6高温氧化汇总课件

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1、材材 料料 腐腐 蚀蚀 与与 防防 护护5.1 高温腐蚀热力学高温腐蚀热力学5.2 金属氧化物的结构及性质金属氧化物的结构及性质5.3 金属氧化过程的金属氧化过程的动力学动力学5.4 合金的氧化合金的氧化第五章第五章 高温腐蚀高温腐蚀 金属的高温腐蚀金属的高温腐蚀金属在高温下与环境中的金属在高温下与环境中的氧、硫、氮、碳氧、硫、氮、碳等发等发生反应导致金属的变质或破坏的过程。生反应导致金属的变质或破坏的过程。 广义的金属高温腐蚀：广义的金属高温腐蚀： 高温氧化高温氧化（金属腐蚀（金属腐蚀 = 失电子氧化过程）失电子氧化过程） 狭义的金属高温腐蚀：狭义的金属高温腐蚀：金属与环境中的金属与环境中的

2、氧反应氧反应形成氧化物的过程形成氧化物的过程高温腐蚀高温腐蚀高温氧化示意图：高温氧化示意图： 界面反应：介质直接和金属表面作用界面反应：介质直接和金属表面作用高温腐蚀高温腐蚀 金属高温腐蚀的重要性金属高温腐蚀的重要性涉及航空、航天、能源、动力、石油化工等高科技涉及航空、航天、能源、动力、石油化工等高科技和工业领域和工业领域汽轮机的工作温度：汽轮机的工作温度：300630650；现代超音速飞机发动机的工作温度：现代超音速飞机发动机的工作温度：1150航天、核能的发展离不开耐高温腐蚀材料的发展；航天、核能的发展离不开耐高温腐蚀材料的发展；现代石油天然气、石油化工、冶金等基础工业的发现代石油天然气、

3、石油化工、冶金等基础工业的发展离不开耐高温、高压、高质流的工程材料展离不开耐高温、高压、高质流的工程材料 ；高温腐蚀高温腐蚀金属高温腐蚀的分类金属高温腐蚀的分类 根据腐蚀介质的状态分为三类：根据腐蚀介质的状态分为三类：高温气态腐蚀高温气态腐蚀高温液态腐蚀高温液态腐蚀高温固体介质腐蚀高温固体介质腐蚀高温气体腐蚀高温气体腐蚀 介质介质单质气体分子：单质气体分子：O2、H2 、N2、F2、Cl2非金属化合物气态分子：非金属化合物气态分子：H2O、CO2、SO2、H2S、CO金属氧化物气态分子：金属氧化物气态分子：MoO3、V2O5金属盐气态分子金属盐气态分子NaCl、NaSO4 特点特点初期为化学腐

4、蚀，后期为电化学腐蚀初期为化学腐蚀，后期为电化学腐蚀高温腐蚀高温腐蚀 介质介质液态溶盐硝酸盐、硫酸盐、氯化物、碱液态溶盐硝酸盐、硫酸盐、氯化物、碱低熔点的金属氧化物低熔点的金属氧化物V2O5 液液态金属：金属：Pb、Sn、Bi、Hg高温液体腐蚀高温液体腐蚀高温固体介质腐蚀高温固体介质腐蚀固相腐蚀产物固相腐蚀产物 高温腐蚀热力学高温腐蚀热力学 金属在高温环境中是否腐蚀？金属在高温环境中是否腐蚀？ 可能生成何种腐蚀产物？可能生成何种腐蚀产物？ 金属高温腐蚀的动力学过程比较缓慢，体系多近金属高温腐蚀的动力学过程比较缓慢，体系多近似处于热力学平衡状态似处于热力学平衡状态热力学是研究金属高温腐蚀的重要工

5、具热力学是研究金属高温腐蚀的重要工具 金属在高温下工作的环境日趋复杂化金属在高温下工作的环境日趋复杂化 ： 单一气体的氧化单一气体的氧化 多元气体的腐蚀（如多元气体的腐蚀（如O2-S2、H2-H2O、CO-CO2等）等） 多相环境的腐蚀（如固相腐蚀产物多相环境的腐蚀（如固相腐蚀产物-液相熔盐液相熔盐-气相）气相） MO2 M pO2 MO2 M pO2+ RT lnG = RT lnG0=-RTlnKp标准吉布斯（准吉布斯（Gibbs）自由能）自由能变化的定化的定义 5.1.1 金属高温氧化腐金属高温氧化腐蚀热力学力学以金属在氧气中的氧化以金属在氧气中的氧化为例例M +O2 = MO2范托霍夫

6、（范托霍夫（Vant Hoff）等温方程式）等温方程式G = RTln Kp +RTlnQp1pO21pO2+ RT lnG = RT ln式中：式中：pO2是是给定温度下定温度下MO2的分解的分解压pO2是气相中的氧分是气相中的氧分压金属氧化物的分解金属氧化物的分解压 vs. 环境中氧分境中氧分压判定金属氧化的可能性判定金属氧化的可能性 (1). 高温氧化的可能性和方向性高温氧化的可能性和方向性由于由于MO2和和M均均为固固态物物质，活度均，活度均为1G = RT ln01pO2 已知温度已知温度T 时的的标准吉布斯自由能准吉布斯自由能变化化值 可以得到可以得到该温度下金属氧化物的分解温度下

