电力电子器件(132)课件

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1、 2.1 2.1 电力电子器件概述电力电子器件概述 2.2 2.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管 2.3 2.3 半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管 2.4 2.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.5 2.5 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件 2.6 2.6 功率集成电路与集成电力电子模块功率集成电路与集成电力电子模块 本章小结本章小结 第第2章章 电力电子器件电力电子器件1电力电子器件(132)课件引言引言模拟和数字电子电路的基础模拟和数字电子电路的基础 晶体管和集成电路等电子器件晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础电力电子电路的基础 电力电子器件电力电子器件本

2、章主要内容：本章主要内容： 对电力电子器件的对电力电子器件的概念概念、特点特点和和分类分类等问题作了等问题作了简要概述简要概述 。 分别介绍各种常用电力电子器件的分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理工作原理、基基本特性本特性、主要参数主要参数以及选择和使用中应注意的一些以及选择和使用中应注意的一些问题。问题。 2电力电子器件(132)课件2.1 2.1 电力电子器件概述电力电子器件概述 2.1.1 2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征 2.1.2 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的

3、分类 2.1.4 2.1.4 本章内容和学习要点本章内容和学习要点3电力电子器件(132)课件2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念电力电子器件的概念 电力电子器件（电力电子器件（Power Electronic Device）是指可直接用于处理电能的是指可直接用于处理电能的主电路主电路中，中，实现电能的变换或控制的实现电能的变换或控制的电子器件电子器件。 主电路：在电气设备或电力系统中，直接承主电路：在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。担电能的变换或控制任务的电路。 广义上电力电子器件可分为电真空器件和半广义上电力电子器件可分为

4、电真空器件和半导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。导体器件两类，目前往往专指电力半导体器件。 4电力电子器件(132)课件2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征电力电子器件的特征电力电子器件的特征 所能处理所能处理电功率电功率的大小，也就是其承受电压和电的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理流的能力，是其最重要的参数，一般都远大于处理信息的电子器件。信息的电子器件。 为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作为了减小本身的损耗，提高效率，一般都工作在在开关状态开关状态。 由信息电子电路来控制由信息电子电路来控制 ,而且需要而且需要驱动

5、电路驱动电路。 自身的自身的功率损耗功率损耗通常仍远大于信息电子器件，通常仍远大于信息电子器件，在其工作时一般都需要安装在其工作时一般都需要安装散热器散热器。 5电力电子器件(132)课件2.1.1 电力电子器件的概念和特征电力电子器件的概念和特征通态损耗通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时，当器件的开关频率较高时，开关损耗开关损耗会随之增会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。大而可能成为器件功率损耗的主要因素。 通态损耗通态损耗断态损耗断态损耗开关损耗开关损耗开通损耗开通损耗关断损耗关断损耗电力电子器电力电子器件的功率损耗件

6、的功率损耗6电力电子器件(132)课件2.1.2 应用电力电子器件的系统组成应用电力电子器件的系统组成 电气隔离电气隔离7电力电子器件(132)课件2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照能够被控制电路信号所控制的程度按照能够被控制电路信号所控制的程度 半控型器件半控型器件 主要是指主要是指晶闸管（晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器及其大部分派生器件。器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电件。器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。流决定的。 全控型器件全控型器件 目前最常用的是目前最常用的是 IGBT和和Power MOSFET。通过。通过控制信号既

7、可以控制其导通，又可以控制其关断。控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断。 不可控器件不可控器件 电力二极管（电力二极管（Power Diode）不能用控制信号来不能用控制信号来控制其通断。控制其通断。8电力电子器件(132)课件2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照驱动信号的性质按照驱动信号的性质 电流驱动型电流驱动型 通过从控制端注入或者抽出通过从控制端注入或者抽出电流电流来实现来实现导通或者关断的控制。导通或者关断的控制。 电压驱动型电压驱动型 仅通过在控制端和公共端之间施加一定仅通过在控制端和公共端之间施加一定的的电压电压信号就可实现导通或者关断的控制。信号就可实现导

8、通或者关断的控制。9电力电子器件(132)课件2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照驱动信号的波形（电力二极管除外按照驱动信号的波形（电力二极管除外 ） 脉冲触发型脉冲触发型 通过在控制端施加一个电压或电流的通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲脉冲信号信号来实现器件的开通或者关断的控制。来实现器件的开通或者关断的控制。 电平控制型电平控制型 必须通过必须通过持续持续在控制端和公共端之间施加一定在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电流信号来使器件开通并电平的电压或电流信号来使器件开通并维持维持在导通状在导通状态或者关断并维持在阻断状态。态或者关断并维持在阻断状态。 10电力电子

9、器件(132)课件2.1.3 电力电子器件的分类电力电子器件的分类按照载流子参与导电的情况按照载流子参与导电的情况 单极型器件单极型器件 由一种由一种载流子载流子参与导电。参与导电。 双极型器件双极型器件 由由电子电子和和空穴空穴两种载流子参与导电。两种载流子参与导电。 复合型器件复合型器件 由单极型器件和双极型器件集成混合而成，由单极型器件和双极型器件集成混合而成， 也称混合型器件。也称混合型器件。 11电力电子器件(132)课件2.1.4 本章内容和学习要点本章内容和学习要点本章内容本章内容 按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其它新型

10、器件的顺序，分别介绍各种电力电子器件的它新型器件的顺序，分别介绍各种电力电子器件的工作工作原理原理、基本特性基本特性、主要参数主要参数以及选择和使用中应注意的以及选择和使用中应注意的一些问题。一些问题。学习要点学习要点 最重要的是掌握其最重要的是掌握其基本特性基本特性。 掌握电力电子器件的掌握电力电子器件的型号命名法型号命名法，以及其，以及其参数参数和和特性特性曲线曲线的使用方法。的使用方法。 了解电力电子器件的了解电力电子器件的半导体物理结构半导体物理结构和和基本工作原理基本工作原理12电力电子器件(132)课件2.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管 2.2.1 PN2.2.1 P

