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1、q透射电镜根本构造及主要性能透射电镜根本构造及主要性能q透射电镜根本任务方式透射电镜根本任务方式qTEMTEM技术最新进展技术最新进展透射电子显微术透射电子显微术JEM-2500SEJEM-2500SEq照明系统：电子枪、聚光镜、束平移偏转线圈、聚光镜光阑；照明系统：电子枪、聚光镜、束平移偏转线圈、聚光镜光阑；q样品室：双倾台、旋转台、拉伸台、加热台、冷却台；样品室：双倾台、旋转台、拉伸台、加热台、冷却台；q成像系统：物镜、中间镜、投影镜、物镜光阑、选区光阑；成像系统：物镜、中间镜、投影镜、物镜光阑、选区光阑；q察看记录系统：荧光屏、照相室、辅助光学显微镜；察看记录系统：荧光屏、照相室、辅助光
2、学显微镜；q供电系统：透镜供电、高压供电、控制操作供电；供电系统：透镜供电、高压供电、控制操作供电；q真空系统：真空泵、阀门、气体隔离室；真空系统：真空泵、阀门、气体隔离室；仪器构造及关键部件仪器构造及关键部件q制样设备：真空镀膜仪、超声波清洗仪、切片机、磨片机、制样设备：真空镀膜仪、超声波清洗仪、切片机、磨片机、电解双喷仪、离子薄化仪、超薄切片机；电解双喷仪、离子薄化仪、超薄切片机；q试样分类：复型样品、超显微颗粒样品、资料薄膜样品；试样分类：复型样品、超显微颗粒样品、资料薄膜样品；透射电子显微镜样品的制备透射电子显微镜样品的制备透射电子显微镜样品的制备透射电子显微镜样品的制备加塑料液在水面
3、加塑料液在水面 上扩展成膜上扩展成膜 把膜加到公用铜网上把膜加到公用铜网上直径直径8 810cm10cm1将粉末样品均匀分散在将粉末样品均匀分散在 具支持膜的铜网上具支持膜的铜网上直径直径3mm3mm2 形貌及构造察看形貌及构造察看运用碳运用碳- -塑料复合膜塑料复合膜 选区电子衍射分析选区电子衍射分析运用金运用金- -塑料复合膜塑料复合膜电镜公用公用铜网网3mm3mm3超细颗粒制备方法超细颗粒制备方法超细颗粒制备方法超细颗粒制备方法切片切片1预减薄预减薄冲片冲片2电解双喷电解双喷离子薄化离子薄化3可运用样品区域可运用样品区域资料薄膜制备过程资料薄膜制备过程资料薄膜制备过程资料薄膜制备过程 烟
4、烟雾悬浮在空气中的微粒；粒子真浮在空气中的微粒；粒子真实半径在半径在0.10.1到到0.2m0.2m之之间；卫星滴构造粒子。在碳膜星滴构造粒子。在碳膜上的广州大气粒子。用金上的广州大气粒子。用金钯合金投影。合金投影。重金属投影重金属投影q变倍放大图像分析变倍放大图像分析q电子衍射分析电子衍射分析 q资料薄膜明暗场分析资料薄膜明暗场分析q高分辨电子显微术高分辨电子显微术透射电镜根本任务方式透射电镜根本任务方式透射电镜根本任务方式透射电镜根本任务方式q分析样品：主要用于粉末、非晶体薄膜样品及复型样品察看；分析样品：主要用于粉末、非晶体薄膜样品及复型样品察看；q高倍数图像获得方法：物镜成像于中间镜之
5、上，中间镜以物高倍数图像获得方法：物镜成像于中间镜之上，中间镜以物镜像为物，成像于投影镜之上，投影镜以中间镜像为物，成镜像为物，成像于投影镜之上，投影镜以中间镜像为物，成像于荧光屏之上；像于荧光屏之上；q中、低倍数图像获得方法：采用减少透镜数目或放大倍数、中、低倍数图像获得方法：采用减少透镜数目或放大倍数、改动物镜激磁强度等方法，获得低倍及大视域图像；改动物镜激磁强度等方法，获得低倍及大视域图像；变倍放大图像获得方法变倍放大图像获得方法变倍放大图像获得方法变倍放大图像获得方法变倍放大倍放大图像特点像特点 展展现亚显微及超微及超显微构造外部微构造外部轮廓及内部构造；廓及内部构造； 根据根据衬度分
