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1、word模电知识点总结大全集第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通
2、常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为，锗材料约为。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管，锗管。 *死区电压-硅管，锗管。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假如 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假如 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假如 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 *三种模型 微变等效
3、电路法三. 稳压二极管与其稳压电路*稳压二极管的特性-正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。第二章三极管与其根本放大电路一. 三极管的结构、类型与特点1.类型-分为NPN和PNP两种。2.特点-基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二. 三极管的工作原理1. 三极管的三种根本组态2. 三极管内各极电流的分配* 共发射极电流放大系数 (明确三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3. 共射电路的特性曲线*输入特性曲线-同二极管。* 输出特性曲线(饱和管压降，用UCES表示放大区-发射结正偏，集电结反偏
4、。截止区-发射结反偏，集电结反偏。4. 温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高ICBO、ICEO、IC以与均增加。三. 低频小信号等效模型简化hie-输出端交流短路时的输入电阻，常用rbe表示；hfe-输出端交流短路时的正向电流传输比，常用表示；四. 根本放大电路组成与其原如此1. VT、VCC、Rb、Rc 、C1、C2的作用。2.组成原如此-能放大、不失真、能传输。五. 放大电路的图解分析法1. 直流通路与静态分析 *概念-直流电流通的回路。 *画法-电容视为开路。 *作用-确定静态工作点 *直流负载线-由VCC=ICRC+UCE确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响 1改变Rb
5、：Q点将沿直流负载线上下移动。 2改变Rc：Q点在IBQ所在的那条输出特性曲线上移动。 3改变VCC：直流负载线平移，Q点发生移动。2. 交流通路与动态分析*概念-交流电流流通的回路*画法-电容视为短路,理想直流电压源视为短路。*作用-分析信号被放大的过程。*交流负载线- 连接Q点和V CC点V CC= UCEQ+ICQR L的直线。3. 静态工作点与非线性失真1截止失真*产生原因-Q点设置过低*失真现象-NPN管削顶，PNP管削底。*消除方法-减小Rb，提高Q。2饱和失真*产生原因-Q点设置过高*失真现象-NPN管削底，PNP管削顶。*消除方法-增大Rb、减小Rc、增大VCC 。4. 放大器
6、的动态X围1Uopp-是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。2X围 *当UCEQUCESVCC UCEQ时，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL。*当UCEQUCESVCC UCEQ时，受饱和失真限制，UOPP=2UOMAX=2 UCEQUCES。*当UCEQUCESVCC UCEQ，放大器将有最大的不失真输出电压。六. 放大电路的等效电路法1. 静态分析1静态工作点的近似估算2Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足RBRc。2. 放大电路的动态分析* 放大倍数* 输入电阻* 输出电阻七. 分压式稳定工作点共射放大电路的等效电路法1静态分析2动态分析*电压放大倍数在Re
7、两端并一电解电容Ce后输入电阻在Re两端并一电解电容Ce后* 输出电阻八. 共集电极根本放大电路1静态分析2动态分析* 电压放大倍数* 输入电阻* 输出电阻3. 电路特点 * 电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。 * 输入电阻高，输出电阻低。第三章场效应管与其根本放大电路一. 结型场效应管 JFET 1.结构示意图和电路符号2. 输出特性曲线可变电阻区、放大区、截止区、击穿区转移特性曲线UP - 截止电压二. 绝缘栅型场效应管MOSFET分为增强型EMOS和耗尽型DMOS两种。结构示意图和电路符号2. 特性曲线*N-EMOS的输出特性曲线* N-EMOS的转移特性曲线式中
8、，IDO是UGS=2UT时所对应的iD值。* N-DMOS的输出特性曲线注意：uGS可正、可零、可负。转移特性曲线上iD=0处的值是夹断电压UP，此曲线表示式与结型场效应管一致。三. 场效应管的主要参数1.漏极饱和电流IDSS2.夹断电压Up3.开启电压UT4.直流输入电阻RGS5.低频跨导gm (明确场效应管是电压控制器件)四. 场效应管的小信号等效模型E-MOS 的跨导gm - 五. 共源极根本放大电路1.自偏压式偏置放大电路* 静态分析动态分析假如带有Cs，如此2.分压式偏置放大电路* 静态分析* 动态分析假如源极带有Cs，如此六.共漏极根本放大电路* 静态分析或* 动态分析第四章多级放
9、大电路一. 级间耦合方式1. 阻容耦合-各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，本钱低。但不便于集成，低频特性差。2. 变压器耦合 -各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，本钱高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3. 直接耦合-低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移现象。 *零点漂移-当温度变化或电源电压改变时，静态工作点也随之变化，致使uo偏离初始值“零点而作随机变动。二. 单级放大电路的频率响应1中频段(fLffH)波特图-幅频曲线是20lgAusm=常数，相频曲线是=-180o。2低频段(f fL)3高频段(f fH)
10、4完整的根本共射放大电路的频率特性三. 分压式稳定工作点电路的频率响应1下限频率的估算2上限频率的估算四. 多级放大电路的频率响应1. 频响表达式2. 波特图第五章功率放大电路一. 功率放大电路的三种工作状态1.甲类工作状态导通角为360o，ICQ大，管耗大，效率低。2.乙类工作状态ICQ0，导通角为180o，效率高，失真大。3.甲乙类工作状态导通角为180o360o，效率较高，失真较大。二. 乙类功放电路的指标估算1. 工作状态 任意状态：UomUim 尽限状态：Uom=VCC-UCES 理想状态：UomVCC 2. 输出功率3. 直流电源提供的平均功率4. 管耗Pc1mom 5.效率理想时
11、为78.5% 三. 甲乙类互补对称功率放大电路1. 问题的提出在两管交替时出现波形失真交越失真(本质上是截止失真)。 2. 解决方法 甲乙类双电源互补对称功率放大器OCL-利用二极管、三极管和电阻上的压降产生偏置电压。动态指标按乙类状态估算。 甲乙类单电源互补对称功率放大器OTL-电容C2上静态电压为VCC/2，并且取代了OCL功放中的负电源-VCC。动态指标按乙类状态估算，只是用VCC/2代替。四. 复合管的组成与特点1. 前一个管子c-e极跨接在后一个管子的b-c极间。2. 类型取决于第一只管子的类型。3.=12 第六章集成运算放大电路一. 集成运放电路的根本组成1.输入级-采用差放电路，
12、以减小零漂。2.中间级-多采用共射(或共源)放大电路，以提高放大倍数。3.输出级-多采用互补对称电路以提高带负载能力。4.偏置电路-多采用电流源电路，为各级提供适宜的静态电流。二. 长尾差放电路的原理与特点1. 抑制零点漂移的过程-当TiC1、iC2iE1、iE2 uEuBE1、uBE2iB1、iB2iC1、iC2。 Re对温度漂移与各种共模信号有强烈的抑制作用，被称为“共模反应电阻。2静态分析1) 计算差放电路IC设UB0，如此UE=，得2) 计算差放电路UCE 双端输出时 单端输出时(设VT1集电极接RL)对于VT1：对于VT2：3. 动态分析1差模电压放大倍数 双端输出 单端输出时从VT1单端输出：从VT2单端输出：2差模输入电阻3差模输出电阻 双端输出： 单端输出:三. 集成运放的电压传输特性当uI在+Uim与-Uim之间，运放工作在线性区域：四. 理想集成运放的参数与分析方法1. 理想集成运放的参数特征* 开环电压放大倍数Aod；* 差模输入电阻Rid；* 输出电阻Ro0；*