7、金属氧化物的分解压 将其与将其与环境中的氧分境中的氧分压作比作比较 可判断金属氧化反可判断金属氧化反应的方向的方向 (1). 高温氧化的可能性和方向性高温氧化的可能性和方向性G0：金属氧化物的：金属氧化物的标准生成自由能准生成自由能 G0值愈负，则该金属的氧化物愈稳定值愈负，则该金属的氧化物愈稳定判断金属氧化物在标准状态下的稳定性判断金属氧化物在标准状态下的稳定性预示一种金属还原另一种金属氧化物的可能性预示一种金属还原另一种金属氧化物的可能性位于图下方的金属可以还原上方金属的氧化物位于图下方的金属可以还原上方金属的氧化物 C可以还原可以还原Fe的氧化物但不能还原的氧化物但不能还原Al的氧化物的

8、氧化物 “选择性氧化选择性氧化” 合金表面氧化物的组成合金表面氧化物的组成合金氧化膜主要由图下方合金元素的氧化物所组成合金氧化膜主要由图下方合金元素的氧化物所组成 G0T 图 从从pO2坐标可以直接读坐标可以直接读出给定温度下金属氧化出给定温度下金属氧化物的分解压物的分解压 具体作法具体作法： 从最左边竖线上的基点从最左边竖线上的基点“O”出发出发 与所讨论的反应线在给与所讨论的反应线在给定温度的交点做一直线定温度的交点做一直线 由该直线与坐标上的交由该直线与坐标上的交点点 直接读出所求的分解压。直接读出所求的分解压。 G0T 图 环境为环境为CO和和CO2，或者，或者H2和和H2O时，环境的

9、氧时，环境的氧分压由如下反应平衡决定：分压由如下反应平衡决定：2CO O22CO22H2 O22H2O 分别由图中的分别由图中的“C”或或“H”点出发点出发 与所讨论的反应线在给与所讨论的反应线在给定温度的交点做直线定温度的交点做直线 由直线分别与由直线分别与pCO/pCO2坐标和坐标和pH2/pH2O坐标的坐标的交点交点 G0T 图 CO或或H2的生成的生成金属被氧化了金属被氧化了 在一定程度上决定了腐蚀气体的在一定程度上决定了腐蚀气体的“氧化性氧化性”的强弱的强弱 CO2和和H2O气体气体 常见的氧化性介质常见的氧化性介质 与氧一样都可使金属生成同样的金属氧化物：与氧一样都可使金属生成同样

10、的金属氧化物：M CO2 MO COM H2O MO H2 G0T 图 u G0T 图使用说明图使用说明例：例：由由G0T图比较图比较Al和和Fe在在600下发下发生氧化的可能性生氧化的可能性 ，并判断一种金属还，并判断一种金属还原另一种金属氧化物的可能性。原另一种金属氧化物的可能性。解：解：从图上读出从图上读出600时时G0值均小于零，值均小于零，即均可被氧化即均可被氧化G0600（Al Al2O3）-928kJ0G0600（Fe FeO）-417kJ0G0600（ FeO Al Al2O3 Fe ）-511kJ ( pO2 ) 平衡平衡p X 2 ( p X 2 ) 平衡平衡 金属在二元气

11、体中的优势相图金属在二元气体中的优势相图 O2-S2体系中的四种情况体系中的四种情况图图 5-4 M-O-S体系的基本相平衡图体系的基本相平衡图图图 5-5 Ni-O-S体系在体系在1250K时的相时的相平衡图平衡图 5.1.2 其他类型金属高温腐蚀热力学其他类型金属高温腐蚀热力学（1）（2）（3）（4）DCEF 硫化物的特点硫化物的特点硫化物的硫化物的热力学力学稳定性低于氧化物。定性低于氧化物。除除难溶硫化物外，常用金属的硫化物缺陷溶硫化物外，常用金属的硫化物缺陷浓度比氧化物高。度比氧化物高。常用金属硫化物的熔点比氧化物低得多。常用金属硫化物的熔点比氧化物低得多。硫化物的硫化物的PBR（氧化

12、物与形成（氧化物与形成该氧化物所消耗的金属的体氧化物所消耗的金属的体积比）比）值较氧化物高：氧化物高：远大于大于1。5.1 高温腐蚀热力学高温腐蚀热力学5.2 金属氧化物金属氧化物5.3 高温腐蚀动力学高温腐蚀动力学5.4 合金的氧化合金的氧化第五章第五章 高温腐蚀高温腐蚀 5.2.1 金属氧化物的结构金属氧化物的结构 金属高温腐蚀很大程度上取决于腐蚀产物的金属高温腐蚀很大程度上取决于腐蚀产物的性质性质 腐蚀产物的腐蚀产物的多少及形成速度多少及形成速度是高温腐蚀程度的是高温腐蚀程度的标志标志 腐蚀产物的腐蚀产物的性质性质将决定腐蚀进行的历程及有无将决定腐蚀进行的历程及有无可能防止金属的继续腐蚀

13、可能防止金属的继续腐蚀 腐蚀产物的性质由其物质结构决定腐蚀产物的性质由其物质结构决定 如扩散、电导率、烧结和蠕变等如扩散、电导率、烧结和蠕变等5.2.1 氧化物的结构氧化物的结构 金属氧化物（包括硫化物、卤化物等）的晶体结构金属氧化物（包括硫化物、卤化物等）的晶体结构 氧离子的密排六方晶格或立方晶格氧离子的密排六方晶格或立方晶格 由由 4 个氧离子包围的间隙，即四面体间隙个氧离子包围的间隙，即四面体间隙 由由 6 个氧离子包围的间隙，即八面体间隙个氧离子包围的间隙，即八面体间隙 金属离子有规律地占据：金属离子有规律地占据： 四面体间隙四面体间隙 八面体间隙八面体间隙 同时占据两种间隙同时占据两

14、种间隙 5.2.1 氧化物的结构氧化物的结构NaCl型结构型结构 MgO、CaO、SrO、CdO、CoO、NiO、FeO、MnO、TiO、NbO、VO纤锌矿型结构纤锌矿型结构 BeO和和ZnOCaF2型结构型结构 晶胞中心有较大空隙，利于阴离子迁移晶胞中心有较大空隙，利于阴离子迁移 ZrO2、HfO2、UO2、CeO2、ThO2、PuO2金红石结构金红石结构 平行于平行于c轴方向的通道有利于扩散轴方向的通道有利于扩散 TiO2 、 MnO2 、 VO2 、 MoO2 、 WO2 、SnO2、GeO2氧化物的结构氧化物的结构 ReO3结构结构 最疏松的结构之一，具有易压扁的倾向最疏松的结构之一，

15、具有易压扁的倾向 WO3和和MoO3 -Al2O3结构（刚玉结构）结构（刚玉结构） 氧离子构成密排六方晶格，铝离子仅占氧离子构成密排六方晶格，铝离子仅占所有八面体的间隙的所有八面体的间隙的23。 其它三价金属的氧化物及硫化物也具有其它三价金属的氧化物及硫化物也具有这种结构这种结构 -Fe2O3 、 Cr2O3 、 Ti2O3 、 V2O3 、FeTiO3氧化物的结构氧化物的结构 尖晶石结构（尖晶石结构（AB2O4） 氧离子形成密排立方晶格，金属离子氧离子形成密排立方晶格，金属离子A和和B分别分别占据八面体和四面体的间隙位置。占据八面体和四面体的间隙位置。 正尖晶石结构，正尖晶石结构，MgAl2

16、O4 反尖晶石结构，反尖晶石结构， Fe2O3 阳离子在间隙中的分布不同阳离子在间隙中的分布不同 类尖晶石结构，某些类尖晶石结构，某些M2O3化合物，化合物，-Fe2O3、-Al2O3和和-Cr2O3，M3+不足不足 SiO2结构结构 由由Si-O四面体构成四面体构成5.2.2 金属氧化膜的性金属氧化膜的性质氧化物的熔点氧化物的熔点氧化物的氧化物的挥发性性蒸气压与温度的关系，可由蒸气压与温度的关系，可由Claperlon关系式得出关系式得出dpdTH0T (V气气 V固固 )=S0V=式中式中 S0标准摩准摩尔尔熵；H0标准摩准摩尔尔焓； V氧化物的摩氧化物的摩尔尔体体积 氧化物的氧化物的挥发

17、性性若固体的体若固体的体积可以忽略不可以忽略不计，并将蒸气看成理想气体，并将蒸气看成理想气体:+ CH0RTln p = 氧化物的氧化物的蒸蒸发热愈大愈大则蒸气蒸气压愈小，氧化物愈愈小，氧化物愈稳定定 蒸气蒸气压随随温度温度升高而增大，即氧化物固相的升高而增大，即氧化物固相的稳定性随温度升定性随温度升高而下降高而下降 高温腐高温腐蚀中形成的中形成的挥发性物性物质加速腐加速腐蚀过程程 挥发性氧化物影响碳、硅、性氧化物影响碳、硅、钼、钨和和铬等的高温氧化等的高温氧化动力学力学l 氧化物与金属的体积比氧化物与金属的体积比PB比比 （Pilling和和Bedworth） 金属氧化膜的体积金属氧化膜的体

18、积VMO与所消耗金属的体积与所消耗金属的体积VM之比之比 PBVMO/VM PB比比 1：氧化膜中受到压应力，可能生成保护性氧化膜：氧化膜中受到压应力，可能生成保护性氧化膜 PB比比 l：氧化膜中受到拉应力，无法生成保护性氧化膜：氧化膜中受到拉应力，无法生成保护性氧化膜 碱金属和碱土金属，碱金属和碱土金属，PB l， 氧化膜发生开裂，呈线性氧化规律氧化膜发生开裂，呈线性氧化规律 PB比引起的生长应力还与氧化膜的生长机制有关比引起的生长应力还与氧化膜的生长机制有关 新的氧化物在金属氧化膜界面生成，新的氧化物在金属氧化膜界面生成，PB比可以产生生长应力比可以产生生长应力 新的氧化物在氧化膜气相界面

19、生成，不能因新的氧化物在氧化膜气相界面生成，不能因PB比产生生长应力比产生生长应力 PB比是生长应力产生的必要条件之一，但不是充分条件。比是生长应力产生的必要条件之一，但不是充分条件。氧化物氧化物间的溶解性的溶解性氧化物氧化物间的固相反的固相反应5.2.2 金属氧化膜的性质金属氧化膜的性质 金属氧化膜的完整性和保护性金属氧化膜的完整性和保护性 完整性完整性 必要条件：必要条件： 氧化时生成的金属氧化膜的体积大于生成这氧化时生成的金属氧化膜的体积大于生成这些氧化膜所消耗的金属体积些氧化膜所消耗的金属体积 保护性保护性完整性好完整性好组织结构致密组织结构致密热力学稳定性高、熔点高、蒸汽压低热力学稳

20、定性高、熔点高、蒸汽压低附着性好、不易剥落附着性好、不易剥落膨胀系数与基体接近膨胀系数与基体接近 应力小应力小 5.2.3 氧化物的缺陷氧化物的缺陷 氧化物中的缺陷氧化物中的缺陷点缺陷，空位、间隙原子（离子）、原子错排点缺陷，空位、间隙原子（离子）、原子错排线缺陷（一维缺陷），刃位错和螺位错线缺陷（一维缺陷），刃位错和螺位错面缺陷（二维缺陷），小角晶界、孪晶界面、堆垛层错和表面面缺陷（二维缺陷），小角晶界、孪晶界面、堆垛层错和表面体缺陷（三维缺陷），空洞、异相沉淀体缺陷（三维缺陷），空洞、异相沉淀电子缺陷，电子和电子空穴电子缺陷，电子和电子空穴在热力学上的缺陷在热力学上的缺陷 不可逆缺陷不可逆