6、析及度分析及倾转台技台技术获得三得三维信息；信息；q质厚衬度成像原理：质厚衬度成像原理：q质厚衬度分析根底：基于非晶体样品中原子对入射电子的散射和小孔质厚衬度分析根底：基于非晶体样品中原子对入射电子的散射和小孔径角成像技术；径角成像技术；质厚厚衬度表达式度表达式 IA /IB = 1 e - IA /IB = 1 e - QAtA QBtB QAtA QBtB 变倍放大图像衬度分析方法变倍放大图像衬度分析方法变倍放大图像衬度分析方法变倍放大图像衬度分析方法+ + + +rnrnZnZn- - - -rere 电子受原子的散射子受原子的散射 小孔径角成像小孔径角成像样品样品物镜像平面物镜像平面物
7、镜光阑物镜光阑背焦平面背焦平面物镜物镜具有分叉构造的纳米碳管具有分叉构造的纳米碳管堆积在堆积在CNTCNT上铂颗粒的上铂颗粒的TEMTEM形貌形貌重金属堆积重金属堆积型型NENE型癌型癌细胞，分泌胞，分泌颗粒呈多型状，胞粒呈多型状，胞浆内内还可可见粘液粘液颗粒。粒。图3 3示示MGc80-3MGc80-3细胞厚胞厚层致密的核致密的核纤层与核骨架与核骨架纤维和中和中间纤维的的衔接。接。标=0.5m=0.5m图4 4诱导处置后置后细胞的核骨架胞的核骨架纤维和中和中间纤维经过薄薄层均一的核均一的核纤层发生生亲密关系密关系电子衍射技子衍射技术选区区电子衍射子衍射SADq选区衍射选区衍射SADSAD：微
8、米级微小区域构造特征：微米级微小区域构造特征q会聚束衍射会聚束衍射CBEDCBED：纳米级微小区域构造特征：纳米级微小区域构造特征q微束衍射微束衍射NEDNED：纳米级微小区域构造特征：纳米级微小区域构造特征电子衍射分析方法电子衍射分析方法电子衍射分析方法电子衍射分析方法*图图1 1未经未经DDPDDP修饰的修饰的PbSPbS纳米微粒的纳米微粒的TEMTEM像像(a)(a)和电子衍射花样和电子衍射花样(b)(b)图图2 2DDPDDP外表修饰的外表修饰的PbSPbS纳米微粒的纳米微粒的TEMTEM像像(a)(a)和电子衍射花样和电子衍射花样(b) (b) 电子衍射技子衍射技术会聚束衍射会聚束衍
9、射CBED电子枪电子枪样品样品照明源照明源聚光镜聚光镜物镜物镜中间镜中间镜投影镜投影镜荧光屏或照相底片荧光屏或照相底片选区光阑选区光阑聚光镜光阑聚光镜光阑第一中间镜第一中间镜选区电子衍射操作：第一中间镜的操作选区电子衍射操作：第一中间镜的操作选区电子衍射操作：第一中间镜的操作选区电子衍射操作：第一中间镜的操作C A O BC A O BB O A CB O A C样品样品物平面物平面物镜物镜物镜光阑物镜光阑背焦面衍射花样背焦面衍射花样选区光阑选区光阑像平面像平面000000hklhkl22样品像样品像选区电子衍射原理选区电子衍射原理选区电子衍射原理选区电子衍射原理q晶体样品微区的形貌特征和晶体
10、学性质得到同时反映；晶体样品微区的形貌特征和晶体学性质得到同时反映；q电子衍射花样直观反映晶体的点阵构造和位向；电子衍射花样直观反映晶体的点阵构造和位向；选区电子衍射分析技术特点选区电子衍射分析技术特点选区电子衍射分析技术特点选区电子衍射分析技术特点选区电子衍射操作：在多晶体样品内选取单个晶体进展分析；选区电子衍射操作：在多晶体样品内选取单个晶体进展分析；图图3 3含细棍和粗棍两类的一维纳米晶体含细棍和粗棍两类的一维纳米晶体图图4 4Si-3N-4Si-3N-4的衍射图的衍射图q明明场BFBF成像：在物成像：在物镜的背焦面上，的背焦面上，让透射束透射束经过物物镜光光阑而把衍射束而把衍射束挡掉得
11、到掉得到图像像衬度的方法；度的方法；q暗暗场DFDF成像：将入射束方向成像：将入射束方向倾斜斜22角度，使衍射束角度，使衍射束经过物物镜光光阑而把透射束而把透射束挡掉得到掉得到图像像衬度的方法；度的方法；资料薄膜明暗场图像获得方法资料薄膜明暗场图像获得方法资料薄膜明暗场图像获得方法资料薄膜明暗场图像获得方法入射束入射束样品样品物镜物镜背焦面背焦面光阑光阑像平面像平面hklhkl000000IA0IA0IBIhklIBIhklB A中心暗场衍衬成像中心暗场衍衬成像中心暗场衍衬成像中心暗场衍衬成像TEM资资料薄膜明暗料薄膜明暗场场技技术术q显示样品内组成相的构造、位向和晶体缺陷；显示样品内组成相的
