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1、模拟电路分析主讲：光电信息学院 钟 建,课件下载网址： http:/202.115.21.138/wlxt (本校的网络学堂） （光电信息学院模拟电路分析，钟建 教案 密码：502 ）,第一章 常用半导体器件,1.1 半导体基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 晶体三极管,1.4 场效应管,1.2 半导体二极管,二极管伏安特性,二极管模型,二极管应用,1.2.1.二极管的结构,(一) . 二极管的结构（实质为一个PN结）,.二极管的结构,点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。,面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。,平面型：结面积可小、可大
2、，小的工作频率高，大的结允许的电流大。,半导体二极管的型号,国家标准对半导体器件型号的命名举例如下, (欧洲，美国，日本的命名方法各有不同，详见晶体管手册）,开启电压,反向饱和电流,击穿电压,温度的 电压当量,二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。,1.2.2. 二极管的伏安特性,开启电压：使二极管开始导通的临界电压。,当加正向电压时：I 随U，呈指数规率。,1.2.2. 二极管的伏安特性,当加反向电压时： I=Is ，基本不变。 正偏二极管有一个正向电流开始明显增大的导通电压UON， Si管：0.7V,Ge管：0.3V,从二极管的伏安特性可以反映出： 1. 单向导电性,2. 伏安特性受温
3、度影响,T（）在电流不变情况下管压降u 反向饱和电流IS，U(BR) T（）正向特性左移，反向特性下移,正向特性为指数曲线,反向特性为横轴的平行线,增大1倍/10,二极管温度特性 结论:1)正向/开启电压随温度的升高而减小； 2)反向饱和电流IS随温度的升高而增大；,1.2.3 二极管的主要参数（见p20）,最大整流电流IF：最大正向平均电流值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：上限截止频率，因PN结有电容效应,理想 二极管,近似分析中最常用,导通时i与u成线性关系,应根据不同情况选择不同的等效电路！,一. 二极管的伏安特性的分段线性近似模型,？,10
4、0V？5V？1V？,1.2.4.二极管的等效电路模型,器件模型：由理想元件构成的能近似反映电子器件特性的等效电路。 一、二极管的伏安特性的分段线性近似模型 理想开关模型 (用于UON外加电压） 二极管 理想开关（如下图）正偏时正向电压 = 0，反偏时反向电流 = 0,1.2.4.二极管的等效电路模型, 理想开关模型 (用于UON 2.7V 时导通； VD2只能在u i - 4.7V时导通； 故 - 4.7V u i 2.7V 时，VD1管导通，VD2管截止，u O 2.7V ；当 - 4.7V u i 2.7V 时， VD1管和VD2管均截止，u O u i ； 当 u i - 4.7V 时，VD1管截止，VD2管导通，u O - 4.7V。,解：,