21、缺陷 数量与温度、气体分压无关数量与温度、气体分压无关 线缺陷、面缺陷及体缺陷线缺陷、面缺陷及体缺陷 可逆缺陷可逆缺陷 数量与温度及气体分压有关数量与温度及气体分压有关 点缺陷点缺陷点缺陷名称点缺陷名称点缺陷所带有效电荷点缺陷所带有效电荷缺陷在晶体中所占的格位缺陷在晶体中所占的格位M 金属金属O 氧氧V 空位空位 中性中性 正电荷正电荷 负电荷负电荷M 金属格位金属格位O 氧格位氧格位i 间隙间隙例如，氧化物中的点缺陷可记为例如，氧化物中的点缺陷可记为氧离子空位；氧离子空位；二价金属离子空位；二价金属离子空位；间隙氧离子；间隙氧离子；间隙二价金属离子。间隙二价金属离子。电子缺陷中，电子载流子和

22、空穴载流子分别记为电子缺陷中，电子载流子和空穴载流子分别记为e和和h 氧化物的缺陷氧化物的缺陷 氧化物的缺陷氧化物的缺陷 化学计量比氧化物化学计量比氧化物 点缺陷成对形成，以保证物质守恒和电中性点缺陷成对形成，以保证物质守恒和电中性 缺陷的浓度与氧分压无关，与电子缺陷无关缺陷的浓度与氧分压无关，与电子缺陷无关 化学计量氧化物是离子导体化学计量氧化物是离子导体 非化学计量比氧化物非化学计量比氧化物 氧化物的非化学计量程度与温度和氧分压有关。氧化物的非化学计量程度与温度和氧分压有关。 金属过剩氧化物中，非化学计量程度随氧分压下降而增金属过剩氧化物中，非化学计量程度随氧分压下降而增大大 金属不足氧化

23、物中，非化学计量程度随氧分压增大而增金属不足氧化物中，非化学计量程度随氧分压增大而增加加a-弗兰克型缺陷；弗兰克型缺陷；b-反弗兰克型缺陷；反弗兰克型缺陷；c-肖脱基型缺陷；肖脱基型缺陷；d-反肖脱基型缺陷反肖脱基型缺陷图图 5-4 化学计量比氧化物化学计量比氧化物氧化物的缺陷氧化物的缺陷 典型的金属过剩氧化物典型的金属过剩氧化物 ZnO、CdO、BeO、RaO、V2O5、PbO2、MoO3、WO3、CdS、BaS、Cr2S3、TiS2 典型的金属不足氧化物典型的金属不足氧化物 NiO、FeO、Cu2O、CoO、MnO、Bi2O3、FeS、Cu2S、Ag2O、Ag2S、SnS、CuI Ni3+

24、 O2- Ni2+ O2- O2- O2- Ni2+ O2- Ni3+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- Ni2+ O2- O2- Ni3+ O2- Ni2+ O2- Ni3+NiO:金属不足型半导体 Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- O2- Zn2+ O2- Zn2+ O2- Zn2+eeeeZn2+Zn2+ZnO:金属过剩型半导体氧化物的缺陷氧化物的缺陷u 缺陷反应缺陷反应 5.1 高温腐蚀热力学高温腐蚀热力学5.2 金属氧化物金属氧化物5.3 高温腐蚀

25、动力学高温腐蚀动力学5.4 合金的氧化合金的氧化第五章第五章 高温腐蚀高温腐蚀 金属氧化的动力学金属氧化的动力学高温氧化的基本过程高温氧化的基本过程1. 金属离子向外扩散，在氧化物金属离子向外扩散，在氧化物/气体界面上反应气体界面上反应2. 氧向内扩散，在金属氧向内扩散，在金属/氧化物界面上反应氧化物界面上反应3. 两者相向扩散，在氧化膜中相遇并反应两者相向扩散，在氧化膜中相遇并反应 金属氧化的动力学金属氧化的动力学 实际的金属氧化过程实际的金属氧化过程 氧化初期氧在金属表面的吸附氧化初期氧在金属表面的吸附 氧化物的生核与长大氧化物的生核与长大 氧化膜结构对氧化的影响氧化膜结构对氧化的影响 晶

26、界引起的短路扩散晶界引起的短路扩散 氧在金属内的溶解氧在金属内的溶解 氧化膜的蒸发与熔化氧化膜的蒸发与熔化 氧化膜中的应力氧化膜中的应力 氧化膜的开裂和剥落氧化膜的开裂和剥落金属氧化的恒温动力学曲线金属氧化的恒温动力学曲线 金属的氧化程度金属的氧化程度 单位面积上的重量变化单位面积上的重量变化W 氧化膜的氧化膜的厚度厚度 系统内系统内氧分压氧分压的变化的变化 单位面积上单位面积上氧的吸收量氧的吸收量来表示来表示 研究氧化动力学最基本的方法研究氧化动力学最基本的方法 测定氧化过程的恒温动力学曲线（测定氧化过程的恒温动力学曲线（Wt曲曲线）线） 氧化过程的速度限制性环节、氧化膜的保护性、反应的速度

