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1、(1)硅片上难以实现大电容 (2)可以放大直流或缓慢变化的信号,2. 零点漂移：,无输入信号时，输出仍有缓慢变化的电压产生。 （可理解成静态点的漂移）,1. 模拟集成电路级间采用直接耦合方式,零漂：,引出,*,6.2 差分式放大电路,对于RC耦合放大电路，由于级间有耦合电容，各级Q点是彼此独立的，前级的零点漂移不会传递到后级，所以，其零漂不必考虑。,而对于直耦式放大电路，零漂却会逐级放大传递，第一级漂移的影响最大，而级数越多，增益越高，漂移越严重。,产生的原因：,VCC波动、温度变化引起管子参数变化，元器件参数老化等引起的Q点漂移，其中，温度变化引起的漂移是主要的，又称温漂。,当漂移电压的大小
2、可以同有效信号相比拟时，输出电压产生很大误差，甚至无法分辨。,影响：,温漂指标：,温度每升高1度时，输出漂移电压按电压增益折算到输入端的等效输入漂移电压值。,例如,则第一级输出漂移 -10 mV。,若第二级也有-100 V漂移，,则第二级输出漂移 1V+10 mV。,假设,第一级是关键,3.减小零漂的措施：,用热敏元件进行温度补偿；,采用稳Q电路；,第一级采用差分式放大电路。,漂移 100 V,漂移 -10 mV,漂移 1 V+ 10 mV,漂移 1 V+ 10 mV,*,若第一级有100V漂移，,-100V,6.2.1 差分式放大电路的一般结构,1. 用三端器件组成的差分式放大电路,2. 有
3、关概念,差模信号,共模信号,差模电压增益,共模电压增益,仅加入差模信号产生的输出,仅加入共模信号产生的输出,共模抑制比,反映抑制零漂能力的指标,1.电路组成及特点：,1. T1、 T2对管（型号、参数相同）组成对称电路；,且 RC1= RC1 = RC ；,3. 两个电源供电： +VCC、 VEE ；,2. T1、 T2的e极相连，接恒流源,恒流源的交流电阻ro很大。,vo = vo1 vo2 称为双端输出电压。,4、两个输入端、两个输出端。,此电路又称长尾电路,*,6.2.2 射极耦合差分式放大电路,(1)静态分析：,2.工作原理：,Q,vo= vo1 vo2 = 0,无输入信号时， 双端输
4、出电压为0。,（vi1 = vi2 = 0）,VE = - VBE= - 0.7V,*,(2)动态分析：,仅输入共模信号（大小相等、极性相同的信号） 即： vi1 = vi2 = vic,双端输出 vo = vo1 vo2 = 0,*, vo = vo1 vo2 0,仅输入差模信号（大小相等、 极性相反的信号） 即： vi1= vi2 = vid /2,输入有差别，放大器才有动作（输出） 称为差动式或差分式放大电路。,抑制零点漂移的原理,由于电路完全对称， T变化或电源的波动，将使两管的IC、 VC产生相同的变化，其效果相当于在两个输入端加入了共模信号,*,注意：单端输出时共模增益非常小，也能
5、很好地抑制零漂,总输出电压,双端输出时,（1）差模电压增益AVD, 双入、双出：,3.主要技术指标计算,一管电流一管电流， 且电流变化量相同。,流过恒流源 ro 的变化电流= 0 ， e 交流接地。,与单边共射放大电路相同，即以成倍的电路元件换取抑制零漂的能力,*,vi1= vi2 = vid /2,若双端输出接有负载时,RL中点为交流地,*,vi1, 双入、单出（输出电压取自 其中一管的c极）：,接入负载时,为双入、双出差模电压增益的一半。,*,AVD2=,而, 单端输入vi1 = vid， vi2 =0,等效于vi1= vi2 = vid /2时的双端输入。,单端、双端输出“差模增益”指标
6、计算与双端输入相同。,（re ：发射结交流电阻）,可近似认为ro交流不分流、断路。 则， vid均分在两管的发射结上，,*, 双端输出：,共模增益, 单端输出：,（2）共模电压增益AVC 输入 vi1 = vi2 = vic，,*,两管电流同时或同时,则流过ro的电流 io=2 iC,则对于每管而言，相当于射极接2ro的电阻，其交流通路为：,差放单端输出时，抑制零漂能力也很强,ro （恒流源交流电阻）很大 AVC1、 AVC1 很小,*,双端输出，理想情况,单端输出,（3）共模抑制比,抑制零漂能力越强,ro越大，,*,AVD1,AVC1,单端输出时的总输出电压,（4）差分电路频率响应,高频响应
7、：与单边共射电路相同，极间电容不可忽略。 高频时增益衰减 低频响应：由于输入、输出信号直接耦合，低频响应非常好， 等同于中频增益，可放大直流信号。,双端输出时的总输出电压：,vo1 = vid AVd1 + viC AVC1,vo = vid AVd + viC AVC = vid AVd,这样 vo1 几乎只放大差模信号 单端输出时有效抑制共模信号。,*,只放大差模信号,几种接法动态指标比较,双端 输入,单端 输入,信号的输入方式,*,*,双端 输入,单端 输入,几种接法动态指标比较,例：电路如下图所示，所有晶体管均为硅管，均为60，静态时UBEQ0.7V。试求： （1）静态时T1管和T2管
8、的发射极电流。,解：（1）T3管的集电极电流 IC3（UZUBEQ3）/ Re30.3mA 静态时T1管和T2管的发射极电流 IE1IE2 IC3/2=0.15mA,*,（2）若静态时uO0，则应如何调节Rc2的值才能使uO0V？,应减小Rc2。,IC4VEE / Rc40.6mA。,(3)若静态uO0V，则Rc2？电压放大倍数为多少？,=1V,=0.14mA,=7.14k,电压放大倍数求解过程如下：,例,解：,求:,(3),差分电路的共模增益,共模输入电压,不计共模输出电压时,vi=5mV 时，求 vo= ?,4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路,静态,IE6 IREF,IO IE5,输
9、入差分信号后的交流通路,4. 带有源负载的射极耦合差分式放大电路,单端输出差模电压增益,单端输出的电压增益接近于双端输出的电压增益,若接负载 RL,6.2.3 源极耦合差分式放大电路,1. CMOS差分式放大电路（带漏极有源负载）,6.2.3 源极耦合差分式放大电路,1. CMOS差分式放大电路（带漏极有源负载）,双端输出差模电压增益,6.2.3 源极耦合差分式放大电路,1. CMOS差分式放大电路（带漏极有源负载）,单端输出差模电压增益,gm vid（rds2 | rds4）,(rds2| rds4),与双端输出相同, gm(rds2 | rds4 ),是单个共源电路一半, 电路组成, 差模增益,差模输入电阻,JFET T1、 T2 ： 差分对管；,BJT T3、T4 及R1 R3组成比例 电流源电路，作ro ； 单入、单出 ,大于BJT差放的 差模输入电阻,*,2. JFET差分式放大电路,6.2.3 差分式放大电路的传输特性(vovid),*,由图可知，只在为0VT的范围内,传输特性呈线性关系。,为扩大线性范围，可在射极串接电阻Re1=Re2=Re 。,