12、构造、位向和晶体缺陷；q图像的衬度特征取决于用以成像的某一特定衍射束的强度；图像的衬度特征取决于用以成像的某一特定衍射束的强度；q图像的获得和解读皆有赖于被察看视域选区电子衍射花样的正图像的获得和解读皆有赖于被察看视域选区电子衍射花样的正确识别和分析；确识别和分析；明暗场图像分析技术特点明暗场图像分析技术特点明暗场图像分析技术特点明暗场图像分析技术特点图4/|Sialon复相陶瓷中的位错(a)晶内，(b)晶界图1 1Ti-48Al-0.5SiTi-48Al-0.5Si合金合金相中位相中位错网上位网上位错BurgersBurgers矢量的矢量的测定定(a) g=042, (b) g=131, (
13、c) g=002, (d) g=11 1(a) g=042, (b) g=131, (c) g=002, (d) g=11 1.图图1 1a,ba,b为铁杂质相的衍射花样和明场像；为铁杂质相的衍射花样和明场像；c,dc,d分别为铁杂质相和分别为铁杂质相和SiSi相的暗场像相的暗场像A A A AB B B B图图1 1是用分子束外延生长方法，在是用分子束外延生长方法，在Al2O3Al2O3衬底上生长衬底上生长MgOMgO薄膜的异接资料中，薄膜的异接资料中，MgO/Al2O3MgO/Al2O3界面的高分辨像。图中可得到有关界面的粗糙度、共格性和缺界面的高分辨像。图中可得到有关界面的粗糙度、共格性
14、和缺陷构造以及界面的原子构造等重要信息；陷构造以及界面的原子构造等重要信息；HREMHREM图像获得信息图像获得信息qq晶格条晶格条晶格条晶格条纹纹像：反映晶面像：反映晶面像：反映晶面像：反映晶面间间距信息；距信息；距信息；距信息；qq构造像及构造像及构造像及构造像及单单个原子像：反映晶体构造中原子或原子个原子像：反映晶体构造中原子或原子个原子像：反映晶体构造中原子或原子个原子像：反映晶体构造中原子或原子团团配置情况；配置情况；配置情况；配置情况；qq图图像解析复像解析复像解析复像解析复杂杂性：知构造性：知构造性：知构造性：知构造资资料的解料的解料的解料的解释释计计算机算机算机算机实际实际像与
15、像与像与像与实验结实验结果果果果比比比比较较；不同欠焦量以下；不同欠焦量以下；不同欠焦量以下；不同欠焦量以下图图形形形形变变化很大；化很大；化很大；化很大；试样试样厚度厚度厚度厚度1nm1nm1nm1nm；TEMTEM面面面面临临临临的的的的艰艰艰艰苦技苦技苦技苦技术术术术突破突破突破突破提高分辨率提高分辨率提高分辨率提高分辨率qq超高超高超高超高压压和中等加速和中等加速和中等加速和中等加速电压电压技技技技术术：信号噪声比：信号噪声比：信号噪声比：信号噪声比电电子子子子经过试样经过试样后，后，后，后，对对成像有奉成像有奉成像有奉成像有奉献的献的献的献的弹弹性散射性散射性散射性散射电电子所占的百
16、分比太低子所占的百分比太低子所占的百分比太低子所占的百分比太低采用超高采用超高采用超高采用超高压电压电子子子子显显微微微微镜镜和中等加速和中等加速和中等加速和中等加速电电压压的高亮度、高相关度的的高亮度、高相关度的的高亮度、高相关度的的高亮度、高相关度的场发场发射射射射电电子子子子枪枪透射透射透射透射电镜电镜超高超高超高超高压压TEM0.5TEM0.5TEM0.5TEM0.53.5MV3.5MV3.5MV3.5MV的的的的分辨率由分辨率由分辨率由分辨率由0.45nm0.45nm0.45nm0.45nm提高到提高到提高到提高到0.1nm0.1nm0.1nm0.1nm；qq减小物减小物减小物减小物
