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1、1,6.5 三束技术与薄膜制备,电子束、离子束、（激）光束 一起合称为“三束”,2,讲述内容,6.5.1 激光辐照分子外延 6.5.2 准分子激光蒸发镀膜方法 6.5.3 等离子体法制膜技术 6.5.4 离子束增强沉积表面改性技术,3,6.5.1 激光辐照分子外延（LaserMBE）,1激光分子束外延的基本原理 分子束外延（MBE）成膜过程在超高真空中实现束源流的原位单原子层外延生长，分子束由加热束源得到。 然而，早期的分子束外延不易得到高熔点分子束，并且在气体分压下也不适合制备高熔点氧化物、超导薄膜、铁电薄膜、光学晶体及有机分子薄膜。,4,1983年，J. T. Cheng首先提出激光束外延
2、概念，即将MBE系统中束源炉改换成激光靶，采用激光束辐照靶材，从而实现了激光辐照分子束外延生长。 1991年，日本M. Kanai等人提出了改进的激光分子束外延技术（L-MBE），被誉为薄膜研究中重大突破。,激光分子束外延示意系统,反射式高能电子衍射仪,四极质谱仪和石英晶体测厚仪等原位监测的超高真空室（10-8Pa）,脉冲激光源为准分子激光器（ArF或KrF），其脉冲宽度约20-40ns，重复频率2-3Hz，脉冲能量大于200mJ。,可旋转的靶托架 有4个靶盒,850-900,6,6.5.2 准分子激光蒸发镀膜方法,准分子激光（Excimer laser）是指受到电子束激发的惰性气体和卤素气体
3、结合的混合气体形成的分子向其基态跃迁时发射所产生的激光。 准分子激光属于冷激光，无热效应，是方向性强、波长纯度高、输出功率大的脉冲激光，光子能量波长范围为157353纳米，寿命为几十毫微秒，属于紫外光。最常见的波长有157 nm、193 nm、248 nm、308 nm、351-353 nm。,7,之所以产生称为准分子，是因为受激二聚体不是稳定的分子，是在激光混合气体受到外来能量的激发所引起的一系列物理及化学反应中曾经形成但转瞬即逝的分子，其寿命仅为几十毫微秒。,8,1蒸镀原理及典型工艺,准分子激光频率处于紫外波段，许多材料，如金属、陶瓷、高分子、玻璃、塑料等都可吸收这一频率的激光。 1987
4、年，美国贝尔实验室用准分子激光蒸发技术淀积高温超导薄膜。 其原理类似于电子束蒸发法。主要区别是用激光加热靶材，中图6-25为激光蒸发淀积系统示意。系统主要包括准分子激光器、高真空腔、涡轮分子泵。,9,准分子激光蒸发镀膜原理,10,准分子激光蒸镀的主要过程：激光束通过过石英窗口入射到靶材表面，由于吸收能量，靶表面的温度在极短时间内升高到沸点以上，大量原子从靶面蒸发出来，以很高的速成度直接喷射于衬底上凝结成膜。利用准分子激光蒸镀可以制备YBa2Cu3O1-x、Bi2Sr2Ca2Cu3O10+x、Tl2Ba2Ca2Cu3O10+x高温超导薄膜。,11,6.5.3 等离子体法制膜技术,6.5.3.1
5、等离子体增强化学气相淀积薄膜 20世纪70年代末和80年代初，低温低压下化学气相沉积金刚石薄膜获得突破性进展。最初，原苏联科学家发现在由碳化氢和氢的混合气体在低温、低压下沉积金刚石的过程中，若利用气体激活技术（如催化、电荷放电或热丝等），则可以产生高浓度的原子氢，从而可以有效抑制石墨的淀积，导致金刚石薄膜淀积速率提高。,12,此后，日、英和美等国广泛开展了化学气相淀积金刚石薄膜技术和应用研究。目前，已发展了热丝辅助CVD、高频等离子体增强CVD、直流放电辅助CVD和燃烧焰法等金刚石膜的淀积技术。,13,（1）高频等离子体增强CVD技术,产生的等离子体激发或分解碳化氢和氢的混合物，从而完成淀积。
