太阳能光电化学转换研究的回顾与展望[1]

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1、太阳能光电化学转换研究的回顾与展望肖绪瑞 尹峰 刘尧（中国科学院化学研究所，北京100080） 0 引言 进入二十世纪以来， 人类的工业文明得以迅猛发展，由此引发的能源危机和环境 污染成为急待解决的严重问题， 利用和转换 太阳能 是解决世界范围内的能源危机 和环境问题的一条重要途径。 世界上第一个认识到光电化学转换太阳能 为电能可 能实现的是 Becquere1，他在 1839 年发现涂布了卤化银颗粒的金属电极在电解 液中产生了光电流，以后Brattain、Garrett及 Gerisher 等人先后提出和建立 了一系列有关光电化学能量转换的基本概念和理论，开辟了光电化学研究的新领 域。197

2、2 年 Honda和 Fujishima 应用 n-TiO2 电极成功的进行 太阳能 光分解水制 氢，使人们认识到光电化学转换太阳能为电能和化学能的应用前景。从此，以利 用太阳能 为背景的光电化学转换成为一个非常活跃的科学研究前沿。光电化学太 阳电池的一个突出的特点是材料制备工艺简单，即使应用多晶半导体也可期望获 得有较高的能量转换效率， 可大大降低成本， 增加大规模应用的可能性， 因此光 电能量的直接转换成为最引人注目的一个重要研究方面。我国自 1978 年进行光电化学能量转换方面的研究，其进展情况可大致分为三个 阶段：七十年代后期， 为寻找廉价光电化学转换 太阳能 的方法和途径广泛地进行

3、了各种半导体电极电解液体系的光电化学转换研究；八十年代中期， 随着人工 化学模拟光合作用研究的深入， 有机光敏染料体系的光电能量转换很快兴起并得 到很大发展； 九十年代以来， 由于新材料的诞生和迅速发展，新型纳米结构半导 体和有机纳米半导体复合材料成为光电化学能量转换研究的主要对象和内容。1 常规和非常规半导体电极的光电化学太阳电池用于光电化学太阳电池中半导体电极研究的材料包括有：Si、 - 族化合物 CdX （X=S 、 Se、Te） 、 - 族化合物（GaAs 、InP） 、 二硫族层状化合物 （MoS2 、FeS2 ） 、 三元化合物 （CuInSe2、CuInS2、AgInSe2）及氧

4、化物半导体 （TiO2、ZnO 、Fe2O3 ） 等，其中窄禁带半导体（ Eg2.0eV）可获得较高的光电转换效率，但存在光腐 蚀现象，宽禁带半导体 （Eg3.0eV）有良好的稳定性， 但对太阳能 的吸收率低。 因此大量的研究工作都是围绕提高光电效率和稳定性进行的。同固体太阳电池一样， Si 在光电化学电池研究中也是一个重点对象。Si 是较理 想的光电极材料，但在电解质水溶液中容易光腐蚀，其表面生成SiOX绝缘层使 光电流急骤衰减。因此，克服光腐蚀是 Si 光电化学电池研究的主要内容。 在 n-Si 电极表面化学沉积Au，形成 Au与 Si 表面渗合层，可减少光腐蚀；用电沉积法 将聚丁基紫精修

5、饰于p-Si 电极表面，也使光腐蚀明显下降。n 型和 P型外延硅 （nn+-Si 、pn+-Si ）电极由于电荷分离效率高，其光电流较大。 通过表面修 饰几个纳米厚的金属层（Pt、Ni、Au、Cu 、Co） ，进一步提高光稳定性，可以获 得光电性能优越的光电化学电池。 其中以真空蒸镀或溅射方法在外延硅表面修饰 Pt 或 Ni 以及 PtNi（NiPt）复合层的效果较好，如Ptnn+-Si 和 Pt p/n+-Si电极在 KBr-Br2 电解液中光电转换效率分别达到12.2%和 13.6%，用MOCVD 方法在 pp+-Si 电极表面覆盖 TiO2 薄膜形成异质结结构， 不仅提高了光 稳定性能，

6、而且在一定电压下光电流增大了10 倍。 用同样的方法覆盖-Fe2O3， 和 ZnO薄膜也得到了类似的结果。 用 LB膜技术在 n-Si 电极表面修饰排列有序的 Pt 团簇（平均直径为4nm ） ，其开路电压达到了0.685V。金属和金属氧化膜的表 面修饰加速了光生空穴的界面转移，从而有效抑制了电极自身光腐蚀，同时也提 高了光电性能。-族化合物半导体CdX （X=S 、Se、Te）是光电化学研究较为普遍的光电极材 料， 其主要优点是可用多种方法如粉末压片法、涂敷法、真空沉积、化学气相 沉积、电沉积、化学溶液沉积以及喷涂热解法等制备，得到转换效率较高的多晶 或薄膜光电极， 这些方法价格低廉、 简单

