硅片技术规格（125125mm）特性规格说明抽测比率生长方式CZ不得使用物理提纯法的硅料每根棒子抽测20片，其中若有一片不合格，加抽20片晶向<100>1型号/掺杂剂P/B氧含量≤1.01018/cm3碳含量≤5.01016/cm3电阻率1.0—3.0Ω•㎝单片电阻率不均匀性＜10％少子寿命≥1.3μs裸片数据几何尺寸外形准方中心厚度20020μmTTV≤30μm边长（开方尺寸）1250.3mm直径1500.3 mm弦长830.8mm、300.8mmLmax－Lmin＜1mm线痕深度＜15μm外观质量表面干净，不得有孪晶、裂纹、缺角、气孔、未滚圆边缘崩边不允许崩边深度≤0.3mm，长度≤0.8mm，单片崩边数量≤2个，不允许有“V”形缺口的，可以放入B类品中翘曲度≤75μm单晶硅棒参数1、 圆棒（每根硅棒在头尾各取2mm左右的样片）： 项目要求说明直径≥153mm电阻率1.0—3.0Ω•㎝少子寿命≥1.3μs裸测数据导电类型P2、 方棒：项目要求说明外形准方直径1500.3 mm开方尺寸1251250.3mm弦长830.8mm、300.8mmLmax－Lmin＜1mm表面光滑，无刀痕、划痕、暗裂、崩边若有磨不去的刀痕、划痕、暗裂、崩边等情况，其长度在合格长度中减去。