高等固体物理(中科大)3尺度

上传人:ji****n 文档编号:54850654 上传时间:2018-09-20 格式:PPT 页数:122 大小:14.69MB
返回 下载 相关 举报
高等固体物理(中科大)3尺度_第1页
第1页 / 共122页
高等固体物理(中科大)3尺度_第2页
第2页 / 共122页
高等固体物理(中科大)3尺度_第3页
第3页 / 共122页
高等固体物理(中科大)3尺度_第4页
第4页 / 共122页
高等固体物理(中科大)3尺度_第5页
第5页 / 共122页
点击查看更多>>
资源描述

《高等固体物理(中科大)3尺度》由会员分享,可在线阅读,更多相关《高等固体物理(中科大)3尺度(122页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、第三章 尺寸,3.1 介观体系 3.2 纳米体系 3.3 原子团簇,3.1 介观体系1电子波的干涉 金属的电导率,输运弛豫时间包含了各种相互作用的贡献:电子杂质,电子声子,电子电子,较纯金属:杂质散射贡献较小,电子电子相互作用由于传导电子的屏蔽效应而变得很弱。在温度较高时,声子散射起主要作用,它决定了电导率随温度变化的规律。随温度的降低,声子浓度不断减少,而杂质的数量不变,因此电导将趋于常数(剩余电阻).电子被看作粒子,各种相互作用都被纳入相应的驰豫时间,电子作为波的运动特征相位被完全忽略了。,X,X”,简化的合理性: 电子沿不同的布朗运动路径从X 点到达X”点(假设所以路径上电子 经历的散射

2、为弹性):,干涉效应,某些特殊条件下,干涉效应不为零:沿一闭合路径反向运动的两电子分波,具有时间反演对称性。两电子分波的叠加在总平均中不抵消 电子散射的可能路径不是无限多,而是局限于若干个有限路径时,(a).弱局域化电导修正闭合路径:电子在固体中扩散运动时以一定的概率返回它的出发点,这种路径称之为闭合路径。,0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11,12,态的电子从0点开始:0-1-2-3 -12-0 ,波函数为A+,态的电子从0点开始:0-12-11-10 -1-0 ,波函数为A-,|A+|=|A-|=A,等概率地:,这两个路径的顺序具有时间反演对称性,称之为时间反演路径 (tim

3、e reversal path) 对所有散射为弹性散射的情形,可证明,电子受相同的杂质散射从 态到 态和从 态到 态所附加的相移 是相同,A+与A-具有相同的振幅,相同的相位:,虽然巨大数量的电子扩散路径的电子分波的干涉趋向于相互抵消,但经过时间反演路径的电子波的干涉却相互增强。电子回到途中某一点几率的增加,意味着观察点N发现电子的几率下降,导致电导率的减小或电阻率的增加,呈现对经典电导率的量子力学改正弱定域化的物理图象,是量子力学波函数叠加原理导致宏观可观察后果的独特范例。,计及量子效应之后,电子似乎更趋向于呆在原点,N,M,O,弱定域化引起的电导变化:假定处于 态的电子可能被散射到费米面上

4、的Z个状态 该电子被散射到 的几率为1/Z,而与经历的中间态散射次数n无关。 电子处于动量本征态 的平均寿命 费米波矢的不确定量为:,自由程,二维:不确定量构成的圆环面积:K空间的态密度为:圆环所包含的状态数:,都对相关散射有贡献,初态末态的动量,能量差为:,在一次散射时间间隔 内产生的相移:,中间态上的相移不同,位相平方相加,叠加n次散射后:,电子回波产生的反向粒子流:,若一个电子在t=0时处于k态,根据驰豫时间近似,其动量 以特征时间 指数衰减,而由于干涉回波产生的反向动量 则随时间的倒数衰减,且在 时消失,那么这个电子 对于平均动量的贡献为:,电导也将以括号内的因子减少:,为弱局域化电导

5、修正,低温下,一般金属薄膜的电导率0.010.1S。,在电子平均自由程较小的样品中容易观察到 这种现象:淬火薄膜或掺氧薄膜,(b).正常金属中的Aharonov-Bohm(AB)效应经典电磁学:,量子力学: 电磁场中运动的粒子方程,规范变换,A,B,C,F,经典物理:电子束通路上没有磁场,没有磁力作用在电子上,螺线管中磁场不会产生任何影响。,量子力学:电子将感受到与磁通量相联系的矢势存在,波函数 将附加一与矢势A有关,依赖于路径的相位。,A,B,C,F,干涉强度依赖于两条路径封闭的磁通总量 ,并以周期振荡。,观察AB效应: 电子束不受散射,相位相干不受破坏:高真空或超导体 正常金属扩散区?电子