11、N结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理 2.2.2 2.2.2 电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性 2.2.3 2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数 2.2.4 2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型13电力电子器件(132)课件2.2 不可控器件不可控器件电力二极管电力二极管引言引言电力二极管（电力二极管（Power Diode）自自20世纪世纪50年代初期就获得应年代初期就获得应用，但其结构和原理简单，工作用，但其结构和原理简单，工作可靠，直到现在电力二极管仍然可靠，直到现在电力二极管仍然大量应用于许多电气设备当中。大量应用于许多电气设备当中

12、。在采用全控型器件的电路中电力在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少的，特别二极管往往是不可缺少的，特别是开通和关断速度很快的是开通和关断速度很快的快恢复快恢复二极管二极管和和肖特基二极管肖特基二极管，具有不，具有不可替代的地位。可替代的地位。整流二极管及模块整流二极管及模块14电力电子器件(132)课件AKAKa)IKAPNJb)c)AK2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理电力二极管是以半电力二极管是以半导体导体PN结结为基础的为基础的, ,实际上是由一个面积实际上是由一个面积较大的较大的PN结结和和两端引两端引线线以及以及封装封装组成的。组成的。从外形

13、上看，可以有从外形上看，可以有螺栓型螺栓型、平板型平板型等多等多种封装。种封装。图图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形外形 b) 基本结构基本结构 c) 电气图形符号电气图形符号15电力电子器件(132)课件2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理结与电力二极管的工作原理二极管的基本原理二极管的基本原理PN结的结的单向导电性单向导电性 当当PN结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路结外加正向电压（正向偏置）时，在外电路上则形成自上则形成自P区流入而从区流入而从N区流出的电流，称为区流出的电流，称为正向正向电流电流IF，这就是，这就是PN

14、结的正向导通状态。结的正向导通状态。 当当PN结外加反向电压时（反向偏置）时，反向偏结外加反向电压时（反向偏置）时，反向偏置的置的PN结表现为结表现为高阻态高阻态，几乎没有电流流过，被称，几乎没有电流流过，被称为反向截止状态。为反向截止状态。 PN结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向结具有一定的反向耐压能力，但当施加的反向电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏电压过大，反向电流将会急剧增大，破坏PN结反向结反向偏置为截止的工作状态，这就叫偏置为截止的工作状态，这就叫反向击穿反向击穿。16电力电子器件(132)课件2.2.2 电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性静态特性静态特性 主要是指其

15、主要是指其伏安特性伏安特性 正向电压大到一定值（正向电压大到一定值（门槛门槛 电压电压UTO ），正向电流才开始），正向电流才开始 明显增加，处于稳定导通状态。明显增加，处于稳定导通状态。 与与IF对应的电力二极管两端的对应的电力二极管两端的 电压即为其电压即为其正向电压降正向电压降UF。 承受反向电压时，只有承受反向电压时，只有少子少子 引起的微小而数值恒定的引起的微小而数值恒定的反向反向 漏电流漏电流。IOIFUTOUFU图图2-5 电力二极管的伏安特性电力二极管的伏安特性17电力电子器件(132)课件2.2.2 电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性a)IFUFtFt0trrtdtft

16、1t2tURURPIRPdiFdtdiRdtu 图图2-6 电力二极管的动态过程波形（电力二极管的动态过程波形（ 正向偏置转换为反向偏置正向偏置转换为反向偏置 ）t0:正向电流降正向电流降为零的时刻为零的时刻t1:反向电流达反向电流达最大值的时刻最大值的时刻t2:电流变化率接电流变化率接近于零的时刻近于零的时刻动态特性动态特性18电力电子器件(132)课件2.2.2 电力二极管的基本特性电力二极管的基本特性a)IFUFtFt0trrtdtft1t2tURURPIRPd iFd td iRd t正向偏置转换为反向偏置正向偏置转换为反向偏置由正向偏置转换为反向偏置由正向偏置转换为反向偏置 电力二极

17、管并不能立即关断，电力二极管并不能立即关断，而是须经过一段短暂的时间才能重新而是须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态。获得反向阻断能力，进入截止状态。 在关断之前有较大的反向电流在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。出现，并伴随有明显的反向电压过冲。 延迟时间延迟时间：td=t1-t0 电流下降时间电流下降时间：tf =t2- t1 反向恢复时间反向恢复时间：trr=td+ tf 恢复特性的软度恢复特性的软度： tf /td，或称，或称恢复系恢复系 数，用数，用Sr表示。表示。19电力电子器件(132)课件2.2.2 电力二极管的基本特性电力二极管的

18、基本特性UFPuiiFuFtfrt02V由零偏置转换为正向偏置由零偏置转换为正向偏置 先出现一个先出现一个过冲过冲UFP，经，经过一段时间才趋于接近稳态过一段时间才趋于接近稳态压降的某个值（如压降的某个值（如2V）。）。 正向恢复时间正向恢复时间tfr 出现电压过冲的原因出现电压过冲的原因:电电导调制效应导调制效应起作用所需的大量起作用所需的大量少子需要一定的时间来储存，少子需要一定的时间来储存，在达到稳态导通之前管压降较在达到稳态导通之前管压降较大；正向电流的上升会因器件大；正向电流的上升会因器件自身的自身的电感电感而产生较大压降。而产生较大压降。电流上升率电流上升率越大，越大，UFP越高。

19、越高。 图图2-6 电力二极管的动态过程波形电力二极管的动态过程波形 b) 零偏置转换为正向偏置零偏置转换为正向偏置 20电力电子器件(132)课件2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数正向平均电流正向平均电流IF(AV) 指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度（简称壳温，指电力二极管长期运行时，在指定的管壳温度（简称壳温，用用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波工频正弦半波电流电流的平均值。的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效有效值相等值相等的原则来选取

