数字逻辑设计第3章.兰京川讲义

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1、1 1第第3 3章章 数字电路数字电路介绍数字电路中的电气知识介绍数字电路中的电气知识数字逻辑设计及应用数字逻辑设计及应用2 23.1 3.1 逻辑信号和门电路逻辑信号和门电路如何如何获得高、低得高、低电平?平?高高电平平对应 0 还是是 1?VOUTVINVccR获得高、低电平的基本原理获得高、低电平的基本原理正逻辑正逻辑positivepositive10负逻辑负逻辑negativenegative103 33.1 3.1 逻辑信号和门电路逻辑信号和门电路从物理的角度从物理的角度考考虑电路如何工作,工作中的路如何工作,工作中的电气特性气特性实际物理器件不可避免的物理器件不可避免的时间延延迟

2、问题从从逻辑角度角度输入、入、输出的出的逻辑关系关系三种基本逻辑:与、或、非三种基本逻辑:与、或、非4 4基本逻辑运算:与(基本逻辑运算:与(ANDAND)0 0 00 1 01 0 01 1 1ABZ逻辑表达式逻辑表达式Z = A B开关:开关:1通、通、0断断灯:灯:1亮、亮、0不亮不亮当且仅当所有输入当且仅当所有输入全为全为1 1时,输出为时,输出为1 1真值表真值表&ABZABZ逻辑符号逻辑符号A B Z5 5基本逻辑运算:或(基本逻辑运算:或(OROR)逻辑表达式逻辑表达式:Z = A + BA B Z真值表真值表ABZ只要有任何一个输只要有任何一个输入为入为1 1,输出就为,输出就

3、为1 11ABZABZ逻辑符号逻辑符号0 0 00 1 11 0 11 1 16 6基本逻辑运算:非(基本逻辑运算:非(NOTNOT)A Z0 11 0真值表真值表逻辑表达式:逻辑表达式:Y = A = A AZR产生一个与输产生一个与输入相反的输出入相反的输出通常称为反相器(通常称为反相器(inverter)1ZAAZ逻辑符号逻辑符号7 7与非与非 和和 或非或非与非与非 逻辑表达式:逻辑表达式: Z = ( A B ) 逻辑符号:逻辑符号:或非或非 逻辑表达式:逻辑表达式: Z = ( A + B ) 逻辑符号:逻辑符号:&18 8真真值值表表&19 93.2 3.2 逻辑系列逻辑系列(L

4、ogic FamilyLogic Family)同一系列的芯片具有同一系列的芯片具有类似的似的输入、入、输出出及内部及内部电路特征,但路特征,但逻辑功能不同。功能不同。不同系列的芯片可能不匹配不同系列的芯片可能不匹配 TTL逻辑系列系列 CMOS系列系列 10103.2 3.2 CMOSCMOS逻辑逻辑 CMOS逻辑电平平逻辑逻辑1(高态)(高态)逻辑逻辑0(低态)(低态)5.0V3.5V1.5V0.0V未定义未定义典型的典型的5V电源电压电源电压其它电源电压:其它电源电压:3.3V 或或 2.7V11112 2、MOSMOS晶体管晶体管分分为:N沟道沟道 和和 P沟道沟道通常:通常:Vgs

5、= 0 Vgs = 0 Rds很高(很高(106 ) 截止状态截止状态 Vgs Rds 导通状态导通状态漏极漏极 drain源极源极 source栅极栅极 gateVgs+N沟道沟道源极源极 source漏极漏极 drain栅极栅极 gate+VgsP沟道沟道1212MOSMOS晶体管晶体管分分为:N沟道沟道 和和 P沟道沟道源极源极 source漏极漏极 drain栅极栅极 gate+VgsP沟道沟道通常:通常:Vgs 兆欧)兆欧)无无论栅电压如何如何 栅漏、漏、栅源之源之间几乎没有几乎没有电流流 (漏(漏电流流 leakage current , A)栅极与源和漏极之极与源和漏极之间有有电

6、容耦合容耦合 信号信号转换时,电容充放容充放电,功耗,功耗较大大1414MOSMOS管的基本开关电路管的基本开关电路vI+vO+iD+ VDDRDDGS只要电路参数选择合理只要电路参数选择合理输入低,截止,输出高输入低,截止,输出高输入高,导通,输出低输入高,导通,输出低15153 3、基本的、基本的CMOSCMOS反相器反相器工作原理工作原理1、VIN = 0.0VVGSN = 0.0V,Tn截止截止VGSP = VIN VDD = 5.0V,Tp导通通VOUT VDD = 5.0V2、VIN = VDD = 5.0VVGSN = 5.0V,Tn导通通VGSP = VIN VDD = 0.0

