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1、实验二 霍尔系数和电阻率的测量把通有电流的半导体置于磁场中，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的 方向会产生一附加的横向电场，这个现象称为霍尔效应。随着半导体物理学的发展，霍尔系 数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。通过实验测量半导体材料的霍尔 系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。若能测量 霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出材料的杂质电离能和材料的禁带宽度。一、实验目的1. 了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识；2. 学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量并绘制试样的VH-IS和VH-IM曲线；3. 确
2、定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。二、实验原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电 粒子(电子和空穴)被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向上产 生正负电荷的积累，从而形成附加的横向电场，即霍尔电场。对于图2.1 (a)所示的N型半导体试样，若在X方向的电极D、E上通以电流，在Z方向加磁场B试样中载流子(电子)将受洛仑兹力：F evB(2.1)g(a)(b)图 2.1 样品示意图无论载流子是正电荷还是负电荷，Fg的方向均沿Y方向，在此力的作用下，载流子发 生偏移，则在Y方向即试样A、A电极两侧就开始聚集异号电荷，在A、A两侧产生
3、一个 电位差VH，形成相应的附加电场Eh霍尔电场，相应的电压VH称为霍尔电压，电极A、HHHA称为霍尔电极。电场的指向取决于试样的导电类型。N型半导体的多数载流子为电子，P型半导体的多 数载流子为空穴。对N型试样，霍尔电场逆Y方向，P型试样则沿Y方向，有IS（X）、B（Z） EH（Y） 0 （P 型）显然，该电场是阻止载流子继续向侧面偏移。试样中载流子将受一个与F方向相反的g横向电场力：F = eE（2.2）EH其中，eh为霍尔电导强度。FE 随电荷积累增多而增大，当达到稳定状态时，两个力平衡，即载流子所受的横向电 E场力Fe与洛仑兹力F相等，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 EgeE =
4、evB（2.3）设试样的宽度为b厚度为d载流子浓度为n则电流强度IS与v的关系为(2.4)I =nevbdS由式（2.3）、（2.4）可得二 E b 二 1 Isb 二 RH ne d HIBSd(2.5)即霍尔电压VH （A、A，电极之间的电压）与ISB乘积成正比，与试样厚度d成反比。比例系 HS数 RH=1/ne 称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。根据霍尔效应制作的元H件称为霍尔元件。由式（2.5）可见，只要测出VH （伏），以及知道IS （安）、B （高斯）和d （厘 HS米），可按下式计算Rh （厘米3/库仑）：(2.6)R = VHd X 108H I BS上式中的1
5、08是由于磁感应强度B用电磁单位（高斯、而其它各量均采用C、G、S实 用单位引入。注：磁感应强度B的大小与励磁电流IM的关系由制造厂家给定，并标明在实验仪上。 霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件。对于成品的霍尔元件，其Rh和Hd已知，因此在实际应用中，式（2.5）常以如下形式出现：V = K I B（2.7）HH S其中，比例系数KH=RH/d=1/ned称为霍尔元件灵敏度（其值由制造厂家给出），它表示该器 件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。IS称为控制电流。（2.7）式中的单位 取/为mA、B为KGS、V为mV,贝IK的单位为mV/（mAKGS）。SHHkh越大，
6、霍尔电压vh越大，霍尔效应越明显。从应用上讲，kh愈大愈好。kh与载流 HHHH子浓度n成反比，半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小，因此用半导体材料制成的 霍尔元件，霍尔效应明显，灵敏度高，这也是一般霍尔元件不用金属导体而用半导体制成的 原因。另外，KH还与d成反比，因此霍尔元件一般都很薄。本实验所用的霍尔元件就是用 HN 型半导体硅单晶切薄片制成的。由于霍尔效应的建立所需时间很短（约10-1210-14s）,因此使用霍尔元件时用直流电或 交流电均可。只是使用交流电时，所得的霍尔电压也是交变的，此时，式（2.7）中的IS和VHSH 应理解为有效值。根据Rh可进一步确定以下参数。H1. 由
