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1、136 5 放大电路的频率响应自我检测题一选择和填空1放大电路对高频信号的放大倍数下降，主要是因为C 的影响；低频时放大倍数下降， 主要是因为A 的影响。 (A. 耦合电容和旁路电容；B. 晶体管的非线性；C. 晶体管的极间电容和分布电容) 2共射放大电路中当输入信号频率为fL、fH时，电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A ；或者说是下降了D dB；此时与中频相比，放大倍数的附加相移约为G 度。 (A. 0.7 ，B. 0.5，C. 0.9)； (D. 3dB ，E. 5dB，F. 7dB)； (G. -45， H. -90， I. -180 ) 3某放大电路|vA&的对数幅频响应如图选择题3
2、 所示。由图可见，该电路的中频电压增益M|vA&= 1000 ； 上限频率Hf= 108 Hz ； 下限频率Lf= 102 Hz ；当Hff时电路的实际增益= 57 dB；当Lff时电路的实际增益= 57 dB。21041061010108101020+20dB/ 十倍频程-20dB/十倍频程20lg/vAdB/fHz806040图选择题3 4若放大电路存在频率失真，则当iv为正弦波时，ovD 。 （A.会产生线性失真B.为非正弦波C.会产生非线性失真D.为正弦波）5放大电路如图选择题5 所示，其中电容增大，则导致D 。 （A.输入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低）+V
3、CCRLR3R2R1svvo_?1C图选择题5 二判断题（正确的在括号内画，错误的画）1改用特征频率fT高的晶体管， 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。（ ）137 2增大分布电容的容量，可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。（ ）3幅度失真和相位失真统称为非线性失真。（ ）4当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦。（ ）5 当放大电路输入一个三角波电压时，输出电压波形的上升、下降斜线明显弯曲，因此可以肯定该放大电路的非线性失真较大。（ ）6当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。 （ ）7当晶体管
4、和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。 （ ）8在阻容耦合放大电路中，增大耦合电容的容量，有利于高频信号畅通，因此可以改善高频响应特性。 （ ）习题5.1 某放大电路的100LfHz ，1HfMHz ，现输入信号频率为2MHz 的正弦波，试问输出波形是否会产生频率失真？若输入信号是由100kHz 和 2MHz 两种频率分量组成的波形，问此时输出信号波形有无频率失真？解： （1）输入信号频率为2MHz 的正弦波时，输出不会产生频率失真。（2）若输入信号是由100kHz 和 2MHz 两种频率分量组成的波形，则输出波形有频率失真。5.2 一共射放大电路的
5、通频带为100Hz 100kHz，中频电压增益40vMAdB&，最大不失真交流输出电压范围为-4V +4V ，试求：（ 1）若输入一个310sin410 tmV的正弦信号， 输出波形是否会产生频率失真和非线性失真？若不失真，则输出电压的峰值是多大？oV&与iV&间的相位差是多少？（ 2）若350sin42510ivtmV，重复回答（1）中的问题。（ 3）若310sin460 10ivtmV，输出波形是否会失真？解： （1）因为输入信号的工作频率2fkHz ，处于中频区1010014omimvMvvAmVVV&所以输出波形不会产生非线性失真，又因为输入信号是单一频率的正弦波，所以输出也不会产生频
6、率失真。根据上述计算可知，输出电压的峰值为1V，因是共射电路，oV&与iV&间的相位差是-180（2）因为输入信号的工作频率50fkHz ，处于中频区5010054omimvMvvAmVVV&所以输出波形会产生非线性失真，但因输入是单一频率的正弦波，故不会产生频率失真。（3）因为输入信号的工作频率120fkHz，处于高频区，电压放大倍数小于中频放大倍数，即101001omimvMvvAmVV&138 所以输出即不会产生非线性失真。又因为输入信号是单一频率的正弦波，输出不会产生频率失真。5.3 已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为6100010111010vfjAffjj&试求该电路的上、下限
7、频率，中频电压增益的分贝数，输出电压与输入电压在中频区的相位差。解： 将vA&的表达式分子、分母同时除以10fj，可得：661000100010101111101010vfjAfffjjjjf&对比简单RC 高通、低通滤波电路的放大倍数表达式，可知：上限频率1000HfkHz，下限频率10LfHz，中频电压增益M| 100060vAdB&，输入电压与输出电压在中频区的相位差为 05.4 已知某放大电路的电压放大倍数的频率特性为)101)(201(1055fjfjAv试画出该电路的幅频响应波特图，并求出中频增益、上限频率Hf和下限频率Lf 。解： 将vA&的表达式与简单RC 高通、低通滤波电路的
8、放大倍数表达式进行对比，可知：5M| 10100vAdB&，上限频率100HfkHz ，下限频率20LfHz。该电路的幅频响应波特图如下：2021031051041020+20dB/十倍频程-20dB/十倍频程20 lg/vAdB/fHz80604061010000105.5 一个高频晶体管，在2EQImA时，其低频H 参数为：1.5berk，0100，晶体管的特征频率100TfMHz ，3b cCpF，试求混合型模型参数：mg、b er、bbr、beC。139 解：27726EQmTImAgmSVmV，26111001.32Tb eEQVrkI，1.51.30.2b ebbbbrrrk，36