7、易行， 多数还可适用于大面积制备。在 CdX （X=S 、Se、Te）化合物中 CdS的能隙较大（ Eg=2.4eV） ，只能吸收小于 517nm 波长的太阳光，曾用压片烧结、涂敷、喷涂热分解制备各种CdS电极并用 RuS2 进行光谱敏化，将吸收截止波长由517nm延长至 890nm ，但转换效率都很低，因 此研究的重点是 CdSe和 CdTe电极。用涂敷法在各种金属基底 （钛、铬、 钼、铂） 、 非金属基底（二氧化锡、石墨、破碳）上都可成功制备性能稳定、重现性好的 CdSe薄膜电极。在金属基底CdSe薄膜结合力强，界面电阻小，经过电极表面的 化学刻蚀和光化学刻蚀获得了7的能量转换效率。 进一

8、步控制热处理气氛中的 含氧量使转换效率提高至8.3 。制备中用 Te替代部份 Se形成 CdSe和 CdSexTe1-x薄膜电极，其光谱响应范围与X值大小有关，当调X=0.63 时能量转 换效率达到 12.3 。CdTe具有吸收太阳光能的最佳能隙（Eg=1.4eV） ，其单晶电 极在多硫溶液中达到15.6的光电转换效率，但用电沉积法制备多晶薄膜电极 却只获得 3.6 的转换效率。 比较 CdX （X=S 、Se、 Te）光电极性能不难看出， CdSe 和 CdSexTe1-x薄膜的光电性能和稳定性能优于CdS和 CdTe电极，是光电化学研 究中有发展前途的光电极材料。在CdS和 CdTe薄膜的

9、研究中证明了表面修饰也 是改善光电性能的有效措施，研究Au、Pt、Ru和 Pd等贵金属修饰 CdS和 CdTe 电极，发现贵金属在电极表面的构型不同会产生不同效果，大量的Pt 岛覆盖电 极表面降低了电极界面光电化学反应的极化，增大了反应的交换电流， 是电极界 面光电催化的最佳构型。 Pd的修饰形成了金属致密层，结果使光电性能下降， 产生与 Pt 修饰相反的效果。 用 LB膜技术实现分子取向、 排列结构和浓度可控的 条件下研究具有不同氧化还原电位和传递电荷性质的二茂铁衍生物修饰CdSe ， 薄膜电极，将电极表面的微观分子设计与宏观电极过程联系起来，为修饰分子的 优化提供大量信息，使半导体电极表面

10、修饰技术有很大的提高和发展。对族化合物半导体主要研究GaAs和 InP 单晶电极，它们具有吸收太阳光能 的最 佳带隙，可以构成高效的光电化学电池。n-GaAs电极在多硒溶液中有较好 的稳定性，经 H2SO4-H2O2 混合溶液的反复刻蚀，再吸附Ru3+ 离子后有效降低表 面复合，使光电转换效率大大提高， 接近于 20。n-InP 电极的晶面取向和掺杂 浓度对光电性能有很大影响，掺杂浓度低 （1016cm-3）的光电流、 光电压优于掺 杂浓度高（ 1018cm-3)的电极；在 Fe2+/Fe3+酸性溶液中，性能稳定，转换效率 达到 18，p-InP 电极在 V2V3溶液中表面经 Ag修饰和电镀

11、Cu改善背面 接触后效率达到 18.8 。过渡金属二硫族层状化合物具有特殊的电子结构，其过渡金属存在分离的d 轨道，受 激电子在 d-d 轨道间跃迁，最大跃迁能为1.1eV-1.8eV ，而且不影响化 学键，因此其光稳定性好。研究天然晶体MoS2 电极发现其光电性能存在各向异 性的特征，电极的表面性质是决定光电性能的关键因素，通过离子特性吸附和表 面活性剂处理都能明显提高光电流和光电压，FeS2电极则可通过界面配位化学 途径来改善其光电性能。在三元半导体化合物中研究了CuInS2和 CuInSe2及其固溶体的烧结多晶电极， 通过固 溶体的组成变化来改变电极的能隙及电子亲合势，得到CuInS2