27、常数、过氧化过程的速度限制性环节、氧化膜的保护性、反应的速度常数、过程的能量变化程的能量变化 典型的金属氧化动力学曲线有典型的金属氧化动力学曲线有线性规律、抛物线规律、立方规律、对线性规律、抛物线规律、立方规律、对数及反对数规律数及反对数规律。dydt 金属氧化的恒温动力学曲线金属氧化的恒温动力学曲线1. 氧化动力学的直线规律氧化动力学的直线规律 金属氧化时不能生成保护性的氧化膜金属氧化时不能生成保护性的氧化膜 在反应期间形成气相或液相产物在反应期间形成气相或液相产物 氧化速度形成氧化物的反应速度氧化速度形成氧化物的反应速度 氧化速度恒定不变，符合直线规律氧化速度恒定不变，符合直线规律= =

28、k1或或y = = k1t + + Cdydtk py 金属氧化的恒温动力学曲线金属氧化的恒温动力学曲线2. 氧化动力学的抛物线规律氧化动力学的抛物线规律 多数金属和合金的氧化动力学规律多数金属和合金的氧化动力学规律 表面形成表面形成致密的、较厚致密的、较厚的氧化膜的氧化膜 氧化速度与膜的厚度成反比氧化速度与膜的厚度成反比= =y2 = = 2k p t + + C 金属氧化的恒温金属氧化的恒温动力学曲力学曲线3. 氧化氧化动力学的力学的对数与反数与反对数数规律律dydtdydt By= AeBy= Aey = k1 lg(k 2 t + k 3 ) 1/y=k4-k5lgt 在氧化膜在氧化膜

29、相当薄相当薄时才出才出现 意味着氧化意味着氧化过程受到的阻滞程受到的阻滞远大于抛物大于抛物线规律律5.3.2 5.3.2 薄氧化膜的生长薄氧化膜的生长 金属氧化膜的生长：金属氧化膜的生长： 薄氧化膜：较低温度或室温中氧化薄氧化膜：较低温度或室温中氧化 极薄氧化膜：极薄氧化膜： 浓度梯度度梯度产生的迁移生的迁移金属氧化速度决定于金属氧化速度决定于金属离子金属离子和和电子子迁移速度，迁移速度，迁移慢者迁移慢者为控制步控制步骤，决定氧化，决定氧化动力学力学规律律 金属离子金属离子脱离晶格脱离晶格进入氧化膜所需的功入氧化膜所需的功为A 电子由子由费米能米能级激激发到氧化膜到氧化膜导带所需的功所需的功为

30、 A 两种情况两种情况yy0dydt A 电子的迁移阻力子的迁移阻力 离子的迁移离子的迁移金属氧化的控制步金属氧化的控制步骤 电场的影响随着膜的增厚呈指数减弱，当氧化膜达到一定的影响随着膜的增厚呈指数减弱，当氧化膜达到一定厚度厚度时，离子移停止，氧化膜不再生，离子移停止，氧化膜不再生长反反对数数规律律 铜、铁、铝、银等金属在室温或低温下的氧化等金属在室温或低温下的氧化= A B lg t1.1.极薄氧化膜极薄氧化膜2.2.薄氧化膜薄氧化膜 薄氧化膜薄氧化膜10200nm 氧化温度较高，离子电流密度与电场强度氧化温度较高，离子电流密度与电场强度不再服从指数关系，而变为直线关系不再服从指数关系，而

31、变为直线关系新的氧化动力学规律新的氧化动力学规律 氧化物类型不同，产生不同的氧化动力学氧化物类型不同，产生不同的氧化动力学规律规律1ydydt 金属金属过剩型氧化物剩型氧化物 控制因素：控制因素：晶格晶格间隙离子在氧化膜中的迁移隙离子在氧化膜中的迁移 氧化速率氧化速率 晶格晶格间隙隙金属离子的金属离子的电流流iion iion膜中膜中电场强强度度E、离子、离子浓度度nion 电场强强度随厚度的增大而度随厚度的增大而变小，即小，即 E 1y iion Enion 1 / 2y = kt2.2.薄氧化膜薄氧化膜12dydty 金属不足型氧化物金属不足型氧化物 金属离子空位迁移决定氧化膜的生金属离子

32、空位迁移决定氧化膜的生长速率速率 金属在氧化膜氧界面同所吸附的金属在氧化膜氧界面同所吸附的O2-发生反生反应金属金属空位空位 金属离子空位金属离子空位浓度度nv 表面吸附表面吸附O2-浓度度n0 电场强强度度 E 1y，膜中的缺陷膜中的缺陷浓度度nv 1y 氧化膜生氧化膜生长动力学呈立方力学呈立方规律律 iV EnV 1 / 3y = kt2.2.薄氧化膜薄氧化膜 5.3.3 厚氧化膜厚氧化膜 厚氧化膜厚氧化膜（均匀、致密）（均匀、致密）氧化速度受氧化膜内的氧化速度受氧化膜内的传质过程控制程控制表表现为抛物抛物线规律律 氧化的传质过程影响因素氧化的传质过程影响因素 金属氧化膜界面或在氧化膜中生

33、成孔洞金属氧化膜界面或在氧化膜中生成孔洞 沿晶界的短路扩散沿晶界的短路扩散 应力作用下氧化膜的开裂与剥落应力作用下氧化膜的开裂与剥落 氧化膜的蒸发等都会氧化膜的蒸发等都会1. Wagner金属氧化理金属氧化理论厚氧化膜生长动力学理论：厚氧化膜生长动力学理论：Wagner理论理论Wagner金属氧化理论假设金属氧化理论假设 氧化膜是均匀、致密、完整的氧化膜是均匀、致密、完整的 氧化膜的厚度远远大于空间电荷层的厚度氧化膜的厚度远远大于空间电荷层的厚度 在金属氧化膜界面、氧化膜中以及氧化膜在金属氧化膜界面、氧化膜中以及氧化膜气体界面建立热力学平衡气体界面建立热力学平衡 氧化膜的成分偏离化学计量比较小