20、电流定额，并应留有一定的裕量。的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。正向压降正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电稳态正向电流流时对应的正向压降。时对应的正向压降。反向重复峰值电压反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压。使用时，应当留有时，应当留有两倍两倍的裕量。的裕量。 21电力电子器件(132)课件2.2.3 电力二极管的主要参数电力二极管的主要参数最高工作结温最高工作结温TJM 结温是指管芯结温是指管芯PN结的平均温度，用结的平均温度，用

21、TJ表示。表示。 最高工作结温是指在最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所结不致损坏的前提下所能承受的能承受的最高平均温度最高平均温度。 TJM通常在通常在125175 C范围之内。范围之内。反向恢复时间反向恢复时间trr浪涌电流浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工工频周期的过电流频周期的过电流。22电力电子器件(132)课件2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同，介绍几种常用能，特别是反向恢复特性的不同，介绍

22、几种常用的电力二极管。的电力二极管。 普通二极管（普通二极管（General Purpose Diode） 又称又称整流二极管（整流二极管（Rectifier Diode），多，多用于开关频率不高（用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。以下）的整流电路中。 其其反向恢复时间反向恢复时间较长，一般在较长，一般在5 s以上以上 。 其其正向电流定额正向电流定额和和反向电压定额反向电压定额可以达到很高。可以达到很高。 23电力电子器件(132)课件2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型快恢复二极管（快恢复二极管（Fast Recovery DiodeFRD） 恢复过程恢复过程很

23、短，特别是很短，特别是反向恢复过程反向恢复过程很短（一很短（一般在般在5 s以下）以下） 。 快恢复外延二极管快恢复外延二极管 （Fast Recovery Epitaxial DiodesFRED） ，采用，采用外延型外延型P-i-N结构结构 ，其反向恢复时间更短（可低于，其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（），正向压降也很低（0.9V左右）。左右）。 从性能上可分为从性能上可分为快速恢复快速恢复和和超快速恢复超快速恢复两个等两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在在100ns以下，甚至达到以下，甚至达到2030ns。

24、24电力电子器件(132)课件2.2.4 电力二极管的主要类型电力二极管的主要类型肖特基二极管（肖特基二极管（Schottky Barrier DiodeSBD） 属于属于多子多子器件器件 优点在于：优点在于：反向恢复时间反向恢复时间很短（很短（1040ns），正向），正向恢复过程中也不会有明显的恢复过程中也不会有明显的电压过冲电压过冲；在反向耐压较低；在反向耐压较低的情况下其的情况下其正向压降正向压降也很小，明显低于快恢复二极管；也很小，明显低于快恢复二极管；因此，其因此，其开关损耗开关损耗和和正向导通损耗正向导通损耗都比快速二极管还要都比快速二极管还要小，效率高。小，效率高。 弱点在于：当

25、所能承受的反向耐压提高时其弱点在于：当所能承受的反向耐压提高时其正向压降正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下的低压以下的低压场合；场合；反向漏电流反向漏电流较大且对较大且对温度温度敏感，因此敏感，因此反向稳态损反向稳态损耗耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度。25电力电子器件(132)课件2.3 半控型器件半控型器件晶闸管晶闸管 2.3.1 2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理 2.3.2 2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性 2.3.3 2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸

26、管的主要参数 2.3.4 2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件26电力电子器件(132)课件2.3 2.3 半控器件半控器件晶闸管晶闸管引言引言晶闸管（晶闸管（Thyristor）是）是晶体闸流管晶体闸流管的简称，又称作的简称，又称作可可控硅整流器（控硅整流器（Silicon Controlled RectifierSCR），以前被简称为可控硅。，以前被简称为可控硅。 由于其能承受的由于其能承受的电压和电流容量电压和电流容量仍然是目前电力电子器件仍然是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠，因此在中最高的，而且工作可靠，因此在大容量大容量的应用场合仍的应用场合仍然具有比较重要的地位。然

27、具有比较重要的地位。27电力电子器件(132)课件2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构晶闸管的结构 从外形上来看，晶闸从外形上来看，晶闸管也主要有管也主要有螺栓型螺栓型和和平板型平板型两种封装结构两种封装结构 。 引出引出阳极阳极A、阴极阴极K和和门极（控制端）门极（控制端）G三个联接端。三个联接端。 内部是内部是PNPN四层半四层半导体结构。导体结构。 图图2-7 晶闸管的外形、结构和电气图形符号晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形外形 b) 结构结构 c) 电气图形符号电气图形符号 28电力电子器件(132)课件2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸

28、管的结构与工作原理图图2-8 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理晶闸管的双晶体管模型及其工作原理晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理 按照晶体管工作原理，可按照晶体管工作原理，可列出如下方程：列出如下方程：（2-2）（2-1）（2-3）（2-4）29电力电子器件(132)课件2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结构与工作原理晶体管的特性是：在低发射极电流下晶体管的特性是：在低发射极电流下 是很小的，而是很小的，而当发射极电流建立起来之后，当发射极电流建立起来之后， 迅速增大。迅速增大。在晶体管在晶体管阻断状态阻断状态下，下，IG=0，而，而 1+ 2是很小的。是很小的。由上式可看出，此时流过晶

29、闸管的漏电流只是稍大于由上式可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管漏电流之和。两个晶体管漏电流之和。 如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致致 1+ 2趋近于趋近于1的话，流过晶闸管的电流的话，流过晶闸管的电流IA（阳极（阳极电流）电流）将趋近于将趋近于无穷大无穷大，从而实现器件，从而实现器件饱和导通饱和导通。由于外电路负载的限制，由于外电路负载的限制，IA实际上会维持实际上会维持有限值有限值。 由以上式（由以上式（2-1）（2-4）可得）可得(2-5)30电力电子器件(132)课件2.3.1 晶闸管的结构与工作原理晶闸管的结

