且特性偏差小，阻值的经时变化小。因此，处于该区域的材料且特性偏差小，阻值的经时变化小。因此，处于该区域的材料适于制作电阻膜适于制作电阻膜调节调节膜电阻率一般采用阳极氧化法，在其表面形成绝膜电阻率一般采用阳极氧化法，在其表面形成绝缘体缘体。膜具有良好的热稳定性和耐热冲击性能。例如，在熔膜具有良好的热稳定性和耐热冲击性能。例如，在熔凝石英基板上沉积凝石英基板上沉积膜，在膜，在之间进行之间进行热循环试验，其寿命在热循环试验，其寿命
51、在循环以上循环以上分压增加，分压增加， 次序变化次序变化陶瓷电阻薄膜陶瓷电阻薄膜其他材料体系陶瓷薄膜电阻材料其他材料体系陶瓷薄膜电阻材料F（，）（，）F（，）（，）F（，）（，）F（，）（，）FFF一部分已在精密薄膜电阻和传真机用热写头的发热体中采用一部分已在精密薄膜电阻和传真机用热写头的发热体中采用2、薄膜材料、薄膜材料介质薄膜材料介质薄膜材料使用材料性质使用材料性质F电学特性电学特性电气绝缘、介电性电气绝缘、介电性压电性、热释电性、铁电性压电性、热释电性、铁电性F光学特性光学特性F机械特性机械特性应用领域应用领域F电子元器件、光学器件、机械元器件电子元器件、光学器件、机械元器件应用实例：应
52、用实例：F显示元件、红外传感器、弹性表面波（显示元件、红外传感器、弹性表面波（SAW）元件、薄膜电）元件、薄膜电容器、不易失性存储器容器、不易失性存储器2、薄膜材料、薄膜材料介质薄膜材料介质薄膜材料DRAM（动态随机存储器）用介质薄膜材料（动态随机存储器）用介质薄膜材料F蓄积电荷用的电容器膜蓄积电荷用的电容器膜最初采用最初采用SiO2膜（膜（r3.8）后，在维持等效介电常数的前提下，为提高其可靠性，采用后，在维持等效介电常数的前提下，为提高其可靠性，采用Si3N4（ r 7）与）与SiO2复合的等效三明治膜层结构复合的等效三明治膜层结构FSiO2膜膜制备方法制备方法l在在Si基板及多晶硅膜、基
53、板及多晶硅膜、Si3N4膜表面氧化形成膜表面氧化形成l由硅烷及四乙氧基硅烷由硅烷及四乙氧基硅烷Si(OC2H5)4为原料，通过热为原料，通过热CVD、等、等离子体离子体CVD形成形成FSi3N4膜制备方法膜制备方法热热CVD法、等离子体法、等离子体CVD。SiO2及及Si3N4SiO2复合膜中复合膜中SiO2的等效膜厚已薄到的等效膜厚已薄到5nm，达到，达到最薄极限。最薄极限。2、薄膜材料、薄膜材料介质薄膜材料介质薄膜材料Ta2O5(r 28)，Y2O5( r 16)，HfO2(r 24)等氧化物介质薄膜等氧化物介质薄膜材料材料F相对介电常数是相对介电常数是SiO2的的47倍，受到广泛注意倍，
54、受到广泛注意F采用采用Ta2O5时漏电流较大，实际静电容量受到影响。时漏电流较大，实际静电容量受到影响。SrTiO3，(Ba,Sr)TiO3，PZT Pb(Ti,Zr)O3， PLZT (Pb,La)(Ti,Zr)O3等钙钛矿型氧化物材料等钙钛矿型氧化物材料F具有顺电相或铁电相，介电常数都很高具有顺电相或铁电相，介电常数都很高F这些膜层在这些膜层在IC制作、电子封装中有重要应用制作、电子封装中有重要应用FIC制作中，由于这些材料介电常数很高制作中，由于这些材料介电常数很高可用于制作存储器用的电容器膜可用于制作存储器用的电容器膜GaAs基板上基板上MM(单片微波单片微波)IC用的旁路电容器膜，已
55、达实用化用的旁路电容器膜，已达实用化电子封装领域，这些高介电常数的膜层与导体层叠层共烧可将电子封装领域，这些高介电常数的膜层与导体层叠层共烧可将电容器等无源元件植于高密度多层基板中，实现三维封装电容器等无源元件植于高密度多层基板中，实现三维封装2、薄膜材料、薄膜材料介质薄膜材料介质薄膜材料F制备方法制备方法射频磁控溅射射频磁控溅射离子束溅射离子束溅射溶胶凝胶溶胶凝胶（金属有机物）（金属有机物）紫外激光熔镀等方法成膜紫外激光熔镀等方法成膜2、薄膜材料、薄膜材料功能薄膜材料功能薄膜材料功能薄膜材料功能薄膜材料F应用越来越广泛应用越来越广泛F涉及到电子元器件、显示器、磁记录及涉及到电子元器件、显示器、磁记录及光盘、传感器、太阳能电池、光集成电光盘、传感器、太阳能电池、光集成电路、金刚石薄膜等各个领域路、金刚石薄膜等各个领域习题与思考题习题与思考题1、什么是薄膜技术？简要阐述薄膜与厚膜的概念、什么是薄膜技术？简要阐述薄膜与厚膜的概念？2、例举薄膜制备的三种方法，简要说明其原理？、例举薄膜制备的三种方法，简要说明其原理？3、例举导体薄膜、电阻薄膜材料、介质薄膜材料、例举导体薄膜、电阻薄膜材料、介质薄膜材料？4、例举导体薄膜材料的劣化机制、例举导体薄膜材料的劣化机制
