《2014-2019年中国肖特基二极管行业市场分析与发展战略研究报告》由会员分享，可在线阅读，更多相关《2014-2019年中国肖特基二极管行业市场分析与发展战略研究报告（64页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、2014-2019年中国肖特基二极管行业市场分析与发展战略研究报告中国产业研究报告网什么是行业研究报告行业研究是通过深入研究某一行业发展动态、规模结构、竞争格局以及综合经济信息等，为企业自身发展或行业投资者等相关客户提供重要的参考依据。企业通常通过自身的营销网络了解到所在行业的微观市场，但微观市场中的假象经常误导管理者对行业发展全局的判断和把握。一个全面竞争的时代，不但要了解自己现状，还要了解对手动向，更需要将整个行业系统的运行规律了然于胸。行业研究报告的构成一般来说，行业研究报告的核心内容包括以下五方面：行业研究的目的及主要任务行业研究是进行资源整合的前提和基础。对企业而言，发展战略的制定通
2、常由三部分构成：外部的行业研究、内部的企业资源评估以及基于两者之上的战略制定和设计。行业与企业之间的关系是面和点的关系，行业的规模和发展趋势决定了企业的成长空间；企业的发展永远必须遵循行业的经营特征和规律。行业研究的主要任务：解释行业本身所处的发展阶段及其在国民经济中的地位分析影响行业的各种因素以及判断对行业影响的力度预测并引导行业的未来发展趋势判断行业投资价值揭示行业投资风险为投资者提供依据2014-2019年中国肖特基二极管行业市场分析与发展战略研究报告【出版日期】2014年【交付方式】Email电子版/特快专递【价格】纸介版：7000元 电子版：7200元 纸介+电子：7500元【订购电
3、话】400-600-8596 010-80993936 传真：010-60343813【报告超链】http:/www.chinairr.org/report/R06/R0602/201404/08-150950.html报告摘要及目录 从肖特基二极管行业大趋势上来看，全球肖特基二极管行业发展趋于平稳。各大厂商在规避风险和应对产业周期变化方面显得更加成熟，通过科学的库存管理维持行业的相对稳定，因此，肖特基二极管行业周期性将逐渐弱化。而国内的肖特基二极管行业由于其起点低、下游产业集中等特点，未来几年里增长速度将大大高于全球平均水平，且波动幅度小于全球。 近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管
4、也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。SBD的主要优点包括两个方面： 1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。 2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。 但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流
5、比PN结二极管大。 资料来源：智研数据中心整理 目前亚洲是全球最大的肖特基二极管需求市场，2012年亚洲地区肖特基二极管需求占全球总量的46.4%；欧洲市场需求占比为21.9%；北美地区需求占比为20.7%。 资料来源：智研数据中心整理 中国产业研究报告网发布的2014-2019年中国肖特基二极管行业市场分析与发展战略研究报告共十章。首先介绍了中国肖特基二极管行业市场发展环境、中国肖特基二极管整体运行态势等，接着分析了中国肖特基二极管行业市场运行的现状，然后介绍了中国肖特基二极管市场竞争格局。随后，报告对中国肖特基二极管做了重点企业经营状况分析，最后分析了中国肖特基二极管行业发展趋势与投资预测
6、。您若想对肖特基二极管产业有个系统的了解或者想投资肖特基二极管行业，本报告是您不可或缺的重要工具。 本研究报告数据主要采用国家统计数据，海关总署，问卷调查数据，商务部采集数据等数据库。其中宏观经济数据主要来自国家统计局，部分行业统计数据主要来自国家统计局及市场调研数据，企业数据主要来自于国统计局规模企业统计数据库及证券交易所等，价格数据主要来自于各类市场监测数据库。第一章 2013年全球肖特基二极管行业发展分析 1第一节 2013年全球肖特基二极管行业发展现状 1 功率半导体器件在节能技术和低碳经济起着重要作用。功率半导体器件根据能被驱动电路输出控制信号所控制的程度，可将功率半导体器件分为不控
7、型器件如肖特基二极管（SBD）、快恢复二极管等；半控型器件如可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）；全控型器件如静电感应晶体管（Static Induction Transistor，SIT）、大功率双极型晶体管（GiantTransistor，GTR）等。 功率半导体器件按驱动信号类型分类：（1）电流驱动型功率半导体器件即通过在控制端注入或抽出电流来实现器件开关切换，如静电感应晶闸管（StaticInduction Transistor，SITH）、门极可关断晶闸管（Gate.Turn.Off Thyristor，GTO）等。（2）电压驱动型功率半导体器件
8、即通过在控制端和另一引脚端加一定电压信号来实现器件开关切换，如绝缘栅双极晶体管（Insulated.gate Bipolar Transistor，IGBT）、MOS控制晶闸管（MOS-controlled Thyfistor，MCT）等。 资料来源：智研数据中心整理 功率二极管是电路系统的关键部件，广泛适用于在高频逆变器、数码产品、发电机、电视机等民用产品和卫星接收装置、导弹及飞机等各种先进武器控制系统和仪器仪表设备的军用场合。功率二极管正向着两个重要方向拓展：（1）向几千万乃至上万安培发展，可应用于高温电弧风洞、电阻焊机等场合；（2）反向恢复时间越来越短，呈现向超快、超软、超耐用方向发展，