30、构与工作原理除门极触发外除门极触发外其他几种可能导通的情况其他几种可能导通的情况 阳极电压升高至相当高的数值造成阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应雪崩效应 阳极电压上升率阳极电压上升率du/dt过高过高 结温结温较高较高 光触发光触发这些情况除了这些情况除了光触发光触发由于可以保证控制电路与由于可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中之外，其它都因不易控制而难以应用于实践。只之外，其它都因不易控制而难以应用于实践。只有有门极触发门极触发是最精确、迅速而可靠的控制手段。是最精确、迅速而可靠的控制手段。 31电力电子器件(132)课

31、件2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性静态特性静态特性 正常工作时的特性正常工作时的特性 当晶闸管承受当晶闸管承受反向电压反向电压时，不论门极是否有触发时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通电流，晶闸管都不会导通 。 当晶闸管承受当晶闸管承受正向电压正向电压时，仅在时，仅在门极门极有有触发电流触发电流的情况下晶闸管才能开通的情况下晶闸管才能开通 。 晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通 。 若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压若要使已导通的晶闸管关断，

32、只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某电流降到接近于零的某一数值以下一数值以下。 32电力电子器件(132)课件2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性 图图2-9 晶闸管的伏安特性晶闸管的伏安特性 IG2 IG1 IG 正向转折正向转折电压电压Ubo正向导通雪崩击穿O+ UA- UA- IAIAIHIG2IG1IG=0UboUDSMUDRMURRMURSM+33电力电子器件(132)课件2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性 图图2-10 晶闸管的开晶闸管的开通和关断过程波形通和关断过程波形阳极电流阳极电流稳态值的稳态值的90%

33、100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA阳极电流稳阳极电流稳态值的态值的10%反向恢复电反向恢复电流最大值流最大值尖峰电压尖峰电压34电力电子器件(132)课件2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性动态特性动态特性 开通过程开通过程 由于晶闸管内部的由于晶闸管内部的正反馈过程正反馈过程需要时间，再加上需要时间，再加上外电路电感外电路电感的限的限制，晶闸管受到触发后，其阳极电制，晶闸管受到触发后，其阳极电流的增长不可能是流的增长不可能是瞬时瞬时的。的。 延迟时间延迟时间td (0.51.5 s) 上升时间上升时间tr (0.53 s) 开通时间开通时间tgt

34、=td+tr 延迟时间随延迟时间随门极电流门极电流的增大而的增大而减小减小,上升时间除反映晶闸管本身特上升时间除反映晶闸管本身特性外，还受到性外，还受到外电路电感外电路电感的严重影的严重影响。提高响。提高阳极电压阳极电压,延迟时间和上升延迟时间和上升时间都可显著缩短。时间都可显著缩短。 图图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的开通和关断过程波形100%90%10%uAKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA35电力电子器件(132)课件2.3.2 晶闸管的基本特性晶闸管的基本特性关断过程关断过程 由于由于外电路电感外电路电感的存在，原处的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电于导

35、通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。过渡过程的。 反向阻断恢复时间反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间正向阻断恢复时间tgr 关断时间关断时间tq=trr+tgr 关断时间约几百微秒。关断时间约几百微秒。 在在正向阻断恢复时间正向阻断恢复时间内如果重内如果重新对晶闸管施加新对晶闸管施加正向电压正向电压，晶，晶闸管会重新正向导通，而不是闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。受门极电流控制而导通。图图2-10 晶闸管的开通和关断过程波形晶闸管的开通和关断过程波形100%90%10%u

36、AKttO0tdtrtrrtgrURRMIRMiA36电力电子器件(132)课件2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数断态重复峰值电压断态重复峰值电压UDRM 是在门极断路而结温为额定值时，允许是在门极断路而结温为额定值时，允许重复重复加在器件上的加在器件上的正向峰值电压正向峰值电压（见图（见图2-9）。）。 国标规定断态重复峰值电压国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值电压为断态不重复峰值电压（即断态最大瞬时电压）（即断态最大瞬时电压）UDSM的的90%。 断态不重复峰值电压应低于断态不重复峰值电压应低于正向转折电压正向转折电压Ubo。 反向重复峰值电压反向重复峰值电压URR

37、M 是在门极断路而结温为额定值时，允许是在门极断路而结温为额定值时，允许重复重复加在器件上的加在器件上的反向峰值电压反向峰值电压（见图（见图2-8）。）。 规定反向重复峰值电压规定反向重复峰值电压URRM为反向不重复峰值电压（即反为反向不重复峰值电压（即反向最大瞬态电压）向最大瞬态电压）URSM的的90%。 反向不重复峰值电压应低于反向不重复峰值电压应低于反向击穿电压反向击穿电压。电压定额电压定额37电力电子器件(132)课件2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数 通态（峰值）电压通态（峰值）电压UT 晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。晶闸管通以某一规定倍数的额定

38、通态平均电流时的瞬态峰值电压。 通常取晶闸管的通常取晶闸管的UDRM和和URRM中较小的标值作为该器件的中较小的标值作为该器件的额定电压额定电压。 选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压选用时，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压23倍倍。电流定额电流定额 通态平均电流通态平均电流 IT(AV） 国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为国标规定通态平均电流为晶闸管在环境温度为40 C和规定的和规定的冷却状态冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。弦半波电流的平均值。 按照正向电流造

39、成的器件本身的通态损耗的按照正向电流造成的器件本身的通态损耗的发热效应发热效应来定义的。来定义的。 一般取其通态平均电流为按发热效应相等（即有效值相等）的一般取其通态平均电流为按发热效应相等（即有效值相等）的 原则所得计算结果的原则所得计算结果的1.52倍。倍。 38电力电子器件(132)课件2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数维持电流维持电流IH 维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小最小电流，电流，一般为几十到几百毫安。一般为几十到几百毫安。 结温结温越高，则越高，则IH越小。越小。 擎住电流擎住电流 IL 擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移

40、除触发信擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的号后，能维持导通所需的最小最小电流。电流。 约为约为IH的的24倍倍 浪涌电流浪涌电流ITSM 指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性的不重复性最大正向过载电流最大正向过载电流。39电力电子器件(132)课件2.3.3 晶闸管的主要参数晶闸管的主要参数动态参数动态参数 开通时间开通时间tgt和关断时间和关断时间tq 断态电压临界上升率断态电压临界上升率du/dt 在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转