7、V ,Tp截止截止VOUT 0VDD = +5.0VVOUTVINTpTnGDSS16164 4、CMOSCMOS与非门与非门 工作原理:工作原理:1、A、B只要有一个只要有一个为低低 T1、T3至少有一个截止,至少有一个截止, T2、T4至少有一个至少有一个导通;通;Z为高(高( VDD)2、A、B都都为高高 T1、T3都都导通,通, T2,T4都截止,都截止, Z为低(低( 0V)VDD = +5.0VZABT1T2T4T317174 4、CMOSCMOS或非门或非门工作原理:工作原理: 1、A、B都都为低低 T1、T3都截止,都截止, T2,T4都都导通,通, Z为高(高( VDD) 2

8、、A、B至少有一个至少有一个为高高 T1、T3至少有一个至少有一个导通,通, T2、T4至少有一个截止;至少有一个截止; Z为低(低( 0V)VDD = +5.0VZABT1T2T4T318185 5、扇入(、扇入(fanfaninin)门电路所具有的路所具有的输入端的数目入端的数目导通通电阻的可加性限制了阻的可加性限制了CMOS门的扇入数的扇入数可用可用较少少输入入门级联得到得到较多的多的输入入19196 6、非反相门、非反相门VDD = +5.0VAZ非反相缓冲器非反相缓冲器2020VDD = +5.0VABZCD7 7、CMOSCMOS与或非门与或非门21213.4 3.4 CMOSCM

9、OS电路的电气特性电路的电气特性逻辑电压电平平直流噪声容限直流噪声容限扇出扇出速度速度功耗功耗噪声噪声静静电放放电漏极开路漏极开路输出、三出、三态输出出物理上的物理上的而不是逻辑上的而不是逻辑上的22223.5 3.5 CMOSCMOS稳态电气特性稳态电气特性逻辑电平和噪声容限平和噪声容限VDD = +5.0VVOUTVINTpTnVOUTVIN5.01.53.55.0电压传输特性电压传输特性2323逻辑电平平规格格高态高态不正常状态不正常状态低态低态VOLmaxVILmaxVIHminVOHminVCC0.1V地地0.1V0.7VCC0.3VCC2424直流噪声容限直流噪声容限(DC noi

10、se marginDC noise margin)多大的噪声会使最坏多大的噪声会使最坏输出出电压被破坏得不可被破坏得不可识别高态高态不正常状态不正常状态低态低态VOLmaxVILmaxVIHminVOHmin30%VCC0.1V2525带电阻性负载的电路特性带电阻性负载的电路特性要求有一定的驱动电流才能工作要求有一定的驱动电流才能工作VCCAZVCCRThevRpRnVThev +VOUTVIN2626VCC = + 5.0VRp1M Rn电阻性电阻性负载负载VOLmaxIOLmax输出为低态时输出为低态时 VOUT 1M 电阻性电阻性负载负载VOHminIOHmax输出为高态时输出为高态时

11、VOUT = VOHmin输出端提供电流输出端提供电流 sourcing current能提供的最大电流能提供的最大电流 IOHmax (拉电流)(拉电流)2828非理想输入时的电路特性非理想输入时的电路特性VCC = + 5.0V400 2.5k VIN 1.5VVOUT 4.31VVCC = + 5.0V4k 200 VIN 3.5VVOUT 0.24V输出电压变坏(有电阻性负载时更差)输出电压变坏(有电阻性负载时更差)更糟糕的是:输出端电流更糟糕的是:输出端电流 ,功耗,功耗 2929扇出(扇出(fan-outfan-out)在不超出其最坏输出电平的条件下,在不超出其最坏输出电平的条件下

12、, 一个逻辑门能驱动的输入端个数。一个逻辑门能驱动的输入端个数。扇出需考虑输出高电平和低电平两种状态扇出需考虑输出高电平和低电平两种状态 总扇出总扇出minmin(高态扇出,低态扇出)高态扇出,低态扇出)直流扇出直流扇出 和和 交流扇出交流扇出3030负载效应负载效应 当当输出出负载大于它的扇出能力大于它的扇出能力时(P77)输出出电压变差(不符合差(不符合逻辑电平的平的规格)格)传输延延迟和和转换时间变长温度可能升高,可靠性降低,器件失效温度可能升高,可靠性降低,器件失效3131不用的不用的CMOSCMOS输入端输入端不用的不用的CMOS输入端入端绝不能不能悬空空XZ1k +5VXZXZ增加

13、了驱动信号的电增加了驱动信号的电容负载,使操作变慢容负载,使操作变慢3232电流尖峰和去耦电容器电流尖峰和去耦电容器电流传输特性电流传输特性iDvI12VDDVDD = +5.0VVOUTVINTpTncurrent spikea & decoupling capacitorscurrent spikea & decoupling capacitors33333.6 3.6 CMOSCMOS动态电气特性动态电气特性考考虑两个方面:速度、功耗两个方面:速度、功耗转换时间转换时间传播延迟传播延迟3434转换时间转换时间考考虑两个因素:两个因素:晶体管的晶体管的“导通通”电阻阻寄生寄生电容(容(st