34、氧化膜的成分偏离化学计量比较小 离子和电子在氧化膜中的传输是控制步骤离子和电子在氧化膜中的传输是控制步骤 Wagner 离子和电子在化学位梯度和电位梯度下的传质离子和电子在化学位梯度和电位梯度下的传质方程方程 抛物线规律的氧化速度常数的表达式抛物线规律的氧化速度常数的表达式 最新的金属氧化的电化学理论认为最新的金属氧化的电化学理论认为 金属氧化电池存在若干电荷传输步骤和化学步金属氧化电池存在若干电荷传输步骤和化学步骤骤 在不同的条件下，氧化电池具有不同的控制步在不同的条件下，氧化电池具有不同的控制步骤，因而呈现不同的动力学规律骤，因而呈现不同的动力学规律 氧化的电池理论具有更普遍的意义氧化的电

35、池理论具有更普遍的意义1. Wagner金属氧化理金属氧化理论 金属氧化：金属氧化：电化学化学电池池过程程 氧化膜：氧化膜： 离子离子传输的固体的固体电解解质 电子子传输的的电子半子半导体体 金属氧化膜界面：金属氧化膜界面：电池的阳极池的阳极阳极反阳极反应：M M2+ 2 e- 氧化膜气相界面：氧化膜气相界面：电池的阴极池的阴极阴极反阴极反应： 电池池总反反应：1/2O2 2e-O2-M 1/2O2 MO G2 FE =1. Wagner金属氧化理金属氧化理论 电池池总电阻：离子阻：离子电阻阻Ri电子子电阻阻Re 电池面池面积为1cm2，厚度，厚度为y，电池池总电阻阻为式中式中 氧化膜的平均氧

36、化膜的平均电导率；率；tc、ta、te阳离子、阴离子和阳离子、阴离子和电子的迁移数子的迁移数 通通过电池的池的电流流为=+= Ri + Re =yt e (t c + t a )yt ey (t c + t a )R总=I = t e ( t c + t a ) EyER 总1. Wagner金属氧化理金属氧化理论 氧化膜的生氧化膜的生长速度可表示速度可表示为dydtIM2 F M t e ( t c + t a ) E2 F y=M氧化物的相氧化物的相对分子分子质量量氧化物的密度。氧化物的密度。 将上式将上式积分，可得：分，可得：y2=kt+C1. Wagner金属氧化理金属氧化理论 金属氧

37、化的控制步金属氧化的控制步骤 氧化膜氧化膜为半半导体体：电子的迁移数子的迁移数te 1k 取决于离子迁移数取决于离子迁移数tc+ta离子迁移离子迁移为控制步控制步骤 氧化膜氧化膜为离子离子导体体：离子的迁移数：离子的迁移数tc+ta 1k 取决于取决于电子迁移数子迁移数te电子迁移控制步子迁移控制步骤 在金属中加入适当元素在金属中加入适当元素掺杂到氧化膜中到氧化膜中降降低离子或低离子或电子迁移子迁移提高金属的抗氧化性能提高金属的抗氧化性能M t e ( t c + t a ) EF k =1. Wagner金属氧化理金属氧化理论 缺陷种缺陷种类及氧分及氧分压 环境氧分境氧分压 对金属不足氧化膜

38、的氧化金属不足氧化膜的氧化动力学影响力学影响较大：大：镍 对生成金属生成金属过剩氧化膜的氧化剩氧化膜的氧化动力学影响甚微：力学影响甚微：锌 粒子的粒子的扩散系数散系数 温度的影响温度的影响M t e ( t c + t a ) EF k =1. Wagner金属氧化理金属氧化理论2.2.多层氧化膜的生长多层氧化膜的生长 多层氧化膜（铁、钴和铜）多层氧化膜（铁、钴和铜） 当氧化膜的两层生长速度相差悬殊时，氧化膜总的生长动当氧化膜的两层生长速度相差悬殊时，氧化膜总的生长动力学由生长速度快的一层决定力学由生长速度快的一层决定 铜氧化铜氧化 较低氧分压，只生成较低氧分压，只生成Cu2O，抛物线速，抛物

39、线速度常数是氧分压的函数度常数是氧分压的函数 较高氧分压，较高氧分压，Cu2O和和CuO双层氧化双层氧化膜，动力学与氧分压无关膜，动力学与氧分压无关Cu2O生长快，氧化动力学由生长快，氧化动力学由Cu2O决定决定Cu2O层始终处于层始终处于Cu2OCuO 平衡氧分压条件下平衡氧分压条件下5.1 高温腐蚀热力学高温腐蚀热力学5.2 金属氧化物金属氧化物5.3 高温腐蚀动力学高温腐蚀动力学5.4 高温高温合金的氧化合金的氧化第五章第五章 高温腐蚀高温腐蚀5.4.1 合金氧化的特点合金氧化的特点1. 合金组元的选择性氧化合金组元的选择性氧化与氧亲和力大的组元优先氧化与氧亲和力大的组元优先氧化2. 相

40、的选择性氧化相的选择性氧化不稳定相优先氧化，导致表层组织不均匀不稳定相优先氧化，导致表层组织不均匀3. 氧化膜由多相组成氧化膜由多相组成1. 选择性氧化选择性氧化 假设：合金中组分假设：合金中组分Me比组分比组分Mt易于氧化，形成的氧化膜存易于氧化，形成的氧化膜存在机械缺陷。当金属组分在机械缺陷。当金属组分Mt不氧化而仅不氧化而仅Me组分氧化为组分氧化为MeOx与与MeOy（yx）：）：（1）Me金属组分在金属组分在mMe+nMt合金中扩散合金中扩散（2）Me金属在金属金属在金属/氧化物界面游离为氧化物界面游离为Me2x+和电子和电子（3）Me2x +电子在电子在MeOx氧化物层中扩散氧化物层

