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1、金屬鍍膜 (Metal Deposition)又稱物理鍍膜(Physical Vapor Deposition; PVD)，依原理分為蒸鍍(evaporation)與濺鍍(sputtering)兩種。PVD基本上都需要抽真空： 前者在10-610-7Torr的環境中蒸著金屬；後者則須在激發電漿前，將 氣室內殘餘空氣抽除，也是要抽到10-6 10-7Torr 的程度。般的機械式抽氣幫浦，只能抽到-3Torr的真空度，之後須再串接高真空幫浦 (機械式幫浦當作接觸大氣的前級幫浦)，如：擴散式幫浦(diffusion pu咖、渦輪式幫浦(turbo pu卿)、或致冷式幫浦(cryogenic pu卿)
2、，才能達到10-6 10-7Torr的真空程度。當然，不同的真空幫浦規範牽涉到不同原理之壓力計、管路設計、與價格。1、蒸鍍蒸鍍就加熱方式差異，分為電阻式旳errnaZ coater)與電子槍式(E-gun evaporator)兩類機台。前者在原理上較容易，就是直接將準備熔融蒸發的金屬以線材方式掛在加熱鎢絲上，一旦受熱熔融，因液體表面張力之故，會攀附在加熱鎢絲上，然後徐徐蒸著至四(周包含晶圓)。因加熱鎢絲耐熱能力與供金屬熔液攀附空間有，限僅用於低熔點的金屬鍍著，如鋁，且蒸著厚度有限。電子槍式蒸鍍機則是利用電子束進行加熱，熔融蒸發的金屬顆粒全 擺在石墨或鎢質坩堝仗皿斶中。待金屬蒸氣壓超過臨界限度
3、，也開 始徐徐蒸著至四周（包含晶圓。電子槍式蒸鍍機可蒸著熔點較高的金屬，厚度也比較不受限制。蒸鍍法基本上有所謂階梯覆披址印coverage）不佳的缺點，如圖2-12所示。也就是說在起伏較劇烈的表面，蒸著金屬有斷裂不連續之虞。另外，多片晶的大面積鍍著也存在厚度均勻的問題。為此，晶片之承載臺加上公自轉的機構，便用於上述兩問題之改善。晶片星凰關狀擺敢入射之金屬原子厂7、1 1J鍍膜蒸鍍湄H-r圖工12金囑裁的階梯披覆問犀2、濺鍍濺鍍雖是物理鍍膜的方法，但與蒸發毫無關係。就如同將石頭丟入一灘泥沼中，會噴濺出許多泥漿般，濺鍍利用氬氣電漿，高速衝擊受鍍 靶材（如叨，因而將靶材表面附近材質噴濺出來，落至晶圓
4、之上。由 於靶材是一整面而不是一點接受轟擊，所以噴濺出來的材質，也有可能 填塞到晶片表面階梯死角的部位，而比較沒有斷線不連續或所謂階梯披覆的問題。濺鍍也依電漿受激之能量源不同，分為直流PC）與射頻（RF）兩 種。基本上，兩種濺鍍機都可鍍著金屬薄膜。但後者特別可以針對非金 屬薄膜，如壓電piezo必c/rfc）或磁性材料，具有絕緣、熔點高、成份複雜、對堆疊方式相當敏感等智慧型薄膜之鍍著特徵。3、金屬薄膜圖形定義利用光蝕術定義妥之光阻，泡入適當酸液中，可蝕出金屬線路，此 與蒸鍍抑或濺鍍並無關連。然而部份金屬蝕液是鹼液，如鉻，早期常用赤血鹽-氫氧化鉀溶液來定義圖案，直接用光阻遮掩會失敗（還沒蝕 到底
5、，光阻已經溶散了！），所以必須多蒸著一層金，間接以碘化鉀-碘 溶液定義出金之圖案後，再以金之圖案來作掩膜，進行鉻的腐（蝕如此 之繁複常使初學者暈頭轉向現在已經有鉻金屬的蝕洗液如CR-7）O另一個令人更擾人的問題在於：酸液有側向侵蝕的現象，所以無法製作出次微米之金屬線。一般業界已使用垂直度極佳，然而價格極昂之 乾蝕刻機來解決這個問題價昂是因為要用到含氯之反應氣體，所有管 路都要考慮防腐蝕。但學術研發單位，在沒有乾蝕刻機情況下，一樣 可以作出次微米之金屬線這個方法稱為f金屬剝離或舉離法诉弋历。今如圖2-13所示，調整晶片鍍金屬與上光阻的順序：首先旋敷光 阻，以光蝕術將欲鍍著金屬線路之區域開出窗E該
6、光罩恰與酸液蝕刻 的光罩明暗相反，再進行金屬鍍著的工作。此時，大部份金屬可能都 鍍著在光阻上。所以金屬鍍著後，只要將晶片浸入丙酮，在光阻遭有機 溶劑溶散之際，其上之金屬也跟著被抬離晶片，而只留下沒有光阻，也就是原來設計之金屬線路。L(d)S 4均 金屬超的韩想，闾迅阻礙光（可廳金屬蒸鍍但滓離， 餡下金歸路。不過，金屬剝離也不是完全沒缺點：1、金屬蒸鍍，會對晶片產生加溫效果，若蒸鍍時間較長或厚度較高有可能烤乾光阻，而在最後泡丙酮時，無法掀離金屬。2、光阻開窗時，或多或少會下一些顯影不完全的部份，所以在金屬鍍著時，並不保證晶片受鍍面之清潔狀態良好。3、are光阻邊緣必須確保垂直或甚至有側凹也是undercut的特徵以便金屬 舉離時，不會發生藕斷絲連的現象。