6、根据等离子体的产生方式，可具体分为微波增强等离子体CVD和RFECVD两种。 图6-26（a）给出的是微波产生的筒状CVD系统。在这种技术中，矩形波导将微波限制在发生器与薄膜生长之间，衬底被微波辐射和等离子体加热。 图6-26（b）给出的是钟罩式微波等离子体增强CVD系统。该设备中增加了圆柱状对称谐振腔，能独立对衬底进行温度控制，具有均匀和大面积沉积特点。,14,（a）筒状微波等离子体CVD （b）钟罩式微波等离子体增强CVD 图6-26 等离子体增强CVD系统原理,15,（2）直流等离子体辅助CVD技术,直流等离子体喷射淀积也是近年来发展起来的一种CVD制膜技术。在这种技术中，由于碳化氢和氢
7、气的混合物先进入圆柱状的两电极之间，电极中快速膨胀的气体由喷嘴直接喷向衬底，因而可以得到较高的淀积速率。图6-27所示的是直流等离子体喷射CVD的原理。,16,图6-27 直流等离子体喷射CVD,17,（3）电子回旋共振微波等离子体CVD技术,电子回旋共振微波等离子体CVD技术，简称ECRPCVD。由于该技术淀积速率快，淀积的薄膜质量好，已经引起人们的普遍重视。 图6-28给出的是一种典型的ECRPCVD装置原理，它包括放电室、淀积室、微波系统、磁场线圈、气路与真空系统等几个主要部分。其中，放电室也是微波谐振腔，淀积室内的样品可由红外灯加热，微波由矩形波导通过石英窗口引入放电室，反应气体分两路
8、分别进入放电室和淀积室。,19,CVD生长过程中，进入放电室的气体在微波作用下电离，产生的电子和离子在静磁场中作回旋运动，当微波频率与电子回旋运动频率相同时，电子发生回旋共振吸收，可获得5eV的能量。 此后，高能电子与中性气体分子或原子碰撞，化学键被破坏发生电离或分解，形成大量高活性的等离子体。进入淀积室的气体与等离子体充分作用并发生多种反应，如电离、聚合等，从而实现薄膜的淀积。,20,与其他等离子体CVD技术相比，电子回旋共振条件下的电子能有效地吸收微波能量，能量转换效率高，因此电子回旋共振微波等离子CVD制膜具有以下技术优势： （a）可获得大于10的等离子体电离度和约1013cm-3的电子
9、密度，而通常REPCVD电离度仅为10-4，电子密度仅为1011cm-3。,21,（b）工作气体的离解效率大，可在低压下获得较高的淀积速率，并且无需对衬底加热。 （c）垂直于样品的表面的发散磁场使离子向样品作加速运动，增强了离子对样品表面的轰击能量，促进了薄膜的生长，同时也使膜与衬底结合力提高。 （d）由于淀积与放电分室设置，样品直接处于等离子体区，高能粒子对样品表面的损伤大大减少。,22,6.5.3.2 微波ECR等离子体辅助物理气相沉积法制膜,6.5.3.3 微波电子回旋共振等离子体溅射镀,23,6.5.4 离子束增强沉积表面改性技术,1离子束增强沉积原理 离子束增强沉积（IBED）又称为
10、离子束辅助沉积（IAD），是一种将离子注入及薄膜沉积两者融为一体的材料表面改性和优化新技术。其主要思想是在衬底材料上沉积薄膜的同时，用十到几十万电子伏能量的离子束进行轰击，利用沉积原子和注入离子间一系列的物理和化学作用，在衬底上形成具有特定性能的化合物薄膜，从而达到提高膜强度和改善膜性能的目的。,24,（1）原子沉积和离子注入各参数可以精确地独立调节，分别选用不同的沉积和注入元素，可以获得多种不同组分和结构的合成膜； （2）可以在较低的轰击能量下，连续生长数微米厚的组分均一的薄膜；,优点,25,（3）可以在常温下生长各种薄膜，避免了高温处理时材料及精密工件尺寸的影响； （4）薄膜生长时，在膜和衬底界面形成连续的混合层，使粘着力大大增强。,26,2离子束增强沉积的设备及应用,从工作方式来划分，离子束增强沉积可分为动态混合和静态混合两种方式。前者是指在沉积同时，伴随一定能量和束流的离子来轰击进行薄膜生长；后者是先沉积一层数纳米厚的薄膜，然后再进行离子轰击，如此重复多次生长薄膜。,27,目前较多采用低能离子束增强沉积，通过选择不同的沉积材料、轰击离子、轰击能量、离子原子比率、不同的衬底温度及靶室真空度等参数，可以得到多种不同结构和组分的薄膜。离子束增强沉积材料表面改性和优化技术在许多领域已得到应用，使得原材料表面性能得到很大程度的改善。,