9、7710123223.14 10010mb eTgCpFf5.6 放大电路如图题5.6 所示，已知三极管为3DG8D，50，2SRk，220bRk，2cRk，10LRk，110bCF ，220bCF ，5CCVV ，38.5mgms，41b eCpF，100bbr，4b cCpF，0.6BEVV ，试求：（ 1）画出电路的高频小信号等效电路，估算其上限频率Hf；（ 2）画出电路的低频小信号等效电路，估算其下限频率Lf 。RbRc+VCC (+5V)vsvoCb1Cb2RsRLRbRc+VCC C2 C1360k10 F(+12V)vivo图题 5.6 解： （1）高频小信号等效电路如下：cRb
10、T+vo_+VCCRL(b)高频小信号等效电路Cb1Cb2+bcbrbbrbeCbeCbc.ebmVg.bI.cIe_Rs+.sVRbRLRc(a) 原理图501.338.5b emrkgmS0.11.31.4bebbberrrk()220 20.1 1.30.8sbbbb eRRRrrk141138.510 24302b emLb cCCg RCpF31211659223.140.81030210HfkHzRC（2）低频小信号等效电路如下：140 rbe.bI_Rs+.sVRb+_.oVcRLR.bICb1Cb2HzCrRRCRfbbebsbL68.41010)4. 1/2202(21)/(
11、21215311112362221120.6622()2210102010LbcLbfHzR CRR C12LLffQ14.68LLffHz5.7 已知图题5.7 所示放大电路中，晶体管的50 ，be1rk，要求中频增益为40dB，下限截止频率为10LfHz，试确定cR和 C1的大小。RbRc+VCC (+5V)vsvoCb1Cb2RsRLRbRc+VCC C2 C1360k10 F(+12V)vivo图题 5.7 解：40100cvMbeRAdBr&Q3100 10250vM becArRk&11102 ()LbbefHzR rCQ111162 ()2360110bbeLCFR rfkk5.
12、8 电路如图题5.8 所示，设信号源内阻500SR，其中晶体管参数为：120，0.7BEVV ，50bbr，500TfMHz ，1bcCpF；其余参数如图中所示。试求：（1）混合型模型参数：mg 、ber、beC；（2）电路的上限频率Hf；（3）中频区电压增益；（4）增益带宽积。141 +VCC C2 (+15V)C1Rb2Rb1CeRLRsvsT1vok2233k4.7k3.9k1 F1FReRc4k10FRd+VDDC2 C1Rg(+15V)RL20kvivo图题 5.8 解： （1）21222150.733221.43.9bCCBEQBQBEQbbEQeeRVVVVRRImARR1.45
13、3.826EQmTImAgmSVmV26111202.21.4Tb eEQVrkI0.052.22.25bebbberrrk3653.8 1017223.1410010mb eTgCpFf（2）()33 22 0.50.052.20.44sbbbb eRRRrrk117153.84.7 41133b emLb cCCg RCpF312112.72223.140.4410133 10HfMHzRC（3）1204.7 433 222.25942.250.533 222.25bbeLvsMbesbbeRrRArRRr&（4）6942.7210255.68vsMHAfMHz&5.9 已知晶体管电路如图
14、题5.8 所示，设信号源内阻为500SR， 已知晶体管100，50bbr，0.7BEVV ，估算电路的下限频率Lf 。解：1eeRjCQ，eR 可视为开路（1）输入回路：111010.0911100ebCCCF1361116452()20.52.25100.0910LsbefHzRrC142 （2）输出回路：236212182()24.74101 10LcLbfHzRRC12LLffQ1645LLffHz5.10 有一个 N 沟道耗尽型MOS 场效应管（DSSI1mA ） ，三个电阻（分别为1M、100k、 10k）和两个电容（分别为0.1 F 、10 F ） ，要求从中选择合适的电阻、电容组
15、装一个如图题5.10 所示的放大电路 （其负载电阻为20k） ，并希望该放大电路有较高的输入电阻和尽量低的下限截止频率。VCC C2 (+15V)C1Rb2Rb1CeRLRsvsT1voReRcRd+VDDC2 C1Rg(+15V)RL20kvivo图题 5.10 解： （1）为使电路有尽可能高的输入电阻，gR必须取大值，所以应取1M。（2）在此电路中，0GSV，则1DDSSIImA，所以，为保证电路具有合适的静态工作点，dR应取 10k。因为121211,22LLgdLffR CRRC，若1Lf 、2Lf两者相差4 倍以上， 电路最终的下限截止频率取决于两者中较大的下限频率，所以要使下限截止
16、频率尽可能低，1C应取0.1 F ，2C取 10 F 。5.11 已知图题5.11 所示电路中，两个晶体管的和ber相同，1250 ，be1rbe22rk，试分析：（1） 定性分析 C1、 C2、 C3中哪一个电容对放大电路的下限截止频率Lf 起决定性作用？（简要说明理由）（2）估算该放大电路的下限截止频率Lf 。143 VCC C2 C1620k3k10 F(+9V)10FC33k10FRb1Rc1Rb2620kRc2Rs0T1T2vo+VCC C2 C1750k6.8k10 F(+12V)10 FC310 FRb1Rc1Rb2300kRs1kRe29.1kT1T2vovs图题 5.11 解： （1）因为负载开路，所以C3构成的回路时间常数为；T2管为共集电路，输入电阻Ri2很大，因此C2与Ri2构成的回路时间常数也较大；T1为共射电路，输入电阻Ri1较小，信号源内阻Rs又不大，所以C1构成的回路时间常数最小，对整个放大电路的Lf 起决定作用。（2）136111115.32 ()212 750101010LLsbebffHzRrRC