9、使自身不仅用于整流场合，在各种开关电路中有着不同作用如缓冲、检波等。为了满足低功耗、高频、高温、小型化等应用要求对其的耐压、导通电阻、开启压降、反向恢复特性、高温特性等越来越，功率二极管的发展也日新月异。资料来源：智研数据中心整理资料来源：智研数据中心整理资料来源：智研数据中心整理 资料来源：智研数据中心整理 最常用的两种功率二极管是PIN二极管和肖特基势垒二极管（Schottky barrier diode，SBD）。前者属于双极型器件，具有高击穿电压和低反向电流优势，由于少数载流子的注入有反向恢复过程；后者属于多子器件或单极型器件，具有低导通压降和高正向导通电流优势但自身耐压低与漏流高特点
10、。为了减小导通压降从而减少自身损耗，提出了沟槽MOS势垒肖特基整流器（TMaS），而且可用于太阳能电池旁路应用。1994年B.J.Baliga等人提出一种肖特基结与PN结构相结合的构想解决了SBD的反向耐压问题，这种结构称为结势垒控制肖特基二极管（Junctionbarrier Schottky，JBS）。此外，混合整流二极管（Merged PIN/Sehottkydiode，MPS）IlSl与JBS结构相似，但是正向导通特性不同，在正向偏压下MPS中PN结是导通的而JBS中PN结是不导通的；两者反向特性一致，均由随电压增加耗尽层的增加使相邻耗尽层连接在一起，避免肖特基势垒降低效应。 一、肖特
11、基势垒二极管 从1874年德国物理学家Braum发现了金属半导体接触导电特性存在非对称性并展开对其研究。直到1938年德国物理学家Schottky利用肖特基势垒理论即半导体内存在稳定均匀分布的空间电荷层而形成势垒，解释了金属.半导体接触非对称性的导电特性，同年英国物理学家Mott设计了金属.半导体接触模型命名为Mott势垒。美国物理学家Bethe在1942年对这两种模型深入研究并提出了热发射理论。随着肖特基接触基本理论日渐成熟，利用金属.半导体接触形成的肖特基势垒原理制作的肖特基势垒二极管研究渐渐升温。20世纪80年代后随着半导体工艺技术的发展，肖特基势垒二极管的发展逐步走向成熟。 1、肖特基
12、势垒二极管的优点及应用 近年来随着需求增长具有更高的工作频率、更小的元胞尺寸和更低功耗的肖特基二极管的应用范围不断扩大。肖特基势垒二极管的典型应用包括整流电路、电源保护电路、电压箝位电路等。此外，SBD的反向恢复时间比快恢复二极管或超快恢复二极管还要小，正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲，因而它是高频电路、超高速开关电路的理想器件。SBD有三个特点较为突出：（1）因为肖特基势垒高度小于PN结势垒高度，SBD的开启电压和导通压降均比PiN二极管小，可以降低电路中的功率损耗较低水平；（2）SBD的结电容较低，它的工作频率高达100GHz；（3）SBD是不存在少数载流子的注入因此它的开关速度更快，
13、自身反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间。 此外与普通PiN结二极管相比，SBD使用不同金属及不同工艺可得到最佳的肖特基势垒高度使正向压降和反向漏电流最优折衷。这些因素使SBD在低压、大电流电路领域受到极其重视。 2、肖特基势垒二极管的发展现状 近年来由于SBD的低导通压降和极短反向恢复时间对电路系统效率提高引起了人们高度重视并应用广泛。硅基SBD的缺点：（1）随着提高其反向耐压增大它的导通压降也增大，因此多用于200V以下的低压场合；（2）它的反向漏电流较大且对温度敏感，SBD的结温在125到175之间，而PIN整流管是200。随着半导体工艺成熟学者们进一步突出SBD的优点，提出了众
14、多新结构来提高SBD的反向耐压。 2008年东芝公司Johji Nishio等人将浮结应用于SBD（FJ-SBD也称super SBD）结合SiC材料优越的电学特性，在相同外延层浓度、厚度时FJ-SBD比普通SBD耐压提高且导通电阻下降，最终得到耐压2700V，导通电阻2.57m cm2，优值为11.3G的FJ.SBD。由于超结（SJ）理论具有划时代意义，2004年伦斯勒理工学院Lin Zhu等人将SJ应用到4H-SiC SBD。2003年Cree公司Fabrizio Roccaforte等采用镍硅化合物与Ti金属和4H-SiC接触形成高/低肖特基势垒双金属沟槽结构的SBD（DMT），DMT反
15、向特性由高肖特基势垒高度决定而正向特性类似于低肖特基接触势垒高度的SBD。为了改善SBD的反向特性，降低反向漏流，增加正反向电流比，印度理工学院Y.Singh和M.Jagadesh Kumar等人相继提出了横向混合双金属SBD（LMDS）、横向沟槽SBD（LTSS），横向双金属沟槽SBD（LDSS）。 注：（a）FJ-SBD；（b）SJ-SBD；（c）PSJ-SBD；（d）DMT；（e）LMDS 资料来源：智研数据中心整理 除了上述之外，2006年加齐大学Gazi University对A1/Si02/pSi（MIS）肖特基势垒二极管的结电容特性随着温度和频率变化关系；同年Seong-JinKim提出了场限环和内部环辅助保护环结终端的SiC SBD研制，耐压达1650V。2007年巴库国立大学I.M.Afandiyeva等人利用A1-Ti10W90.Si接触研制SBD，给出了电流.电压特性随着表面态变化关系及物理模型。2009年塞尔丘克大学O.Faruk Ytiksel对A1/p-si（100）肖特基二势垒极管