17、镜镜球差：球差：球差：球差：80808080年代末期物年代末期物年代末期物年代末期物镜镜的球差降低到的球差降低到的球差降低到的球差降低到0.5mm0.5mm0.5mm0.5mm。1990199019901990年，年，年，年，RoseRoseRoseRose提出由提出由提出由提出由两个六极校正器和四个两个六极校正器和四个两个六极校正器和四个两个六极校正器和四个电电磁透磁透磁透磁透镜组镜组成的新型校正器后，物成的新型校正器后，物成的新型校正器后，物成的新型校正器后，物镜镜球差得到明球差得到明球差得到明球差得到明显显改改改改善善善善新校正器可把物新校正器可把物新校正器可把物新校正器可把物镜镜球差减
18、小到球差减小到球差减小到球差减小到0.05mm0.05mm0.05mm0.05mm，因此，因此，因此，因此电镜电镜分辨率由分辨率由分辨率由分辨率由0.24nm0.24nm0.24nm0.24nm提高到提高到提高到提高到优优于于于于0.14nm0.14nm0.14nm0.14nm；FEG-STEMFEG-STEMFEG-STEMFEG-STEM的新型的球差校正器，的新型的球差校正器，的新型的球差校正器，的新型的球差校正器，CsCsCsCs由由由由3.5mm3.5mm3.5mm3.5mm降低到降低到降低到降低到0.1mm0.1mm0.1mm0.1mm以下；以下；以下；以下；STEMSTEMSTEM
19、STEM暗暗暗暗场场像的分辨率提高到像的分辨率提高到像的分辨率提高到像的分辨率提高到0.1nm0.1nm0.1nm0.1nm。TEMTEM最新最新最新最新进进进进展展展展功能完善功能完善功能完善功能完善qq超高超高超高超高压压TEMTEMTEMTEM分辨身手高分辨身手高分辨身手高分辨身手高在原子程度上直接察看厚在原子程度上直接察看厚在原子程度上直接察看厚在原子程度上直接察看厚试样试样三三三三维维构造；构造；构造；构造；试样试样穿透才穿透才穿透才穿透才干干干干强强(1MV(1MV(1MV(1MV时约为时约为100kV100kV100kV100kV的的的的3 3 3 3倍倍倍倍) ) ) ) ；J
20、EM-ARM 1250JEM-ARM 1250JEM-ARM 1250JEM-ARM 12501000100010001000型超高型超高型超高型超高压压原子分辨率原子分辨率原子分辨率原子分辨率电电镜镜点分辨身手已达点分辨身手已达点分辨身手已达点分辨身手已达0.1nm0.1nm0.1nm0.1nm；日立公司；日立公司；日立公司；日立公司3MV3MV3MV3MV超高超高超高超高压压透射透射透射透射电镜电镜分辨身手分辨身手分辨身手分辨身手为为0.14nm0.14nm0.14nm0.14nm；qq中等中等中等中等电压电压200kV300kVTEM200kV300kVTEM200kV300kVTEM2
21、00kV300kVTEM：采用球差系数更小的物：采用球差系数更小的物：采用球差系数更小的物：采用球差系数更小的物镜镜和和和和场发场发射射射射电电子子子子枪枪；穿透；穿透；穿透；穿透才干分才干分才干分才干分别为别为100kV100kV100kV100kV的的的的1.61.61.61.6和和和和2.22.22.22.2倍；国倍；国倍；国倍；国际际上常上常上常上常规规200kV TEM200kV TEM200kV TEM200kV TEM的点分辨身手的点分辨身手的点分辨身手的点分辨身手为为0.2nm0.2nm0.2nm0.2nm左右，放大倍数左右，放大倍数左右，放大倍数左右，放大倍数约为约为5050
22、5050倍倍倍倍150150150150万倍；万倍；万倍；万倍；qq120kV100kV120kV100kV120kV100kV120kV100kV分析分析分析分析电电子子子子显显微微微微镜镜：生物、医学以及：生物、医学以及：生物、医学以及：生物、医学以及农业农业、药药物和食品工物和食品工物和食品工物和食品工业业等等等等领领域域域域察看分析反差低以及察看分析反差低以及察看分析反差低以及察看分析反差低以及对电对电子束敏感的生物子束敏感的生物子束敏感的生物子束敏感的生物试样试样配有冷配有冷配有冷配有冷冻试样冻试样台和台和台和台和EDSEDSEDSEDS，可，可，可，可以在以在以在以在获获得高分辨像