7、RH的符号（或霍尔电压的正、负）判断试样的导电类型H判断的方法是按图2.1所示的IS和B的方向，若测得的VH=VAA2500GS/A电磁铁、N型半导体硅单晶切 薄片式样、样品架、IS和IM换向开关、VH和V0（即VAC）测量选择开关组成。2. THH型霍尔效应测试仪，主要由样品工作电流源、励磁电流源和直流数字豪伏表 组成。四、实验方法1. 霍尔电压的测量H应该说明，在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的A、A两电极之间的电压并不等于真实的VH值，而是包含着各种副效应引起的附加电压，因此必须设H 法消除。根据副效应产生的机理（参阅附录）可知，采用电流和磁场换向的对称测量法，基
8、本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除，具体的做法是IS和B （即IM）的大小不变， 并在设定电流和磁场的正、反方向后，依次测量由下列四组不同方向的IS和B组合的A、A两点之间的电压V、V2、V3和V4,即+IS+BV1+IS-BV2-I-BVS3-I+BV然后求上述四组数据V、v2、v3和V4的代数平均值，可得” V - V + V - VV 二 234H4通过对称测量求得的VH，虽然还存在个别无法消除的副效应，但其引入的误差甚小， H可以略而不计。2电导率0 的测量0可以通过图2.1所示的A、C （或A、C）电极进行测量，设A、C间的距离为1,样品的横截面积为S=bd，流经样品的电流为I
9、S，在零磁场下，测得A、C （A、C）间的电 位差为V （VAC），可由下式求得0a ACIl(2.10)b = s-VSb3. 载流子迁移率的测量电导率a与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系：b = ne p由比例系数R孑line得，U =IR la。HH五、实验内容仔细阅读本实验仪使用说明书后，按图2.2连接测试仪和实验仪之间相应的IS、VH和IM 各组连线，S及IM换向开关投向上方，表明IS及IM均为正值（即IS沿X方向，B沿Z方向）， 反之为负值。VH、V切换开关投向上方测VH，投向下方测V。经教师检查后方可开启测试H aHa仪的电源。Is输出VH、Va输入Im输出图 2.2 霍尔效
10、应实验仪示意图注意：图 2.2中虚线所示的部分线路即样品各电极及线包引线与对应的双刀开关之间连 线已由制造厂家连接好。必须强调指出：严禁将测试仪的励磁电源“口输出”误接到实验仪的“IS输入”或“VH、V 输出”处，否则一旦通电，霍尔元件即遭损坏！为了准确测量，应先对测试仪进行调零，即将测试仪的IS调节”和“IM调节”旋钮均 置零位，待开机数分钟后若VH显示不为零，可通过面板左下方小孔的“调零”电位器实现 H调零，即“0.00”。转到霍尔元件探杆支架的旋钮X、Y,慢慢将霍尔元件移到螺线管的中心 位置。1.测绘vh-is曲线将实验仪的“VH、V ”切换开关投向V/则，测试仪的“功能切换”置VH。H
11、 aHH保持IM值不变（取IM=0.6A）,测绘VH-IS曲线，记入表2.1 中,并求斜率，代入式（2.6） 求霍尔系数RH，代入式（2.7）求霍尔元件灵敏度Kh。表 2.1 Im=0.6A Is取值：l.OO.OOmAIS(mA)V,(mV)V2(mV)V3(mV)匕(mV)” V - V + V - V+IS、+B+IS、-B-IS、-B-IS、+Bv 12 , 34 (mV)H41.001.502.002.503.004.002.测绘VH-IM曲线 实验仪及测试仪各开关位置同上。保持IS不变（取IS=3.00mA）,测绘VH-IM曲线，记入表2.2中。SSHM表 2.2 Is=3.00m
12、A I”取值：O.3OO-O.8OOAIM(A)匕(mV)V2(mV)V3(mV)V4(mV)“ V - V + V - V+IS、+B+IS、-B-IS、-B-IS、+Bv _234 (mV)H40.3000.4000.5000.6000.7000.8003. 测量 V 值将“VH、V ”切换开关投向V狈0,测试仪的“功能切换”置V。 在零磁场下，取人=2.00mA,测量V。Sa注意：人取值不要过大，以免V太大，毫伏表超量程（此时首位数码显示为1,后三位 Sa数码熄灭）。4. 确定样品的导电类型将实验仪三组双刀开关均投向上方，即IS沿X方向，B沿Z方向，毫伏表测量电压为 VAA。取Is=2mA, Im=0.6A，测量VH大小及极性，判断样品导电类型。SMH5记录实验仪器的磁场强度，求样品的Rh、n、a和值。H六、预习思考题1. 列出计算霍尔系数RH、载流子浓度n、电导率a及迁移率的计算公式，并注明单H 位。2. 如已知霍尔样品的工作电流IS及磁感应强度B的方向，如何判断样品的导电类型。S3