41、换的断态到通态转换的外加电压最大上升率外加电压最大上升率。 电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通管误导通 。 通态电流临界上升率通态电流临界上升率di/dt 在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大最大通态电流上升率通态电流上升率。 如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。损坏。40电力电子器件(132)课件2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件快速晶闸管（快速晶闸管（Fast Switching ThyristorFST） 有有快

42、速晶闸管快速晶闸管和和高频晶闸管高频晶闸管。 快速晶闸管的快速晶闸管的开关时间开关时间以及以及du/dt和和di/dt的耐量都的耐量都有了明显改善。有了明显改善。 从从关断时间关断时间来看，普通晶闸管一般为来看，普通晶闸管一般为数百数百微秒，快微秒，快速晶闸管为速晶闸管为数十数十微秒，而高频晶闸管则为微秒，而高频晶闸管则为10 s左右。左右。 高频晶闸管的不足在于其高频晶闸管的不足在于其电压电压和和电流电流定额都不易做定额都不易做高。高。 由于工作频率较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管的由于工作频率较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管的通态平均电流时不能忽略其通态平均电流时不能忽略其开关损耗开关损耗

43、的发热效应。的发热效应。 41电力电子器件(132)课件2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件a)b)IOUIG=0GT1T2双向晶闸管（双向晶闸管（Triode AC SwitchTRIAC或或Bidirectional triode thyristor） 可以认为是一对可以认为是一对反并联联反并联联 接接的普通晶闸管的集成的普通晶闸管的集成。 门极使器件在主电极的正门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通，在第反两方向均可触发导通，在第和第和第III象限有象限有对称的伏安特对称的伏安特性性。 双向晶闸管通常用在交流双向晶闸管通常用在交流电路中，因此不用平均值而用电路中，因此不用平均

44、值而用有效值有效值来表示其额定电流值。来表示其额定电流值。图图2-11 双向晶闸管的电气图形双向晶闸管的电气图形符号和伏安特性符号和伏安特性a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 42电力电子器件(132)课件2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件a)KGAb)UOIIG=0逆导晶闸管（逆导晶闸管（Reverse Conducting ThyristorRCT） 是将是将晶闸管反并联一个二晶闸管反并联一个二极管极管制作在同一管芯上的功制作在同一管芯上的功率集成器件，不具有承受率集成器件，不具有承受反反向电压向电压的能力，一旦承受反的能力，一旦承受反向电压即开通。向电压即开

45、通。 具有正向压降小、关断时具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结间短、高温特性好、额定结温高等优点，可用于不需要温高等优点，可用于不需要阻断反向电压的电路中。阻断反向电压的电路中。 图图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号逆导晶闸管的电气图形符号和伏安特性和伏安特性 a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 43电力电子器件(132)课件2.3.4 晶闸管的派生器件晶闸管的派生器件a)AGKAK光强度强弱b)OUIA光控晶闸管（光控晶闸管（Light Triggered ThyristorLTT） 是利用一定波长的是利用一定波长的光照光照信号信号触发导通的晶闸管。触发导通

46、的晶闸管。 由于采用光触发保证了由于采用光触发保证了主电路与控制电路之间的主电路与控制电路之间的绝绝缘缘，而且可以避免电磁干扰，而且可以避免电磁干扰的影响，因此光控晶闸管目的影响，因此光控晶闸管目前在前在高压大功率高压大功率的场合的场合。图图2-13 光控晶闸管的电气图形符光控晶闸管的电气图形符 号和伏安特性号和伏安特性 a) 电气图形符号电气图形符号 b) 伏安特性伏安特性 44电力电子器件(132)课件2.4 典型全控型器件典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体

47、管绝缘栅双极晶体管45电力电子器件(132)课件2.4 典型全控型器件典型全控型器件引言引言门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。门极可关断晶闸管在晶闸管问世后不久出现。20世纪世纪80年代以来，电力电子技术进入了一个年代以来，电力电子技术进入了一个崭新时代。崭新时代。典型代表典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管、门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。电力电力MOSFETIGBT单管及模块单管及模块46电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管晶闸管的一种派生器件，但可以晶闸管的一种派生器件，但可以通

48、过在门极施加负的脉冲电流通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，因而属于使其关断，因而属于全控型器全控型器件件。 GTO的结构和工作原理的结构和工作原理 GTO的结构的结构 是是PNPN四层半导体结构四层半导体结构。 是一种多元的功率集成器件，是一种多元的功率集成器件，虽然外部同样引出虽然外部同样引出3个极，但个极，但内部则包含数十个甚至数百个内部则包含数十个甚至数百个共阳极的共阳极的小小GTO元元，这些，这些GTO元的元的阴极阴极和和门极门极则在器件则在器件内部内部并联并联在一起。在一起。 图图2-14 GTO的内部结构和电气图形符号的内部结构和电气图形符号a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形各

49、单元的阴极、门极间隔排列的图形 b) 并联单元结构断面示意图并联单元结构断面示意图 c) 电气图形符号电气图形符号47电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 图图2-8 晶闸管的双晶体管模型晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理及其工作原理 a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 工作原理工作原理GTO的工作原理的工作原理 仍然可以用如图仍然可以用如图2-8所示的所示的双晶体管模型双晶体管模型来分析，来分析，V1、V2的共的共基极电流增益分别是基极电流增益分别是 1、 2。 1+ 2=1是器件临是器件临界导通的条件，大于界导通的条件，大于1导通，小于导通，小于1则关断

