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1、 晶体管及其小信号放大 场效应管放大电路 晶体管及其小信号放大(4)课件1场效应晶体管(FET) 电压控制器件 多子导电 输入阻抗高,噪声低,热稳定好,抗辐射,工艺简单,便于集成,应用广泛晶体管及其小信号放大(4)课件24 场效应晶体管及场效应管放大电路4.1 场效应晶体管(FET)N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型IGFET绝缘栅型晶体管及其小信号放大(4)课件3一、结构 4.1.1 结型场效应管栅极漏极源极N沟道利用PN结反向电压对耗尽层宽度的控制来改变导电沟道的宽度,从而控制通过的电流晶体管及其小信号放大(4)课件4UGS二、工作原理（以
2、N沟道为例）正常工作: UGS0VPN结反偏，|UGS|越大则耗尽层越宽，导电沟道越窄，电阻越大。ID初始就有沟道，是耗尽型。 ID受UGS 和UDS的控制晶体管及其小信号放大(4)课件5UGSUDS0但较小:ID ID随UDS的增加而线性上升。(UGS固定)晶体管及其小信号放大(4)课件6NGSDUGSPPUGS负到一定值时,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流ID=0A。ID夹断电压晶体管及其小信号放大(4)课件7UGS ,但UDS增加到 UGS - ,即UGD= UGS UDS =靠近漏极的沟道夹断.预夹断UDS增大则被夹断区向下延伸。此时，电流ID由未被夹断区
3、域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。 ID= IDSSID晶体管及其小信号放大(4)课件8三、特性曲线和电流方程2. 转移特性 1. 输出特性 夹断区（饱和区）UGD=晶体管及其小信号放大(4)课件9 结型场效应管的缺点：1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。晶体管及其小信号放大(4)课件10最常见的绝缘栅型场效应管是MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FE
4、T)。分为 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道 4.1.2 绝缘栅场效应管（ IGFET)晶体管及其小信号放大(4)课件11一 N沟道增强型MOSFET1 结构 晶体管及其小信号放大(4)课件122 工作原理 (1) VGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的 二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。(2) VGS VGS（th)0时，形成导电沟道反型层VGS越大，沟道越宽，电阻越小。晶体管及其小信号放大(4)课件13(3) VGS VGS（th)0时， VDS0 VGD=VGSVDS VGS（th)时发生预夹断VDS较小时， ID随之线性上升VDS稍大后，产生横向电位梯
5、度出现预夹断后，随着VDS继续增大，夹断点向源极方向移动， ID略有增加晶体管及其小信号放大(4)课件14输出特性曲线ID=f(VDS)VGS=const（饱和区）夹断区3 N沟道增强型MOS管的特性曲线 VGD=VGS（th)晶体管及其小信号放大(4)课件15转移特性曲线 ID=f(VGS)VDS=constVGS（th)即时的值晶体管及其小信号放大(4)课件16二 N沟道耗尽型MOSFET正离子VGS为正 沟道加宽VGS为负 沟道变窄 夹断电压使用方便晶体管及其小信号放大(4)课件17输出特性曲线ID U DS0UGS=0UGS0转移特性曲线晶体管及其小信号放大(4)课件18P沟道MOSF
6、ET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。晶体管及其小信号放大(4)课件192.2.5 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管结构 NPN型 结型（耗尽型）N沟道 P沟道 PNP型 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S一般可倒置使用载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移输入量 电流输入 电压输入控制 电流控制电流源CCCS() 电压控制电流源VCCS(gm)晶体管及其小信号放大(4)课件20 4.1.4 场效应管的参
7、数和型号一 场效应管的参数 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流晶体管及其小信号放大(4)课件21 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，对于绝缘栅型场效应三极管, RGS约是1091015。 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用， 这一点与电子管
8、的控制作用相似。gm可以在 转移特性曲线上求取，也可由电流方程求得 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型 三极管的PCM相当。晶体管及其小信号放大(4)课件22二 场效应三极管的型号 场效应三极管的型号, 现行有两种命名方法。 其一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS#，CS代表场效应管，以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS1
9、4A、CS45G等。晶体管及其小信号放大(4)课件23几种常用的场效应三极管的主要参数晶体管及其小信号放大(4)课件24半导体三极管图片晶体管及其小信号放大(4)课件25半导体三极管图片晶体管及其小信号放大(4)课件264.2 场效应 放大电路(1) 静态：适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区，场效应管的偏置电路相对简单。 (2) 动态：能为交流信号提供通路。组成原则：静态分析： 估算法、图解法。动态分析： 微变等效电路法。分析方法：晶体管及其小信号放大(4)课件274.2.2 场效应管的直流偏置电路及静态分析一 自偏压电路vGSQ点： VGS 、 ID 、 VDSvGS =VDS = V
10、DD- ID (Rd + R )- iDR注意：两组解，一组不合理（适用于耗尽型）晶体管及其小信号放大(4)课件28二 分压式偏置电路（两种都适用）晶体管及其小信号放大(4)课件294.2.2 场效应管的低频小信号等效模型GSD跨导漏极输出电阻uGSiDuDS晶体管及其小信号放大(4)课件30晶体管及其小信号放大(4)课件31 很大， 一般可忽略 场效应管的微变等效电路为：GSDuGSiDuDSSGDugsgmugsudsSGDrDSugsgmugsudsJFET相同晶体管及其小信号放大(4)课件324.2.3 共源极放大电路uoUDD=20VRSuiCSC2C1R1RDRGR2RL150k50k1M10k10kGDS10ksgR2R1RGRLdRLRD微变等效电路晶体管及其小信号放大(4)课件33sgR2R1RGRLdRLRDro=RD=10k晶体管及其小信号放大(4)课件34