23、的同得高分辨像的同得高分辨像的同得高分辨像的同时还时还可以得到大可以得到大可以得到大可以得到大视场视场高反差的低倍高反差的低倍高反差的低倍高反差的低倍显显微像，点分辨身微像，点分辨身微像，点分辨身微像，点分辨身手达手达手达手达0.35nm0.35nm0.35nm0.35nm左右左右左右左右qq多功能高分辨分析多功能高分辨分析多功能高分辨分析多功能高分辨分析TEMTEMTEMTEM：配有：配有：配有：配有锂锂漂移硅漂移硅漂移硅漂移硅Si(Li)XSi(Li)XSi(Li)XSi(Li)X射射射射线线能能能能谱仪谱仪(EDS)(EDS)(EDS)(EDS)，配有，配有，配有，配有电电子能子能子能子
24、能量量量量选择选择成像成像成像成像谱仪谱仪进进展展展展纳纳米尺度的微区化学成分和构造分析；米尺度的微区化学成分和构造分析；米尺度的微区化学成分和构造分析；米尺度的微区化学成分和构造分析；扫描透射电子显微镜的技术改良扫描透射电子显微镜的技术改良扫描透射电子显微镜的技术改良扫描透射电子显微镜的技术改良qq场发场发射射射射电电子子子子枪枪FEGFEGFEGFEG：亮度高：亮度高：亮度高：亮度高约约5 5 5 5个量个量个量个量级级曲率半径曲率半径曲率半径曲率半径仅为仅为100nm100nm100nm100nm左右的左右的左右的左右的钨单钨单晶晶晶晶针针尖在尖在尖在尖在电场强电场强度高达度高达度高达度
25、高达100MV/cm100MV/cm100MV/cm100MV/cm的作用下，在室温的作用下，在室温的作用下，在室温的作用下，在室温时时即可即可即可即可产产生生生生场发场发射射射射电电子；子；子；子；电电子束聚焦子束聚焦子束聚焦子束聚焦0.20.20.20.21.0nm1.0nm1.0nm1.0nm；qq试样试样后方两个探后方两个探后方两个探后方两个探测测器器器器组组合：分合：分合：分合：分别别逐点接逐点接逐点接逐点接纳弹纳弹性和非性和非性和非性和非弹弹性散射性散射性散射性散射电电子信息子信息子信息子信息环环状探状探状探状探测测器接器接器接器接纳纳散射角大的散射角大的散射角大的散射角大的弹弹性
26、散射性散射性散射性散射电电子；重原子的子；重原子的子；重原子的子；重原子的弹弹性散射性散射性散射性散射电电子多，假子多，假子多，假子多，假设设入射入射入射入射电电子束直径小于子束直径小于子束直径小于子束直径小于0.5nm0.5nm0.5nm0.5nm，且，且，且，且试样试样足足足足够够薄，便可得到薄，便可得到薄，便可得到薄，便可得到单单个原子像；透射个原子像；透射个原子像；透射个原子像；透射电电子子子子经过环经过环状探状探状探状探测测器中心的小孔，由中心探器中心的小孔，由中心探器中心的小孔，由中心探器中心的小孔，由中心探测测器接器接器接器接纳纳，再用能量分析器，再用能量分析器，再用能量分析器，
27、再用能量分析器测测出出出出其其其其损损失的特征能量，便可失的特征能量，便可失的特征能量，便可失的特征能量，便可进进展成分分析。展成分分析。展成分分析。展成分分析。qq物物物物镜镜减少球差系数：添加了一个减少球差系数：添加了一个减少球差系数：添加了一个减少球差系数：添加了一个电电磁四极八极球差校正器，球差系数由磁四极八极球差校正器，球差系数由磁四极八极球差校正器，球差系数由磁四极八极球差校正器，球差系数由原来的原来的原来的原来的3.5mm3.5mm3.5mm3.5mm减少到减少到减少到减少到0.1mm0.1mm0.1mm0.1mm以下。可望把以下。可望把以下。可望把以下。可望把100kV STE