50、。则关断。 48电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管 图图2-8 晶闸管的双晶体管模型晶闸管的双晶体管模型 及其工作原理及其工作原理 a) 双晶体管模型双晶体管模型 b) 工作原理工作原理GTO与普通晶闸管的不同与普通晶闸管的不同 设计设计 2较大，使晶体管较大，使晶体管V2控制控制 灵敏，易于灵敏，易于GTO关断。关断。 导通时导通时 1+ 2更接近更接近1，导，导通时接近通时接近临界饱和临界饱和，有利门极，有利门极控制关断，但导通时管控制关断，但导通时管压降压降增增大。大。 多元集成结构，使得多元集成结构，使得P2基基区区横向电阻很小，能从门极抽横向电阻很

51、小，能从门极抽出较大电流。出较大电流。 49电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时只不过导通时饱和程度饱和程度较浅。较浅。 而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽而关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当两个晶体管发射极电流出电流，当两个晶体管发射极电流IA和和IK的的减小使减小使 1+ 21时，器件退出时，器件退出饱和饱和而关断。而关断。 GTO的的多元集成结构多元集成结构使得其比普通晶闸管使得其比普通晶闸管开通过程开通过程更快，承受更快，承受di/dt的能力增强。的能力增强。

52、 50电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的动态特性的动态特性 开通过程与普通晶闸管类似。开通过程与普通晶闸管类似。 关断过程关断过程 储存时间储存时间ts 下降时间下降时间tf 尾部时间尾部时间tt 通常通常tf比比ts小得多，而小得多，而tt比比ts要长。要长。 门极负脉冲电流门极负脉冲电流幅值幅值越越大，大，前沿前沿越陡，越陡， ts就越短。就越短。使门极负脉冲的使门极负脉冲的后沿后沿缓慢衰缓慢衰减，在减，在tt阶段仍能保持适当阶段仍能保持适当的的负电压负电压，则可以缩短，则可以缩短尾部尾部时间时间。图图2-15 GTO的开通和关断过程电流波形的开

53、通和关断过程电流波形 Ot0tiGiAIA90%IA10%IAtttftstdtrt0t1t2t3t4t5t6抽取饱和导通时抽取饱和导通时储存的大量载流储存的大量载流子的时间子的时间等效晶体管从饱等效晶体管从饱和区退至放大区，和区退至放大区，阳极电流逐渐减阳极电流逐渐减小时间小时间 残存载残存载流子复流子复合所需合所需时间时间 51电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的主要参数的主要参数 GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同。同。 最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO 用来标称用来标称GTO额定

54、电流额定电流。 电流关断增益电流关断增益 off 最大可关断阳极电流最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大与门极负脉冲电流最大值值IGM之比。之比。 off一般很小，只有一般很小，只有5左右，这是左右，这是GTO的一个主的一个主要缺点。要缺点。 52电力电子器件(132)课件2.4.1 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTO的主要参数的主要参数 开通时间开通时间ton 延迟延迟时间与时间与上升上升时间之和。时间之和。 延迟时间一般约延迟时间一般约12 s，上升时间则随，上升时间则随通态通态阳极电流值阳极电流值的增大而增大。的增大而增大。 关断时间关断时间toff 一般指一般指储存储存时

55、间和时间和下降下降时间之和，而不包括时间之和，而不包括尾尾部部时间。时间。 储存时间随储存时间随阳极电流阳极电流的增大而增大，下降时间的增大而增大，下降时间一般小于一般小于2 s。53电力电子器件(132)课件2.4.2 电力晶体管电力晶体管电力晶体管（电力晶体管（Giant TransistorGTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的大电流的双极结型晶体管（双极结型晶体管（Bipolar Junction TransistorBJT） GTR的结构和工作原理的结构和工作原理 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。与普通的双极结型晶体管

56、基本原理是一样的。 最主要的特性是最主要的特性是耐压高耐压高、电流大电流大、开关特性好。开关特性好。54电力电子器件(132)课件 GTR的结构的结构 采用至少由两个晶体管按采用至少由两个晶体管按达林顿接法达林顿接法组成的单元结构，并采组成的单元结构，并采用集成电路工艺将许多这种单元用集成电路工艺将许多这种单元并联并联而成。而成。 GTR是由是由三层半导体三层半导体（分别引出集电极、基极和发射极）形（分别引出集电极、基极和发射极）形成的两个成的两个PN结（集电结和发射结）构成，多采用结（集电结和发射结）构成，多采用NPN结构。结构。2.4.2 电力晶体管电力晶体管55电力电子器件(132)课件

57、2.4.2 电力晶体管电力晶体管空穴流电子流c)EbEcibic=bibie=(1+b )ib图图2-16 c) 内部载流子的流动内部载流子的流动 在应用中，在应用中，GTR一般采用共发射极接一般采用共发射极接法。集电极电流法。集电极电流ic与基极电流与基极电流ib之比为之比为 称为称为GTR的的电流放大系数电流放大系数，它反映，它反映了基极电流对集电极电流的控制能力。了基极电流对集电极电流的控制能力。当考虑到集电极和发射极间的漏电流当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，时，ic和和ib的关系为的关系为 单管单管GTR的的 值比处理信息用的小功值比处理信息用的小功率晶体管小得多，通常为率

58、晶体管小得多，通常为10左右，采用左右，采用达林顿接法达林顿接法可以有效地增大电流增益。可以有效地增大电流增益。56电力电子器件(132)课件2.4.2 电力晶体管电力晶体管GTR的基本特性的基本特性 静态特性静态特性 在在共发射极共发射极接法时的典接法时的典 型输出特性分为型输出特性分为截止区截止区、放放 大区大区和和饱和区饱和区三个区域。三个区域。 在电力电子电路中，在电力电子电路中， GTR工作在工作在开关状态开关状态，即工，即工 作在作在截止区截止区或或饱和区饱和区。 在开关过程中，即在截在开关过程中，即在截 止区和饱和区之间过渡时，止区和饱和区之间过渡时， 一般要经过一般要经过放大区