12、（1.51eV） 、 CuInS1.5Se0.5(1.44eV) 、 CuInSSe （1.24eV） 、 CuInS0.5Se1.5 （1.13eV） 和 CuInSe2(1.04eV）不同组成的三元化合物多晶电极，在多硫溶液中以 CuInS2， 电极的光电流、光电压最大，转换效率达到1.8 ，而且间断运行一年光电性能 未见衰减。 AgInSe2 电极在多碘溶液中的光电化学性能优于CuInSe2。氧化物半导体一般具有很好的光稳定性能，但存在的问题是能量转换效率较低， 因 此研究的重点是通过光谱敏化、离子掺杂和光电催化作用来改善其光电性能。最 有代表性的是 TiO2，热氧化制备的多晶薄膜电极在

13、通氮无氧的K4Fe （CN ）6 和 HClO4混合溶液中浸渍， 由于 K4Fe （CN ）6 与 TiO2 表面中的 Ti4 形成电荷转移 配合物，使 TiO2 的吸收光谱由 400nm扩展到 600nm以上。另外，还研究了铱和 钴对 TiO2 电极光电化学反应的催化作用，铱以大量微孔的透光层形式，钴则以 高度分散的微岛固定在TiO2 电极表面，都能快速捕获光生空穴催化界面光反应 氧化，将钴微粒载在多孔铱层产生了更大的光电流，说明铱和钴的联合作用比单 一催化剂有更好效果， ZnO电极只能吸收紫外光用染料罗丹明日B进行光谱敏化， 明显增加了可见光波长区（400nm 700nm ）的光电流。 -

14、Fe2O3薄膜电极用二 茂铁化学真空沉积 （VCD 法）在高纯 Ti 层上制备， 其工作光谱扩展至670nm ，比 -Fe2O3能隙相对应的 550nm 红移了 120nm ，这是归因于在热处理过程中Ti 由 基底扩散而导致的掺杂效应。2 有机光敏染料的光电能量转换自然界绿色植物的光合作用是已知最为有效的太阳光能转换体系。许多人利用类 似 叶绿素分子结构的有机光敏染料设计人工模拟光合作用的光能转换体系，进 行光电转换的研究。 由于有机光敏染料可以自行设计合成，与无机半导体材料相 比，材料选择余地大，而且易达到价廉的目标。如金属卟啉和金属酞菁是大 共轭有机分子与金属组成的配合物，具有较高的化学稳

15、定性， 能较强吸收可见光 谱，作为有机光伏材料，它是目前广泛研究的对象。2.1 单层有机光敏染料电极用真空沉积、 旋转涂布和电化学沉积等方法，将有机染料修饰在金属、 导电玻璃 或 半导体表面上，在电解液中研究其光电性能。 在不同金属卟啉化合物中以Zn、 Mg为中心金属的光电性能最佳。不同功能取代基如羟基、硝基、胺基、羧基、 甲基等对光电性能有明显的影响， 说明可以通过改变功能取代基的种类和位置来 优化其光电性能。 金属酞菁化合物的光电性能也与中心金属密切相关，三价、四价酞菁化合物（ AlClPc ，GaClPc ，InClPc ，SiCl2Pc ，GeCl2，TiOPc，VOPc ）比 二价金

16、属酞菁化合物（ ZnPc，MgPc ，CoPc ，SnPc ，PbPc ，FePc，NiPc）的光电性 能优越，这是因为三价、 四价金属酞菁的光谱响应较宽，而且分子中的氯原子和 氧原子有利于电子传递。 酞菁铜的电化学聚合膜由于聚合物分子比单体具有更大 的共轭体系， 电子更易于移动和迁移， 而且电聚膜与垫底接触电阻小，因此表现 出比其单体更佳的光电性能。 除有机光敏染料外， 影响光电性能的还有电解液的 酸碱性和氧化还原性质以及环境中的氧化性和还原性气氛等。2.2 双层有机光敏染料电极金属卟啉的最大吸收在410nm左右，大于 410nm波长的光吸收较弱， 金属酞菁则 在 600700nm波长有较强的光吸收，将不同光谱响应的二种有机染料如四吡啶 卟啉或四甲苯基卟啉与酞菁锌或酞菁铝组合形成双层结构电极，扩展了吸收太阳 光谱响应范围，产生明显的光电性能加合效应。具有不同半导体性质的有机光敏染料可以构成双层有机p/n 结电极，即有机固态 异质结太阳电池，如 n 型的北红类与 P型的酞菁类化合物组成的有机异质结太阳 电