6、经多次散射,走着无规行走路径可观察,对一维理想金属环,如果有磁通 穿过中空区,这个环的所有 物理性质随 以 为周期变化,L,上述问题与周期为L的一维能带问题相似:,杂质Peierls,理想环,非理想环,实验:1983年,Au的平均直径为245nm,环宽30nm,AAS效应:除了观察到AB效应,还观察到周期为 的效应振幅只有AB效应的4%缘由:弱局域化效应,2介观体系的电导 (1)Kubo(久保公式) 线性响应理论:非局域响应关联函数,V,I,I,电导系数g:,1,2,1,dS1,C1,2,dS2,C2,(2)Landauer公式: 两电极视为理想导体,被测器件视为一势 垒,器件的电导系数就一定

7、依赖于电子波的穿透系数T:,T,R,(3)Landauer-Buttiker公式:一根无穷长理想导线中独立电子的Shordinger方程:,Z,E1,E2,k,0,每条曲线代表一个横向子能带-容许通道 在每个容许通道中电子将以行波的方式 传播,从而引起电荷的流动。 给定波矢量k0,电荷既可沿+k(入射) 也可沿-k(反射)流动。,计算T=0K,导线中第 个通道上的入射电流,被测器件视为一块不均匀散射媒质,它将理想导线1中入射而来的一束渐近行波散射到导线2中的某些容许通道(透射波)及导线1中的某些容许通道(反射波)中。 a.计算两端单通道器件电导系数的Landauer-Buttiker公式 导线

8、宽度很窄,各子能带之间的能差很大,最低子能带可被电子占据,成为唯一的容许通道。 1,2导线由相同导线组成:,Buttiker公式,b.计算两端多通道器件电导系数的Landauer-Buttiker公式 导线有限宽度,电子将填充其数个子能带(N),改写两端单通道器件的净电流表达式:,多通道:,R. A. Webb et al. Phys. Rev. Lett. 54, 2696 (1985),C. P. Umbach et al. Phys. Rev. B 30, 4048 (1984),1 mm,3普适电导涨落(UCF),(1)一般特征 a.与时间无关的非周期涨落,不是热噪声(和时间有关)。

9、b.这种涨落是样品特有的(sample-specific),涨落花样可重复(pattern)。 c.涨落大小是e2/h量级(4x105S),普适量。与样品的材料、尺寸、无序程度无关,与样品的形状和空间维度只有微弱的关系,只要求样品具有介观尺度,并处于金属区:即,普适电导涨落的存在反映了介观体系和宏观体系本质上的差别,REPRODUCIBILITY OF THE CONDUCTANCE FLUCTUATIONS MEASURED IN A GOLD RING,S. Washburn and R. A. Webb Adv. Phys. 35, 375 (1986),(2)物理解释从样品一边到另一边

10、的透射几率幅是许多通过样品的费曼路径相应的几率幅之和。在金属区电子通过样品时经历多次与杂质的散射,其费曼路径是无规行走式的准经典“轨道”,不同的费曼路径之间的相位差是不规则的随机干涉效应(Stochastic interference),使电导呈现非周期的不规则涨落。,INTERFERENCE BETWEEN TWO POSSIBLE ELECTRON PATHS WHICH PROPAGATE ALONG THE SAME ARM OF THE RING,TWO DIFFERENT TRANSMISSION PATHS THROUGH A DISORDERED SAMPLE,由统计力学,边长

11、为L的宏观体系物理量x的相对涨落为:,系综平均,LC是某一关联长度,d是体系的维度 L,x的相对涨落趋于零经典自平均行为(self-averaging),对于普适电导涨落:,电导的平均值满足欧姆定律:,d1个彼此独立的环,每个环的总电子数固定不变,但不同的环除总电子数可以不同外,其他参数(如 )均相同。,对不同总电子数的系综的平均,(2).变型巨正则系综(Modified grand canonical ensemble)不同环的化学势可以不同,其他参数均相同。,对不同化学势的系综的平均,3.2 纳米体系(1).纳米体系物理学(2).纳米化学(3).纳米材料学(4).纳米生物学(5).纳米电子

12、学(6).纳米加工学(7).纳米力学1纳米结构单元 零维:团簇、量子点、纳米粒子一维:纳米线、量子线、纳米管、纳米棒二维:纳米带、二维电子气、超薄膜、多层膜、超晶格体系的某个或数个特征长度在nm量级 2. 纳米结构的自技术(1).球磨和机械合金化工艺和技术(2).化学合成工艺和技术(3).等离子电弧合成技术(4).电火花制备技术(5).激光合成技术(6).生物学制备技术(7).磁控溅射技术(8).燃烧合成技术(9)喷雾合成技术Bottom-up, Top-down,3. 纳米体系的基本物理效应(1).小尺寸效应:尺寸与光波波长、德布罗意波长以及相干长度等相当或更小时,导致声、光、电磁、热力学等物性呈现新的小尺寸效应。(2).表面效应:,

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 中学教育 > 初中教育

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号