导体半导体和绝缘体的能带论解释

上传人:n**** 文档编号:93087755 上传时间:2019-07-16 格式:PPT 页数:19 大小:747.50KB
返回 下载 相关 举报
导体半导体和绝缘体的能带论解释_第1页
第1页 / 共19页
导体半导体和绝缘体的能带论解释_第2页
第2页 / 共19页
导体半导体和绝缘体的能带论解释_第3页
第3页 / 共19页
导体半导体和绝缘体的能带论解释_第4页
第4页 / 共19页
导体半导体和绝缘体的能带论解释_第5页
第5页 / 共19页
点击查看更多>>
资源描述

《导体半导体和绝缘体的能带论解释》由会员分享,可在线阅读,更多相关《导体半导体和绝缘体的能带论解释(19页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、本节主要内容:,5.3.1 满带电子不导电,5.3.2 导体、半导体和绝缘体的能带,5.3.3 近满带和空穴,5.3.4 金属和绝缘体的转变,5.3 导体、半导体和绝缘体的能带论解释,5.3.1 满带电子不导电,1.满带、导带、近满带和空带,(1)满带:能带中所有电子状态都被电子占据。,(2)导带:能带中只有部分电子状态被电子占据,其余为空态。,(3)近满带:能带中大部分电子状态被电子占据,只有少数空态。,(4)空带:能带中所有电子状态均未被电子占据。,2.满带和导带中电子的导电情况,(1)无外电场,不论是否满带,电子填充 和- 的几率相等。,据右图可看出,又,(2)有外电场,轴上各点均以完全

2、相同的速度移动,因此并不改变均匀填充各 态的情况。从A移出去的电子同时又从A移进来,保持整个能带处于均匀填满的状况,并不产生电流。,满带:,导带:,在外场作用下,电子分布将向一方移,破坏了原来的对称分布,而有一个小的偏移,这时电子电流将只是部分抵消,而产生一定的电流。,时,5.3.2 导体、半导体和绝缘体的能带,几个实例:,1.碱金属,Li,Na,K,ns电子只占一半能带,为导体。,2.碱土金属,Be,Mg,Ca,ns电子填满了ns能带,但ns能带与上面能带形成能带交叠,故仍为导体。,5.3.3 近满带和空穴,满带中少数电子受激发而跃迁到空带中去,使原来的满带变成近满带,近满带中这些空的状态,

3、称为空穴。,空穴在外场中的行为犹如它带有正电荷+e。,(2),(3),(4),(1),设能带中有一个 态没有电子,即能带中出现一个空穴,空穴的波矢用 表示。,可以证明:,满带中,(2),如果满带中有一个电子逸失,系统的总波矢为空穴的波矢。,(1),(4),(3),5.3.4 金属和绝缘体的转变,典型例子:低温下固化的隋性气体在足够高的压强下可以发生金属化的转变。,这种与能带是否交叠相对应的金属-绝缘体的转变称为Wilson转变。从非金属态变成金属态所需的压强称为金属化压强。,1.Wilson转变:,任何非导体材料在足够大的压强下可以实现价带和导带的重叠,从而呈现金属导电性。,Xe在高压下5d能

4、带和6s能带发生交叠,呈现金属化转变。,2.结构变化引起的金属-绝缘体转变(Peierls转变),设某金属,每个原胞有1个价电子,有一个半满的导带。,使原胞的晶格常量增大,费密半径,例1:半导体材料的价带基本上填满了电子(近满带),价带中电子能量表示式E(k)=-1.01610-34k2(J),其中能量顶点取在价带顶,这时若k=1 106/cm处电子被激发到更高的能带(导带),而在该处产生一个空穴,试求出此空穴的有效质量,波矢,准动量,共有化运动速度和能量。,解:,(2)准动量:,(3),(4),(5),(1)禁带宽度;,(2)导带底电子的有效质量和价带顶空穴的有效质量;,(3)电子由价带顶激发到导带底时,准动量的变化;,(4)在外电场作用下,导带底的电子和价带顶空穴的加速度;,(5)设a=0.25nm,=100v/m,请求出空穴自价带顶漂移到k0处所需的时间。,价带顶,导带底,(1)导带底,价带顶,(2)导带底,价带顶,(3),(4),(5),

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 大杂烩/其它

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号