14、ray capacitance)VCC = + 5.0VRLRpRnVL+CL电容两端电压不能突变电容两端电压不能突变在实际电路中在实际电路中可用时间常数可用时间常数近似转换时间近似转换时间P79 图图3-36上升时间上升时间t tr r下降时间下降时间t tf f 3535传播延迟传播延迟P83 图图3-42VINVOUT信号通路:信号通路:一个特定输入信号到逻辑元件的一个特定输入信号到逻辑元件的 特定输出信号所经历的电气通路。特定输出信号所经历的电气通路。3636功率损耗功率损耗动态功耗的来源:功耗的来源:两个管子瞬两个管子瞬间同同时导通通产生的功耗生的功耗 PT对负载电容充、放容充、放电

15、所所产生的功耗生的功耗 PLVDD = +5.0VVOUTVINTpTn分为:静态功耗、动态功耗分为:静态功耗、动态功耗CL3737功率损耗功率损耗动态功耗的来源:功耗的来源:两个管子瞬两个管子瞬间同同时导通通产生的功耗生的功耗 PT对负载电容充、放容充、放电所所产生的功耗生的功耗 PL分为:静态功耗、动态功耗分为:静态功耗、动态功耗V VCC CC 的大小的大小输入波形的好坏输入波形的好坏输入信号频率输入信号频率负载电容负载电容输入信号频率输入信号频率 ( (V VCC CC ) ) 2 2 38383.6 3.6 CMOSCMOS动态电气特性动态电气特性考考虑两个方面:两个方面:速度速度功

16、耗功耗转换时间(转换时间(transition time)传播延迟(传播延迟(propagation delay)静态功耗(静态功耗(static power dissipation)动态功耗(动态功耗(dynamic power dissipation)39393.7 3.7 其他其他CMOSCMOS输入输出结构输入输出结构传输门传输门当当EN = 0EN = 0,EN_L = 1EN_L = 1, 晶体管截止,晶体管截止, A A、B B断开断开当当EN = 1EN = 1,EN_L = 0EN_L = 0, 晶体管导通,晶体管导通, A A、B B之间低之间低 阻抗阻抗连接连接v双向器件

17、双向器件v传播延迟非常短传播延迟非常短ENEN_LAB4040施密特触发器输入施密特触发器输入VOUTVIN5.02.1 2.95.0电压传输特性电压传输特性VT+VT-输输入入门限门限电压电压VT+VT-采用内部反馈,边沿更陡采用内部反馈,边沿更陡滞后:滞后:两个门限电压之差两个门限电压之差逻辑符号:逻辑符号:4141三态输出三态输出VCCOUTENA当当EN=0EN=0时,时, C=1, Tp C=1, Tp截止截止 B=1, D=0, Tn B=1, D=0, Tn截止截止 高阻态高阻态(悬空态)(悬空态)当当EN=1EN=1时,时, C=A C=A , B=0 , , B=0 , D=

18、AD=A 由由A A控制输出为控制输出为 逻辑逻辑0 0 或或 逻辑逻辑1 1BCDTpTnAENOUT逻辑符号逻辑符号4242输出电平?输出电平?造成逻辑混乱造成逻辑混乱很大的负载电流很大的负载电流同时流过输出级同时流过输出级可使门电路损坏可使门电路损坏漏极开路输出漏极开路输出VCCAZ有源上拉有源上拉active pull-upVCCB低低高高有源上拉的有源上拉的CMOSCMOS器件器件其输出端不能直接相联其输出端不能直接相联100 1M 100 1M 4343漏极开路输出漏极开路输出ABZVCCVCCR 上拉电阻上拉电阻ABZ逻辑符号逻辑符号希望尽量小,减少上升时间希望尽量小,减少上升时

19、间太小则吸收电流太大太小则吸收电流太大应用:驱动应用:驱动LED、线与、线与、 驱动多源总线驱动多源总线4444ABZVCCVCCRCDVCCZ = Z1 Z2 = (AB) (CD) = (AB + CD)漏极开路输出的线连逻辑漏极开路输出的线连逻辑Z1Z2线与线与第第4章章 反演定理反演定理人有了知识,就会具备各种分析能力,明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书,广泛阅读,古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍,我们能丰富知识,培养逻辑思维能力;通过阅读文学作品,我们能提高文学鉴赏水平,培养文学情趣;通过阅读报刊,我们能增长见识,扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操,给我们巨大的精神力量,鼓舞我们前进。

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