28、M100kV STEM100kV STEM100kV STEM的暗的暗的暗的暗场场像的分辨身手提像的分辨身手提像的分辨身手提像的分辨身手提高到高到高到高到0.1nm0.1nm0.1nm0.1nm。原位电子显微术原位电子显微术原位电子显微术原位电子显微术(in situ Microscopy)(in situ Microscopy)(in situ Microscopy)(in situ Microscopy)qqJEM-2021JEM-2021JEM-2021JEM-2021电镜电镜电镜电镜 + + + + 高灵敏度高灵敏度高灵敏度高灵敏度SIT-TVSIT-TVSIT-TVSIT-TV相机、
29、各种相机、各种相机、各种相机、各种样样样样品台、品台、品台、品台、UHVUHVUHVUHV样样样样品制品制品制品制备备备备腔和数腔和数腔和数腔和数字字字字录录录录像系像系像系像系统统统统：对纳对纳对纳对纳米米米米资资资资料如料如料如料如团团团团簇、外表和界面开展了如下研簇、外表和界面开展了如下研簇、外表和界面开展了如下研簇、外表和界面开展了如下研讨讨讨讨：(1)(1)(1)(1)外表分外表分外表分外表分散散散散过过过过程的直接察看，如程的直接察看，如程的直接察看，如程的直接察看，如W W W W原子在原子在原子在原子在MgO(001)MgO(001)MgO(001)MgO(001)外表分散外表
30、分散外表分散外表分散过过过过程，其程，其程，其程，其时间时间时间时间分辨率是分辨率是分辨率是分辨率是1/601/601/601/60秒，而秒，而秒，而秒，而FIMFIMFIMFIM和和和和STMSTMSTMSTM只能到达只能到达只能到达只能到达1 1 1 1秒；秒；秒；秒；(2)(2)(2)(2)研研研研讨讨讨讨Au/-Ge/MgOAu/-Ge/MgOAu/-Ge/MgOAu/-Ge/MgO的晶化初期的晶化初期的晶化初期的晶化初期阶阶阶阶段；段；段；段；(3)(3)(3)(3)晶界迁移的直接察看，晶界迁移的直接察看，晶界迁移的直接察看，晶界迁移的直接察看， (4) (4) (4) (4)进进进
31、进展展展展纳纳纳纳米米米米电电电电子束加工和原位察看，最小的加子束加工和原位察看，最小的加子束加工和原位察看，最小的加子束加工和原位察看，最小的加工尺寸达工尺寸达工尺寸达工尺寸达0.83nm20.83nm20.83nm20.83nm2，间间间间距距距距0.63nm0.63nm0.63nm0.63nm；(5)(5)(5)(5)针针针针尖外表反响和成尖外表反响和成尖外表反响和成尖外表反响和成键过键过键过键过程的直接察看；程的直接察看；程的直接察看；程的直接察看；(6)(6)(6)(6)氧化物生氧化物生氧化物生氧化物生长长长长及及及及纳纳纳纳米碳管疲米碳管疲米碳管疲米碳管疲劳过劳过劳过劳过程的直接察
32、看等。程的直接察看等。程的直接察看等。程的直接察看等。qqPhilips CM 30Philips CM 30Philips CM 30Philips CM 30高分辨高分辨高分辨高分辨电镜电镜电镜电镜 + + + + 控制气氛控制气氛控制气氛控制气氛样样样样品室品室品室品室(ECELL)(ECELL)(ECELL)(ECELL)：动态动态动态动态原位化学反响原位化学反响原位化学反响原位化学反响的研的研的研的研讨讨讨讨。在。在。在。在电镜电镜电镜电镜操作期操作期操作期操作期间间间间，样样样样品室可充品室可充品室可充品室可充3103Pa3103Pa3103Pa3103Pa的空气或更高分的空气或更高分的空气或更高分的空气或更高分压压压压的的的的氢氢氢氢气和其他气体，在气和其他气体，在气和其他气体，在气和其他气体，在枪枪枪枪体封体封体封体封锁锁锁锁的情况下，可充的情况下，可充的情况下，可充的情况下，可充3104Pa3104Pa3104Pa3104Pa的反响气体。的反响气体。的反响气体。的反响气体。