59、放大区。截止区放大区饱和区OIcib3ib2ib1ib1ib220V将导致绝将导致绝缘层击穿。缘层击穿。 极间电容极间电容 CGS、CGD和和CDS。 漏源间的漏源间的耐压耐压、漏极最大允许、漏极最大允许电流电流和最大和最大耗散功率耗散功率决定了电力决定了电力MOSFET的安全工作区。的安全工作区。 69电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管GTR和和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力低，所需驱动功率大，驱动

60、电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。动电路简单。绝缘栅双极晶体管（绝缘栅双极晶体管（Insulated-gateBipolar TransistorIGBT或或IGT）综合了综合了GTR和和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。的优点，因而具有良好的特性。 70电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的结构的结构 是三端器件，具是三端器件，具有有栅极栅极G、集电极集电极C和和发射极发射极E。 简化

61、等效电路表简化等效电路表明，明，IGBT是用是用GTR与与MOSFET组成的组成的达林顿达林顿结构，相当于结构，相当于一个由一个由MOSFET驱驱动的厚基区动的厚基区PNP晶体晶体管。管。 RN为晶体管基区为晶体管基区内的调制电阻。内的调制电阻。71电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理的工作原理 IGBT的驱动原理与电力的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种基本相同，是一种场控场控器件。器件。 其开通和关断是由栅极和发射极间的电压其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。决定的。 当当UGE为正且大于开启电压为正且大于开启电压U

62、GE(th)时，时，MOSFET内形成沟道，内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。导通。 当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。关断。 电导调制效应电导调制效应使得电阻使得电阻RN减小，这样高耐压的减小，这样高耐压的IGBT也具有也具有很小的很小的通态压降通态压降。 72电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的基本特性的基本特性 静态特性静态特性 转移特性转

63、移特性 描述的是集电极电流描述的是集电极电流 IC与栅射电压与栅射电压UGE之间的之间的 关系。关系。 开启电压开启电压UGE(th)是是 IGBT能实现电导调制而能实现电导调制而 导通的最低栅射电压，随导通的最低栅射电压，随 温度温度升高而略有下降。升高而略有下降。 图图2-24 IGBT的转移特性的转移特性73电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管输出特性（伏安特性）输出特性（伏安特性） 描述的是以栅射电压为参考描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流变量时，集电极电流IC与集射与集射极间电压极间电压UCE之间的关系。之间的关系。 分为三个区域：分为三个区

64、域：正向阻断区正向阻断区、有源区有源区和和饱和区饱和区。 当当UCE0时，时，IGBT为反向为反向阻断工作状态。阻断工作状态。 在电力电子电路中，在电力电子电路中，IGBT工作在工作在开关状态开关状态，因而是在，因而是在正正向阻断区向阻断区和和饱和区饱和区之间来回转之间来回转换。换。 (b)图图2-24 IGBT的输出特性的输出特性74电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管动态特性动态特性 开通过程开通过程 开通延迟时间开通延迟时间td(on) 电流上升时间电流上升时间tr 电压下降时间电压下降时间tfv 开通时间开通时间 ton= td(on)+tr+ tfv

65、 tfv分为分为tfv1和和tfv2两段。两段。 关断过程关断过程 关断延迟时间关断延迟时间td(off) 电压上升时间电压上升时间trv 电流下降时间电流下降时间tfi 关断时间关断时间 toff = td(off) +trv+tfi tfi分为分为tfi1和和tfi2两段两段 75电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的主要参数的主要参数 前面提到的各参数。前面提到的各参数。 最大集射极间电压最大集射极间电压UCES 由器件内部的由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电晶体管所能承受的击穿电压所确定的。压所确定的。 最大集电极电流最大集电极电流 包括

66、额定直流电流包括额定直流电流IC和和1ms脉宽最大电流脉宽最大电流ICP。 最大集电极功耗最大集电极功耗PCM 在正常工作温度下允许的最大耗散功率。在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 76电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管IGBT的特性和参数特点可以总结如下：的特性和参数特点可以总结如下： 开关速度开关速度高，高，开关损耗开关损耗小。小。 在相同电压和电流定额的情况下，在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的的安全工安全工作区作区比比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。 通态压降通态压降比比VDMOSFET低，特别是在

67、电流较大的低，特别是在电流较大的区域。区域。 输入阻抗输入阻抗高，其输入特性与电力高，其输入特性与电力MOSFET类似。类似。 与电力与电力MOSFET和和GTR相比，相比，IGBT的的耐压耐压和和通通流能力流能力还可以进一步提高，同时保持还可以进一步提高，同时保持开关频率开关频率高的高的特点。特点。 77电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 在在IGBT内部寄生着一个内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。栅极失去对集电极电流的控晶体管组成的寄生晶闸管。栅极失去对集电极电流的控制作用，电流失控

68、，这种现象称为制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应擎住效应或或自锁效应自锁效应。 引发擎住效应的原因，可能是引发擎住效应的原因，可能是集电极电流集电极电流过大（静态擎住效过大（静态擎住效应），应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或过大（动态擎住效应），或温度温度升高。升高。IGBT的擎住效应的擎住效应78电力电子器件(132)课件2.4.4 绝缘栅双极晶体管绝缘栅双极晶体管 IGBT的安全工作区的安全工作区 正向偏置正向偏置安全工作区（安全工作区（Forward Biased Safe Operating AreaFBSOA） 根据最大集电极电流、最大集射极间电压和根据最大集电极电流、

69、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。最大集电极功耗确定。 反向偏置反向偏置安全工作区（安全工作区（Reverse Biased Safe Operating AreaRBSOA） 根据最大集电极电流、最大集射极间电压和根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率最大允许电压上升率dUCE/dt。 79电力电子器件(132)课件2.5 其他新型电力电子器件其他新型电力电子器件 2.5.1 MOS控制晶闸管控制晶闸管MCT 2.5.2 静电感应晶体管静电感应晶体管SIT 2.5.3 静电感应晶闸管静电感应晶闸管SITH 2.5.4 集成门极换流晶闸管集成门极换流晶闸管IGCT80电力

