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1、静态存储器基本存储元（1）六管静态存储元A、 电路图：由两个反相器交叉耦合而成的双稳态触发器。B、存储元的工作原理：假设：0 管导通，1 管截止：存0；0 管截至，1 管导通：存1；说明：MOS管有三极，如果栅极为高电平，则源极和漏极导通。如果栅极为低电平，则源极和漏极截至。写操作。在字线上加一个正电压的字脉冲，使2 、3 管导通。若要写“”，无论该位存储元电路原存何种状态，只需使写“”的位线0 电压降为地电位（加负电压的位脉冲），经导通的2 管，迫使节点的电位等于地电位，就能使1 管截止而0 管导通。写入，只需使写的位线1 降为地电位，经导通的3 管传给节点，迫使0 管截止而1 管导通。写入
2、过程是字线上的字脉冲和位线上的位脉冲相重合的操作过程。读操作。只需字线上加高电位的字脉冲，使2 、3 管导通，把节点、分别连到位线。若该位存储电路原存“”，节点是低电位，经一外加负载而接在位线0 上的外加电源，就会产生一个流入0 线的小电流（流向节点经 导通管入地）。“”位线上0 就从平时的高电位下降一个很小的电压，经差动放大器检测出“”信号。若该位原存“”，就会在“”位线1 中流入电流，在1 位线上产生电压降，经差动放大器检测出读“”信号。BAT2T5T4T0T1T3BS0VBS1读/写”0”读/写”1”位/读出线位/读出线字线6管MOS存储电路读出过程中，位线变成了读出线。读取信息不影响触
3、发器原来状态，故读出是非破坏性的读出。若字线不加正脉冲，说明此存储元没有选中，2 ，3 管截止，、结点与位读出线隔离，存储元存储并保存原存信息。（2）管静态存储元A、 目的：地址的双重译码选择，字线分为选择线与选择线B、 实现：需要在管存储元的、节点与位线上再加一对地址选择控制管7 、8 ，形成了管存储元。T5T7T3T2T0T1T8T6BS0VBS1读/写”0”读/写”1”位/读出线位/读出线Y选择线X选择线8管MOS存储电路（3）6管双向选择存储元管存储元改进：在纵向一列上的管存储元共用一对选择控制管6 、7 ，这样存储体管子增加不多，但仍是双向地址译码选择，因为对选择线选中的一列只是一对
4、控制管接通，只有选择线也被选中，该位才被重合选中。读/写”0”BAT2T5T4T0T1I/OI/OT7T6T3BS0VBS1读/写”1”位/读出线位/读出线Y选择线X选择线6管双向选择MOS存储电路结构与地址译码字结构或单译码方式地址写选通b7读出写入读选通A3A2A1A0字线W15W1W0BS1BS0字结构或单译码方式的RAM16选 1地址译码器FFFFFFFFFFFFFFFFFF读写电路读写电路读写电路：b1读出写入b0读出写入（1） 结构：(A)存储容量=行b列；(B)阵列的每一行对应一个字，有一根公用的字选择线；(C)每一列对应字线中的一位，有两根公用的位线0 与1 。(D)存储器的地
5、址不分组，只用一组地址译码器。（2）示意图：的字结构单译码方式的存储器。（3）字结构是2度存储器：只需使用具有两个功能端的基本存储电路：字线和位线（4）优点：结构简单，速度快：适用于小容量M 缺点：外围电路多、成本昂贵，结构不合理结构。位结构或双译码方式（1） 结构：(A)容量：（字）b（位）的，把每个字的同一位组织在一个存储片上，每片是；再把b 片并列连接，组成一个b的存储体，就构成一个位结构的存储器。(B)在每一个存储片中，字数被当作基本存储电路的个数。若把n 个基本存储电路排列成x行与y列的存储阵列，把送来的n位选择地址按行和列两个方向划分成nx 和ny 两组，经行和列方向译码器，分别选
6、择驱动行线与列线。Y1Y64X64X1A5A4A3A2A1A0位结构、双译码方式的RAMX地址译码64, 164, 64 1, 64 1, 1 I/O Y地址译码A6A7A8A9A10A11(C)采用双译码结构，可以减少选择线的数目。（2） 示意图：（3） 三度存储器：三个功能端（4） 优：驱动电路节省，结构合理，适用于大容量存储器。字段结构（1） 结构：(A)存储容量（字）b（位），b：分段p （=）*b(B)字线分为两维结构：Sb对位/读出线An-1An1An1-1A1A0字段结构RAM段译码器，从2 n 2 = S段中取1（共 n 2 位行译码器共n1 位 列 I / O 电路 存储阵列 WpSbb位 b位 段1 段2 段Sb 根数据线读 / 写控制线（C）位线有b对（D）双地址译码器（2）示意图：（3）三度结构（4）优：对字结构存储器的改进与提高，结构合理，适用于大容量存储器。