41、中扩散5.4.2 高温高温合金氧化的机理合金氧化的机理 1. 合金的选择性氧化合金的选择性氧化（4）Me2x+继续游离为继续游离为Me2y+和电子和电子（5）Me2y+与电子在与电子在MeOy氧化物层中扩散氧化物层中扩散（6）氧吸附在氧化物（）氧吸附在氧化物（MeOy ）/氧界面上氧界面上（7）吸附的氧原子游离为）吸附的氧原子游离为O2-（8）氧离子在）氧离子在MeOy层中扩散层中扩散（9）Me2x+与与O2-相互作用相互作用（10）O2-在氧化物膜中生成在氧化物膜中生成MeOxmMe+nMtMeOxMeOyO2Me1234Me2x+O2-109O2-85Me2y+6 71.合金的选择性氧化合

42、金的选择性氧化 形成形成MeOx后，合金中后，合金中Me组分浓度降低，合金表层缺少组分浓度降低，合金表层缺少Me，Mt开始氧化，形成开始氧化，形成MtOy Me组分优先氧化形成组分优先氧化形成MeOx，Mt组分氧化物在组分氧化物在MeOx表面上形表面上形成成Mt组分需要在组分需要在MeOx中溶解，且中溶解，且Mt有可能呈现不同价数。有可能呈现不同价数。1. 合金的选择性氧化合金的选择性氧化 NiCr合金的高温氧：合金的高温氧：Cr含量不同造成不同的氧化膜结构含量不同造成不同的氧化膜结构a. Cr含量较低，氧化膜以含量较低，氧化膜以NiO为主，次层为为主，次层为NiO和弥散的和弥散的NiCr2O

43、4尖晶石相，合金表层为尖晶石相，合金表层为Ni和岛状内氧化物和岛状内氧化物Cr2O3b. Cr含量增加，逐渐形成连续的含量增加，逐渐形成连续的NiCr2O4层，内氧化物消失层，内氧化物消失c. Cr含量含量20，形成了选择性，形成了选择性Cr2O3保护膜保护膜 合金成分对腐蚀速率的影响合金成分对腐蚀速率的影响 金属的氧化作用金属的氧化作用离子空位和间隙离子的迁移控制离子空位和间隙离子的迁移控制 添加适当的外来离子添加适当的外来离子改变氧化物膜中的缺陷浓度改变氧化物膜中的缺陷浓度改变金属的氧化速率改变金属的氧化速率 加入对氧有更大亲和力的合金加入对氧有更大亲和力的合金合金氧化物和基体氧合金氧化物

44、和基体氧化物互不溶解化物互不溶解可能出现新的氧化物层，使基体得可能出现新的氧化物层，使基体得到保护到保护 Al对氧的亲和力均大于铁，少量铝可形成尖晶石型氧对氧的亲和力均大于铁，少量铝可形成尖晶石型氧化层（化层（Al2O3+FeOFeAl2O3），降低），降低Fe2+扩散，降扩散，降低铁的氧化速率低铁的氧化速率2. 合金的内氧化及外氧化合金的内氧化及外氧化 内氧化内氧化 在氧化过程中，氧溶解到合金相中并在合金中在氧化过程中，氧溶解到合金相中并在合金中扩散，合金中较活泼的组元与氧反应在合金内扩散，合金中较活泼的组元与氧反应在合金内生成氧化物生成氧化物 广义的内氧化广义的内氧化 硫、碳、氮等元素扩散

45、到合金中生成硫化物、硫、碳、氮等元素扩散到合金中生成硫化物、碳化物、氮化物等沉淀，发生内硫化、内碳化、碳化物、氮化物等沉淀，发生内硫化、内碳化、内氮化等内氮化等O2A-BBOBOBOx 2. 合金的内氧化及外氧化合金的内氧化及外氧化 金属金属A在氧化条件下不生成在氧化条件下不生成A的氧化的氧化物，金属物，金属B可以生成一种氧化物可以生成一种氧化物BO 第一步：氧气以氧原子溶解到合金中第一步：氧气以氧原子溶解到合金中 第二步：溶解的氧原子同合金中的第二步：溶解的氧原子同合金中的B反反应生成氧化物。应生成氧化物。 发生内氧化时，氧和元素发生内氧化时，氧和元素B都在合金中都在合金中发生扩散，而且发生

46、扩散，而且O和和B的浓度分布都不的浓度分布都不是线性的。是线性的。 B以以BOx的形式在内氧化区发生富集，的形式在内氧化区发生富集，其富集程度取决于其富集程度取决于O和和B的扩散能力的的扩散能力的相对大小相对大小 2. 合金的内氧化及外氧化合金的内氧化及外氧化 当内氧化物富集到一定程度，合金不再内氧化当内氧化物富集到一定程度，合金不再内氧化形成连续的外氧化膜形成连续的外氧化膜发生内氧化向外氧化的转变发生内氧化向外氧化的转变 当合金内氧化物发生富集接近临界体积分数当合金内氧化物发生富集接近临界体积分数氧向合金内的扩散受到阻碍，内氧化物将横向生长，氧向合金内的扩散受到阻碍，内氧化物将横向生长，达到

47、临界体积分数，新氧化物只能在合金表面生成达到临界体积分数，新氧化物只能在合金表面生成2. 合金的内氧化及外氧化合金的内氧化及外氧化 在二元合金中加入中等活性元素可以促进合金由内氧在二元合金中加入中等活性元素可以促进合金由内氧化向外氧化的转变化向外氧化的转变 在在NiAl合金中加入适量的合金中加入适量的Cr 使生成使生成A12O3外氧化膜所需的外氧化膜所需的Al含量显著下降含量显著下降 Cr起到了起到了除氧剂的除氧剂的作用，合金表面先生成一层作用，合金表面先生成一层Cr2O3氧化氧化膜，降低了氧化膜合金界面的氧活度，使合金中的铝在膜，降低了氧化膜合金界面的氧活度，使合金中的铝在较低浓度下就可以选

48、择氧化生成连续的较低浓度下就可以选择氧化生成连续的A12O3氧化膜。氧化膜。 在高温和高氧压下在高温和高氧压下Cr2O3逐渐以逐渐以CrO3蒸发掉，留下一个连蒸发掉，留下一个连续的保护性好的续的保护性好的A12O3氧化膜氧化膜 3. 掺杂对合金氧化的作用掺杂对合金氧化的作用 在合金中加入适当元素使其掺杂到氧化膜中，降低在合金中加入适当元素使其掺杂到氧化膜中，降低离子或电子的迁移，可以提高金属的抗氧化性能。离子或电子的迁移，可以提高金属的抗氧化性能。（1）离子导体氧化物）离子导体氧化物 Ag中加入少量中加入少量Cd形成形成Ag-Cd合金，膜中的合金，膜中的Cd2+ 产生产生阳离子空位，减少电子空

49、穴，氧化速度变慢阳离子空位，减少电子空穴，氧化速度变慢（2）金属过剩氧化物）金属过剩氧化物 Zn中加入少量中加入少量Al形成形成Zn-Al合金，膜中的合金，膜中的Al3+离子使间离子使间隙隙Zn原子缺陷浓度降低，氧化速度下降原子缺陷浓度降低，氧化速度下降（3）金属不足氧化物）金属不足氧化物 在在Ni中加入少量中加入少量Cr形成形成Ni-Cr合金，膜中的合金，膜中的Cr3+增加了增加了Ni阳离子空位，使氧化速率上升阳离子空位，使氧化速率上升金属氧化膜的性质金属氧化膜的性质 离子导体型氧化物锈皮离子导体型氧化物锈皮 MgO，CaO，金属卤化物晶体，金属卤化物晶体 氧化物内存在点缺陷，产生浓度梯度或

50、电位梯氧化物内存在点缺陷，产生浓度梯度或电位梯度，通过缺陷进行度，通过缺陷进行离子的迁移扩散。离子的迁移扩散。 金属氧化膜的结构和性质金属氧化膜的结构和性质 半导体型氧化物锈皮半导体型氧化物锈皮 晶体内存在过剩的阳离子或过剩的阴离子，在晶体内存在过剩的阳离子或过剩的阴离子，在电场的作用下，离子迁移和电子迁移电场的作用下，离子迁移和电子迁移 金属离子过剩型氧化物半导体金属离子过剩型氧化物半导体(n型半导体型半导体) 氧化时，间隙离子和间隙电子向氧化物和氧气的界氧化时，间隙离子和间隙电子向氧化物和氧气的界面迁移面迁移 金属离子不足型氧化物半导体金属离子不足型氧化物半导体(p型半导体型半导体) 电子

51、空位和阳离子空位向内电子空位和阳离子空位向内, 金属离子和电子向外金属离子和电子向外迁移，氧化物和氧气的界面迁移迁移，氧化物和氧气的界面迁移金属氧化膜的结构和性质金属氧化膜的结构和性质 间隙化合物型锈皮间隙化合物型锈皮 气态介质中原子尺寸较小的非金属元素溶入表气态介质中原子尺寸较小的非金属元素溶入表层过渡族金属晶格间隙之中，形成间隙化合物层过渡族金属晶格间隙之中，形成间隙化合物 金属碳化物、氮化物、硼化物、硅化物金属碳化物、氮化物、硼化物、硅化物掺杂对合金氧化的作用掺杂对合金氧化的作用 控制合金氧化的原子价规律（控制合金氧化的原子价规律（Hauffe原子价规律）原子价规律） 通过掺杂降低氧化速

52、度通过掺杂降低氧化速度 形成离子导体膜时，应掺杂高价的金属形成离子导体膜时，应掺杂高价的金属 形成金属过剩氧化膜时，应掺杂高价的金属形成金属过剩氧化膜时，应掺杂高价的金属 形成金属不足氧化膜时，应掺杂低价的金属形成金属不足氧化膜时，应掺杂低价的金属提高合金抗氧化的途径提高合金抗氧化的途径1. 通过通过选择性氧化选择性氧化生成优异的保护膜生成优异的保护膜2. 生成离子移动速度慢的生成离子移动速度慢的尖晶石结构氧化膜尖晶石结构氧化膜3. 减小氧化膜的晶格缺陷浓度减小氧化膜的晶格缺陷浓度，降低离子的，降低离子的扩散速度扩散速度4. 增强氧化膜与基体金属的增强氧化膜与基体金属的附着力附着力其它类型的金属高温腐蚀其它类型的金属高温腐蚀 炼制高硫原油装置的金属构件炼制高硫原油装置的金属构件 高温硫腐蚀高温硫腐蚀和含硫混合气体腐蚀和含硫混合气体腐蚀 煤和有机燃料的燃烧煤和有机燃料的燃烧 CO2、CO和和H2O（气）使金属材料发生（气）使金属材料发生碳化碳化 燃气涡轮在海上或沿海工作燃气涡轮在海上或沿海工作 高温部件上会沉积高温部件上会沉积Na2SO4熔盐熔盐导致热腐蚀导致热腐蚀