70、电子器件(132)课件2.5.1 MOS控制晶闸管控制晶闸管MCTMCT（MOS Controlled Thyristor）是将）是将MOSFET与与晶闸管晶闸管组合而成的复合型器件。组合而成的复合型器件。 结合了结合了MOSFET的高输入阻抗、低驱动功率、的高输入阻抗、低驱动功率、快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通快速的开关过程和晶闸管的高电压大电流、低导通压降的特点。压降的特点。由数以万计的由数以万计的MCT元元组成，每个元的组成为：组成，每个元的组成为：一个一个PNPN晶闸管，一个控制该晶闸管开通的晶闸管，一个控制该晶闸管开通的MOSFET，和一个控制该晶闸管关断的，和一个控制

71、该晶闸管关断的MOSFET。 其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量其关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。都远未达到预期的数值，未能投入实际应用。 81电力电子器件(132)课件2.5.2 静电感应晶体管静电感应晶体管SIT是一种是一种结型场效应晶体管结型场效应晶体管。是一种是一种多子导电多子导电的器件，其的器件，其工作频率工作频率与电力与电力MOSFET相当，甚至超过电力相当，甚至超过电力MOSFET，而，而功率容量功率容量也比电也比电力力MOSFET大，因而适用于大，因而适用于高频大功率高频大功率场合。场合。栅极不加任何信号时是导通的，栅极加

72、负偏压时关断，栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为这被称为正常导通型器件正常导通型器件，使用不太方便，此外，使用不太方便，此外SIT通态电阻通态电阻较大，使得较大，使得通态损耗通态损耗也大，因而也大，因而SIT还未在还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。大多数电力电子设备中得到广泛应用。 82电力电子器件(132)课件2.5.3 静电感应晶闸管静电感应晶闸管SITH可以看作是可以看作是SIT与与GTO复合而成。复合而成。 又被称为又被称为场控晶闸管（场控晶闸管（Field Controlled ThyristorFCT），），本质上是两种载流子导本质上是两种载流子导电的电

73、的双极型双极型器件，具有电导调制效应，通态压降低、器件，具有电导调制效应，通态压降低、通流能力强。通流能力强。 其很多特性与其很多特性与GTO类似，但类似，但开关速度开关速度比比GTO高得高得多，是多，是大容量大容量的快速器件。的快速器件。 一般也是正常导通型，但也有一般也是正常导通型，但也有正常关断型正常关断型 ，电流关，电流关断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。断增益较小，因而其应用范围还有待拓展。 83电力电子器件(132)课件2.5.4 集成门极换流晶闸管集成门极换流晶闸管IGCT是将一个平板型的是将一个平板型的GTO与由很多个并联的电力与由很多个并联的电力MOSFET器件和其它辅助

74、元件组成的器件和其它辅助元件组成的GTO门极驱门极驱动电路采用精心设计的互联结构和封装工艺集成在动电路采用精心设计的互联结构和封装工艺集成在一起。一起。 容量容量与普通与普通GTO相当，但相当，但开关速度开关速度比普通的比普通的GTO快快10倍，而且可以简化普通倍，而且可以简化普通GTO应用时庞大而复应用时庞大而复杂的杂的缓冲电路缓冲电路，只不过其所需的，只不过其所需的驱动功率驱动功率仍然很大。仍然很大。 目前正在与目前正在与IGBT等新型器件激烈竞争。等新型器件激烈竞争。84电力电子器件(132)课件2.6 功率集成电路与集成电力电子模块功率集成电路与集成电力电子模块基本概念基本概念 20世

75、纪世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为个器件封装在一个模块中，称为功率模块功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率功率集成电路（集成电路（Power Integrated Ci

76、rcuitPIC）。85电力电子器件(132)课件2.6 功率集成电路与集成电力电子模块功率集成电路与集成电力电子模块实际应用电路实际应用电路 高压集成电路（高压集成电路（High Voltage ICHVIC） 一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（智能功率集成电路（Smart Power ICSPIC） 一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块（智能功率模块（Intelligent Power ModuleIPM） 专指专指IGBT及其

77、辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。）。 86电力电子器件(132)课件2.6 功率集成电路与集成电力电子模块功率集成电路与集成电力电子模块发展现状发展现状 功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的间的绝缘绝缘问题以及问题以及温升温升和和散热散热的处理。的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功中小功率率应用场合。应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难

78、点点,最近几年获得了迅速发展。最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。机电一体化的理想接口。87电力电子器件(132)课件本章小结本章小结主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等问题作了全面的介绍。和主要参数等问题作了全面的介绍。88电力电子器件(132)课件本章小结本章小结按驱动类型按驱动类型 电压电压驱动型器件驱动型器件 单极型器件和复合型器件。单极型器件和复合型器件。 共同特点是：输入阻抗高，所需驱动功率小，共同特点是：输入阻抗高，所需驱

79、动功率小，驱动电路简单，工作频率高。驱动电路简单，工作频率高。 电流电流驱动型器件驱动型器件 双极型器件。双极型器件。 共同特点是：具有电导调制效应，因而通态压共同特点是：具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大，驱动电路也比较复杂。率大，驱动电路也比较复杂。89电力电子器件(132)课件本章小结本章小结电力电子器件的现状和发展趋势电力电子器件的现状和发展趋势 20世纪世纪90年代中期以来，逐渐形成了年代中期以来，逐渐形成了小功率小功率（10kW以下）以下）场合以场合以电力电力MOSFET为主，为主，中、大中、大功率功率场合以场合以IGBT为主的压倒性局面，在为主的压倒性局面，在10MVA以以上或者数千伏以上上或者数千伏以上的应用场合，如果不需要自关的应用场合，如果不需要自关断能力，那么断能力，那么晶闸管晶闸管仍然是目前的首选器件仍然是目前的首选器件 。 电力电力MOSFET和和IGBT中的技术创新仍然在继中的技术创新仍然在继续，续，IGBT还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用还在不断夺取传统上属于晶闸管的应用领域领域 。90电力电子器件(132)课件