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1、中国科学院微电子研究所中国科学院微电子研究所中国科学院微电子研究所成立于1958年，是一所专业从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，下设11个研究室，现有在职员工742人，科研与专业技术人员628人(科学院院士2名，高级研究人员179名)，设有博士、硕士学位授予点和博士后流动站，导师74名(其中博士生导师34名)，在读研究生328人。1998年4月、2002年6月分别通过了ISO9002及ISO9001(2000版)质量体系认证。 作为中国科学院知识创新工程试点单位，本着惟精惟一、求是求新的办所精神，微电子所确立了研究所的办所方针和发展目标：打造现代化的高技术研究机构。面向国家在微电子领域的
2、战略需求，加强关键技术创新与集成，承担重点科技攻关与产品开发；面向产业发展需求，建设开放平台，通过全方位合作积极推进成果的应用开发和产业化；拓展前沿技术与基础研究领域，发展交叉学科方向。成为我国IC技术和产业领域一个技术创新基地和高素质高层次人才培养基地，为促进国家微电子技术进步和自主创新，实现产业的可持续发展做出贡献。 多年来，中国科学院微电子研究所与国内外众多的高校、科研机构和企业开展了全方位的合作与交流，在中国微电子领域拥有广泛的影响。为直接服务于社会，微电子研究所还根据产业发展和市场需求，通过技术服务、成果转让和产品销售面向市场，进行成果转化。现为加强我所科研队伍建设，诚招微电子学相关
3、领域专业技术人才。单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号邮编：100029网址：联系电话：010-82995539传真：010-62049837联系人：王雷联系部门：中国科学院微电子研究所人教处有意应聘者请填写中国科学院微电子研究所岗位申请表，或直接发送邮箱Email:务必注明应聘的部门及岗位名称。（一）、硅器件与集成技术研究室 该研究室面向半导体硅基器件及集成电路研究，以超大规模集成电路设计技术和产品研制为主。目前致力于SOI集成电路、功率器件的设计、产品研制、测试及可靠性等技术研究。 硅器件与集成技术研究室招聘信息 http:/ 专用集成电路与系统研究室招聘信息http:/ 该研究室是国内最
4、早开展化合物半导体器件和电路研究的单位之一，目前的主要研究方向包括：GaAs基和InP基微波毫米波半导体器件和电路研制、微波大功率GaN基器件和电路研究、微波单片集成电路设计和测试技术、超高频数模混合电路研究、微波混合电路和模块、光电器件与高密度集成技术。研究室下设4英寸化合物半导体工艺线、微波单片集成电路（MMIC）设计和测试、微波模块研究、光电模块研究四个科研平台。微波器件与集成电路研究室招聘信息http:/ http:/ （八）、微电子设备技术研究室该研究室综合利用本所微电子工艺优势和多年的设备研制经验进行微电子成套设备技术研究，以实现微电子设备国产化。主要的科研方向为：适用于32-22
5、纳米技术代新原理装备研究、极大规模集成电路装备及工艺研究、利用微细加工和集成技术研究创新型原理装备、常压等离子体技术、微纳加工技术标准化研究。微电子设备技术研究室招聘信息http:/ （九）、系统封装技术研究室 该研究室专门从事先进电子封装技术研发，主要包括集成电路、光电器件、MEMS、系统级封装(SiP/SoP)、高密度封装、3封装等等。该研究室将建成一个开放的、从封装设计仿真到封装硬件平台基本全面的先进实验室，包括各种封装设计仿真工具，先进封装基板实验线，微组装实验线，测试实验室和可靠性实验室，为先进封装技术研究和业界提供技术支持与服务。 系统封装技术研究室招聘信息 http:/ 有意应聘
6、者请填写中国科学院微电子研究所岗位申请表，或直接发送邮箱Email:务必注明应聘的部门及岗位名称。 （十）、集成电路先导工艺研发中心该研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺技术、MEMS器件与集成技术研究、新原理的微细加工技术和设备研发，拥有一条完整的CMOS/MEMS工艺线和雄厚的工艺研发力量。主要研究方向包括CMOS先导工艺技术研究，MEMS器件与集成技术研究，新原理半导体设备研发等。集成电路先导工艺研发中心招聘信息http:/ 主要研究方向包括：基于各种标准的射频集成电路及模块研发、射频集成电路IP核设计、医疗电子和医疗信息化硬件开发等。射频集成电路研究室招聘信息http:/ 姓 名性别出生日期照片民 族籍贯出生地党 派入党时间参加工作时间学历/学位外语水平专业领域户口所在地健康状况现任专业技术职务及任职时间何时何单位获 现 学 位现工作单位单位联系电话及传真现任职务个人联系电话（手机）E- mail配偶情况姓 名户口所在地现工作单位任何职务主要学习经历(从大学起在国内外何单位学习、起止年月、学力/学位及专业)主要工作经历(在国内外何单位工作、任职、工作内容、起止年月)主要研究领域及取得的科研成果（从事过的科研项目，获奖、论文或专利等成果）申请人签名: 申请日期:
